JP5661172B2 - リソグラフィ系の光学要素の操作を含むリソグラフィ系を作動させる方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 claims description 195
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 10
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 241000739883 Pseudotetracha ion Species 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0062—Stacked lens arrays, i.e. refractive surfaces arranged in at least two planes, without structurally separate optical elements in-between
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
ここでλは投影光の波長であり、NA=nimagesin(iimage、max)は、投影系の像側の媒質の屈折率nimageと、像側の最大開口角iimage,maxの正弦との積である像側開口数である。定数k1は、分解能限界Rに影響を及ぼす諸因子、例えば、ウェーハにおけるレジストの特性を含む処理因子である。
1.望ましい大きい像視野、望ましい大きい像側開口数、及び望ましい低像収差を有する投影系のための光学設計を割り出すこと。
2.望ましい低像収差が現実の投影系においても維持されることを保証する光学構成要素における誤差収支の範囲で上述の光学設計を現実の投影系に構成すること。
3.この現実の投影系を顧客の要求に特化し、投影系の作動中及びその寿命の全てにわたってその性能を保証するための手段を提供すること。
従って、投影系瞳Pに関する正弦条件違反は、非線形関数φPによって定量化することができる。あらゆる投影系瞳Pに対して、その瞳高さは、以下では線形関数によって間隔[0,1]に1対1でマップすることができるので、φPは、[0,1]をそれ自体にマップする関数と仮定することができ、すなわち、φP:[0,1]→[0,1]であり、瞳高さは、以下では常に正規化され、すなわち、間隔[0,1]によってパラメータ化され、略して、φPを投影系瞳Pに関する正弦条件違反であるという。
の形状に従う光学要素の面変形(「光学投影系ハンドブック(Handbook of Optical Projection systems)」、第1巻、Wiley−VHC、ドイツ、ベルリン、2005年、第11.5.4節を参照されたい)は、高い非点収差項、例えば、
を有する非点収差
から構成される射出瞳変形を引き出す。
を操作するために、上述の光学要素によって操作され、操作は、ゼルニケ係数の有限部分集合{ai;i=i1,...,ik}に有意に影響を及ぼすことを特徴とする陳述事項1又は陳述事項2に記載の方法。
の直交展開
に展開される(「光学投影系ハンドブック(Handbook of Optical Projection systems)」、第1巻、Wiley−VHC、ドイツ、ベルリン、2005年、第11.5.4節を参照されたい)。
によって補正するために、この面に面変形
をもたらす段階を含み、r=f(ρ)及びfP:[0,1]→[0,1]が、正規化された射出瞳と正規化された投影系瞳Pの間の正弦条件違反φPを近似する非線形関数であることを特徴とするリソグラフィ系を製造する方法。
の10ナノメートルの面変形が施される。より厳密には、単位円上に
が次式によって与えられる。
は、1という最大値を有する。
のラジアル変数ρは、レンズ219の面209の実直径と比例関係に置かれなければならず、1という最大値は、10ナノメートルの実最大面変形と比例関係に置かれるべきである。そのような面変形が、イオンビーム形状製作のような局所研磨技術によって施される場合には、ガラス材料しか除去することができないので、実最大面変形を2倍にすべきである。
の係数スペクトルが観察される。この点に関して、は、関数の合成であると理解すべきである。
の面変形に対して同じ係数スペクトルを示しており、ここでΠP -1は、ΠPが、投影系瞳205における5次までの正弦条件違反φPの多項式近似である時のΠPの逆数であると理解すべきである。この場合、射出瞳内では
の代わりに
を観察することができるので、付加的なゼルニケ係数への低いクロストークを観察することができる。
この場合、
は、光学要素が操作される場合の射出瞳内の波面展開であり、
は、光学要素が操作されない場合の射出瞳内の波面展開である。例えば、図7は、Iが、全ての平方数から構成される場合に光学要素219の面209のZ49変形が、ゼルニケ係数の集合に影響を及ぼすことを示しており、これは、操作により、厳密に全ての回転対称ゼルニケ多項式が影響を受けることを意味する。「光学投影系ハンドブック(Handbook of Optical Projection systems)」、第1巻、Wiley−VHC、ドイツ、ベルリン、2005年を参照されたい。
ここで、aiは(1)によって与えられ、(2)も成り立たせるIのいずれの部分集合も存在しない。言葉にすると、全てのゼルニケ係数の集合は、最小の部分集合Iとその補集合とにこの補集合のいずれかの係数が、絶対値でIのいずれかの要素の1%よりも小さいように分割される。例えば、係数がai=1/iで与えられる場合には、有意に影響を及ぼすいずれの係数集合も存在しない。図7及びレンズ219の面209のZ49変形の場合には、有意に影響を及ぼすいずれの係数集合も存在しない。より厳密には、有意に影響を及ぼすいずれの有限の集合も存在しない。投影系瞳205に関する正弦条件違反が考慮された場合、すなわち、レンズ219の面209が、形状
に従って変形された場合には、図8のスペクトルが観察され、I={49}は有意に影響を受ける集合である。
101 光源
102 照明光
103 照明系
104 調整済み照明光
105 物体視野
Claims (13)
- リソグラフィ系を作動させる方法であって、
リソグラフィ系が、物体視野を投影系瞳Pを通じて像視野上に投影するための投影系を含み、
前記投影系は、該投影系瞳Pに位置する光学要素を含み、
前記投影系瞳Pは、正規化された瞳高さrに関して前記光学要素によって操作可能であり、
方法が、
前記物体視野を前記投影系瞳Pを通じて前記像視野上に投影する段階と、
正規化された瞳高さρにおけるこの物体点の射出瞳を操作するために、正規化された瞳高さr=f(ρ)において前記投影系瞳Pを前記光学要素によって操作する段階と、
を含み、
f:[0,1]→[0,1]が、前記投影系瞳Pに関する正弦条件違反φ P を近似する非線形関数である、
ことを特徴とする方法。 - 前記操作可能光学要素は、投影系遮光器であり、前記操作は、前記射出瞳をρに比例して絞るために該遮光器をr=f(ρ)に比例して絞ることである、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の方法。 - 前記面変形は、イオンビーム形状製作によって施される、
ことを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記投影系の像側開口が、乾式投影系の場合は0.9よりも小さくなく、
又は
前記投影系の前記像側開口は、液浸投影系の場合は1.35よりも小さくなく、及び/又は前記像視野の直径が、56mmよりも小さくない、
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の方法。 - 前記投影系は、反射屈折型のもの及び/又は液浸型のものである、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の方法。 - 前記投影系は、前記投影系瞳Pに位置した2つの両凸レンズを含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の方法。 - 前記投影系は、光軸を有し、前記投影は、投影光の光線によって行われ、該投影光の最外側光線が、前記投影系瞳Pにおいて該光軸と平行である、
ことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の方法。 - 前記光学要素は、レンズ又はミラーである、
ことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の方法。 - 前記操作は、前記光学要素の変形、又は高温及び/又は低温の印加、及び/又は光学要素のシフト又は回転である、
ことを特徴とする請求項11に記載の方法。 - 請求項5から請求項12のいずれか1項に記載の方法によって製造されたリソグラフィ系。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2010/055419 WO2011141046A1 (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Process of operating a lithographic system comprising a manipulation of an optical element of the lithographic system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013527986A JP2013527986A (ja) | 2013-07-04 |
JP5661172B2 true JP5661172B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=43431131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013505341A Active JP5661172B2 (ja) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | リソグラフィ系の光学要素の操作を含むリソグラフィ系を作動させる方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9001310B2 (ja) |
JP (1) | JP5661172B2 (ja) |
KR (1) | KR101505256B1 (ja) |
TW (1) | TWI431437B (ja) |
WO (1) | WO2011141046A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008011501A1 (de) | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
EP2563316B1 (en) | 2010-04-30 | 2019-02-13 | Allovate, LLC | Toothpaste for allergic desensitization via the oral mucosa |
DE102014226269A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Wellenfrontmesseinrichtung, Projektionsobjektiv mit einer solchen Messeinrichtung und mit einer solchen Messeinrichtung zusammenwirkender optischer Wellenfrontmanipulator |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3368091B2 (ja) | 1994-04-22 | 2003-01-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP3893626B2 (ja) | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
JP3266540B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2002-03-18 | 帝人株式会社 | 防災作業衣 |
JP3303758B2 (ja) * | 1996-12-28 | 2002-07-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
DE69728126T2 (de) | 1996-12-28 | 2005-01-20 | Canon K.K. | Projektionsbelichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
DE19901295A1 (de) | 1999-01-15 | 2000-07-20 | Zeiss Carl Fa | Optische Abbildungsvorrichtung, insbesondere Objektiv, mit wenigstens einem optischen Element |
JP2001117213A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-04-27 | Nikon Corp | フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、該フォトマスクを扱う投影露光装置、及び投影露光方法 |
DE50012452D1 (de) * | 1999-12-29 | 2006-05-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen |
EP1338913A4 (en) * | 2000-10-10 | 2006-09-27 | Nikon Corp | METHOD FOR EVALUATING PICTURE PERFORMANCE |
JP4552337B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法及び露光装置の製造方法 |
US20040042094A1 (en) | 2000-12-28 | 2004-03-04 | Tomoyuki Matsuyama | Projection optical system and production method therefor, exposure system and production method therefor, and production method for microdevice |
DE10143385C2 (de) | 2001-09-05 | 2003-07-17 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage |
DE10258715B4 (de) | 2002-12-10 | 2006-12-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung eines optischen Abbildungssystems |
DE10328938A1 (de) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Korrektureinrichtung zur Kompensation von Störungen der Polarisationsverteilung sowie Projektionsobjektiv für die Mikrolithografie |
DE602004031844D1 (de) * | 2003-07-30 | 2011-04-28 | Zeiss Carl Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für die mikrolithographie |
JPWO2005022614A1 (ja) | 2003-08-28 | 2007-11-01 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US7312851B2 (en) | 2004-06-23 | 2007-12-25 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method in which a reflective projection optical system has a non-circular aperture stop |
CN1954406B (zh) * | 2004-06-23 | 2011-07-06 | 株式会社尼康 | 投影光学***、曝光装置以及曝光方法 |
DE102006045075A1 (de) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Steuerbares optisches Element |
DE102006047666A1 (de) | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine Mikrolithographieanlage mit verbesserten Abbildungseigenschaften und Verfahren zum Verbessern der Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektives |
EP1998223A2 (de) | 2007-01-23 | 2008-12-03 | Carl Zeiss SMT AG | Projektionsobjektiv für die Lithographie |
JP2009004509A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
EP2238513B1 (en) * | 2007-12-21 | 2011-11-02 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination method |
DE102008011501A1 (de) | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Betreiben eines Beleuchtungssystems einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
-
2010
- 2010-04-23 KR KR1020127030362A patent/KR101505256B1/ko active IP Right Grant
- 2010-04-23 WO PCT/EP2010/055419 patent/WO2011141046A1/en active Application Filing
- 2010-04-23 JP JP2013505341A patent/JP5661172B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-22 TW TW100113992A patent/TWI431437B/zh active
-
2012
- 2012-09-25 US US13/626,416 patent/US9001310B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201214062A (en) | 2012-04-01 |
US20130094010A1 (en) | 2013-04-18 |
KR101505256B1 (ko) | 2015-03-30 |
JP2013527986A (ja) | 2013-07-04 |
KR20130018305A (ko) | 2013-02-20 |
TWI431437B (zh) | 2014-03-21 |
US9001310B2 (en) | 2015-04-07 |
WO2011141046A1 (en) | 2011-11-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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