KR20160087197A - 결함 검출 장치 및 그 방법 - Google Patents

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KR20160087197A
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강민수
이성헌
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한화테크윈 주식회사
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Abstract

결함 검출 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치는, 기판에 광을 조사하는 조명부; 기판의 에지 영역을 촬영하여 기판의 에지 영역에 대한 이미지를 획득하는 촬상부; 에지 영역에서 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역을 지정하는 후보 영역 지정부; 후보 영역에서 각 픽셀의 밝기값 및 밝기값의 변화량을 측정하는 측정부; 및 밝기값의 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하면 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 결함 검출부를 포함한다.

Description

결함 검출 장치 및 그 방법{DEFECT DETECTING APPARATUS AND METHOD FOR THEREOF}
본 발명은 결함 검출 장치 및 그 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판에 존재하는 결함과 단순한 얼룩을 구분할 수 있는 결함 검출 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
반도체는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼(wafer) 상에 전기적인 회로를 형성하는 팹(FAB : Fabrication) 공정과 팹 공정을 통해 형성된 반도체의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting) 공정 및 반도체를 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키는 패키지 공정을 통해 제조된다.
구체적으로, 팹 공정은 반도체 기판 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정, 막을 평탄화하기 위한 화학적·기계적 연마 정공, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정, 포토레지스트 패턴을 이용하여 기판 상에 형성된 막 위에 전기적 특성을 갖는 패턴을 형성하기 위한 식각 공정, 반도체 기판 상의 소정의 영역에 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정, 반도체 기판 상에 불순물을 제거하기 위한 세정 공정 및 반도체 기판에 결함을 검출하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.
특히, 반도체 기판의 에지 부분에 존재하는 깨짐이나 반도체 기판 상에 존재하는 얼룩, 이물질 등은 반도체의 신뢰도 및 생산성을 저하시키는 중요한 요인에 해당되는바, 이를 검출하기 위한 검사 공정의 중요성이 더욱 부각되고 있다.
반도체 기판 뿐만 아니라 PCB 동판, 인쇄회로기판, 리드프레임 또는 판유리 등에 있어서도 기판 표면에 존재하는 결함을 검출하는 검사 공정이 중요하게 취급되고 있다.
이에, 기판 표면에 존재하는 결함을 검출하기 위해 검출하거나 레이저빔을 조사한 후 그 산란광을 이용하거나 라인 스캔(Line Scan) 타입의 카메라를 이용하여 결함을 검출하는 방식이 널리 사용되고 있다.
그러나, 이러한 결함 검출 방법의 경우 기판의 깨짐 등과 같은 실제 결함과 이물질/얼룩 등을 구별할 수 없어 단순한 얼룩을 결함으로 잘못 판정하는 경우가 종종 발생했다.
따라서, 반도체 기판 상에 존재하는 결함의 유형, 예를 들어, 기판의 깨짐, 균열과 기판상에 존재하는 단순한 얼룩 또는 이물질을 구분할 수 있는 결함 검출 방법의 필요성이 대두되었다.
미국등록특허공보 6,215,551호
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 기판상에 존재하는 결함을 검출할 수 있는 기판 결함 검출 장치 및 그 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판에 존재하는 결함의 구체적은 유형을 판별할 수 있는 기판 결함 검출 장치 및 그 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치는, 기판에 광을 조사하는 조명부, 상기 기판의 에지 영역을 촬영하여 상기 기판의 에지 영역에 대한 이미지를 획득하는 촬상부, 상기 에지 영역에서 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역을 지정하는 후보 영역 지정부, 상기 후보 영역에서 각 픽셀의 밝기값 및 상기 밝기값의 변화량을 측정하는 측정부 및 상기 밝기값의 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 결함 검출부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 후보 영역 지정부는, 기 설정된 크기 이상의 돌출부가 존재하는 영역을 후보 영역으로 지정할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 결함 검출부는, 상기 밝기값 변화량에 대한 추세선을 생성하고, 상기 추세선의 기울기가 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 추세선은 다음과 같은 수식을 통해 생성되며, 기울기 a의 크기가 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
Figure pat00001
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 측정부는, 상기 후보 영역에서 복수의 지점에 대한 픽셀의 밝기값 및 상기 밝기값의 변화량을 측정하고, 상기 결함 검출부는, 상기 복수의 지점에 대한 밝기값 변화량의 추세선을 생성하고, 상기 복수의 지점에 대한 추세선 기울기의 최대값들의 평균값이 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 결함 검출 방법은, 기판에 광을 조사하는 단계, 상기 광이 조사된 기판의 에지 영역을 촬영하여 상기 기판의 에지 영역에 대한 이미지를 획득하는 단계, 상기 에지 영역에서 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역을 지정하는 단계, 상기 후보 영역에서 각 픽셀의 밝기값 및 상기 밝기값의 변화량을 측정하는 단계 및 상기 밝기값의 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 단계를 포함한다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따른 기판 결함 검출 장치 및 그 방법에 따르면 기판을 훼손하지 않으면서 결함의 유무를 판별함에 따라 검사 공정의 효율 및 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다는 효과를 달성할 수 있다.
또한, 결함의 유형을 구체적으로 판별할 수 있게 됨에 따라 그에 대응되는 적절한 조치를 취할 수 있다는 효과를 달성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)를 설명하기 위한 기능 블록도이다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 일 실시예에 따라 에지 영역을 촬영한 그레이 스케일 이미지이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따라 후보 영역에서 밝기값 및 밝기값의 변화량을 측정하여 결함의 존재 여부를 판단하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
또한, 본 명세서에서 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함될 수 있다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 장치(100)를 설명하기 위한 기능 블록도이다.
도 1에는 본 발명의 실시예와 관련된 구성요소들만이 도시되어 있다. 따라서, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 기술자라면 도 1에 도시된 구성요소들 외에 다른 범용적인 구성요소들이 더 포함될 수 있음을 알 수 있다.
도 1에 도시된 결함 검출 장치(100)는 조명부(110), 촬영부(120), 후보 영역 지정부(130), 측정부(140) 및 결함 검출부(150)를 포함한다.
조명부(110)는 검사 대상 기판(200)에 광을 조사한다. 이때, 조명부(110)는 기판(200)과 소정의 각도를 유지하며 빛을 조사할 수 있다. 즉, 기판(200)에 조사되는 빛이 너무 밝은 경우 결함이 발생된 영역과 정상적인 영역을 구분할 수 없게 될 수 있으므로 조명부(110)의 위치를 변화함으로써 기판(200)에 조사되는 광량을 조절할 수 있다.
촬영부(120)는 기판(200)의 에지 영역을 촬영하여 에지 영역에 대한 이미지를 획득한다. 구체적으로, 촬영부(120)는 기판(200)의 에지 영역에 대한 그레이 스케일(Gray Scale) 이미지를 획득한다.
여기에서, 그레이 스케일 이미지란 이미지를 구성하는 각 픽셀이 밝기값으로만 표현된 이미지를 의미한다. 구체적으로, 그레이 스케일 이미지는 0 ~ 255 중 하나의 밝기값을 갖는 픽셀로만 구성된 이미지를 의미한다. 여기에서, 밝기값 0이 의미하는 것은 완전한 흑색을 의미하고 밝기값 255는 흰색을 의미한다.
따라서, 그레이 스케일 이미지에서 밝기값이 급격하게 변화되는 부분을 검출하면 기판(200)의 에지 영역을 용이하게 검출할 수 있게 된다.
후보 영역 지정부(130)는 결함이 존재할 것으로 예상되는 영역을 후보 영역으로 지정한다. 구체적으로, 밝기값이 급격하게 변화되는 부분을 에지 영역으로 검출하고 에지 영역에서 경계선에 돌출부가 존재하는 영역을 후보 영역으로 지정할 수 있다.
에지 영역에서 경계선을 기준으로 픽셀의 밝기값이 급격하게 변화되지만 기판(200)에 깨짐, 균열과 같은 결함이 있거나 이물질 또는 얼룩이 있는 경우 경계선상에 돌출부가 나타난다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 후보 영역 지정부(130)는 에지 영역에서 돌출부가 존재하는 영역을 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역으로 지정할 수 있다.
측정부(140)는 후보 영역에서 각 픽셀의 밝기값 및 밝기값의 변화량을 측정한다.
기판(200)의 에지 영역에 기판의 깨짐, 균열 등의 결함이 존재하는 경우, 기판(200)에 조사된 광이 결함이 있는 부분에서 산란되므로 다른 부분에 비해 어둡게 나타난다.
따라서, 깨짐, 균열과 같은 결함이 있는 부분은 정상적인 부분에 비해 어둡게 표시된다. 다만, 상술한 깨짐, 균열 등의 결함이 있는 부분뿐만 아니라 단순할 얼룩 또는 이물질이 있는 부분도 어둡게 나타나므로 이를 구별하는 방법이 필요하다.
이에, 결함 검출부(150)는 후보 영역에 포함된 픽셀의 밝기값 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하는 경우에 한해 그 영역에 결함이 있는 것으로 판단한다. 즉, 깨짐이나 균열로 인해 결함이 발생된 부분이나 단순한 얼룩이 있는 부분 모두 그레이 스케일 이미지 상에 어둡게 표시되긴 하나 깨짐이나 균열로 인한 결함이 있는 부분이 단순한 얼룩이나 이물질이 있는 부분에 비해 더 어둡게 표시되므로 이를 이용하여 실제 결함이 발생된 위치를 검출할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 다른 결함 검출부(150)는 후보 영역에서의 밝기값 변화량에 대한 추세선을 생성하고, 그 추세선의 기울기가 임계값을 초과하는 부분에 결함이 발생되었다고 판단할 수 있다.
후보 영역에서의 밝기값 변화량에 기초하여 결함을 검출하는 구체적인 방법은 이하에서 상세하게 설명하도록 한다.
도 2a 및 2b는 본 발명의 일 실시예에 따라 에지 영역을 촬영한 그레이 스케일 이미지이다.
구체적으로, 도 2a는 에지 영역에 존재할 수 있는 기판(200)의 깨짐, 균열 등과 같은 결함이 발생된 경우를 촬영한 이미지이고 도 2b는 기판(200) 상의 결함이 아닌 단순한 얼룩이나 이물질이 있는 경우를 촬영한 이미지이다.
도 2a 및 도 2b에서 흑색으로 표시된 부분이 기판(200)을 의미하며 회색으로 경계선에서 돌출된 부분이 기판(200)의 깨짐, 균열 등에 의한 결함 또는 기판 상에 존재하는 이물질이나 얼룩을 의미한다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 후보 영역 지정부(130)는 돌출부가 있는 부분을 후보 영역으로 지정할 수 있다.
다만, 기판(200)에 존재하는 결함 또는 기판(200) 상에 존재하는 얼룩 등이 아닌 단순한 노이즈에 의해 후보 영역이 지정되는 것을 방지하기 위해 후보 영역 지정부(130)는 돌출부의 크기가 기 설정된 임계값을 초과하는 경우에 한해 돌출부 주변을 후보 영역으로 지정할 수 있다.
한편, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이 그레이 스케일 이미지에서는 깨짐, 균열 등에 의한 결함과 기판(200) 상에 존재하는 이물질이나 얼룩이 구별되지 않는다. 다만 상술한 바와 같이, 깨짐, 균열 등에 의한 결함이 이물질이나 얼룩에 비해 더 어둡게 표시되므로 에지 영역에서 밝기값의 변화량을 검출하면 두 경우를 구별할 수 있게 된다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따라 후보 영역에서 밝기값 및 밝기값의 변화량을 측정하여 결함의 존재 여부를 판단하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이 후보 영역에 존재하는 돌출부(340)에서 경계선에 수직하는 방향으로 각 픽셀의 밝기값을 측정하면 도 3b와 같은 그래프가 산출된다.
구체적으로, 도 3a에서 경계선에 수직하는 방향으로 픽셀의 밝기값을 측정하면, 픽셀의 밝기값이 급격하게 변화하는 부분이 2군데 측정된다. 흑색으로 표시된 기판(310)과 경계면(320)에서 밝기값이 한 번 변화하고, 경계면(320)과 배경 영역(330)에서 또 한번 밝기값이 변화한다.
이와 같은 밝기값의 변화 추이는 도 3b에 표현된다. 도 3b에서 가로축은 경계선에서 수직하는 방향의 픽셀 위치를 나타내고 세로축은 그 픽셀에서의 밝기값을 의미한다.
즉, 밝기값이 증가하는 부분이 기판(310)과 경계면(320) 사이 및 경계면(320)과 배경 영역(330) 의 사이에서 나타남을 그래프를 통해 확인할 수 있다.
도 3b에 도시된 밝기값의 크기를 밝기값의 변화량 그래프로 변환하면 도 3c와 같은 그래프를 얻을 수 있다. 즉, 밝기값이 급격하게 증가하는 부분이 2군데 존재하므로 밝기값의 변화량을 나타내는 그래프에서도 2개의 피크값이 나타난다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출부(150)는 밝기값의 변화량이 최대치인 부분에서 밝기값 변화의 추세선(350)을 생성하고 그 추세선(350)의 기울기가 임계값을 초과하면 그 부분에 기판(310)의 깨짐이나 결함 같은 결함이 존재하는 것으로 판단할 수 있다.
구체적으로, 추세선(350)은 다음과 같은 수식을 통해 생성될 수 있다.
Figure pat00002
여기에서, 추세선(350)의 기울기를 나타내는 a의 크기가 기 설정된 임계값을 초과하면, 돌출부(340)가 기판(310)의 깨짐 또는 균열에 의한 결함이라고 판단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판(310)의 깨짐 또는 균열에 의해 결함이 발생되면 단순히 기판(310) 상에 얼룩이나 이물질이 있는 경우에 비해 어둡게 표시되므로 배경 영역(330)과의 경계면에서 밝기값이 큰 폭으로 변화하게 된다.
따라서, 돌출부(340) 밝기값의 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하면 그 돌출부(340)가 단순한 얼룩이 아닌 기판(310)의 깨짐 또는 균열에 의한 것임을 알 수 있다.
한편, 상술한 실시예에서는 하나의 라인에 포함된 픽셀의 밝기값 및 그 밝기값의 변화량을 측정하는 것으로 설명하였으나 이에 한정되지 않으며 돌출부(340)에 포함된 복수의 라인 각각에 포함된 픽셀의 밝기값 및 그 밝기값의 변화량을 측정할 수도 있다.
즉, 경계선에 수직하는 복수의 라인 각각에 포함된 픽셀들의 밝기값 및 그 밝기값의 변화량을 측정하고, 밝기값 변화량이 최대치인 곳에서 추세선을 생성한 후 그 추세선 기울기의 평균값이 기 설정된 임계값을 초과하면 후보 영역에 결함이 존재하는 것으로 판단하도록 구현할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 후보 영역에서 돌출부(340)의 밝기값 변화를 이용하면 실제 결함이 발생된 부분과 단순한 얼룩을 구별할 수 있게 됨에 따라 검사의 정확도를 높일 수 있다는 효과를 달성할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 결함 검출 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
기판에 존재하는 결함을 검출하기 위해 기판 상에 광을 조사하고(S110), 기판의 에지 영역을 촬영하여 에지 영역에 대한 이미지를 획득한다(S120).
이후, 에지 영역에서 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역을 지정한다(S130). 구체적으로, 경계선 부근에서 기판의 깨짐 또는 균열에 의해 돌출부가 형성된 영역을 후보 영역으로 지정할 수 있다. 다만, 이미지 상의 노이즈에 의해 형성된 돌출부를 포함하는 영역이 후보 영역으로 지정되는 것을 방지하기 위하여 돌출부의 크기가 기 설정된 임계값을 초과하는 경우에 한하여 그 돌출부 주변을 후보 영역으로 지정할 수도 있다.
후보 영역이 지정되면 후보 영역에 포함된 픽셀의 밝기값 및 밝기값의 변화량을 측정한다(S140). 기판의 균열 또는 깨짐에 의해 형성된 돌출부에 광을 조사하면, 조사된 광이 산란되어 반사되지 않으므로 결함이 발생된 영역은 어둡게 표시된다.
또한, 기판 상에 얼룩이 존재하거나 이물질이 있는 경우도 어둡게 표시될 수 있다(S150). 즉, 실제 결함이 발생된 영역 뿐만 아니라 단순한 얼룩이나 이물질이 있는 부분도 어둡게 표시되므로 이 둘을 구별하기 위해 결함 검출부(150)는 후보 영역의 밝기값 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하는지 여부를 판단하고, 임계값이 초과하는 경우에만 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단한다(S160).
기판 상에 얼룩이나 이물질이 있는 경우도 그레이 스케일 이미지 상에 어둡게 표시되긴 하나 실제 결함이 발생된 부분에 비해서는 밝게 표시되므로 밝기값의 변화량을 측정하면 실제 결함이 발생되었는지 여부를 판단할 수 있게 된다.
상술한 바와 같이, 결함이 발생될 수 있을 것으로 예상되는 후보 영역을 검출하고 후보 영역에 포함된 픽셀의 밝기값 변화량을 측정하여 그 변화량이 임계값을 초과하는 경우에만 실제 결함이 발생된 것으로 판단하면 검사 공정의 정확도를 높일 수 있다는 효과를 달성할 수 있다. 또한, 불량률이 낮춰짐에 따라 제품에 대한 신뢰도도 높일 수 있다는 효과도 달성할 수 있다.
한편, 상술한 방법은 컴퓨터에서 실행될 수 있는 프로그램으로 작성 가능하고, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 이용하여 상기 프로그램을 동작시키는 범용 디지털 컴퓨터에서 구현될 수 있다. 또한, 상술한 방법에서 사용된 데이터의 구조는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 여러 수단을 통하여 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드 디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, 디브이디 등)와 같은 저장매체를 포함한다.
본 실시예와 관련된 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상기된 기재의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 방법들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 기판에 광을 조사하는 조명부;
    상기 기판의 에지 영역을 촬영하여 상기 기판의 에지 영역에 대한 이미지를 획득하는 촬상부;
    상기 에지 영역에서 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역을 지정하는 후보 영역 지정부;
    상기 후보 영역에서 각 픽셀의 밝기값 및 상기 밝기값의 변화량을 측정하는 측정부; 및
    상기 밝기값의 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 결함 검출부를 포함하는 결함 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 후보 영역 지정부는,
    기 설정된 크기 이상의 돌출부가 존재하는 영역을 후보 영역으로 지정하는 결함 검출 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 결함 검출부는,
    상기 밝기값 변화량에 대한 추세선을 생성하고, 상기 추세선의 기울기가 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 결함 검출 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 추세선은 다음과 같은 수식을 통해 생성되며, 기울기 a의 크기가 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 결함 검출 장치.
    Figure pat00003
  5. 제1항에 있어서,
    상기 측정부는,
    상기 후보 영역에서 복수의 지점에 대한 픽셀의 밝기값 및 상기 밝기값의 변화량을 측정하고,
    상기 결함 검출부는,
    상기 복수의 지점에 대한 밝기값 변화량의 추세선을 생성하고, 상기 복수의 지점에 대한 추세선 기울기의 평균값이 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 결함 검출 장치.
  6. 기판에 광을 조사하는 단계;
    상기 광이 조사된 기판의 에지 영역을 촬영하여 상기 기판의 에지 영역에 대한 이미지를 획득하는 단계;
    상기 에지 영역에서 결함이 존재할 것으로 예상되는 후보 영역을 지정하는 단계;
    상기 후보 영역에서 각 픽셀의 밝기값 및 상기 밝기값의 변화량을 측정하는 단계; 및
    상기 밝기값의 변화량이 기 설정된 임계값을 초과하면 상기 후보 영역에 결함이 있는 것으로 판단하는 단계를 포함하는 결함 검출 방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180067205A (ko) * 2016-12-12 2018-06-20 엘림광통신 주식회사 직조기 니들 오류 검출 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록매체
KR20180067219A (ko) * 2016-12-12 2018-06-20 엘림광통신 주식회사 직조기 니들 오류 검출 장치
KR20190126952A (ko) * 2018-05-02 2019-11-13 삼성디스플레이 주식회사 불량 검출 장치 및 방법
US11004712B2 (en) 2018-12-04 2021-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of inspecting semiconductor wafer, inspection system for performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same
KR20230133664A (ko) 2022-03-11 2023-09-19 세메스 주식회사 검사장치 및 기판처리장치

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
미국등록특허공보 6,215,551호

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180067205A (ko) * 2016-12-12 2018-06-20 엘림광통신 주식회사 직조기 니들 오류 검출 프로그램이 기록된 컴퓨터 판독 가능한 기록매체
KR20180067219A (ko) * 2016-12-12 2018-06-20 엘림광통신 주식회사 직조기 니들 오류 검출 장치
KR20190126952A (ko) * 2018-05-02 2019-11-13 삼성디스플레이 주식회사 불량 검출 장치 및 방법
US11004712B2 (en) 2018-12-04 2021-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of inspecting semiconductor wafer, inspection system for performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same
KR20230133664A (ko) 2022-03-11 2023-09-19 세메스 주식회사 검사장치 및 기판처리장치

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