JP5587954B2 - データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 - Google Patents
データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5587954B2 JP5587954B2 JP2012220149A JP2012220149A JP5587954B2 JP 5587954 B2 JP5587954 B2 JP 5587954B2 JP 2012220149 A JP2012220149 A JP 2012220149A JP 2012220149 A JP2012220149 A JP 2012220149A JP 5587954 B2 JP5587954 B2 JP 5587954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- radiation
- pattern
- spot
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
「オブジェクト」、「基板」、「ワーク・ピース」などは、本出願では、入れ換えて使用することができ、また限定はしないが、ワーク・ピース、基板(例えば、フラット・パネル・ディスプレイ・ガラス基板)、ウェハ(例えば、集積回路製造用の半導体ウェハ)、印字ヘッド、マイクロ又はナノ流体デバイス、投写型ディスプレイ・システム内のディスプレイ・パネルなどとすることができる。
図1は、本発明の一実施例による、リソグラフィ投影装置100の概略を示す図である。
装置100は、少なくとも1つの放射システム102、個々に制御可能な要素のアレイ104(例えば、コントラスト装置又はパターン形成装置)、オブジェクト・テーブル106(例えば、基板テーブル)、及び投影システム(「レンズ」)108を備える。
とに注意されたい。他の実施例では、放射線源112は、リソグラフィ投影装置100から離れた場所に置くことができる。この場合、放射線ビーム122は、装置100内に向けられるであろう(例えば、適当な指向ミラーの助けを借りて)。これらのシナリオは両方とも、本発明の範囲内で考察されることは理解されるであろう。
るが、これらは図1には明示的に示されていない。類似のシステムを使用して、個々に制
御可能な要素からなるアレイ104の位置決めを行うこともできる。ビーム110は、代替えとして/追加として、移動可能であってよいが、オブジェクト・テーブル106及び/又は個々に制御可能な要素からなるアレイ104は、固定位置を持ち、相対移動を行うようにできることは理解されるであろう。
以下で説明する、ピクセル格子結像モードを使用するフラット・パネル・ディスプレイの製造において本質的に有用でありうる。
トのアレイで覆うことができるように実行される。説明を簡単にするため、角度θは、図3では誇張されていることは理解されるであろう。
として書くことができる。ただし、Inは、スポットn(「強度」と呼ぶのが通例であるが、これは通常エネルギー線量に比例するので、パラメータはときにはジュールを単位として表されることもある)に対する個別のスポット露光「強度」を表し、PSFn((xMF−xn),(yMF−yn))は、点広がり関数を表し(スポットnの場所xMF−xn及びyMF−ynでの線量寄与)、xn及びynは、個別の露光されたスポットの位置を示し、D(xMF,yMF)は、リソグラフィ装置を支持するメトロフレームの座標で要求された線量マップを表す。
[D]=[K]・[I]、
のようなベクトル/行列形式に書き換えることができる。ただし、列ベクトル[D]は、離散(つまり、特定の基板格子位置のみで指定された)要求された線量マップを表し、列ベクトル[I]は、個別のスポット露光強度を表し、行列[K]は、離散点広がり関数を表す。
[K][K]+[K]=[K],
[K]+[K][K]+=[K]+,
([K][K]+)T=[K][K]+,及び
([K]+[K])T=[K]+[K]
[K]+=([K]T[K])−1[K]T,
と表すことができる。
ただし、[K]Tは、転置行列である。これは、式[D]=[K]・[I]の両辺に[K]Tを事前に乗じて正方行列([K]T[K])を形成することにより確認でき、通常どおり逆行列を求めることができる。
[I]=([K]T[K])−1[K]T[D]≡[K]+・[D]
である。ただし、kx及びkyは、二次元角空間周波数であり、dfwhmは、スポット364の半値全幅を示し、Inは、スポットnのスポット露光強度を示し、xn及びynは、スポットnのスポット露光位置を示す。
で示される)の実施例は、図6及び7で与えられている。この最悪の場合のインパルス応
答の一次元フーリエ変換(最悪の場合の軌道、xn=0にそって取る)は、
上述のように、最悪の場合のインパルス応答の一次元フーリエ変換は、
と書くことができる。ただし、pは、スポット露光格子ピッチを示す。上記の式により記述されるこの最悪の場合のインパルス応答の大きさは、ky=π/2で負になり、したがって、この値よりも大きい空間周波数を抑制するような、ローパス特性を持つフィルタは、負の振幅を避ける。フィルタ508が最悪の場合の格子点を取り扱うのに十分強ければ、さらに、準露光格子内の他の位置について負の振幅を回避することで十分であろう。強いフィルタ508(例えば、なおいっそう低い周波数でのカットオフを持つ)を使用すると、スポット露光格子のパフォーマンスがいたずらに低下し、分解能の低い線量パターンが生じることになる。上記の説明から続けて、好適なフィルタは、以下の一次元の切り捨て
図10は、本発明の一実施例により、六角形のスポット露光格子幾何形状を示し、「中間程度の場合の」位置を示す。露光格子のこの幾何形状に対するフィルタは、3つのスポットの間に正確に入る位置についてフーリエ変換されたインパルス応答から始めて作成することができる。図10に示されている位置は、最悪の場合と最良の場合との間の中間位置を表す(図9を参照)。中心位置のフーリエ変換されたインパルス応答
図11は、本発明の一実施例による、ローパス1102及びシャープニング・フィルタ1104を示す図である。図11は、フィルタ508が、ローパス・フィルタ部1102と
シャープニング・フィルタ部1104を含む分割又はデュアル機能を持つ本発明の他の実施例を示す。シャープニング・フィルタ1104は、形成される製品特徴に関する知識を利用して、線量パターン内の特徴の定義を改善するために使用することができる。一般に、シャープニング・フィルタ1104は、(フーリエ領域内の)シャープニングされる像特徴の逆に対応する寄与分を含む。可能な最小の円形製品特徴(直径が限界寸法CDに等しい)を例に取ると、シャープニング・フィルタ関数は、空間領域で
図12は、本発明の一実施例による、像対数勾配フィルタを示す。「像対数勾配」とは、
基板に書き込まれる線量パターンの空間依存性、特に、距離dI/dxによる線量の変化率(つまり勾配)を意味する。いくつかの理由からこの勾配を調整できれば、リソグラフィ装置のユーザにとっては有益であろう。第1に、像対数勾配が浅いほど、基板処理後に形成される特徴が持つエッジは丸みを帯びる傾向があり、静電放電(火花)の発生リスクを低減できる。第2に、勾配が浅いほど、基板上の異なるプロセス層上の特徴の間に十分なオーバーラップを容易に得られるようにできる。オーバーラップは、一般に、特徴自体が任意の1つのプロセス層内で鮮明に定義される(つまり、急峻な像対数勾配を持つ)場合に高い精度で制御されなければならない。第3に、例えば、リソグラフィにより製造されるフラット・パネル・ディスプレイでは、視角は個々の特徴の像対数勾配に依存する。像対数勾配が浅いほど、視角を大きくでき(たぶん、分解能、コントラスト比などを犠牲にして)、したがって特定の適用例では望ましい場合がある(例えば、テレビ又はビデオ)。
一実施例では、フィルタを使用してパターン形成装置104/204に送信される制御信号を操作する代わりに、照明及び投影光学系を修正してスポット形状を変更することも可能と考えられる。異なるスポット形状は、ビーム形成及び停止により実現することができる。実現されるスポット形状は、例えば、ガウス・ビーム(多重レーザー・ビーム伝搬の場合)、エアリーの円板(切り取り開口による)、円形トップヘッド光分布、又は上記のどれかの畳み込みとすることができる。
一実施例では、上述のフィルタのうちの2つ以上のフィルタの機能を実行する組合せフィルタを製作することが可能である。組合せフィルタがローパス・フィルタ1102、シャープニング・フィルタ1104、及び像対数勾配フィルタ1202から形成される場合、空間領域内の組合せフィルタは、畳み込みにより、
一実施例では、限界寸法バイアス(CDバイアス)が使用される。CDバイアスは、顧客ニーズに応じて最小線幅を調整する工程に関係する。この工程は、線量パターンの線幅は高度に予測可能である場合があるが、処理後に形成される特徴の実際の線幅は、予測しずらく、これは最適なパフォーマンスを得るために調整の恩恵を受けられるため、頻繁に使用される。この調整は、CDにバイアスをかけることにより実装できる(つまり、CDを高くすることで、線を太くし、CDを低くすることで、線を細くする)。
独立のX及びYCDバイアスは、照明線量ではなく、パターン形成装置104/204に送られる制御信号を制御してCDを変化させるCDバイアス・フィルタ1302を用意することにより実行される。この方法は、基板114/214/314上で位置とともに(及び、場合によっては、X及びYと独立に)変化するCDを実現するためにも使用できる。これは、上述のフィルタと類似の方法でCDバイアス・フィルタ1302の使用を通じて達成することができる。特に、CDバイアス・フィルタ1302を使用して、データ操作装置500に入力される要求された線量マップ・データを修正することができる(このような2つの装置は、例示する目的で示されている)。このフィルタ演算は、通常、そのような機能を当てはめアルゴリズム自体(逆光学装置512により実行されるような)で実装することは困難な場合があるので、オフラインで実行するように配列される。この実施例では、CDバイアス・フィルタ1302は、ラスタライザ506の前に配置される。一実施例では、インライン制御が使用される場合には、これは、場合によっては上述のオフラインの方法と併用し、例えば、放射線源の強度を変化させるか、又は膨張/侵食アルゴリズム(上記参照)を使用して、そのまま達成できる(マスクベースのシステムのように)。
なお、CDバイアス・フィルタは、線量パターンの少なくとも一部の拡大率を、線量パターンの他の部分に関してその一部の位置を調整せずに、調整してもよい。
焦点補正は、基板テーブルWT106/206が基板114/214/314に関して移動されるときに、最良の焦点位置の測定に応じて、基板テーブルWT106/206の位置を変化させることにより達成可能である。おおむね、投影システム108/208の全部又は一部を移動して同じ効果を得ることもできる。いずれの場合も、平行移動と回転(傾斜)の両方の変位を使用できる。
装置を示す。この実施例は、さらに、上述の粗調整及び微調整を使用することもできる。焦点データは、基板114/214/314及び/又は基板テーブル106/206上のさまざまな位置から反射された後、放射線検出器1408により受信された放射線源1410からの放射線を解析することにより得られる。この解析は、焦点制御装置1402により実行できる。それとは別に、基板テーブル106/206及び基板114/214/314の位置は、基板114/214/314及び/又は基板テーブル106/206から反射された後、投影システム108/208に堅く取り付けられている1つ又は複数の超音波振動子により放射される超音波の伝達時間を測定することによりさまざまな地点で決定することができる。
個別に制御可能な要素からなるアレイ内のそれぞれの要素は、制御電圧に依存する状態に活性化することができる。問題の要素が複数のミラーからなる場合、活性化はミラーの平面内の軸を中心とする傾斜の形を取りうる。次に、活性化状態は、特定の傾斜角度に対応する。活性化状態は、さらに、例えば、可変反射率(与えられた方向に)の要素が個別に制御可能な要素からなるアレイで使用される場合、反射セット・ポイントとも呼ばれる。これらの要素の1つ又は複数によりパターン形成された放射線のサブビーム内の放射線の強度は、関係する(複数の)要素の活性化状態に依存する。強度と制御電圧との間の変換は、2段階プロセスとして実装できる。第1段では、強度を対応する活性化状態(例えば、反射率)に変換するため乗算が実行される。その後、第2段は、アレイ104/204からこれらの要素活性化状態を取得するために適切な制御電圧を選択することに関係する。制御電圧と結果として生じる要素活性化状態との関係は、一般に、単純な線形形式ではなく、この変換を実行できるようにするために、通常、較正テーブル(例えば、ルックアップ・テーブル)が用意される。補間を使用して、較正テーブル内の離散点間にある値を変換することができる。それとは別に、数学関数(例えば、チェビシェフ多項式)を較正テーブル内のデータの全部又は一部に当てはめることができ、結果として得られる当てはめ関数を使用して変換を実行できる。
ト強度から要素活性化状態又は反射率セットポイントへの第1段の変換を実行するため)及びルックアップ・テーブル装置518(要素活性化状態又は反射率セットポイントから要素制御電圧への第2段の変換を実行するため)を含む。
一実施例では、逆光学装置512により実行されるような像処理アルゴリズムは、行列乗算を実行する。これらの乗算を実行するために使用されるハードウェアは、特に、実行される計算のタイプに合わせて手直しされ、1秒当たりの最適なMAC(積和)回数が得られるように最適化される。問題のハードウェア(DSP又はより一般的にCPUとすることができる)は、MAC演算を実行するように特に構成されている乗算ユニットから作成できる乗算セクションを持つ1つ又は複数のFPGA(フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ)を備える。処理すべき像の詳細があらかじめ知られていないからである。ハードウェアは、通常、像を定義する格子位置のそれぞれの非ゼロ値を扱うことができるように設計される。これは、何回ものMACを必要とし、したがって、高価なハードウェアを必要とする。
一実施例では、基板114/214/314に何とか到達する望ましくない光、又は迷光である、ゴースト光を出力することができる。これは、例えば、システム光学系内の内部反射を介して及び/又は隣接するMLAスポット間のクロストークを介して発生しうる。リソグラフィ装置の光学素子は、通常、可能な限りこれを回避するように設計されるが、完全に取り除くことはきわめて困難である。
これまで本発明のさまざまな実施例について説明してきたが、実施例としてのみ提示されており、限定することを意図していないことは理解されるであろう。当業者にとっては、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく形態及び詳細のさまざまな変更が可能であることは明白であろう。したがって、本発明の程度及び範囲は、上述のいかなる実施例により限定されるのではなく、請求項及びその等価物によってのみ定義されるべきである。
100 リソグラフィ投影装置
102 放射システム
104 個々に制御可能な要素のアレイ
106 オブジェクト・テーブル
108 投影システム(「レンズ」)
110 放射線ビーム
112 放射線源
114 基板
116 位置決め装置
118 配向装置
120 目標部分
122 ビーム
124 照明
128 調整装置
130 スポット生成器
134 干渉計測装置
136 底板
138 干渉計測ビーム
140 ビーム・スプリッタ
200 リソグラフィ装置
204 個々に制御可能な要素のアレイ
208 投影システム
210 拡大された変調放射線
212 放射線源
214 基板
222 放射線ビーム
224 照明器
250及び252 レンズ
254 開口絞り
258 レンズ
260 レンズ
262 放射線スポット
314 基板
362 暗色の円
364 開円
366 行
414 フラット・パネル・ディスプレイ基板
504 装置
506 ラスタライザ装置
508 フィルタ
510 データ経路
512 逆光学装置
514 「逆パターン形成装置」データ操作装置
516 乗算器
518 装置
1102 ローパス・フィルタ
1104 シャープニング・フィルタ
1203 像対数勾配フィルタ
1302 CDバイアス・フィルタ
1402 焦点制御装置
1404 投影システム位置及び/又は傾斜コントローラ
1406 基板テーブル位置及び/又は傾斜コントローラ
1408 放射線検出器
1410 放射線源
1412及び1414 データ経路
1416 データ経路焦点制御装置
Claims (7)
- リソグラフィ装置であって、
放射線のビームを変調するパターン形成装置と、
放射線の前記変調されたビームを基板上に投影する投影システムと、
前記パターン形成装置を制御する制御信号を生成するデータ操作装置と、
前記パターン形成装置により生成される線量パターンの限界寸法を制御するCDバイアス・フィルタであって、前記データ操作装置に入力される要求された線量マップ・データに対し演算を実行するCDバイアス・フィルタとを備えるリソグラフィ装置。 - 前記CDバイアス・フィルタは、前記線量パターンの少なくとも一部の拡大率を、前記線量パターンの他の部分に関して前記一部の位置を調整せずに、調整する請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記CDバイアス・フィルタは、前記線量パターンの複数の領域の前記限界寸法を独立に調整する請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記CDバイアス・フィルタは、前記線量パターンの平面内の第1の軸に平行な限界寸法を、前記線量パターンの前記平面内の第2の非平行軸に平行な前記限界寸法に無関係に調整する請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- リソグラフィ装置であって、
基板上に放射線のビームを放射線のサブビームのアレイとして投影する投影システムと、
放射線の前記サブビームを変調し、前記基板上に要求された線量パターンを実質的に生成し、前記線量パターンはスポット露光のアレイから構成され、前記スポット露光はそれぞれ特定の時間に放射線の前記サブビームのうちの1つにより生成され、放射線の与えられたサブビームの放射線強度は、パターン形成装置の対応する部分の活性化状態に応じて制御される、パターン形成装置と、
ラスタ化された要求された線量パターンを表すデータを含む信号を前記パターン形成装置の活性化状態を表す制御信号に変換して前記要求された線量パターンを生成し、前記変換は前記投影システムのコンポーネント又は前記パターン形成装置のコンポーネントのうちの少なくとも1つにより引き起こされる強度バラツキを補正する、データ操作装置とを備え、
前記データ操作装置は、
前記パターン形成装置の特定の部分により生成される前記ラスタ化された要求された線量パターンをその部分に対する活性化状態に変換する乗算器と、
前記その部分に対する活性化状態を生成する制御電圧を選択するためのルックアップ・テーブルを格納するメモリ・デバイスとを備え、
前記データ操作装置は、前記乗算器の利得特性を操作することにより、前記強度バラツキを補正するリソグラフィ装置。 - デバイス製造方法であって、
放射線のビームを変調することと、
放射線の前記変調されたビームを基板上に投影することと、
前記放射線のビームの変調を制御する制御信号を生成することと、
前記変調により生成される線量パターンの限界寸法を制御するために、前記制御信号の生成のために使用される要求された線量マップ・データをCDバイアス・フィルタ処理することとを含むデバイス製造方法。 - デバイス製造方法であって、
放射線のビームを調整することと、
基板上に放射線の前記ビームを放射線のサブビームのアレイとして投影することと、
前記基板上に要求された線量パターンを実質的に形成するために放射線の前記サブビームを変調することであって、前記線量パターンはスポット露光のアレイから構成され、それぞれの前記スポット露光は特定の時間に放射線の前記サブビームの1つにより生成される、変調することと、
前記変調を実行するパターン形成装置の対応する部分の活性化状態に応じて放射線の前記サブビームのうちの与えられた1つの放射線強度を制御することと、
ラスタ化された要求された線量パターンを表すデータを含む信号を、前記パターン形成装置の活性化状態を表す制御信号に変換して前記要求された線量パターンを実質的に生成することと、
投影システムのコンポーネント又は前記パターン形成装置のコンポーネントのうちの少なくとも1つにより引き起こされる強度のバラツキを補正するように変換工程を修正することとを含み、
前記変換工程は、
前記パターン形成装置の特定の部分により生成される前記ラスタ化された要求された線量パターンをその部分に対する活性化状態に変換するための乗算を実行することと、
メモリ・デバイスに格納されるルックアップ・テーブルにアクセスして前記その部分に対する活性化状態を生成する制御電圧を選択することとを含み、
前記変換工程を修正することは、前記乗算の利得特性の操作により、前記強度のバラツキを補正することを含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/093,259 US7403265B2 (en) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
US11/093,259 | 2005-03-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009174603A Division JP5161166B2 (ja) | 2005-03-30 | 2009-07-27 | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013048258A JP2013048258A (ja) | 2013-03-07 |
JP5587954B2 true JP5587954B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=36589222
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089853A Expired - Fee Related JP4563955B2 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 |
JP2009174603A Expired - Fee Related JP5161166B2 (ja) | 2005-03-30 | 2009-07-27 | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 |
JP2012220149A Active JP5587954B2 (ja) | 2005-03-30 | 2012-10-02 | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006089853A Expired - Fee Related JP4563955B2 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 |
JP2009174603A Expired - Fee Related JP5161166B2 (ja) | 2005-03-30 | 2009-07-27 | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7403265B2 (ja) |
EP (1) | EP1708030A3 (ja) |
JP (3) | JP4563955B2 (ja) |
KR (1) | KR100777415B1 (ja) |
CN (2) | CN1841211B (ja) |
SG (3) | SG139740A1 (ja) |
TW (1) | TWI327682B (ja) |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7403265B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
US7330239B2 (en) * | 2005-04-08 | 2008-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device |
JP2007052080A (ja) * | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Fujifilm Holdings Corp | 描画装置、露光装置、および描画方法 |
US8049865B2 (en) * | 2006-09-18 | 2011-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method |
JP5001638B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2012-08-15 | 株式会社オーク製作所 | 露光データ作成装置 |
KR100868242B1 (ko) | 2007-05-14 | 2008-11-12 | 아엠텐 주식회사 | 마스크리스 리소그래피를 위한 인라인 가상마스킹 방법 |
US8572524B2 (en) * | 2007-11-21 | 2013-10-29 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Statistical optical proximity correction |
US7966586B2 (en) * | 2007-12-07 | 2011-06-21 | Cadence Design Systems, Inc. | Intelligent pattern signature based on lithography effects |
US7904853B1 (en) | 2007-12-27 | 2011-03-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Pattern signature |
US8358828B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-01-22 | Cadence Design Systems, Inc. | Interpolation of irregular data in a finite-dimensional metric space in lithographic simulation |
NL1036468A1 (nl) * | 2008-02-27 | 2009-08-31 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
JP5107105B2 (ja) * | 2008-03-12 | 2012-12-26 | 株式会社リコー | インプリント方法 |
US20090230594A1 (en) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | Hiroshi Deguchi | Imprint method and mold |
US8381152B2 (en) | 2008-06-05 | 2013-02-19 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and system for model-based design and layout of an integrated circuit |
US8161422B2 (en) * | 2009-01-06 | 2012-04-17 | International Business Machines Corporation | Fast and accurate method to simulate intermediate range flare effects |
US8008176B2 (en) * | 2009-08-11 | 2011-08-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Masked ion implant with fast-slow scan |
NL2007287A (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Correction for flare effects in lithography system. |
US8772054B2 (en) * | 2011-09-08 | 2014-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Focus control method for photolithography |
US8832621B1 (en) | 2011-11-28 | 2014-09-09 | Cadence Design Systems, Inc. | Topology design using squish patterns |
JP5815887B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2015-11-17 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータプログラム |
WO2013083383A1 (en) | 2011-12-06 | 2013-06-13 | Asml Netherlands B.V. | A lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program |
US9448343B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-09-20 | Kla-Tencor Corporation | Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same |
US9619878B2 (en) * | 2013-04-16 | 2017-04-11 | Kla-Tencor Corporation | Inspecting high-resolution photolithography masks |
US20160077329A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Pixtronix, Inc. | Dithered displays and dithering processes and apparatus |
TWI620980B (zh) * | 2015-02-13 | 2018-04-11 | Asml荷蘭公司 | 影像對數斜率(ils)最佳化 |
CN106991511B (zh) * | 2016-01-20 | 2020-11-03 | 华北电力大学 | 核电厂点源线源面源组合的复合辐射源强逆推方法及*** |
US10546790B2 (en) | 2016-03-01 | 2020-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
US10714427B2 (en) | 2016-09-08 | 2020-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Secure chips with serial numbers |
US10418324B2 (en) * | 2016-10-27 | 2019-09-17 | Asml Netherlands B.V. | Fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system |
CN108062003A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-22 | 俞庆平 | 一种直写式丝网制版***及制版方法 |
CN106647184B (zh) * | 2016-12-31 | 2019-06-14 | 江苏九迪激光装备科技有限公司 | 一种直写式丝网制版设备的曝光方法 |
US10281644B2 (en) * | 2017-02-09 | 2019-05-07 | David Wayne Holdsworth | Method and apparatus for calibrating low-light level optical imaging systems |
EP3415988A1 (en) | 2017-06-14 | 2018-12-19 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing methods |
KR102491575B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2023-01-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판을 검사하는 방법 및 이를 이용하여 반도체 소자를 제조 하는 방법 |
JP7041489B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2022-03-24 | キヤノン株式会社 | 評価方法、決定方法、リソグラフィ装置、およびプログラム |
JP7173730B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2022-11-16 | キヤノン株式会社 | 処理装置を管理する管理方法、管理装置、プログラム、および、物品製造方法 |
EP3495888A1 (en) * | 2017-12-06 | 2019-06-12 | ASML Netherlands B.V. | Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses |
JP6723564B2 (ja) * | 2018-02-20 | 2020-07-15 | 株式会社ピーエムティー | 露光方法 |
CN118192175A (zh) * | 2018-06-29 | 2024-06-14 | 应用材料公司 | 用于在基板上的无掩模光刻术的实时自动聚焦 |
KR102637105B1 (ko) * | 2018-07-13 | 2024-02-15 | 삼성전자주식회사 | 영상 데이터를 처리하는 방법 및 장치 |
US10761430B2 (en) * | 2018-09-13 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast |
CN109143794B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-01-01 | 武汉华星光电技术有限公司 | 提高曝光精度的方法以及装置 |
WO2020096724A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Histogram-based method for auto segmentation of integrated circuit structures from sem images |
Family Cites Families (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6221115A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-29 | Canon Inc | 露光装置 |
US4879605A (en) * | 1988-02-29 | 1989-11-07 | Ateq Corporation | Rasterization system utilizing an overlay of bit-mapped low address resolution databases |
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
DE59105735D1 (de) | 1990-05-02 | 1995-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JPH06244080A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-09-02 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
JP2001500628A (ja) * | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
EP1369895B1 (en) | 1996-03-04 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
JPH09283423A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Canon Inc | 露光装置及び露光方法 |
US6037967A (en) * | 1996-12-18 | 2000-03-14 | Etec Systems, Inc. | Short wavelength pulsed laser scanner |
DE69711929T2 (de) | 1997-01-29 | 2002-09-05 | Micronic Laser Systems Ab, Taeby | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
JP3139414B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | 生体内活動部位推定方法及び生体内活動部位推定装置 |
US6291110B1 (en) | 1997-06-27 | 2001-09-18 | Pixelligent Technologies Llc | Methods for transferring a two-dimensional programmable exposure pattern for photolithography |
JPH11233398A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
US6015644A (en) * | 1998-02-20 | 2000-01-18 | Lucent Technologies Inc. | Process for device fabrication using a variable transmission aperture |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JP3485052B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2004-01-13 | 日本電気株式会社 | 参照画像作成方法、パターン検査装置及び参照画像作成プログラムを記録した記録媒体 |
US20030157415A1 (en) | 2000-02-16 | 2003-08-21 | Ziger David H. | Apparatus and method for compensating critical dimension deviations across photomask |
JP2001333329A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮影装置 |
KR100827874B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
US6493867B1 (en) | 2000-08-08 | 2002-12-10 | Ball Semiconductor, Inc. | Digital photolithography system for making smooth diagonal components |
US7849981B2 (en) * | 2005-04-05 | 2010-12-14 | Stucki De Mexico, De R.L. De C.V. | Spare brake beam having replaceable brake heads |
US6473237B2 (en) * | 2000-11-14 | 2002-10-29 | Ball Semiconductor, Inc. | Point array maskless lithography |
US20030026495A1 (en) * | 2001-03-07 | 2003-02-06 | Gondek Jay Stephen | Parameterized sharpening and smoothing method and apparatus |
US20020172431A1 (en) * | 2001-03-07 | 2002-11-21 | Atkins C. Brian | Digital image appearance enhancement and compressibility improvement method and system |
EP1265104A1 (en) * | 2001-06-06 | 2002-12-11 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2002367900A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Yaskawa Electric Corp | 露光装置および露光方法 |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
US6934421B2 (en) * | 2002-03-20 | 2005-08-23 | Eastman Kodak Company | Calculating noise from multiple digital images having a common noise source |
JP2004006440A (ja) * | 2002-04-10 | 2004-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザ装置、露光ヘッド、及び露光装置 |
JP2003337427A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
JP2003337426A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
JP2004062156A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-02-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光ヘッド及び露光装置 |
EP1372036A1 (en) | 2002-06-12 | 2003-12-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
US7180576B2 (en) * | 2003-02-11 | 2007-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Exposure with intensity balancing to mimic complex illuminator shape |
WO2004077533A1 (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-10 | Kabushiki Kaisha Hayashi Soken | 露光装置 |
JP2004304135A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP4244156B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 投影露光装置 |
KR100959751B1 (ko) | 2003-05-13 | 2010-05-25 | 삼성전자주식회사 | 금속패턴 형성 방법 및 이를 이용한 전자파 차폐 필터 |
US7423730B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1491960B1 (en) | 2003-05-30 | 2012-04-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
EP1482375B1 (en) * | 2003-05-30 | 2014-09-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1482363A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7755657B2 (en) * | 2003-06-12 | 2010-07-13 | Micronic Laser Systems Ab | Method for high precision printing of patterns |
US6833854B1 (en) * | 2003-06-12 | 2004-12-21 | Micronic Laser Systems Ab | Method for high precision printing of patterns |
JP2005055881A (ja) | 2003-07-22 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 描画方法および描画装置 |
US7186486B2 (en) * | 2003-08-04 | 2007-03-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method to pattern a substrate |
JP4620942B2 (ja) | 2003-08-21 | 2011-01-26 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路のレイアウト方法、そのレイアウト構造、およびフォトマスク |
EP1517188A3 (en) * | 2003-09-22 | 2005-05-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1682934B1 (en) * | 2003-11-12 | 2022-04-06 | Mycronic AB | Method and device for correcting slm stamp image imperfections |
JP2007522671A (ja) * | 2004-02-25 | 2007-08-09 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 光マスクレスリソグラフィにおいてパターンを露光し、マスクをエミュレートする方法 |
US7403264B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus |
US7177012B2 (en) | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7423732B2 (en) * | 2004-11-04 | 2008-09-09 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane |
US7230677B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids |
US7317510B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403265B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
TWI296750B (en) * | 2005-12-20 | 2008-05-11 | Asustek Comp Inc | Heat-dissipating device coupled by a heat pipe |
US8049865B2 (en) * | 2006-09-18 | 2011-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method |
US8259285B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-04 | Asml Holding N.V. | Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data |
BRPI0721413B1 (pt) * | 2007-01-05 | 2018-06-12 | Cytec Technology Corp. | Processo para o beneficiamento dos substratos de minerais de carbonato |
US8767185B2 (en) * | 2010-12-07 | 2014-07-01 | Micronic Laser Systems Ab | Criss-cross writing strategy |
-
2005
- 2005-03-30 US US11/093,259 patent/US7403265B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-17 TW TW095109109A patent/TWI327682B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-03-21 EP EP06251482A patent/EP1708030A3/en not_active Withdrawn
- 2006-03-29 JP JP2006089853A patent/JP4563955B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 CN CN2006100733296A patent/CN1841211B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 CN CN2011100638235A patent/CN102109775B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-30 SG SG200800093-7A patent/SG139740A1/en unknown
- 2006-03-30 KR KR1020060029223A patent/KR100777415B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-03-30 SG SG200800095-2A patent/SG139741A1/en unknown
- 2006-03-30 SG SG200602145A patent/SG126128A1/en unknown
-
2008
- 2008-07-02 US US12/166,837 patent/US7864295B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-07-27 JP JP2009174603A patent/JP5161166B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-29 US US12/915,566 patent/US8508715B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-10-02 JP JP2012220149A patent/JP5587954B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-12 US US13/940,796 patent/US9846368B2/en active Active
-
2017
- 2017-06-05 US US15/614,542 patent/US20170269483A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI327682B (en) | 2010-07-21 |
JP2009302549A (ja) | 2009-12-24 |
US8508715B2 (en) | 2013-08-13 |
JP5161166B2 (ja) | 2013-03-13 |
SG139741A1 (en) | 2008-02-29 |
SG126128A1 (en) | 2006-10-30 |
SG139740A1 (en) | 2008-02-29 |
US20170269483A1 (en) | 2017-09-21 |
EP1708030A3 (en) | 2007-10-17 |
CN102109775B (zh) | 2013-07-31 |
US7403265B2 (en) | 2008-07-22 |
CN102109775A (zh) | 2011-06-29 |
CN1841211A (zh) | 2006-10-04 |
JP2013048258A (ja) | 2013-03-07 |
US20130301025A1 (en) | 2013-11-14 |
KR100777415B1 (ko) | 2007-11-20 |
US9846368B2 (en) | 2017-12-19 |
JP4563955B2 (ja) | 2010-10-20 |
KR20060105618A (ko) | 2006-10-11 |
CN1841211B (zh) | 2011-10-05 |
US20060221322A1 (en) | 2006-10-05 |
US20090011345A1 (en) | 2009-01-08 |
US7864295B2 (en) | 2011-01-04 |
TW200705109A (en) | 2007-02-01 |
US20110043778A1 (en) | 2011-02-24 |
JP2006285243A (ja) | 2006-10-19 |
EP1708030A2 (en) | 2006-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5587954B2 (ja) | データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法 | |
CN100470372C (zh) | 用以计算空间光调制器的虚拟影像的***与方法 | |
US7934172B2 (en) | SLM lithography: printing to below K1=.30 without previous OPC processing | |
TWI641959B (zh) | 處理窗識別符 | |
US7936445B2 (en) | Altering pattern data based on measured optical element characteristics | |
TWI497232B (zh) | 用於轉換微影裝置中基於向量之所要器件圖案表示之裝置與方法、用於提供資料至可程式化圖案化器件之裝置與方法、微影裝置及器件製造方法 | |
US8194242B2 (en) | Substrate distortion measurement | |
TW200839461A (en) | Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data | |
JP2006186364A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2006179921A (ja) | リソグラフィ装置及び六角形画像グリッドを使用するデバイス製造方法 | |
US20090213354A1 (en) | Method and apparatus for projection printing | |
JP2018523152A (ja) | リソグラフィ装置及び方法 | |
JP2009527911A (ja) | Slmリソグラフィ:以前のopc処理を用いないk1=0.03未満までへのプリンティング | |
TW202400985A (zh) | 在積體電路之製造中校正量測的方法及相關設備 | |
JP2014022628A (ja) | 瞳輝度分布の評価方法、照明光学系およびその調整方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140708 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5587954 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |