JP5560460B2 - 誘電体薄膜の形成方法 - Google Patents
誘電体薄膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5560460B2 JP5560460B2 JP2009292322A JP2009292322A JP5560460B2 JP 5560460 B2 JP5560460 B2 JP 5560460B2 JP 2009292322 A JP2009292322 A JP 2009292322A JP 2009292322 A JP2009292322 A JP 2009292322A JP 5560460 B2 JP5560460 B2 JP 5560460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- firing
- dielectric thin
- capacitor
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
先ず、有機バリウム化合物として2−エチル酪酸バリウムを、有機ストロンチウム化合物として2−エチル酪酸ストロンチウムを、有機チタン化合物としてチタニウムテトライソプロポキシドを、有機溶媒として十分に脱水処理した酢酸イソアミルを、溶液安定化のための安定化剤としてアセチルアセトンをそれぞれ用意した。
第二次焼成における昇温速度を0.5℃/分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成における到達温度を500℃とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成における到達温度を450℃とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成にホットプレートを用い、昇温速度を2000℃/分、到達温度を450℃及び保持時間を5分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成にホットプレートを用い、昇温速度を2000℃/分、到達温度を425℃及び保持時間を5分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成にホットプレートを用い、昇温速度を2000℃/分、到達温度を400℃及び保持時間を5分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成にホットプレートを用い、昇温速度を2000℃/分、到達温度を375℃及び保持時間を5分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第二次焼成における昇温速度を0.5℃/分及び到達温度を900℃とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成における昇温速度を6000℃/分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成を施さない以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成における到達温度を700℃及び保持時間を5分とし、第二次焼成を施さない以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成における昇温速度を50℃/分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第一次焼成における昇温速度を6600℃/分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第二次焼成における昇温速度を0.3℃/分及び到達温度を900℃とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
第二次焼成における昇温速度を35℃/分とした以外は、実施例1と同様にしてBST誘電体薄膜を形成し、薄膜キャパシタを得た。
実施例1〜10及び比較例1〜6で得られた薄膜キャパシタについて、容量密度、チューナビリティー、誘電率及び誘電体薄膜の膜厚を評価した。これらの結果を次の表2に示す。また、実施例1及び比較例1,2の薄膜キャパシタのチューナビリティ特性図を図2,図4及び図6に、実施例1及び比較例1,2の誘電体薄膜の表面及び断面SEM像を図3,図5及び図7にそれぞれ示す。
(3) 誘電率:厚さdで面積をSとする薄膜キャパシタのPt上部電極とPt下部電極間に、10MHzにてバイアス電圧0V印加のときの静電容量C0Vから、次の式(2)より誘電率εを算出した。真空の誘電率は8.854×10-12(F/m)を用いた。なお、静電容量C0Vは、インピーダンスマテリアルアナライザ(ヒューレット・パッカード社製:HP4291A)を用いて測定した。
(4) 膜厚:断面SEM観察より膜厚を求めた。
Claims (5)
- 誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板上の下部電極上に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所定の厚さの前記組成物の未焼成膜を得た後、前記下部電極上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成し、続いて前記誘電体薄膜上に上部電極を形成する方法において、
前記形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、
前記上部電極を形成する前の前記下部電極上に形成した未焼成膜の焼成が、60〜6000℃/分の昇温速度で急速昇温し375〜550℃の温度で1〜60分間加熱する第一次焼成と、0.5〜30℃/分の昇温速度で低速昇温し600〜900℃の温度で10〜1500分間加熱する第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。 - 前記第一次焼成が300〜6000℃/分の急速昇温加熱により行われ、前記第二次焼成が0.5〜5℃/分の低速昇温加熱により行われる請求項1記載の誘電体薄膜の形成方法。
- 前記ペロブスカイト型酸化物がBa1-xSrxTiyO3(但し、0≦x≦1、0.9≦y≦1.1)の組成を有する請求項1記載の誘電体薄膜の形成方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の方法により形成された誘電体薄膜を有する薄膜コンデンサ、キャパシタ、IPD(Integrated Passive Device)、DRAMメモリ用コンデンサ、積層コンデンサ、トランジスタのゲート絶縁体、不揮発性メモリ、焦電型赤外線検出素子、圧電素子、電気光学素子、アクチュエータ、共振子、超音波モータ、又はLCノイズフィルタ素子の複合電子部品の製造方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の方法により形成された、100MHz以上の周波数帯域に対応した、誘電体薄膜を有する薄膜コンデンサ、キャパシタ、IPD(Integrated Passive Device)、DRAMメモリ用コンデンサ、積層コンデンサ、トランジスタのゲート絶縁体、不揮発性メモリ、焦電型赤外線検出素子、圧電素子、電気光学素子、アクチュエータ、共振子、超音波モータ、又はLCノイズフィルタ素子の複合電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009292322A JP5560460B2 (ja) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 誘電体薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009292322A JP5560460B2 (ja) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 誘電体薄膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011134553A JP2011134553A (ja) | 2011-07-07 |
JP5560460B2 true JP5560460B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=44347073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009292322A Active JP5560460B2 (ja) | 2009-12-24 | 2009-12-24 | 誘電体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5560460B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103130502B (zh) * | 2011-11-23 | 2016-04-06 | 三菱综合材料株式会社 | 铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器 |
JP6314480B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2018-04-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2016032015A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 株式会社村田製作所 | 薄膜容量素子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3446461B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-09-16 | 三菱マテリアル株式会社 | Ba1−xSrxTiyO3薄膜形成用組成物、Ba1−xSrxTiyO3薄膜の形成方法及び薄膜コンデンサの製造方法 |
JP3152135B2 (ja) * | 1995-12-01 | 2001-04-03 | 三菱マテリアル株式会社 | Ba1−xSrxTiyO3薄膜形成用組成物及びBa1−xSrxTiyO3薄膜の形成方法 |
JP2000031411A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
JP2000332209A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | Bi系強誘電体素子の製造方法 |
JP4061806B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2008-03-19 | 三菱マテリアル株式会社 | ペロブスカイト型又はBi層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型又はBi層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型又はBi層状ペロブスカイト型酸化物薄膜 |
JP2001332549A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Sharp Corp | 結晶性酸化物膜の形成方法および半導体装置 |
JP4329237B2 (ja) * | 2000-07-04 | 2009-09-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 強誘電体薄膜形成用溶液の製造方法及び強誘電体薄膜形成用溶液 |
JP2004022554A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-01-22 | Sony Corp | 強誘電体メモリ装置およびその設計方法 |
JP5514437B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2014-06-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 誘電体薄膜の製造方法。 |
-
2009
- 2009-12-24 JP JP2009292322A patent/JP5560460B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011134553A (ja) | 2011-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5724708B2 (ja) | 誘電体薄膜形成用組成物、誘電体薄膜の形成方法及び該方法により形成された誘電体薄膜 | |
JP2013136502A (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物及びその薄膜の形成方法並びにその方法で形成された薄膜 | |
JP5910431B2 (ja) | 誘電体薄膜形成用組成物及び誘電体薄膜の形成方法 | |
TWI601707B (zh) | LaNiO薄膜形成用組成物及使用此組成物之LaNiO薄膜的形成方法 | |
JP5929654B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物及びその薄膜の形成方法 | |
JP2014144881A (ja) | 誘電体薄膜形成用組成物及びこの組成物を用いた誘電体薄膜の形成方法 | |
JP5560460B2 (ja) | 誘電体薄膜の形成方法 | |
JP6036460B2 (ja) | PNbZT強誘電体薄膜の形成方法 | |
JP5655272B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP5655274B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP6102358B2 (ja) | 誘電体薄膜形成用組成物 | |
JP5591485B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP5526591B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP5659457B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP2011236113A (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP2010206151A (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP5417962B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP5293347B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 | |
JP5526593B2 (ja) | 強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5560460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |