JP5667940B2 - 溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置及び方法 - Google Patents
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Description
T=(Ld2 ・Wb・t・γ・g)/(8・D) ・・・・(1)
(第1・第2バンド相対位置)=(第1ドラムBEP−第2ドラムBEP)/バンド走行速度・・・(2)
の式に、第1・第2バンド相対位置の「−0.1」と、現在のバンド走行速度と、現時点の第1ドラムBEP信号とを代入し、目標とする第2ドラムBEP信号を得る。そして、得られた第2BEP信号を第2ドラムにおける目標BEP信号とする。次に、この目標BEP信号と第2ドラムBEPセンサからの実際のBEP信号との偏差を求め、この偏差を位置補償値として、第2ドラムBEP指令制御器57に出力する。
(II) 1.0≦ A ≦3.0
(III) 0 ≦ B ≦2.0
11 流延装置
21 第1ドラム
22 第2ドラム
21a、22a ドラム軸
23 バンド
30 ドープ
31 流延膜
32 フィルム
40R,40L 軸受
41R,41L シフト機構
42R,42L 軸受位置センサ
43R,43L テンションセンサ
44 第1ドラムBEPセンサ
45 第2ドラムBEPセンサ
46 中間部テンションセンサ
Claims (12)
- 第1ドラムと第2ドラムとの間に掛け渡されて、前記第1ドラムから前記第2ドラムに向かう第1方向に走行するバンド上に、ポリマが溶剤に溶解したドープを流延ダイから流延して前記バンドに流延膜を形成し、前記流延膜を前記バンドから剥がして乾燥させフィルムにする溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置において、
前記第2ドラムの両軸端部の両軸受を前記第1方向に個別に移動させる右側移動機構及び左側移動機構と、
前記第2ドラムの両軸受の前記第1方向における位置を検出する第2ドラム右側位置センサ及び第2ドラム左側位置センサと、
前記バンドの幅方向である第2方向におけるエッジ位置を前記第2ドラムにて検出する第2ドラムバンドエッジ位置センサと、
前記第2ドラムバンドエッジ位置センサからのバンドエッジ位置信号に基づき前記第2ドラムの前記第2方向におけるバンドエッジの移動速度を検出し、このバンドエッジ移動速度に基づき前記第2ドラムの傾きを求め、前記右側移動機構及び前記左側移動機構を作動させて、前記第2ドラムの傾きに基づき前記バンドエッジ移動速度を0にする方向に前記第2ドラムを傾斜させ、バンドエッジ位置の変動を抑えるバンドエッジ位置コントローラと、
前記バンドのテンションを検出するテンションセンサと、
前記テンションセンサのテンション信号に基づき前記第2ドラムの軸受の位置補正信号を出力するテンション制御器と
を有することを特徴とする溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置。 - 前記バンドエッジ位置コントローラは、
前記第2ドラムの前記第2方向におけるバンドエッジの移動速度を検出する第2ドラムバンドエッジ移動速度検出部と、
前記第2ドラムバンドエッジ移動速度検出部からの第2ドラムバンドエッジ位置移動速度に基づき前記第2ドラムの傾きを求める第2ドラム傾き演算部と、
前記第2ドラム傾き演算部からの前記第2ドラムの傾きに基づき、前記右側移動機構及び前記左側移動機構のドラム位置差を求めるドラム位置差演算部とを有し、
前記ドラム位置差に基づき前記右側移動機構及び前記左側移動機構を作動させ、前記バンドエッジ移動速度を0に収束させることを特徴とする請求項1記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置。 - 前記第1ドラムにおける前記バンドの前記第2方向におけるエッジ位置を検出する第1ドラムバンドエッジ位置センサを有し、
前記バンドエッジ位置コントローラは、前記第1ドラムバンドエッジ位置センサからの第1エッジ位置信号及び前記第1ドラムバンドエッジ位置センサにおける目標エッジ位置信号との差をフィードバックして、前記第2ドラムの前記軸受の位置を前記第1方向で変える第2ドラムの軸受位置補正信号を出力し、第1ドラムエッジ位置センサでのバンドエッジ位置を前記第2方向で一定にすることを特徴とする請求項1または2記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置。 - 前記バンドエッジ位置コントローラは、バンドエッジ位置補償器を有し、
前記バンドエッジ位置補償器は、前記第2ドラムバンドエッジ位置センサ、前記第1ドラムバンドエッジ位置センサの各信号と前記バンドの走行速度信号とに基づき、前記第1ドラムにおける前記バンドの前記第2方向でのエッジ位置を予測し、このエッジ位置予測値により前記差を補正することを特徴とする請求項3記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置。 - 前記テンションセンサは、前記第2ドラムの前記両軸受にそれぞれ設けられ、前記バンドのテンションをそれぞれ検出する右側テンションセンサ及び左側テンションセンサであることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置。
- 前記テンションセンサは、前記第1ドラムと前記第2ドラムとの中間位置で下側の前記バンドの懸垂量からテンションを検出することを特徴とする請求項1から5いずれか1項記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御装置。
- 第1ドラムと第2ドラムとの間に掛け渡されて、前記第1ドラムから前記第2ドラムに向かう第1方向に走行するバンド上に、ポリマが溶剤に溶解したドープを流延ダイから流延して前記バンドに流延膜を形成し、前記流延膜を前記バンドから剥がして乾燥させフィルムにする溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法において、
前記第2ドラムの両軸受の前記第1方向における位置を、第2ドラム右側位置センサ及び第2ドラム左側位置センサにより検出し、
前記バンドの幅方向である第2方向におけるバンドエッジ位置を前記第2ドラムにて、第2ドラムバンドエッジ位置センサにより検出し、
バンドエッジ位置コントローラにより、前記第2ドラムバンドエッジ位置センサからのバンドエッジ位置信号に基づき前記第2ドラムの前記第2方向におけるバンドエッジの移動速度を検出し、このバンドエッジ移動速度に基づき前記第2ドラムの傾きを求め、右側移動機構及び左側移動機構を作動させて、前記第2ドラムの傾きに基づき前記バンドエッジ移動速度を0にする方向に前記第2ドラムを傾斜させ、バンドエッジ位置の変動を抑え、
前記バンドのテンションを検出し、このテンション信号に基づきテンションを目標値にする前記第2ドラムの両軸受の位置補正信号を前記右側移動機構及び前記左側移動機構に出力することを特徴とする溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法。 - 前記第2ドラムでの前記第2方向におけるバンドエッジの移動速度を第2ドラムバンドエッジ移動速度検出部により検出し、
検出した前記バンドエッジの移動速度信号に基づき、前記第2ドラムの第2方向における基準線に対する第2ドラムの傾きを第2ドラム傾き検出部により求め、求めた第2ドラム傾きに基づき、前記右側移動機構及び前記左側移動機構を作動させ、前記バンドエッジ移動速度を0に収束させることを特徴とする請求項7記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法。 - 前記第1ドラムにおける前記バンドの前記第2方向におけるエッジ位置を、第1ドラムバンドエッジ位置センサにより検出し、
前記バンドエッジ位置コントローラにより、前記第1ドラムバンドエッジ位置センサからの第1バンドエッジ位置信号及び前記第1ドラムバンドエッジ位置センサにおける目標エッジ位置信号との差をフィードバックし、前記第2ドラムの前記軸受の位置を前記第1方向で変え、前記第2ドラムの軸受位置補正信号を出力し、前記第1ドラムバンドエッジ位置センサでのバンドエッジ位置を前記第2方向で一定に保持することを特徴とする請求項7または8記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法。 - 前記バンドエッジ位置コントローラはバンドエッジ位置補償器を有し、
前記バンドエッジ位置補償器により、前記第2ドラム右側位置センサ、第2ドラム左側位置センサ、第2ドラムバンドエッジ位置センサ、第1ドラムバンドエッジ位置センサの各信号と前記バンドの走行速度信号とに基づき、第1ドラムにおける前記バンドの前記第2方向でのバンドエッジ位置を予測し、このエッジ位置予測値により前記差を補正することを特徴とする請求項9記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法。 - 前記バンドのテンションを、前記第2ドラムの前記両軸受にそれぞれ設けられる右側テンションセンサ及び左側テンションセンサにより検出することを特徴とする請求項7から10いずれか1項記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法。
- 前記テンションを、前記第1ドラムと前記第2ドラムとの中間位置で下側のバンドの懸垂量から検出することを特徴とする請求項7から11いずれか1項記載の溶液製膜設備のバンドエッジ位置制御方法。
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