JP5569844B2 - Aluminum nitride wire manufacturing method and aluminum nitride wire manufacturing apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、高絶縁性及び高伝熱性フィラーとして有用な、窒化アルミニウムワイヤーの製造方法及び製造装置に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for producing an aluminum nitride wire useful as a highly insulating and highly heat conductive filler.
窒化アルミニウム(AlN)は、六方晶ウルツ鉱構造のワイドギャップ物質で、AlとNとが共有結合的に結びついた優れたフォノン熱伝導体である。したがって、AlNは高絶縁性を有するとともに高熱伝導性を有するため、AlN粒子は、電子部品装置や半導体装置の封止樹脂中に含有させるフィラーとして有効である。すなわち、AlN粒子を封止樹脂中に含有させることによって、封止樹脂の絶縁性を担保しながら、封止樹脂の熱伝導性を高めることができる。 Aluminum nitride (AlN) is a wide gap material having a hexagonal wurtzite structure, and is an excellent phonon thermal conductor in which Al and N are covalently bonded. Therefore, since AlN has high insulation and high thermal conductivity, the AlN particles are effective as a filler to be contained in the sealing resin for electronic component devices and semiconductor devices. That is, by including AlN particles in the sealing resin, the thermal conductivity of the sealing resin can be enhanced while ensuring the insulating properties of the sealing resin.
このため、電子部品や半導体チップを駆動させることによって生成した熱を効率良く伝搬させて、外部に放出させることができるようになる。結果として、封止樹脂の熱劣化や熱破損を抑制することができ、上記電子部品装置や半導体装置の寿命を大幅に向上させることができる。 For this reason, the heat generated by driving the electronic component or the semiconductor chip can be efficiently propagated and released to the outside. As a result, thermal deterioration and thermal breakage of the sealing resin can be suppressed, and the lifetime of the electronic component device and the semiconductor device can be greatly improved.
AlN粒子は、例えば特許文献1に記載されているように、アルミナ粉末とカーボン粉末とを窒素雰囲気下、1550℃の温度で6時間焼成することによって製造することができる。また、例えば特許文献2及び特許文献3に記載されているように、アルミナ粒子とカーボンブラックとを造粒して造粒体を得た後、この造粒体を乾燥し、さらに1600℃で420分間、または1550℃で6時間焼成して製造することができる。 For example, as described in Patent Document 1, AlN particles can be produced by firing alumina powder and carbon powder at a temperature of 1550 ° C. for 6 hours in a nitrogen atmosphere. Further, for example, as described in Patent Document 2 and Patent Document 3, alumina particles and carbon black are granulated to obtain a granulated body, and then the granulated body is dried and further heated at 1600 ° C. at 420 ° C. It can be produced by baking for 6 minutes at 1550 ° C. for 1 minute.
しかしながら、これらの方法では粒子状のAlNしか製造することができず、樹脂中に含有させる場合においてその本来的な高熱伝導性を発揮できるようにするためには、比較的多量のAlN粒子を含有させなければならないという問題があった。また、近年においては、電子部品装置や半導体装置の小型化の要求が高まっており、これに伴って封止樹脂の強度向上に関する要求も高まっている。したがって、このような樹脂中に含有させるフィラーに対しても上述した高熱伝導性に加えて、高強度特性が要求されるようになっている。 However, in these methods, only particulate AlN can be produced, and in order to be able to exhibit its inherent high thermal conductivity when contained in a resin, it contains a relatively large amount of AlN particles. There was a problem that had to be made. In recent years, there has been an increasing demand for downsizing electronic component devices and semiconductor devices, and accordingly, there has been an increasing demand for improving the strength of the sealing resin. Therefore, in addition to the above-described high thermal conductivity, high strength characteristics are required for the filler contained in such a resin.
また、上記方法では、AlN粒子を製造するに際し、焼成温度が1500℃〜1600℃にも達し、さらに焼成時間が数時間にも及ぶため、製造歩留まりが極めて低く、またエネルギー消費量が高いという問題もあった。 Further, in the above method, when the AlN particles are produced, the firing temperature reaches 1500 ° C. to 1600 ° C., and further the firing time is several hours, so that the production yield is extremely low and the energy consumption is high. There was also.
本発明は、熱伝導性フィラー及び高強度フィラーとして好適に用いることができる新規な形態のAlNを簡易に提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide simply the novel form AlN which can be used suitably as a heat conductive filler and a high intensity | strength filler.
本発明は、
カーボン粒子とアルミナ粒子とを、これらの混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子)が窒化アルミニウムを生成する際に要求される前記カーボン粒子と前記アルミナ粒子との化学両論的な混合比以上となるように混合して坩堝内に配置する工程と、
前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、前記アルミナ粒子を前記カーボン粒子で還元窒化して窒化アルミニウムを得るとともに、この窒化アルミニウムを昇華させ、非加熱状態の部材に付着させる工程とを具え、
直径が30nm〜2μmであって、長さが10μm〜2mmである窒化アルミニウムワイヤーを製造することを特徴とする、窒化アルミニウムワイヤーの製造方法に関する。
The present invention
The carbon particles and the alumina particles are mixed so that the mixing ratio thereof (carbon particles / alumina particles) is higher than the stoichiometric mixing ratio of the carbon particles and the alumina particles required for producing aluminum nitride. Mixing and placing in a crucible;
The carbon particles and the alumina particles are irradiated with microwaves in a nitrogen atmosphere, and the alumina particles are reduced and nitrided with the carbon particles to obtain aluminum nitride. The aluminum nitride is sublimated, and is heated. A process of adhering to a member,
The present invention relates to a method for producing an aluminum nitride wire, characterized in that an aluminum nitride wire having a diameter of 30 nm to 2 μm and a length of 10 μm to 2 mm is produced.
直径が30nm〜2μmであって、長さが10μm〜2mmであることを特徴とする、窒化アルミニウムワイヤーを製造することを特徴とする、窒化アルミニウムワイヤーの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing an aluminum nitride wire, characterized by producing an aluminum nitride wire characterized by having an diameter of 30 nm to 2 μm and a length of 10 μm to 2 mm.
さらに、本発明は、
カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して配置する坩堝と、
前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、前記アルミナ粒子を前記カーボン粒子で還元窒化して窒化アルミニウムを得るとともに、この窒化アルミニウムを昇華させるためのマイクロ波照射装置と、
前記坩堝の周囲に設けられるとともに、昇華した前記窒化アルミニウムを付着させるマイクロ波透過性の断熱部材と、
を具えることを特徴とする、窒化アルミニウムワイヤーの製造装置に関する。
Furthermore, the present invention provides
A crucible in which carbon particles and alumina particles are mixed and arranged;
Microwave irradiation for irradiating the carbon particles and the alumina particles with a microwave in a nitrogen atmosphere, reducing and nitriding the alumina particles with the carbon particles to obtain aluminum nitride, and sublimating the aluminum nitride. Equipment,
A microwave-permeable heat insulating member that is provided around the crucible and adheres the sublimated aluminum nitride;
It is related with the manufacturing apparatus of the aluminum nitride wire characterized by comprising.
本発明によれば、カーボン粒子とアルミナ粒子とを混合して坩堝内に配置した後、これらカーボン粒子及びアルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下、マイクロ波を照射するようにしている。この場合、アルミナ粒子はカーボン粒子で還元窒化されて窒化アルミニウムに変換されるとともに、この窒化アルミニウムは昇華し、非加熱状態の部材、例えば坩堝の周囲に設けた、マイクロ波透過性の断熱部材に付着するようになる。 According to the present invention, after mixing carbon particles and alumina particles and placing them in a crucible, the carbon particles and alumina particles are irradiated with microwaves in a nitrogen atmosphere. In this case, the alumina particles are reduced and nitrided with carbon particles to be converted into aluminum nitride, and the aluminum nitride sublimates, and the non-heated member, for example, a microwave-permeable heat insulating member provided around the crucible is formed. It comes to adhere.
上記非加熱状態の部材、例えばマイクロ波透過性の断熱部材は低温に保持されているので、特に原因は明確となっていないが、昇華した窒化アルミニウムが付着して急冷されることにより、前記窒化アルミニウムはワイヤー状に析出するようになる。したがって、このような窒化アルミニウムワイヤーを樹脂中に含有させることにより、比較的少ない含有量においても高い熱伝導性及び高強度特性を付与することができるようになる。 The non-heated member, for example, the microwave permeable heat insulating member, is kept at a low temperature, and the cause is not particularly clear. Aluminum is deposited in the form of a wire. Therefore, by including such an aluminum nitride wire in the resin, high thermal conductivity and high strength characteristics can be imparted even with a relatively small content.
なお、本発明における“非加熱状態”とは、所定の加熱手段を用いて積極的に加熱されていない状態を意味し、例えばカーボン粒子及びアルミナ粒子に対してマイクロ波を照射した場合に生じる輻射熱などによる加熱は排除しないものである。但し、このような輻射熱による加熱の効果は少なく、以下に説明するように、昇華した窒化アルミニウムが付着する部材の一例である断熱部材もマイクロ波透過性であるため、当該部材もほとんど加熱されることがない。したがって、昇華した窒化アルミニウムが付着する部材の温度は通常、室温(約25℃)程度から数十度の範囲に保持されているものである。 In the present invention, the “non-heated state” means a state in which the predetermined heating means is not used for positive heating, for example, radiant heat generated when the carbon particles and the alumina particles are irradiated with microwaves. Heating by such means is not excluded. However, the effect of heating by such radiant heat is small, and as described below, the heat insulating member, which is an example of a member to which sublimated aluminum nitride adheres, is also microwave permeable, so that the member is also almost heated. There is nothing. Therefore, the temperature of the member to which the sublimated aluminum nitride adheres is normally maintained in the range of about room temperature (about 25 ° C.) to several tens of degrees.
また、本発明によれば、窒化アルミニウムワイヤーは直径が30nm〜2μmであって、長さが10μm〜2mmのように形成することができる。 In addition, according to the present invention, the aluminum nitride wire can be formed to have a diameter of 30 nm to 2 μm and a length of 10 μm to 2 mm.
本発明においては、上記窒化アルミニウム層を形成するに際し、マイクロ波装置を用い、このマイクロ波装置からマイクロ波を照射することにより実施しているので、上記窒化アルミニウム層の形成時間はマイクロ波の照射時間、すなわち数分から数十分のオーダである。したがって、製造歩留まりが高く、エネルギー消費量も極めて低くすることができる。 In the present invention, when the aluminum nitride layer is formed, a microwave device is used and the microwave device is irradiated with microwaves. Therefore, the formation time of the aluminum nitride layer is the microwave irradiation time. Time, that is, on the order of minutes to tens of minutes. Therefore, the production yield is high and the energy consumption can be extremely reduced.
以上、本発明によれば、熱伝導性フィラー及び高強度フィラーとして好適に用いることが可能な新規な形態のAlNを簡易に提供することができる。 As mentioned above, according to this invention, the novel form AlN which can be used suitably as a heat conductive filler and a high intensity | strength filler can be provided simply.
以下、本発明の詳細、並びにその他の特徴及び利点について、実施の形態に基づいて説明する。 Hereinafter, details of the present invention and other features and advantages will be described based on embodiments.
図1は、本発明の窒化アルミニウムワイヤーの製造装置の一例を示す構成図である。なお、図1は、製造装置の断面を示したものであり、製造装置を構成する各部材、すなわち坩堝やマイクロ波透過性の断熱部材などは、中心線I−Iの周りに同心円状に形成された円柱状部材である。 FIG. 1 is a block diagram showing an example of an apparatus for producing an aluminum nitride wire according to the present invention. FIG. 1 shows a cross section of the manufacturing apparatus, and each member constituting the manufacturing apparatus, that is, a crucible, a microwave-permeable heat insulating member, or the like is formed concentrically around the center line II. It is the made columnar member.
図1に示すように、本実施形態における窒化アルミニウムワイヤーの製造装置10は、坩堝11と、この坩堝11の周囲に設けられたマイクロ波透過性の断熱部材12とを有している。坩堝11は内側坩堝111及び外側坩堝112の2重構造になっており、内側坩堝111内には、原料Sとなるカーボン粒子及びアルミナ粒子が混合して配置されている。また、外側坩堝112内には、原料Sを挟むようにしてマイクロ波吸収体13が配置されている。さらに、断熱部材12の、内側坩堝111の上方に位置する部分は開口し、その内周面12Aが前記開口に対して露出している。
As shown in FIG. 1, an aluminum nitride
なお、図1においては、内側坩堝111の上部と外側坩堝112の上部との高さがほぼ同一となるようにして形成されているが、断熱部材12の内周面12Aが前記開口に露出していれば、それらの高さの相対的関係については特に限定されるものではない。
In FIG. 1, the upper part of the
また、カーボン粒子及びアルミナ粒子は、予め所定の混錬機を用いて十分に混合した後、内側坩堝111内に配置する。
Further, the carbon particles and the alumina particles are sufficiently mixed in advance using a predetermined kneader and then placed in the
カーボン粒子及びアルミナ粒子の大きさは特に限定されるものではなく、必要に応じて任意の大きさとすることができる。例えば、カーボン粒子は、平均粒子径(D50)が0.01μm〜100μmとすることができる。また、アルミナ粒子は、平均粒子径(D50)が1μm〜150μmとすることができる。 The sizes of the carbon particles and the alumina particles are not particularly limited, and can be set as desired as required. For example, the carbon particles can have an average particle diameter (D 50 ) of 0.01 μm to 100 μm. The alumina particles may have an average particle diameter (D 50 ) of 1 μm to 150 μm.
平均粒子径(D50)は、レーザ回折法により求めた、質量基準の累積百分率が50%に相当する粒子径を意味する。 The average particle diameter (D 50 ) means a particle diameter obtained by a laser diffraction method and corresponding to a mass-based cumulative percentage of 50%.
坩堝11は、汎用の坩堝材、例えば石英や黒鉛、窒化ホウ素、窒化アルミニウムなどから構成することができる。但し、石英はマイクロ波透過性であるため、マイクロ波を導入した場合に、マイクロ波を坩堝内に十分に閉じ込めておくことができず、以下に説明するような、カーボン粒子を十分に加熱することができない場合がある。したがって、アルミナ粒子の表層部分でのアルミナ粒子とカーボン粒子との反応(還元反応)を十分に行うことができない場合がある。
The
また、黒鉛は原料となるカーボン粒子と同様にマイクロ波吸収性が高く、部分的に溶解して反応系を汚染させてしまう恐れがあり、また、高強度のマイクロ波を照射することによって溶解破損してしまう場合がある。以上のことから、坩堝11は、上述した欠点のない窒化ホウ素又は窒化アルミニウムから構成することが好ましい。
Graphite has a high microwave absorption like the carbon particles used as a raw material, and may partially dissolve and contaminate the reaction system. Also, it is damaged by irradiation with high-intensity microwaves. May end up. From the above, it is preferable that the
断熱部材12は、坩堝11を外界から熱的に遮断し、坩堝11内にマイクロ波を導入し、坩堝11内に配置した原料を加熱した場合において、その温度を簡易かつ十分に保持するためのものである。但し、断熱部材12がマイクロ波を吸収してしまうと、反応の過程で断熱部材12が部分的あるいは全体的に溶解して破損してしまう恐れがあるので、マイクロ波透過性の材料から構成する。マイクロ波透過性の材料としては、炭化ケイ素やアルミナなどを挙げることができるが、入手が容易であって安価であることからアルミナが好ましい。
The
マイクロ波吸収体13は、マイクロ波照射による原料の加熱を補助するためのものであり、マイクロ波を吸収して加熱されるような材料から構成する。具体的には、本発明の原料と同じカーボンから構成することができる。この場合、マイクロ波吸収体13を構成する材料を別途準備する必要がないため、目的とする窒化アルミニウム系粒子を得る際の操作をより簡易化することができる。
The
また、図1から明らかなように、坩堝11の上方にはマイクロ波照射装置15が配置され、このマイクロ波照射装置15から発せられたマイクロ波が、導管16を伝わって坩堝11、すなわち内側坩堝111内に導入されるようになっている。
As is clear from FIG. 1, a
図1に示す製造装置10は、マイクロ波照射装置15及び導管16を除いた坩堝11及び断熱部材12などは、マイクロ波が製造装置10の外部に漏洩しないように、図示しない所定のアプリケータに収納するが、その内部雰囲気は窒素雰囲気とする。
In the
次に、図1に示す製造装置を用いた場合の、窒化アルミニウム系粒子の製造方法について説明する。 Next, a method for producing aluminum nitride-based particles when the production apparatus shown in FIG. 1 is used will be described.
最初に、上述したように、所定の混錬機でカーボン粒子及びアルミナ粒子を所定の混合比となるように混合した後、製造装置10の内側坩堝111内に原料Sとして配置する。カーボン粒子及びアルミナ粒子の混合比は、目的とする反応を経ることによって目的とする窒化アルミニウム系粒子を得ることができれば特に限定されるものではないが、好ましくはカーボン粒子とアルミナ粒子との混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子)が、窒化アルミニウムを生成する際に要求されるカーボン粒子とアルミナ粒子との化学量論的な混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子)以上となるようにする。これによって、目的とする窒化アルミニウム系粒子を得る際の製造条件が緩和される。具体的には、照射すべきマイクロ波の強度を低下させることができ、照射時間を短縮することができる。
First, as described above, the carbon particles and the alumina particles are mixed in a predetermined kneading machine so as to have a predetermined mixing ratio, and then placed as the raw material S in the
なお、この原因については現在明確ではないが、反応過程で生成あるいは雰囲気中に存在する酸素などがカーボン粒子に吸着してしまい、実際の反応に寄与するカーボン粒子の割合が実質的に減少してしまうためと考えている。したがって、カーボン粒子の割合を化学量論的な割合よりも大きくすることによって、実際の反応に寄与するカーボン粒子の実質的な割合が化学量論的な割合により近くなり、その結果、上述のように製造条件の自由度が向上するものと考えられる。但し、これらの事項は、あくまで本発明者らの考察に基づくものであって、本発明の範囲や進歩性に対して何ら影響を与えるものではない。 Although the cause of this is not clear at present, oxygen or the like produced in the reaction process or in the atmosphere is adsorbed to the carbon particles, and the ratio of the carbon particles contributing to the actual reaction is substantially reduced. I think that it will end. Therefore, by making the proportion of carbon particles larger than the stoichiometric proportion, the substantial proportion of carbon particles contributing to the actual reaction becomes closer to the stoichiometric proportion, and as a result, as described above. In addition, the degree of freedom in manufacturing conditions is considered to be improved. However, these matters are based solely on the considerations of the present inventors and do not affect the scope or inventive step of the present invention.
一例として、カーボン粒子とアルミナ粒子との混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子)を、窒化アルミニウムを生成する際に要求されるカーボン粒子とアルミナ粒子との化学量論的な混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子)の4/3倍、あるいはそれ以上とすることができる。 As an example, the mixing ratio of carbon particles to alumina particles (carbon particles / alumina particles) is used as the stoichiometric mixing ratio of carbon particles to alumina particles (carbon particles / alumina particles) required for producing aluminum nitride. 4/3 times the particle) or more.
次いで、マイクロ波照射装置15から、例えば周波数2.45GHzのマイクロ波を、導管16を伝搬させて内側坩堝111内に配置した原料Sに対して照射する。このとき、原料Sは上記マイクロ波を吸収することによって加熱される。一方、一部漏洩したマイクロ波がマイクロ波吸収体13にも吸収されるようになり、これによってマイクロ波吸収体13も加熱されるようになる。したがって、原料Sは、マイクロ波吸収体13によっても間接的及び補助的に加熱されるようになる。また、原料Sは断熱部材12によって外界と熱的に遮断されている。
Next, the
結果として、原料S、すなわち反応系は、所定の温度で所定の時間保持することができ、原料Sにおけるアルミナ粒子がカーボン粒子で還元窒化されるとともに、得られた窒化アルミニウムは昇華して断熱部材12の内周面12Aに付着するようになる。その結果、特に原因は明確でないが、昇華した窒化アルミニウムが急冷されることによって、昇華した窒化アルミニウムは内周面12A上でワイヤー状に析出するようになり、目的とする窒化アルミニウムワイヤーを製造できるようになる。
As a result, the raw material S, that is, the reaction system can be held at a predetermined temperature for a predetermined time, and the alumina particles in the raw material S are reduced and nitrided with carbon particles, and the obtained aluminum nitride is sublimated to heat insulation member. 12 is attached to the inner
窒化アルミニウムワイヤーは、直径が30nm〜2μmであって、長さが10μm〜2mmとすることができる。また、その形状は六角柱状又は四角柱状とすることができる。さらに、複数の窒化アルミニウムワイヤーが絡み合ってネットワーク状に形成することができる。 The aluminum nitride wire has a diameter of 30 nm to 2 μm and a length of 10 μm to 2 mm. Moreover, the shape can be made into a hexagonal column shape or a square column shape. Furthermore, a plurality of aluminum nitride wires can be entangled to form a network.
なお、直径及び長さは、マイクロ波の照射強度などを制御することによって調節することができるが、その形状の制御方法は未だ明らかになっていない。 The diameter and length can be adjusted by controlling the irradiation intensity of the microwave, but the shape control method has not yet been clarified.
原料S、すなわちカーボン粒子及びアルミナ粒子からの窒化アルミニウムの生成は、以下に示すような炭素還元窒化の反応式に基づく。
Al2O3(s)+3C(s)+N2→2AlN(s)+3CO(g)
The formation of aluminum nitride from the raw material S, that is, carbon particles and alumina particles is based on the reaction formula of carbon reductive nitriding as shown below.
Al 2 O 3 (s) + 3C (s) + N 2 → 2AlN (s) + 3CO (g)
また、断熱部材12の内周面12Aにおける窒化アルミニウムワイヤーの析出は、以下の反応式に基づく。
AlN(s)→AlN(g)→AlN(s)
Further, the precipitation of the aluminum nitride wire on the inner
AlN (s) → AlN (g) → AlN (s)
なお、マイクロ波の照射時間は、数分から数十分である。また、マイクロ波の強度は、例えば図1に示すように、内側坩堝111の内径を8mm、高さを53mm、外側坩堝112の内径を20mm、高さを35mmとしたような場合、すなわち製造装置10の大きさが数ミリメートルから数十ミリメートルのオーダである場合、数百Wのオーダとすることができる。
Note that the microwave irradiation time is several minutes to several tens of minutes. Further, for example, as shown in FIG. 1, the intensity of the microwave is such that the
また、上述のように、カーボン粒子とアルミナ粒子との混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子)を、窒化アルミニウムを生成する際に要求されるカーボン粒子とアルミナ粒子との化学量論的な混合比(カーボン粒子/アルミナ粒子=3/1:上記反応式参照)あるいはそれ以上とすることによって、目的とする窒化アルミニウムワイヤーを得る際の製造条件が緩和され、照射すべきマイクロ波の強度を低下させることができ、照射時間を短縮することができる。 Further, as described above, the mixing ratio of carbon particles to alumina particles (carbon particles / alumina particles) is set to the stoichiometric mixing ratio of carbon particles to alumina particles required for producing aluminum nitride ( By making the carbon particles / alumina particles = 3/1: see the above reaction formula) or more, the production conditions for obtaining the target aluminum nitride wire are relaxed, and the intensity of the microwave to be irradiated is reduced. The irradiation time can be shortened.
さらに、カーボン粒子は、活性炭粒子とすることができる。この場合においても、目的とする窒化アルミニウムワイヤーを得る際の製造条件を緩和することができる。具体的には、照射すべきマイクロ波の強度を低下させることができ、照射時間を短縮することができる。この理由についても特に明確ではないが、活性炭粒子が何らかの触媒作用を奏していることに起因すると推定される。但し、この事項は、あくまで本発明者らの考察に基づくものであって、本発明の範囲や進歩性に対して何ら影響を与えるものではない。 Furthermore, the carbon particles can be activated carbon particles. Even in this case, the manufacturing conditions for obtaining the target aluminum nitride wire can be relaxed. Specifically, the intensity of the microwave to be irradiated can be reduced, and the irradiation time can be shortened. Although the reason for this is not particularly clear, it is presumed that the activated carbon particles have some catalytic action. However, this matter is based solely on the considerations of the present inventors and does not affect the scope or inventive step of the present invention.
図2は、本発明の窒化アルミニウムワイヤーの製造装置の他の例を示す構成図である。図2に示すように、本実施形態における窒化アルミニウムワイヤーの製造装置20は、断熱部材12の開口に露出した内周面12Aの上部に、例えばアルミナなどのマイクロ波透過性の材料からなる蓋体18が設けられ、前記開口が外部から遮蔽されている点で、図1に示す製造装置10と異なるが、その他の構成要素については図1に示す製造装置10と同一である。
FIG. 2 is a block diagram showing another example of the aluminum nitride wire manufacturing apparatus of the present invention. As shown in FIG. 2, the aluminum nitride
したがって、窒化アルミニウムワイヤーを製造する際の工程も、上記製造装置10を用いた場合と同様であるが、上述のように、製造装置20においては、内周面12Aの上部に蓋体18を設けているので、昇華した窒化アルミニウムの、開口に露出した内周面12Aに付着しきれなかった分を、外部に対して漏洩することなく、蓋体18に付着させることができ、窒化アルミニウムワイヤーとして析出させることができる。この結果、昇華した窒化アルミニウムの回収効率を増大させることができ、窒化アルミニウムワイヤーの製造歩留まりを向上させることができる。
Therefore, the process for manufacturing the aluminum nitride wire is the same as that when the
なお、蓋体18はマイクロ波透過性の材料からなるので、断熱部材12と同様の作用効果を奏する。かかる意味で、蓋体18は断熱部材12の一部として考えることもできる。
Since the
その他の特徴については、図1に示す製造装置10を用いた場合と同様であるので、説明を省略する。
Other features are the same as those in the case of using the
(実施例1)
活性炭(ノーリットSX-II)とマイクロンアルミナ(AX116、平均粒径:20.6μm)とを4:1のモル比で秤量及び混合した原料Sを0.6gとし、マイクロ波吸収体13として活性炭ノーリットSX-IIの1.0gを準備した。次いで、図1に示す製造装置10を用い、上述した製造方法にしたがって断熱部材12の内周面12A上に窒化アルミニウムワイヤーを得た。マイクロ波照射装置から照射されるマイクロ波の強度は450Wとし、照射時間を20分とした。
Example 1
Activated carbon (Norrit SX-II) and Micron Alumina (AX116, average particle size: 20.6 μm) were weighed and mixed in a molar ratio of 4: 1 to make 0.6 g of raw material S, and activated carbon Norit as
図3は、得られた窒化アルミニウムワイヤーのXRD測定結果である。図3の上側のX線回折パターンは、本実施例で得られた窒化アルミニウムワイヤーのX線回折パターンに相当するものであり、図3の下側のX線回折パターンは、比較ために準備したAlN粉末のX線回折パターンである。両者のパターンを比較すると、ほぼ同様の回折パターンを有していることが分かる。したがって、本実施例で得た窒化アルミニウムワイヤーは、文言どおり窒化アルミニウムから構成されていることが分かる。 FIG. 3 is an XRD measurement result of the obtained aluminum nitride wire. The upper X-ray diffraction pattern of FIG. 3 corresponds to the X-ray diffraction pattern of the aluminum nitride wire obtained in this example, and the lower X-ray diffraction pattern of FIG. 3 was prepared for comparison. It is an X-ray diffraction pattern of AlN powder. When both patterns are compared, it can be seen that they have almost the same diffraction pattern. Therefore, it turns out that the aluminum nitride wire obtained in the present Example is composed of aluminum nitride as the wording indicates.
図4は、断熱部材12の内周面12A上に形成された窒化アルミニウムワイヤーのSEM写真である。図4(a)から明らかなように、本実施例で得た窒化アルミニウムワイヤーは、複数の窒化アルミニウムワイヤーが複雑に絡み合って、ネットワーク状となっていることが分かる。また、その一部を拡大してみると、例えば図4(b)に示すように、窒化アルミニウムワイヤーは四角柱状に形成されており、別の部分では、例えば図4(c)に示すように、窒化アルミニウムワイヤーは六角柱状に形成されていることが分かる。
FIG. 4 is an SEM photograph of an aluminum nitride wire formed on the inner
また、各ワイヤーの直径は約2μm程度であり、長さは例えば10μmから数ミリ、例えば約2mmにまで達していることが判明した。 Further, it has been found that the diameter of each wire is about 2 μm, and the length reaches, for example, 10 μm to several millimeters, for example, about 2 mm.
(実施例2)
マイクロ波の強度を375W及び300Wとし、マイクロ波吸収体13として活性炭(ノーリットSX-II)の量を1.5g及び2.0gとした以外は、実施例1と同様にして窒化アルミニウムワイヤーを製造した。特に図示しないものの、本実施例においても窒化アルミニウムワイヤーは、窒化アルミニウムから構成され、マイクロ波の強度によらず、各ワイヤーの直径は約30nm〜2μm、長さは例えば10μm〜約2mmにまで達していることが判明した。
(Example 2)
An aluminum nitride wire is manufactured in the same manner as in Example 1 except that the microwave intensity is 375 W and 300 W, and the amount of activated carbon (Norit SX-II) is 1.5 g and 2.0 g as the
(実施例3)
原料Sとマイクロ波吸収体13に用いるカーボンとして活性炭(ノーリットSX-II)に代えて、純カーボン(トーカブラック#18500/F)を用いた以外は、実施例1と同様にして窒化アルミニウムワイヤーを製造した。但し、マイクロ波吸収体13に用いる純カーボン量を2.0gとした。特に図示しないものの、本実施例においても窒化アルミニウムワイヤーは、窒化アルミニウムから構成され、マイクロ波の強度によらず、各ワイヤーの直径は約30nm〜2μm、長さは例えば10μm〜2mmにまで達していることが判明した。
(Example 3)
An aluminum nitride wire was used in the same manner as in Example 1 except that pure carbon (Toker Black # 18500 / F) was used instead of activated carbon (Nolit SX-II) as the carbon used for the raw material S and the
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。 While the present invention has been described in detail based on the above specific examples, the present invention is not limited to the above specific examples, and various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention.
10、20 窒化アルミニウムワイヤーの製造装置
11 坩堝
111 内側坩堝
112 外側坩堝
13 マイクロ波吸収体
14 石英ウール
15 マイクロ波照射装置
16 導管
18 蓋体
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、前記アルミナ粒子を前記カーボン粒子で還元窒化して窒化アルミニウムを得るとともに、この窒化アルミニウムを昇華させ、非加熱状態の部材に付着させる工程とを具え、
直径が30nm〜2μmであって、長さが10μm〜2mmである窒化アルミニウムワイヤーを製造することを特徴とする、窒化アルミニウムワイヤーの製造方法。 The carbon particles and the alumina particles are mixed so that the mixing ratio thereof (carbon particles / alumina particles) is higher than the stoichiometric mixing ratio of the carbon particles and the alumina particles required for producing aluminum nitride. Mixing and placing in a crucible;
The carbon particles and the alumina particles are irradiated with microwaves in a nitrogen atmosphere, and the alumina particles are reduced and nitrided with the carbon particles to obtain aluminum nitride. The aluminum nitride is sublimated, and is heated. A process of adhering to a member,
A method for producing an aluminum nitride wire, comprising producing an aluminum nitride wire having a diameter of 30 nm to 2 μm and a length of 10 μm to 2 mm.
前記カーボン粒子及び前記アルミナ粒子に対して、窒素雰囲気下においてマイクロ波を照射し、前記アルミナ粒子を前記カーボン粒子で還元窒化して窒化アルミニウムを得るとともに、この窒化アルミニウムを昇華させるためのマイクロ波照射装置と、
前記坩堝の周囲に設けられるとともに、昇華した前記窒化アルミニウムを付着させるマイクロ波透過性の断熱部材と、
を具えることを特徴とする、窒化アルミニウムワイヤーの製造装置。 A crucible in which carbon particles and alumina particles are mixed and arranged;
Microwave irradiation for irradiating the carbon particles and the alumina particles with a microwave in a nitrogen atmosphere, reducing and nitriding the alumina particles with the carbon particles to obtain aluminum nitride, and sublimating the aluminum nitride. Equipment,
A microwave-permeable heat insulating member that is provided around the crucible and adheres the sublimated aluminum nitride;
An apparatus for producing an aluminum nitride wire, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186683A JP5569844B2 (en) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | Aluminum nitride wire manufacturing method and aluminum nitride wire manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010186683A JP5569844B2 (en) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | Aluminum nitride wire manufacturing method and aluminum nitride wire manufacturing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012041254A JP2012041254A (en) | 2012-03-01 |
JP5569844B2 true JP5569844B2 (en) | 2014-08-13 |
Family
ID=45897985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010186683A Active JP5569844B2 (en) | 2010-08-23 | 2010-08-23 | Aluminum nitride wire manufacturing method and aluminum nitride wire manufacturing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5569844B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6725107B2 (en) * | 2016-03-30 | 2020-07-15 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | Spherical aluminum nitride particle manufacturing equipment |
JP6627125B2 (en) * | 2016-03-30 | 2020-01-08 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | Method for producing spherical aluminum nitride particles and apparatus for producing spherical aluminum nitride particles |
JP6639308B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-02-05 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | Spherical AlN particles, spherical AlN filler, and method for producing spherical AlN particles |
JP6639307B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-02-05 | 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 | Spherical AlN particles and method for producing the same |
CN110402234B (en) * | 2017-03-22 | 2022-10-14 | 日本碍子株式会社 | Aluminum nitride particles |
CN112142020B (en) * | 2020-09-08 | 2021-12-24 | 北京科技大学 | Method for preparing aluminum nitride fiber by carbothermic reduction |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62283900A (en) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Tokai Carbon Co Ltd | Production of aln whisker |
JPS63110176A (en) * | 1986-10-23 | 1988-05-14 | 株式会社 サンクル | Vessel absorbing microwave and generating heat |
JPH01308898A (en) * | 1988-06-06 | 1989-12-13 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Production of aluminum nitride whisker |
JPH0283202A (en) * | 1988-09-20 | 1990-03-23 | Asahi Glass Co Ltd | Production of alumina base by forming aln layer on the surface thereof |
JPH03215399A (en) * | 1990-01-18 | 1991-09-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Method for preparing fibrous aluminum nitride |
JP3444387B2 (en) * | 1995-12-06 | 2003-09-08 | 日立粉末冶金株式会社 | Manufacturing method of aluminum nitride |
JPH1160397A (en) * | 1997-08-21 | 1999-03-02 | Toyota Motor Corp | Production of aluminum/nitride whisker |
JP2000272973A (en) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Nippon Steel Corp | Microwave heating furnace and baking of refractory containing organic binder |
JP4578009B2 (en) * | 2001-03-16 | 2010-11-10 | 東洋アルミニウム株式会社 | Method for producing nitrogen-containing inorganic compound |
JP3942441B2 (en) * | 2002-01-22 | 2007-07-11 | 雅介 高田 | Method for producing aluminum nitride |
AU2003242364A1 (en) * | 2002-05-22 | 2003-12-02 | Japan Energy Corporation | Particulate aluminum nitride and method for production thereof |
JP4431745B2 (en) * | 2004-06-10 | 2010-03-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Method for producing aluminum nitride nanoribbon |
JP2005349515A (en) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | National Institute For Materials Science | Aluminum nitride nano tube whose outer wall and inner wall are covered with carbon film and manufacturing method thereof |
JP5343297B2 (en) * | 2005-06-23 | 2013-11-13 | 株式会社豊田中央研究所 | Catalytic reactor, catalyst heating method, and fuel reforming method |
JP4934316B2 (en) * | 2005-11-30 | 2012-05-16 | 株式会社ブリヂストン | Method for producing fibrous carbon material |
JP5315970B2 (en) * | 2008-12-15 | 2013-10-16 | 三菱化学株式会社 | Aluminum nitride having high aspect ratio, method for producing the same, and resin composition using the same |
-
2010
- 2010-08-23 JP JP2010186683A patent/JP5569844B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012041254A (en) | 2012-03-01 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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