JP5663422B2 - 熱電変換素子 - Google Patents
熱電変換素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5663422B2 JP5663422B2 JP2011152460A JP2011152460A JP5663422B2 JP 5663422 B2 JP5663422 B2 JP 5663422B2 JP 2011152460 A JP2011152460 A JP 2011152460A JP 2011152460 A JP2011152460 A JP 2011152460A JP 5663422 B2 JP5663422 B2 JP 5663422B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric conversion
- layer
- conversion material
- material layer
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/854—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
(実施例1)
図2に、実施例1における熱電変換素子の断面模式図を示す。熱酸化膜が形成されたSi基板100の上にバッファ層101、熱電変換材料層102、電極層103からなる多層膜を成膜する。バッファ層101は例えばTaを用いた。あるいはTa/MgO(膜厚:3nm)でもよい。Taを下地としたMgOをバッファ層とした場合、MgOの構造は岩塩構造であり、結晶方位は(100)を向いている。熱電変換材料層102はフルホイスラー合金であるFe2VAlを用いた。
(実施例2)
図3に、実施例2における熱電変換素子の断面模式図を示す。熱酸化膜が形成されたSi基板200の上に第1のバッファ層201、熱電変換材料層202、導電性の第2のバッファ層203を積層し、熱電変換材料層202、第2のバッファ層203の単位構成を多数回繰り返して積層した後、電極層204を成膜する積層構造をとる。第1のバッファ層201はTaを用いた。第2のバッファ層はAgを用いた。
(実施例3)
図5に、実施例3の熱電変換素子の断面模式図を示す。熱酸化膜が形成されたSi基板300の上に第1のバッファ層301、熱電変換材料層302a、絶縁体層303を積層し、熱電変換材料層と、第2の絶縁体層とのの単位構成を多数回繰り返した後、電極層304を成膜する積層構造をとる。図3の実施例2の素子と同様に第1のバッファ層301にはTaを用いた。絶縁体層303はMgOを用いた。
101、201、301:バッファ層、
102、202、:熱電変換材料層、
103、:電極層
203:導電性バッファ層、
204、304:上部電極、
205、206、305、307:電極
209、309:絶縁性バッファ層
302a、302c:N型 Fe2VAl層
302b、302n:P型Fe2VAl層、
303:絶縁体層、
Claims (9)
- 基板と、該基板上に形成されTaを含む下地層と、該下地層上に形成されMgOを含むバッファ層と、熱電変換材料層と、電極層を有し、
前記熱電変換材料層は、フルホイスラー合金あるいはフルホイスラー合金から元素置換した合金でなる厚さが1nm以上200nm以下の薄膜であることを特徴とする熱電変換素子。 - 前記熱電変換材料層の厚さが100nm未満の範囲であることを特徴とする請求項1の熱電変換素子。
- 請求項1に記載の熱電変換素子において、試料面内方向に温度勾配をかけて、起電力を発生させる熱電変換素子。
- 基板と、該基板上に形成されTaを含む下地層と、該下地層上に形成されMgOを含む第1のバッファ層と、熱電変換材料層と導電性の第2のバッファ層とを含む単位構造が複数回繰り返し形成された多層構造層と、上部電極層とを有し、前記熱電変換材料層は、フルホイスラー合金あるいはフルホイスラー合金から元素置換した合金でなる厚さが1nm以上200nm以下の薄膜であり、各層に垂直方向の温度勾配に対して前記熱電変換材料層の各々に発生する起電力を加算した起電力を得ることを特徴とする熱電変換素子。
- 請求項4に記載の熱電変換素子において、前記熱電変換材料層がFeとNb、V、Ti、Mo、W、Zrの中から選択された一つ以上の元素と、Al、Sn、Si、Geの中から選択された一つ以上の元素を組み合わせたフルホイスラー合金あるいは該フルホイスラー合金から元素置換した合金でなり、前記第2のバッファ層がAg、Cu、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Ta、W、Ta、V、Ti、Mgから選択された1以上の金属からなることを特徴とする熱電変換素子。
- 請求項4に記載の熱電変換素子において、前記第1のバッファ層と前記多層構造層との間に絶縁性の第3のバッファ層が挿入されている構造を有する熱電変換素子。
- 基板と、該基板上に形成されTaを含む下地層と、該下地層上に形成されMgOを含む第1のバッファ層と、N型熱電変換材料層とP型熱電変換材料層とが絶縁体層を間に挟んで交互に複数回繰り返し積層された多層構造層と、上部電極とを有し、
前記多層構造中の前記N型熱電変換材料層と前記P型熱電変換材料層は、それぞれフルホイスラー合金あるいはフルホイスラー合金から元素置換した合金でなる厚さが1nm以上200nm以下の薄膜であり、
前記多層構造層の最下層のN型熱電変換材料層の一端には下部電極が、前記一端の反対側の他端には該最下層のN型熱電変換材料層の上側に隣接する熱電変換材料層に接続する第1の接続電極が接続され、該上側に隣接する熱電変換材料層の前記第1の接続電極と反対側の他端には更に上部に隣接する熱電変換材料層に接続する第2の接続電極が接続され、以下最上層の熱電変換材料層まで順時にそれぞれの接続電極で接続され、もって各層の面内方向の温度勾配に対して前記熱電変換材料層の各々に発生する起電力を加算した起電力を得ることを特徴とする熱電変換素子。 - 請求項7に記載の熱電変換素子において、前記P熱電変換材料およびN型熱電変換層の各々が、Feと、V、Ti、Mo、W、Zrの中から選ばれた一つ以上の元素と、Al、Sn、Siの中から選ばれた一つ以上の元素を組み合わせてフルホイスラー合金あるいはフルホイスラー合金から元素置換した合金でなり、前記絶縁体層がMgO、Al2O3、SiO2のいずれかである熱電変換素子。
- 請求項7に記載の熱電変換素子において、前記第1のバッファ層と熱電変換材料層との間に絶縁性の第2のバッファ層が挿入されている構造を取る熱電変換素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011152460A JP5663422B2 (ja) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 熱電変換素子 |
US13/546,008 US20130014798A1 (en) | 2011-07-11 | 2012-07-11 | Thermoelectric conversion element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011152460A JP5663422B2 (ja) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 熱電変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013021089A JP2013021089A (ja) | 2013-01-31 |
JP5663422B2 true JP5663422B2 (ja) | 2015-02-04 |
Family
ID=47518215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011152460A Expired - Fee Related JP5663422B2 (ja) | 2011-07-11 | 2011-07-11 | 熱電変換素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130014798A1 (ja) |
JP (1) | JP5663422B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101259126B1 (ko) * | 2011-07-25 | 2013-04-26 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법 |
CN104335370B (zh) * | 2012-05-22 | 2017-06-27 | 株式会社日立制作所 | 热电转换器件 |
JP2015005653A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 株式会社デンソー | 熱電変換材料 |
JP5920537B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2016-05-18 | 株式会社村田製作所 | 積層型熱電変換素子 |
JP6252413B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2017-12-27 | 日立金属株式会社 | 熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換モジュール |
JP6266175B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2018-01-24 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換材料 |
JP6816384B2 (ja) * | 2016-05-27 | 2021-01-20 | 大同特殊鋼株式会社 | ホイスラー型鉄系熱電材料 |
JP6802057B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2020-12-16 | 住友電気工業株式会社 | 熱電変換材料積層体および熱電変換素子 |
JP6617840B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2019-12-11 | 日立金属株式会社 | p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法 |
JP6859805B2 (ja) | 2017-03-30 | 2021-04-14 | Tdk株式会社 | 積層体、熱電変換素子 |
JP7087362B2 (ja) * | 2017-12-01 | 2022-06-21 | 日立金属株式会社 | p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法 |
CN110157942A (zh) * | 2018-01-25 | 2019-08-23 | 安徽华晶微电子材料科技有限公司 | 一种电路基板用高导热金属材料的配方 |
JP6806199B1 (ja) | 2019-08-08 | 2021-01-06 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびホイスラー合金 |
JP7412702B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2024-01-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱流スイッチング素子 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3879229A (en) * | 1972-04-19 | 1975-04-22 | William W Gilbert | Tubular thermopile |
JP3629057B2 (ja) * | 1995-03-14 | 2005-03-16 | 株式会社東芝 | ホイスラー合金薄膜の製造方法、磁性膜を備えた積層膜、それを利用した磁気抵抗効果素子および固体磁気記録素子 |
US6388185B1 (en) * | 1998-08-07 | 2002-05-14 | California Institute Of Technology | Microfabricated thermoelectric power-generation devices |
US7098393B2 (en) * | 2001-05-18 | 2006-08-29 | California Institute Of Technology | Thermoelectric device with multiple, nanometer scale, elements |
US6794338B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-09-21 | 3M Innovative Properties Company | Article with thermochemically stable, amorphous layer comprising tantalum or tantalum-containing material |
JP2004265988A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電体およびその製造方法 |
JP2005251917A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Denso Corp | 熱電変換素子 |
JP4133894B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2008-08-13 | 北川工業株式会社 | 熱電変換素子およびその製造方法 |
EP1738381A2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-01-03 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for producing a heusler alloy, a half heusler alloy , a filled skutterudite based alloy and thermoelectric converion system using them |
US20060249724A1 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-09 | International Business Machines Corporation | Method and structure for Peltier-controlled phase change memory |
JP2008205181A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 熱電モジュール |
JP2009147145A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Toyota Motor Corp | 熱電変換素子 |
JP5413646B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-02-12 | 国立大学法人東北大学 | ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス |
-
2011
- 2011-07-11 JP JP2011152460A patent/JP5663422B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-11 US US13/546,008 patent/US20130014798A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013021089A (ja) | 2013-01-31 |
US20130014798A1 (en) | 2013-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5663422B2 (ja) | 熱電変換素子 | |
Luo et al. | High thermoelectric performance in the new cubic semiconductor AgSnSbSe3 by high-entropy engineering | |
Liu et al. | Current progress and future challenges in thermoelectric power generation: From materials to devices | |
JP6300981B2 (ja) | グラフェンを含む複合積層体、これを含む熱電材料、熱電モジュールと熱電装置 | |
Boukai et al. | Silicon nanowires as efficient thermoelectric materials | |
Zhou et al. | Nanostructured AgPb m SbTe m+ 2 system bulk materials with enhanced thermoelectric performance | |
Gadea et al. | Silicon-based nanostructures for integrated thermoelectric generators | |
KR102138527B1 (ko) | 상분리를 이용한 열전소재, 상기 열전소재를 이용한 열전소자 및 그 제조방법 | |
Lv et al. | Optimized thermoelectric performance of Bi 2 Te 3 nanowires | |
US20120247527A1 (en) | Electrode structures for arrays of nanostructures and methods thereof | |
Yang et al. | Enhanced thermoelectric performance of Zr1–x Ta x NiSn half-heusler alloys by diagonal-rule doping | |
JP2008205181A (ja) | 熱電モジュール | |
TWI478405B (zh) | 熱電薄膜結構 | |
Fu et al. | Thermoelectric properties of DC-sputtered filled skutterudite thin film | |
Zhou et al. | Anomalous thermoelectric performance in asymmetric Dirac semimetal BaAgBi | |
Qiu et al. | Enhancing the thermoelectric and mechanical properties of Bi0. 5Sb1. 5Te3 modulated by the texture and dense dislocation networks | |
KR102592148B1 (ko) | 열전 복합체, 및 이를 포함하는 열전소자 및 열전장치 | |
WO2013035148A1 (ja) | 熱電変換素子及びそれを用いた熱電変換モジュール | |
WO2015115056A1 (ja) | 熱電変換素子、熱電変換素子モジュールおよび熱電変換素子の製造方法 | |
JP2009194309A (ja) | 熱電モジュール | |
WO2018131532A1 (ja) | 熱電変換素子およびその製造方法 | |
KR101980194B1 (ko) | 나노 개재물 함유 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치 | |
US10580957B2 (en) | Thermoelectric material structure | |
JP3922651B2 (ja) | 熱電変換材料とこれを用いた熱電変換素子ならびにこの素子を備える電子機器および冷却装置 | |
Ang et al. | Development of Cu2Se/Ag2 (S, Se)-Based Monolithic Thermoelectric Generators for Low-Grade Waste Heat Energy Harvesting |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141208 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5663422 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |