JP5587567B2 - 銅めっき方法 - Google Patents
銅めっき方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5587567B2 JP5587567B2 JP2009160567A JP2009160567A JP5587567B2 JP 5587567 B2 JP5587567 B2 JP 5587567B2 JP 2009160567 A JP2009160567 A JP 2009160567A JP 2009160567 A JP2009160567 A JP 2009160567A JP 5587567 B2 JP5587567 B2 JP 5587567B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- copper
- current density
- electrolytic
- polyethylene glycol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
Description
すなわち、請求項1記載の発明は、下記(1)の基本組成からなるめっき浴液に下記(2)〜(4)の添加剤を添加しためっき浴液を用い、下記(5)のめっき方法によって電解めっきすることを特徴とするものである。
硫酸銅5水和物:40〜300g/L(好ましくは50〜150g/L)
硫酸:30〜300g/L(好ましくは150〜250g/L)
塩素イオン:20〜100mg/L(好ましくは40〜80mg/L)
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L(好ましくは1000〜10000mg/L)添加
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L(好ましくは0.2〜5.0mg/L)添加
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L(好ましくは50〜500mg/L)添加
下記(a)(b)の条件の下に、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に行う。
(a)低電流密度[A/dm2]による電解めっきは、高電流密度[A/dm2]による電解めっきの1/2〜1/50倍(好ましくは1/5〜1/20倍)の電流密度で行う。
(b)低電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]は、高電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]の1/5〜1/100倍(好ましくは1/20〜1/40倍)とする。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(6)めっき方法
下記(c)(d)の条件の下に、PRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に行う。
(c)電流密度比は、正電解[A/dm2]:負電解[A/dm2]=1:1〜5(好ましくは1:1〜2)とする。
(d)めっき時間の比は、正電解[ms]:負電解[ms]=10〜500:1(好ましくは40〜100:1)とする。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(7)めっき方法
下記(e)(f)の条件の下に、電解銅めっきと置換めっきを交互に行う。
(e)置換めっきの膜厚は電解銅めっきの膜厚の1/50〜1/10000倍(好ましくは1/100〜1/500倍)とする。
(f)置換めっき液の金属は銅皮膜上に置換するもの(例えば、Ag、Au、Pt、Pd、Sn等)を用いる。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(8)めっき方法
下記(g)(h)の条件の下に、電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に行う。
(g)マイクロエッチングのエッチング厚は銅めっき膜厚の1/10〜1/1000倍(好ましくは、1/50〜500倍)とする。
(h)マイクロエッチングの溶液は銅を溶解するもの(例えば、過酸化水素水、過硫酸ナトリウム、塩化鉄、塩化銅等)を用いる。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(5)めっき方法
下記(a)(b)の条件の下に、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に行う。
(a)低電流密度[A/dm 2 ]による電解めっきは、高電流密度[A/dm 2 ]による電解めっきの1/2〜1/50倍(好ましくは1/5〜1/20倍)の電流密度で行う。
(b)低電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]は、高電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]の1/5〜1/100倍(好ましくは1/20〜1/40倍)とする。
(6)めっき方法
下記(c)(d)の条件の下に、PRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に行う。
(c)電流密度比は、正電解[A/dm 2 ]:負電解[A/dm 2 ]=1:1〜5(好ましくは1:1〜2)とする。
(d)めっき時間の比は、正電解[ms]:負電解[ms]=10〜500:1(好ましくは40〜100:1)とする。
(7)めっき方法
下記(e)(f)の条件の下に、電解銅めっきと置換めっきを交互に行う。
(e)置換めっきの膜厚は電解銅めっきの膜厚の1/50〜1/10000倍(好ましくは1/100〜1/500倍)とする。
(f)置換めっき液の金属は銅皮膜上に置換するもの(例えば、Ag、Au、Pt、Pd、Sn等)を用いる。
(8)めっき方法
下記(g)(h)の条件の下に、電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に行う。
(g)マイクロエッチングのエッチング厚は銅めっき膜厚の1/10〜1/1000倍(好ましくは、1/50〜500倍)とする。
(h)マイクロエッチングの溶液は銅を溶解するもの(例えば、過酸化水素水、過硫酸ナトリウム、塩化鉄、塩化銅等)を用いる。
SUS板を被めっき面とし、下記に述べる硫酸銅めっきプロセスにてめっきした後、銅皮膜のみをSUS板から引き剥がし、アニール(120℃、1時間)処理後、引張り試験(JIS Z 2241、1980年)によって延び率を測定した。なお、通常の引っ張り試験では厚さ50μm程度の銅めっき皮膜を形成してその延び率を測定するが、COFの銅めっき皮膜は8〜12μm程度であるため、12μmにおける延び率を測定した。
測定条件:引張り速度=10mm/分
引張り荷重=50kg/Full Scall
走査条件:駆動軸=2θ/θ
捜査範囲=40−80度
走査ステップ=0.02度
走査速度=2.00度/分
計数時間=0.6秒
XG条件:管電圧=40.0kV
管電流=30.0mA
硫酸銅5水和物:130g/L
硫酸:160g/L
塩素:75mg/L
ポリエチレングリコール(※1):2000mg/L
SPS(※2):1mg/L
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体(※3):100mg/L
(※2):X1−L2−S−S−L3−Y1 L2=L3=C3H8 X1=Y1=SO3Na
(※3):下記の一般式(1)からなる。
R1、R2は、独立にメチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基から選ばれるが、共にヒドロキシエチル基ではない。R3はメチルまたはエチルを示す。R4、R5は独立に水素ないし、炭素数1〜6までのアルキル基から選ばれるか、または環状エーテルのいずれかを選択する。ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト単位:アクリルアミド類単位:二酸化イオウ単位のモル比が、8:1:8〜8:8:8までのランダム共重合体である。
5A/dm2(3分)→0.5A/dm2(1分)→5A/dm2(3分)→0.5A/dm2(1分)→5A/dm2(3分)→0.5A/dm2(1分)→5A/dm2(3分)
浴温:30℃
めっき膜厚:計約12μm
めっき浴液:第1の実施の形態と同じ組成のめっき浴液
めっき方法:図2(5A/dm2、12分)
浴温:30℃
めっき膜厚:計約12μm
めっき浴液
硫酸銅5水和物:130g/L
硫酸:160g/L
塩素:75mg/L
ポリエチレングリコール:500mg/L
SPS:10mg/L
ジアリルジアルキルアンモニウムクロリドと二酸化イオウとの共重合体(※4):20mg/L
めっき浴液
硫酸銅5水和物:130g/L
硫酸:160g/L
塩素:75mg/L
ポリエチレングリコール:500mg/L
SPS:1mg/L
ポリアルキレンイミン:0.05mg/L(和光純薬(株)製試薬)
めっき浴液
硫酸銅5水和物:130g/L
硫酸:160g/L
塩素:75mg/L
ポリエチレングリコール:500mg/L
SPS:1mg/L
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトと二酸化イオウとの共重合体(※5):1000mg/L
めっき浴液:前記第1の実施の形態と同じ組成からなるめっき浴液を用いて、次のめっき方法によりめっきした。
正電解時→電流密度5A/dm2、時間100ms
負電解時→電流密度5A/dm2、時間1ms
浴温:30℃
めっき膜厚:計約12μm
めっき浴液:比較例2と同じめっき浴液
めっき方法:第2の実施の形態と同じめっき方法(図1(b)参照)
めっき浴液:比較例3と同じめっき浴液
めっき方法:第2の実施の形態と同じめっき方法(図1(b)参照)
めっき浴液:比較例4と同じめっき浴液
めっき方法:第2の実施の形態と同じめっき方法(図1(b)参照)
めっき浴液:第1の実施の形態と同じ組成のめっき浴液
めっき方法:(図1(c)参照)
5A/dm2(3分)→Ag置換めっき(35℃−0.5分)→5A/dm2(3分)→Ag置換めっき(35℃−0.5分)→5A/dm2(3分)→Ag置換めっき(35℃−0.5分)→5A/dm2(3分)
浴温:30℃
めっき膜厚:約12μm
なお、Ag置換めっきは、Agイオンとして10mg/Lの溶液を使用した。
めっき浴液:比較例2と同じめっき浴液
めっき方法:第3の実施の形態と同じめっき方法(図1(c)参照)
めっき浴液:比較例3と同じめっき浴液
めっき方法:第3の実施の形態と同じめっき方法(図1(c)参照)
めっき浴液:比較例4と同じめっき浴液
めっき方法:第3の実施の形態と同じめっき方法(図1(c)参照)
めっき浴液:第1の実施の形態と同じ組成のめっき浴液
めっき方法:図1(d)
5A/dm2(3分)→ マイクロエッチング(25℃−0.5分)→5A/dm2(3分)→マイクロエッチング(25℃−0.5分)→5A/dm2(3分)→マイクロエッチング(25℃−0.5分)→5A/dm2(3分)
浴温:30℃
めっき膜厚:約12μm
なお、マイクロエッチングは、35%H2O2=10ml/L、H2SO4=50ml/Lの溶液を使用した。
めっき浴液:比較例2と同じめっき浴液
めっき方法:第4の実施の形態と同じめっき方法(図1(d)参照)
めっき浴液:比較例3と同じめっき浴液
めっき方法:第4の実施の形態と同じめっき方法(図1(d)参照)
めっき浴液:比較例4と同じめっき浴液
めっき方法:第4の実施の形態と同じめっき方法(図1(d)参照)
Claims (5)
- 下記(1)の基本組成からなるめっき浴液に下記(2)〜(4)の添加剤を添加しためっき浴液を用い、下記(5)のめっき方法によって電解めっきすることを特徴とする銅めっき方法。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(5)めっき方法
下記(a)(b)の条件の下に、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に行う。
(a)低電流密度[A/dm2]による電解めっきは、高電流密度[A/dm2]による電解めっきの1/2〜1/50倍の電流密度
(b)低電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]は、高電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]の1/5〜1/100倍 - 下記(1)〜(4)の組成からなるめっき浴液を用い、下記(6)のめっき方法によって電解めっきすることを特徴とする銅めっき方法。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(6)めっき方法
下記(c)(d)の条件の下に、PRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に行う。
(c)電流密度比は、正電解[A/dm2]:負電解[A/dm2]=1:1〜5
(d)めっき時間の比は、正電解[ms]:負電解[ms]=10〜500:1 - 下記(1)〜(4)の組成からなるめっき浴液を用い、下記(7)のめっき方法によって電解めっきすることを特徴とする銅めっき方法。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(7)めっき方法
下記(e)(f)の条件の下に、電解銅めっきと置換めっきを交互に行う。
(e)置換めっきの膜厚は電解銅めっきの膜厚の1/50〜1/10000倍
(f)置換めっき液の金属は銅皮膜上に置換するものを使用 - 下記(1)〜(4)の組成からなるめっき浴液を用い、下記(8)のめっき方法によって電解めっきすることを特徴とする銅めっき方法。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(8)めっき方法
下記(g)(h)の条件の下に、電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に行う。
(g)マイクロエッチングのエッチング厚は銅めっき膜厚の1/10〜1/1000倍
(h)マイクロエッチングの溶液は銅を溶解するものを使用 - 下記(1)〜(4)の組成からなるめっき浴液を用い、下記(5)〜(8)のめっき方法のいずれか2つ以上を組み合わせて電解めっきすることを特徴とする銅めっき方法。
(1)めっき浴液の基本組成
硫酸銅5水和物:40〜300g/L
硫酸:30〜300g/L
塩素イオン:20〜100mg/L
(2)第1添加剤
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテル、ポリエチレングリコール・ジアルキルエーテル中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を100〜20000mg/L添加
(3)第2添加剤
スルホアルキルスルホン酸塩、ビススルホ有機化合物、ジチオカルバミン酸誘導体中から選ばれる1成分もしくは2成分以上を0.02〜200mg/L添加
(4)第3添加剤
ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトとアクリルアミド類と二酸化イオウとの共重合体を10〜1000mg/L添加
(5)めっき方法
下記(a)(b)の条件の下に、高電流密度による電解めっきと低電流密度による電解めっきを交互に行う。
(a)低電流密度[A/dm 2 ]による電解めっきは、高電流密度[A/dm 2 ]による電解めっきの1/2〜1/50倍の電流密度
(b)低電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]は、高電流密度による電解めっきによる膜厚[μm]の1/5〜1/100倍
(6)めっき方法
下記(c)(d)の条件の下に、PRパルス(極性反転パルス)による電解めっきを交互に行う。
(c)電流密度比は、正電解[A/dm 2 ]:負電解[A/dm 2 ]=1:1〜5
(d)めっき時間の比は、正電解[ms]:負電解[ms]=10〜500:1
(7)めっき方法
下記(e)(f)の条件の下に、電解銅めっきと置換めっきを交互に行う。
(e)置換めっきの膜厚は電解銅めっきの膜厚の1/50〜1/10000倍
(f)置換めっき液の金属は銅皮膜上に置換するものを使用
(8)めっき方法
下記(g)(h)の条件の下に、電解銅めっきとマイクロエッチングを交互に行う。
(g)マイクロエッチングのエッチング厚は銅めっき膜厚の1/10〜1/1000倍
(h)マイクロエッチングの溶液は銅を溶解するものを使用
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009160567A JP5587567B2 (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | 銅めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009160567A JP5587567B2 (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | 銅めっき方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011017036A JP2011017036A (ja) | 2011-01-27 |
JP5587567B2 true JP5587567B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=43595027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009160567A Expired - Fee Related JP5587567B2 (ja) | 2009-07-07 | 2009-07-07 | 銅めっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5587567B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11069594B2 (en) | 2019-11-26 | 2021-07-20 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Methods of forming electronic assemblies with inverse opal structures using variable current density electroplating |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY160926A (en) * | 2010-04-30 | 2017-03-31 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Laminate for flexible wiring |
KR101669745B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2016-10-27 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 2층 플렉시블 배선용 기판 및 플렉시블 배선판 및 이들의 제조 방법 |
JP6035678B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-11-30 | 住友金属鉱山株式会社 | フレキシブル配線板の製造方法ならびにフレキシブル配線板 |
JP6398596B2 (ja) * | 2013-10-22 | 2018-10-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 2層フレキシブル配線用基板及びそれを用いたフレキシブル配線板 |
EP2865787A1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-04-29 | ATOTECH Deutschland GmbH | Copper electroplating method |
JP6405615B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2018-10-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 2層フレキシブル配線用基板およびその製造方法 |
TWI568865B (zh) * | 2013-10-23 | 2017-02-01 | Sumitomo Metal Mining Co | Layer 2 flexible wiring substrate and manufacturing method thereof, and two-layer flexible wiring board and manufacturing method thereof |
JP6398175B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2018-10-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 2層フレキシブル配線板およびその製造方法 |
CN104087985A (zh) * | 2014-06-25 | 2014-10-08 | 安徽长青电子机械(集团)有限公司 | 一种金属件镀铜的方法 |
JP6641717B2 (ja) | 2015-04-08 | 2020-02-05 | 日立化成株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
JP6421719B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2018-11-14 | 住友金属鉱山株式会社 | フレキシブル配線板用の電気銅めっき液及び該電気銅めっき液により製造される積層体の製造方法 |
JP6993613B2 (ja) * | 2018-03-23 | 2022-01-13 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板の製造方法 |
JP7087760B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板 |
JP7087758B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板 |
JP2020012156A (ja) * | 2018-07-18 | 2020-01-23 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板の製造方法 |
JP7103006B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板 |
JP7087759B2 (ja) * | 2018-07-18 | 2022-06-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板 |
JP7107189B2 (ja) * | 2018-11-28 | 2022-07-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 |
JP7211184B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-01-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅張積層板および銅張積層板の製造方法 |
CN117328113B (zh) * | 2023-10-16 | 2024-07-12 | 顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙) | 一种金属化膜酸性镀铜工艺及应用 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613435A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Hitachi Cable Ltd | キャリアテープ及びその製造方法 |
JP2858237B2 (ja) * | 1995-03-31 | 1999-02-17 | 本田技研工業株式会社 | 機能性Cu皮膜 |
JP4895734B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2012-03-14 | 荏原ユージライト株式会社 | めっき用レベリング剤、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、酸性銅めっき浴および該めっき浴を用いるめっき方法 |
JP5385625B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2014-01-08 | 株式会社Jcu | 2層フレキシブル銅張積層基材及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-07-07 JP JP2009160567A patent/JP5587567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11069594B2 (en) | 2019-11-26 | 2021-07-20 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Methods of forming electronic assemblies with inverse opal structures using variable current density electroplating |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011017036A (ja) | 2011-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5587567B2 (ja) | 銅めっき方法 | |
KR101154203B1 (ko) | 전해 동박, 그 전해 동박을 이용한 표면 처리 동박 및 그 표면 처리 동박을 이용한 동박 적층판 및 그 전해 동박의 제조 방법 | |
TWI534304B (zh) | 銅電解電鍍浴及銅電解電鍍法 | |
JP5255229B2 (ja) | 電解銅箔、その電解銅箔を用いた表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いた銅張積層板並びにその電解銅箔の製造方法 | |
CN103731974B (zh) | 2层挠性基板及以2层挠性基板作为基材的印刷布线板 | |
JP2004339558A (ja) | 低粗面電解銅箔及びその製造方法 | |
JP5301886B2 (ja) | 電解銅箔及びその電解銅箔の製造方法 | |
JPWO2008126522A1 (ja) | 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 | |
JP4376903B2 (ja) | 特定骨格を有する化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 | |
KR20110132421A (ko) | 2층 플렉시블 기판, 및 그 제조에 이용하는 구리전해액 | |
JP2004339558A5 (ja) | ||
JP5441945B2 (ja) | ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔及びその製法。 | |
JP5385625B2 (ja) | 2層フレキシブル銅張積層基材及びその製造方法 | |
JP2006316328A (ja) | 2層フレキシブル銅張積層板の製造方法 | |
JP4499502B2 (ja) | めっき用レベリング剤、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、酸性銅めっき浴および該めっき浴を用いるめっき方法 | |
JP2003328179A (ja) | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 | |
WO2004059040A1 (ja) | 特定骨格を有する四級アミン化合物重合体及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 | |
EP2855738A1 (en) | Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content | |
WO2004055246A1 (ja) | 銅電解液およびそれにより製造された電解銅箔 | |
JP2017053031A (ja) | 酸性銅電気めっき浴ならびに低内部応力及び良好な延性の銅析出物を電気めっきするための方法 | |
JP2009149977A (ja) | 表面処理銅箔及びその表面処理方法、並びに積層回路基板 | |
JP2013053362A (ja) | エッチング性に優れた回路形成用銅箔、この銅箔を使用した銅張積層板及びプリント配線板 | |
JP2005256159A (ja) | 銅めっき皮膜の成膜方法、半導体パッケージ用樹脂フィルム基板の連続銅めっき装置ならびにフレキシブル銅張り積層板 | |
JP2008144186A (ja) | 酸性銅めっき方法 | |
US20110088932A1 (en) | Wiring circuit board and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140715 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5587567 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |