JP5624415B2 - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
A. 構造
図1は、不揮発性半導体記憶装置の平面図、図2は、図1内のエリアXの斜視図、図3は、図2のIII−III線に沿う断面図、図4は、図2のIV−IV線に沿う断面図である。
図1乃至図4のデバイス構造の各要素を構成する材料については、半導体メモリの各世代に応じた最適な材料を適宜選択することができる。
C.-1. 第1の変形例
図6は、図1乃至図4のデバイス構造の第1の変形例を示している。
図7は、図1乃至図4のデバイス構造の第2の変形例を示している。
図8は、図1乃至図4のデバイス構造を利用したメモリセルアレイを示している。
第1の実施形態(図1乃至図8)の三次元積層型半導体メモリの動作を説明する。
まず、第1の半導体層3aをチャネルとするメモリストリングNANDaに対して書き込みを実行するとき、ドレイン電極7及びソース電極8に接地電位を印加し、セレクトゲート電極10b,10c及びコントロールゲート電極6(1)d,…6(n)dに第1の正のバイアスを印加する。セレクトゲート電極10a,11にはバイアスを印加しない。
[第1の例]
消去動作は、例えば、フィン型積層構造内の第1乃至第3のメモリストリングNANDa,NANDb,NANDcに対して一括して行う(ブロック消去 No.1)。
消去動作は、例えば、フィン型積層構造内の第1乃至第3のメモリストリングNANDa,NANDb,NANDcのうちの1つに対して行うこともできる(ブロック消去 No.2)。
消去動作は、例えば、フィン型積層構造内の第1乃至第3のメモリストリングNANDa,NANDb,NANDc内の1つのメモリセルに対して行うこともできる(ページ消去/1セル消去)。
まず、第1の半導体層3aをチャネルとするメモリストリングNANDaに対して読み出しを実行するとき、ドレイン電極7を読み出し回路に接続し、ソース電極8に接地電位を印加する。また、セレクトゲート電極10b,10c,11及びコントロールゲート電極6(1)d,…6(n)dに第1の正のバイアスを印加する。
図9A乃至図9Mは、図1乃至図8の構造を製造する方法を示している。
図10A乃至図10Cは、図1乃至図8の構造を製造する方法を示している。
図11A乃至図11Cは、図1乃至図8の構造を製造する方法を示している。
図12A乃至図12Cは、図7の構造を製造する方法を示している。
図1乃至図8の構造の応用例について説明する。
第1の実施形態によれば、第1乃至第4のフィン型積層構造9−1,…9−4と第1乃至第4の部分P1,…P4とにより、全体の平面形状がリング型となる。
A. 構造
図16は、不揮発性半導体記憶装置の平面図である。
材料例については、第1の実施形態と同じであるため、ここでの説明は省略する。
第2の実施形態においても、第1の実施形態の第1の変形例(図6)及び第2の変形例(図7)を適用することが可能である。
第2の実施形態の三次元積層型半導体メモリの動作は、第1の実施形態のそれと同じであるため、ここでの説明は省略する。
図21A乃至図21Hは、図17の構造を製造する方法を示している。
第2の実施形態においても、第1の実施形態の第1乃至第3の応用例(図13乃至図15)を適用することが可能である。
第2の実施形態によれば、4×m個(mは、2以上の自然数)のフィン型積層構造が直列接続されることにより、全体の平面形状が第3の方向に蛇行する蛇行リング型となる。
A. 構造
図22は、不揮発性半導体記憶装置の平面図である。
本例は、図22の(a)に示す構造を対象とする。
図25A乃至図25Fは、図23及び図24の構造を製造する方法を示している。
図22の構造の応用例について説明する。
第3の実施形態によれば、第1及び第2の部分P1,P2がフィン型積層構造9の倒壊を防止する補強部材として機能するため、フィン型積層構造9内のメモリストリングの数を増やし、かつ、フィン型積層構造9のフィン幅を狭くしても、フィン型積層構造9が倒壊することがない。
A. 構造
図31は、不揮発性半導体記憶装置の平面図である。図32は、図31の斜視図である。
第4の実施形態の構造は、第1乃至第3の実施形態における半導体層とコントロールゲート電極とが互いに入れ替わった構造であるため、第1乃至第3の実施形態の製造方法を利用することにより、容易に形成することができる。
第4の実施形態によれば、第1及び第2の部分P1,P2がフィン型積層構造9の倒壊を防止する補強部材として機能するため、フィン型積層構造9内のコントロールゲート電極の数を増やし、かつ、フィン型積層構造9のフィン幅を狭くしても、フィン型積層構造9が倒壊することがない。
直列接続される複数のメモリセルと複数の選択トランジスタ(レイヤー選択トランジスタ(ドレイン側選択トランジスタ)及びソース側選択トランジスタ)とから構成される直列接続体に関し、各トランジスタ間に拡散層を形成しても、しなくても、どちらでもよい。
実施形態によれば、不揮発性半導体記憶装置の高集積化と高歩留りを実現できる。
Claims (11)
- 半導体基板と、前記半導体基板の表面に対して垂直な第1の方向に積み重ねられる第1乃至第iのメモリストリング(iは、2以上の自然数)を有し、前記半導体基板の表面に平行な第2の方向に延びる第1乃至第4のフィン型積層構造と、前記第1及び第2のフィン型積層構造の前記第2の方向の一端を互いに接続する第1の部分と、前記第3及び第4のフィン型積層構造の前記第2の方向の一端を互いに接続する第2の部分と、前記第1及び第3のフィン型積層構造の前記第2の方向の他端を互いに接続する第3の部分と、前記第2及び第4のフィン型積層構造の前記第2の方向の他端を互いに接続する第4の部分とを具備し、
前記第1及び第2のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記第1の部分をソース領域とし、前記第3及び第4の部分をドレイン領域とし、前記第3及び第4のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記第2の部分をソース領域とし、前記第3及び第4の部分をドレイン領域とし、
前記第1乃至第iのメモリストリングは、それぞれ、前記第1の方向に積み重ねられる第1乃至第iの半導体層をチャネルとし、前記第2の方向に直列接続される複数のメモリセルを有し、前記複数のメモリセルは、それぞれ、前記第1乃至第iの半導体層の前記第1及び第2の方向に垂直な第3の方向にある側面上に配置される第1の絶縁層、電荷蓄積層、第2の絶縁層及びコントロールゲート電極とを有し、
前記第1及び第2のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記コントロールゲート電極を共有し、前記第3及び第4のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記コントロールゲート電極を共有し、
前記第1及び第2の部分の前記ソース領域は、それぞれ、第(i+1)乃至第2iの半導体層を備え、前記第(i+1)乃至第2iの半導体層は、それぞれ、前記第1乃至第iの半導体層に接続される
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板と、前記半導体基板の表面に対して垂直な第1の方向に積み重ねられる第1乃至第iのメモリストリング(iは、2以上の自然数)を有し、前記半導体基板の表面に平行な第2の方向に延びる第1乃至第8のフィン型積層構造と、前記第1及び第2のフィン型積層構造の前記第2の方向の一端を互いに接続する第1の部分と、前記第3及び第4のフィン型積層構造の前記第2の方向の一端を互いに接続する第2の部分と、前記第5及び第6のフィン型積層構造の前記第2の方向の一端を互いに接続する第3の部分と、前記第7及び第8のフィン型積層構造の前記第2の方向の一端を互いに接続する第4の部分と、前記第1及び第5のフィン型積層構造の前記第2の方向の他端を互いに接続する第5の部分と、前記第2及び第3のフィン型積層構造の前記第2の方向の他端を互いに接続する第6の部分と、前記第6及び第7のフィン型積層構造の前記第2の方向の他端を互いに接続する第7の部分と、前記第4及び第8のフィン型積層構造の前記第2の方向の他端を互いに接続する第8の部分とを具備し、
前記第1乃至第4のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記第1及び第2の部分又は前記第5、第6及び第8の部分をソース領域とし、前記第5、第6及び第8の部分又は前記第1及び第2の部分をドレイン領域とし、前記第5乃至第8のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記第3及び第4の部分又は前記第5、第7及び第8の部分をソース領域とし、前記第5、第7及び第8の部分又は前記第3及び第4の部分をドレイン領域とし、
前記第1乃至第iのメモリストリングは、それぞれ、前記第2の方向に直列接続される複数のメモリセルを有し、前記複数のメモリセルは、それぞれ、半導体層と、前記半導体層の前記第1及び第2の方向に垂直な第3の方向にある側面上に配置される第1の絶縁層、電荷蓄積層、第2の絶縁層及びコントロールゲート電極とを有し、
前記第1乃至第4のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記コントロールゲート電極を共有し、前記第5乃至第8のフィン型積層構造内の前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記コントロールゲート電極を共有する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1乃至第iのメモリストリングの前記第3の方向の幅は、変化し、前記複数のメモリセルが配置される部分において最も狭いことを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1乃至第iのメモリストリングは、それぞれ、前記ドレイン領域側から順に第1乃至第iのレイヤー選択トランジスタを有し、
前記第1乃至第iのレイヤー選択トランジスタのうち第jのレイヤー選択トランジスタ(jは、1〜iのうちの1つ)は、前記第1乃至第iのメモリストリングのうち第jのメモリストリングで常にオン状態である
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2の部分の前記ソース領域は、前記第(i+1)乃至第2iの半導体層と、これらを絶縁する複数の絶縁層との積層構造を有し、かつ、前記第(i+1)乃至第2iの半導体層を貫通するソース電極を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板の表面に対して垂直な第1の方向に積み重ねられる第1乃至第iのメモリストリング(iは、2以上の自然数)を有し、前記半導体基板の表面に平行な第2の方向に延びるフィン型積層構造と、前記フィン型積層構造の前記第2の方向の一端に接続され、前記第1及び第2の方向に垂直な第3の方向の最大幅が前記フィン型積層構造の前記第3の方向の幅よりも広い第1の部分とを具備し、
前記第1乃至第iのメモリストリングは、それぞれ、前記第2の方向に直列接続される複数のメモリセルを有し、前記複数のメモリセルは、それぞれ、半導体層と、前記半導体層の前記第3の方向にある側面上に配置される第1の絶縁層、電荷蓄積層、第2の絶縁層及びコントロールゲート電極とを有し、
前記フィン型積層構造の前記第2の方向の一端及び前記第1の部分の少なくとも1つは、前記第1乃至第iのメモリストリングを互いに接続する共有半導体と、前記共有半導体に接続されるドレイン電極とを有し、
前記第1乃至第iのメモリストリングは、前記ドレイン電極側から順に第1乃至第iのレイヤー選択トランジスタを有し、前記第1乃至第iのレイヤー選択トランジスタの少なくとも一部は、前記共有半導体をチャネルとし、
前記第1乃至第iのレイヤー選択トランジスタのうち第jのレイヤー選択トランジスタ(jは、1〜iのうちの1つ)は、前記第1乃至第iのメモリストリングのうち第jのメモリストリングで常にオン状態である
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記フィン型積層構造の前記第2の方向の他端に接続され、前記第3の方向の最大幅が前記フィン型積層構造の前記第3の方向の幅よりも広い第2の部分と、前記フィン型積層構造の前記第2の方向の他端において前記第1乃至第iのメモリストリングを互いに接続するソース電極とをさらに具備することを特徴とする請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1及び第2の部分は、前記第1の方向の上面が前記フィン型積層構造のそれよりも低い位置にあり、前記フィン型積層構造の下部においてそれに部分的に結合することを特徴とする請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1乃至第iのメモリストリングの前記第3の方向の幅は、変化し、前記複数のメモリセルが配置される部分において最も狭いことを特徴とする請求項6に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板の表面に対して垂直な第1の方向に積み重ねられる第1乃至第iのコントロールゲート電極(iは、2以上の自然数)を有し、前記半導体基板の表面に平行な第2の方向に延びるフィン型積層構造と、前記フィン型積層構造の前記第2の方向の一端に接続され、前記第1及び第2の方向に垂直な第3の方向の最大幅が前記フィン型積層構造の前記第3の方向の幅よりも広い第1の部分と、前記フィン型積層構造の前記第2の方向の他端に接続され、前記第3の方向の最大幅が前記フィン型積層構造の前記第3の方向の幅よりも広い第2の部分と、前記フィン型積層構造の前記第3の方向にある側面上に配置される第1の絶縁層、電荷蓄積層、第2の絶縁層及び半導体層からなる積層体とを具備し、
前記積層体は、前記フィン型積層構造を跨って前記第3の方向に延びることによりメモリストリングを構成し、前記メモリストリングの一端は、ドレイン側選択トランジスタに接続され、前記メモリストリングの他端は、ソース側選択トランジスタに接続され、
前記第2の部分は、前記第1乃至第iのコントロールゲート電極の各々が露出する階段形状を有する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記第1乃至第4のフィン型積層構造及び前記第1乃至第4の部分は、リング型マスク材をマスクにした異方性エッチングにより同時に形成され、前記リング型マスク材は、直線型芯材の側壁にリング型側壁層を形成した後、前記直線型芯材を除去することにより形成されることを特徴とする
不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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