JP5557368B2 - 半導体検査装置及び半導体検査方法 - Google Patents
半導体検査装置及び半導体検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5557368B2 JP5557368B2 JP2009106852A JP2009106852A JP5557368B2 JP 5557368 B2 JP5557368 B2 JP 5557368B2 JP 2009106852 A JP2009106852 A JP 2009106852A JP 2009106852 A JP2009106852 A JP 2009106852A JP 5557368 B2 JP5557368 B2 JP 5557368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- luminescence
- semiconductor substrate
- image
- semiconductor
- image data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6489—Photoluminescence of semiconductors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本発明の第2の実施形態に係る半導体検査装置は、図9に示すように、投射装置20と反射画像処理装置44を更に備えることが、図1に示した半導体検査装置と異なる。その他の構成については、図1に示した第1の実施形態と同様である。
上記のように、本発明は第1及び第2の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
Er…励起エネルギー
C1〜C6…クラック位置
L1〜L8…非EL領域
S1〜S6…正常pn接合領域
10…供給装置
20…投射装置
30…画像取得装置
40…画像データ処理装置
41…ルミネセンス画像処理装置
42…検出装置
43…定量化装置
44…反射画像処理装置
50…表示装置
100…半導体基板
200…基板設置装置
400…記録装置
Claims (16)
- pn接合を有する半導体基板にルミネセンスを生じさせる励起エネルギーを前記半導体基板に供給する供給装置と、
第1の励起エネルギー及び前記第1の励起エネルギーと大きさの異なる第2の励起エネルギーが供給された前記半導体基板の第1及び第2のルミネセンス画像をそれぞれ取得する画像取得装置と、
前記第1のルミネセンス画像と前記第2のルミネセンス画像とのルミネセンス強度の差分を前記半導体基板の各位置について算出して、強度差分画像データを作成するルミネセンス画像処理装置と、
前記強度差分画像データの前記第1のルミネセンス画像のルミネセンス強度と前記第2のルミネセンス画像のルミネセンス強度との前記差分の大きさを用いた判定値に基づき、前記半導体基板のクラックが発生したクラック位置を検出する検出装置と
を備えることを特徴とする半導体検査装置。 - 前記半導体基板の半導体領域と前記半導体領域以外のルミネセンスが生じない領域とにおける吸収又は反射される比率が異なる投射エネルギーを、前記半導体基板に投射する投射装置と、
前記半導体基板に前記投射エネルギーを投射して前記画像取得装置によって取得される前記半導体基板の反射画像を二値化して、二値化反射画像データを作成する反射画像処理装置と
を更に備え、前記検出装置が前記強度差分画像データと前記二値化反射画像データとを乗算して前記半導体基板の各位置について前記判定値を算出し、前記判定値に基づいて前記クラック位置を検出することを特徴とする請求項1に記載の半導体検査装置。 - 前記投射装置が、前記投射エネルギーとして光を前記半導体基板に投射することを特徴とする請求項2に記載の半導体検査装置。
- 前記検出装置が、前記判定値を2値化して前記クラック位置を検出することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体検査装置。
- 前記クラック位置に含まれるピクセル数でクラック量を定量化する定量化装置を更に備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体検査装置。
- 前記供給装置が、電流印加又は電圧印加によって前記励起エネルギーを前記半導体基板に供給することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体検査装置。
- 前記強度差分画像データ及び前記二値化反射画像データが輝度分布画像データであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体検査装置。
- 前記半導体基板が、太陽電池基板であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体検査装置。
- pn接合を有する半導体基板に第1の励起エネルギーを供給して、前記半導体基板の第1のルミネセンス画像を取得するステップと、
前記半導体基板に前記第1の励起エネルギーと大きさの異なる第2の励起エネルギーを供給して、前記半導体基板の第2のルミネセンス画像を取得するステップと、
前記第1のルミネセンス画像と前記第2のルミネセンス画像とのルミネセンス強度の差分を前記半導体基板の各位置について算出して、強度差分画像データを作成するステップと、
前記強度差分画像データの前記第1のルミネセンス画像のルミネセンス強度と前記第2のルミネセンス画像のルミネセンス強度との前記差分の大きさを用いた判定値に基づき、前記半導体基板のクラックが発生したクラック位置を検出するステップと
を含むことを特徴とする半導体検査方法。 - 前記半導体基板の半導体領域と前記半導体領域以外のルミネセンスが生じない領域とにおける吸収又は反射される比率が異なる投射エネルギーを前記半導体基板に投射して、前記半導体基板の反射画像を取得するステップと、
前記半導体基板に前記投射エネルギーを投射して前記画像取得装置によって取得される前記半導体基板の反射画像を二値化して、二値化反射画像データを作成するステップと、
前記強度差分画像データと前記二値化反射画像データとを乗算して前記半導体基板の各位置について前記判定値を算出するステップと
を更に含み、前記判定値に基づいて前記クラック位置を検出することを特徴とする請求項9に記載の半導体検査方法。 - 前記半導体基板に光を投射して、前記反射画像を取得することを特徴とする請求項10に記載の半導体検査方法。
- 前記判定値を二値化して前記クラック位置を検出することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の半導体検査方法。
- 前記クラック位置に含まれるピクセル数でクラック量を定量化するステップを更に含むことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の半導体検査方法。
- 電流印加又は電圧印加によって前記励起エネルギーを前記半導体基板に供給することを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載の半導体検査方法。
- 前記強度差分画像データ及び前記二値化反射画像データが輝度分布画像データであることを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載の半導体検査方法。
- 前記半導体基板が、太陽電池基板であることを特徴とする請求項9乃至15のいずれか1項に記載の半導体検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009106852A JP5557368B2 (ja) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
US12/712,760 US8330948B2 (en) | 2009-04-24 | 2010-02-25 | Semiconductor test instrument and the method to test semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009106852A JP5557368B2 (ja) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010258229A JP2010258229A (ja) | 2010-11-11 |
JP5557368B2 true JP5557368B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=42991858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009106852A Expired - Fee Related JP5557368B2 (ja) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | 半導体検査装置及び半導体検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8330948B2 (ja) |
JP (1) | JP5557368B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012124149A (ja) | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Yazaki Corp | 電子部品の接続構造 |
JP5528999B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2014-06-25 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置 |
JP5528998B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2014-06-25 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置 |
US8768040B2 (en) * | 2011-01-14 | 2014-07-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Substrate identification and tracking through surface reflectance |
DE102013100593B4 (de) * | 2013-01-21 | 2014-12-31 | Wavelabs Solar Metrology Systems Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Vermessen von Solarzellen |
US9721853B2 (en) * | 2013-03-13 | 2017-08-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for forming a semiconductor device |
JP2014228517A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 | 太陽電池モジュールの評価方法及びその利用 |
EP3208937B1 (en) * | 2016-02-16 | 2018-04-04 | Airbus Defence and Space GmbH | Technique for detecting a defect in a multi-junction solar cell |
KR102650554B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2024-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 검사 장치 및 그 검사 방법 |
US10726543B2 (en) * | 2018-11-27 | 2020-07-28 | General Electric Company | Fluorescent penetrant inspection system and method |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6157838A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-24 | Toshiba Corp | 外観検査方法 |
FR2686697B1 (fr) * | 1992-01-27 | 1994-04-29 | Aerospatiale | Dispositif de detection de defauts dans des pieces bicouches, notamment dans des cellules solaires. |
US6433867B1 (en) * | 2000-01-11 | 2002-08-13 | The Aerospace Corporation | Contrast imaging method for inspecting specular surface devices |
US20050252545A1 (en) * | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Spire Corporation | Infrared detection of solar cell defects under forward bias |
EP1840541A4 (en) * | 2004-11-30 | 2010-04-07 | Nat Univ Corp Nara Inst | METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATION OF A SOLAR CELL AND USE THEREOF |
DE112007001071B4 (de) * | 2006-05-02 | 2014-05-08 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | Verfahren und Vorrichtung zur Bewertung von Solarzellen und deren Verwendung |
JP4915991B2 (ja) | 2006-07-20 | 2012-04-11 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 太陽電池の欠陥検査装置及びその方法 |
JP5024865B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2012-09-12 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 半導体基板の評価方法 |
JP5077872B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2012-11-21 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 太陽電池のフォトルミネセンスによる欠陥検査装置及び方法 |
-
2009
- 2009-04-24 JP JP2009106852A patent/JP5557368B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-25 US US12/712,760 patent/US8330948B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8330948B2 (en) | 2012-12-11 |
JP2010258229A (ja) | 2010-11-11 |
US20100271633A1 (en) | 2010-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5557368B2 (ja) | 半導体検査装置及び半導体検査方法 | |
TWI391645B (zh) | 晶圓或其他工作表面下污染物及缺陷非接觸測量之差分波長光致發光 | |
US9638741B2 (en) | Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging | |
JP5641463B2 (ja) | 欠陥検査装置及びその方法 | |
US7006212B2 (en) | Electrical circuit conductor inspection | |
JP6411856B2 (ja) | 漏油検出装置と方法 | |
JP2006323032A (ja) | フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法 | |
JP4466560B2 (ja) | 配線パターンの検査装置、検査方法、検出装置および検出方法 | |
JP5830229B2 (ja) | ウエハ欠陥検査装置 | |
JP2010054377A (ja) | 赤外線検査装置 | |
JP2020167433A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
KR20160087197A (ko) | 결함 검출 장치 및 그 방법 | |
KR101593643B1 (ko) | 포토루미네선스 영상을 이용한 led 에피-웨이퍼 검사장치 | |
JP2009097928A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP6104112B2 (ja) | 太陽電池検査装置、及び太陽電池検査方法 | |
JP2008045883A (ja) | 検査方法および検査装置 | |
JP2008021441A (ja) | 検査装置と検査方法 | |
JP5318384B2 (ja) | 電線表面の画像検査装置 | |
JP2016001139A (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
JP4613662B2 (ja) | エッジ欠陥検出方法、エッジ欠陥検出装置、エッジ欠陥検出プログラム、記録媒体 | |
JP2009075044A (ja) | 有機elパネル基板の導電性ポリマー層の膜厚不良検査装置及びそれを用いた膜厚不良検査方法 | |
JP2003240732A (ja) | 金めっき欠陥検査装置 | |
TWM606486U (zh) | 檢測設備及其收光裝置 | |
JP6720429B1 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
US20100183224A1 (en) | Method and system for evaluating current spreading of light emitting device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120404 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131029 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5557368 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |