JP2003240732A - 金めっき欠陥検査装置 - Google Patents
金めっき欠陥検査装置Info
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Abstract
出することなく精度よく検出する。 【解決手段】 光源装置2は、波長400nm〜600
nmの光を出射する。投光角度規制装置3は、光源装置
2からの光が、検査対象物6の表面に垂直な方向から1
5°〜25°の範囲の照射角度から検査対象物6に照射
されるようにする。欠陥検査部5は、小欠陥検査部51
と、大欠陥検査部52とを有している。小欠陥検査部5
1は、傷、金未着などの欠陥を検出し、大欠陥検査部5
2は、撮像画像を低解像度画像に変換することによっ
て、正常部を過検出することなく汚れ、色むらなどの変
色欠陥を高い信頼性で検出する。
Description
面の欠陥を検出する金めっき欠陥検査装置に関する。
物、打痕、汚れ等の欠陥を検出する装置として、検査対
象物を撮像することによって得られた撮像画像を所定の
しきい値で2値化し、2値化画像をラベリング処理した
領域が所定の面積しきい値以上を有する場合にその領域
を欠陥であると判定する技術が知られている。例えば、
特開2000−258353号公報には、 (1)撮像画像内の局所領域内の濃度データを取り出
す。 (2)濃度データの平均濃度D(X、Y)を算出する。 (3)局所領域内の各画素について、その濃度データd
(x、y)が式(1)を満たさない場合は、その画素が
欠陥画素であると判断し、欠陥画素を特定するための2
値化処理に供する。ここで、a、bは、図12に示すよ
うに、各局所領域における平均濃度D(X、Y)を基準
とする所定の濃度幅の設定に用いられる濃度しきい値
(%)である。 (1−a/100)×D(X、Y)≦d(x、y)≦(1+b/100)× D(X、Y) 式(1) (4)2値化画像の各画素に対しラベリング処理を施
し、予め設定した面積しきい値以上を有するラベル領域
(欠陥領域候補)を欠陥領域であると判定する。通常、
画素は数画素〜数100画素のまとまりで欠陥となるこ
とが多いが、その同一の欠陥画素のまとまりに同一のラ
ベルを付与し、上記欠陥画素のまとまり毎の判別ができ
るようにする処理がここでのラベリング処理である。
を製造するために電解金めっきに代わって行われるよう
になってきた無電解金めっきでは、小さい粒子で薄いめ
っき層が形成されるために、傷、汚れ、色むら等の欠陥
部であるか正常部であるかにかかわらず、下地形状がめ
っき表面にそのまま現れやすい。そのため、無電解金め
っき基板の表面には、下地基板の研磨傷に起因した微小
な凹凸が存在することが多い。従って、無電解金めっき
基板の画像を撮像すると、基板表面の微小な凹凸のため
に、電解金めっき基板と比較して、撮像画像の濃度に大
きなばらつきが生じる。
域における撮像画像の濃度ヒストグラムを図示すると、
図13(a)のようになる。一方、無電解金めっき基板
の場合について、局所領域における撮像画像の濃度ヒス
トグラムを図示すると、図13(b)のようになる。図
13(a)から明らかなように、電解金めっきでは濃度
ばらつきが小さいため、濃度しきい値a、bを適切に設
定すれば、欠陥信号のみ検出することが可能である。し
かしながら、無電解金めっきでは、図13(b)から明
らかなように、濃度のばらつきが大きいため、欠陥信号
は正常部の濃度ばらつきの中にうずもれてしまい、正常
部を過検出することなく欠陥信号のみを検出することは
困難である。
ら、金未着、異物付着などの複数種類の欠陥部が存在す
る。これら複数種類の欠陥は、正常部との濃度差及び欠
陥面積の観点から、大きく2種類に分けられる。すなわ
ち、正常部との濃度差が大きく且つ欠陥面積が小さい
傷、金未着などの欠陥(図14(a)参照)と、正常部
との濃度差が小さく且つ欠陥面積が大きい汚れ、色むら
などの変色欠陥(図14(b)参照)とである。
部との濃度差が小さいため、変色欠陥を検出するには、
濃度しきい値を正常部の平均濃度に近づける必要があ
る。しかしながら、無電解金めっき基板では、正常部の
濃度ばらつきが大きいため、過検出を増やさないように
濃度しきい値を設定した場合、図14(b)に示すよう
に、欠陥領域として検出されるべき領域が細切れ状態に
なる。このように検出領域が細切れになり個々の面積が
小さくなると、面積しきい値を用いての欠陥判定によっ
て変色欠陥を検出することができなくなるという問題が
ある。
無電解金めっき基板を対象に検査した場合、 (1)基板表面の微小凹凸のため、正常部の濃度ばらつ
きが大きく、欠陥信号が正常部の濃度ばらつき内に埋も
れてしまい、適切な濃度しきい値を設定することができ
ない。 (2)特に、汚れや色むら等の変色欠陥は、正常部と濃
度差が小さいため、(1)の問題が顕著となる。
基板の欠陥を、正常部を過検出することなく精度よく検
出することができる金めっき欠陥検査装置を提供するこ
とである。
に、請求項1の金めっき欠陥検査装置は、(1)波長4
00nm〜600nmの光を出射する光源装置と、
(2)前記光源装置からの光が、検査対象物の表面に垂
直な方向から15°〜25°の範囲の照射角度から検査
対象物に照射されるようにする投光角度規制装置と、
(3)検査対象物を撮像するために、その表面に垂直な
方向に設置された撮像装置と、(4)前記撮像装置によ
って検査対象物を撮像することによって得られた撮像画
像内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として
設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠
陥画素として2値化処理を行い、2値化処理後に1又は
複数の各欠陥画素からラベリング処理によって欠陥領域
候補を形成し、ラベリング処理によって得られた欠陥領
域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積
を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判
定する小欠陥検査部と、(5)前記撮像装置によって検
査対象物を撮像することによって得られた撮像画像をよ
り解像度の低い低解像度画像に変換し、変換された低解
像度画像内の各画素の濃度が低解像度画像の平均濃度を
基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当
該画素を欠陥画素として2値化処理を行い、2値化処理
後に1又は複数の各欠陥画素からラベリング処理によっ
て欠陥領域候補を形成し、ラベリング処理によって得ら
れた欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも
大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域
であると判定する大欠陥検査部とを具備している。
る光の波長が400nm〜600nmの波長域に限定さ
れているために、欠陥濃度レベルと良品濃度レベルとの
S/Nを向上させることが可能となる。また、投光角度
規制装置によって光の照射角度が検査対象物の表面に垂
直な方向から15°〜25°の範囲に限定されているた
めに、良品濃度のばらつきを低減することが可能にな
る。また、傷、金未着などの欠陥を小欠陥検査部によっ
て検出可能であると共に、撮像画像をより解像度の低い
低解像度画像に変換することによって欠陥領域として検
出されるべき欠陥領域候補が細切れ状態になることを防
止しつつ欠陥検出を行う大欠陥検査部によって、正常部
を過検出することなく、汚れ、色むらなどの変色欠陥を
高い信頼性で検出可能となる。
は、前記撮像装置によって検査対象物を撮像することに
よって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の
平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれな
い場合に当該画素を欠陥画素として2値化処理を行う2
値化部と、2値化処理後にラベリング処理によって1又
は複数の各欠陥画素から欠陥領域候補を形成するラベリ
ング部と、前記ラベリング部でのラベリング処理によっ
て得られた複数の欠陥領域候補が互いに近接している場
合には当該複数の欠陥領域候補を1つの欠陥領域候補に
結合する結合処理部と、前記結合処理部で結合された欠
陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい
面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域である
と判定する面積判定部とを具備していることを特徴とし
ている。
さい変色欠陥が細切れに複数の小さな欠陥領域候補とし
てラベリングされた場合であっても、それらの欠陥領域
候補は互いに近接しているために1つの欠陥領域候補に
結合させられるので、正常部を過検出することなく、変
色欠陥を高い信頼性で検出することが可能となる。
態について、図面を参照しつつ説明する。
検査装置のブロック図を示す。図1に示す金めっき欠陥
検査装置1は、光を出射する光源装置2と、光源装置2
で出射された光の検査対象物6への投光角度を規制する
投光角度規制装置3と、検査対象物6を撮像するための
撮像装置4と、撮像装置4によって得られた撮像画像に
基づいて検査対象物6の欠陥を検出するための欠陥検査
部5とを有している。以下、これら各部について順次説
明する。
600nmの光を出射する。光源装置2としてハロゲン
光源などの白色光源を用いた場合、特に汚れや色むらな
どの変色欠陥は正常部とのS/Nが低くなる。図2に示
すように、実験によると、汚れや色むらなどの変色欠陥
での反射率は、赤色領域である600nm〜700nm
波長域に対しては正常部とほぼ同じであるが、緑や青に
かけての400nm〜600nm波長域に対しては金め
っき正常部よりも低下する。従って、この波長域の光を
出射する光源装置2を用いることにより、白色光源を用
いる場合と比較してS/Nが向上する。
の撮像素子として、400〜600nm波長域において
受光感度が高いものを用いる(図3(a)参照)と共
に、光源装置2として、白色光源にブルー透過フィルタ
とグリーン透過フィルタを装着したもの、または、白色
光源にシアンフィルタ(図3(b)参照)を装着したも
の、または、白色光源にレッド反射フィルタを装着した
ものを用いる。なお、撮像装置4のカメラのレンズにフ
ィルタを装着しても良い。
っき欠陥検査装置1では、図4(a)、(b)に示すよ
うに、検査対象物6の表面に垂直な方向からの照明入射
角度をθとしたとき、光ファイバを介して光源装置2と
接続された投光角度規制装置3が、θ=15°〜25°
に限定した照明光を鉛直軸回り360度から検査対象物
6に照射する。図5は、サンプル1からサンプル5まで
の5つのサンプルについて、横軸を入射角度θ、縦軸を
撮像画像内における金めっき正常部の濃度ばらつきとし
た実験結果を示している(検査対象物の表面に垂直な方
向に撮像装置を配置して波長400nm〜600nmの
光を照射した)。ここで、濃度ばらつきは、 濃度ばらつき=3×σ/m×100 [ % ] (σ:局所領域内の濃度分布の分散値、m:局所領域内
の平均濃度)で表される。図5に示すように入射角度θ
が15度から25度のときに濃度ばらつきが小さくなる
ことが判る。
に示すように、上記した所定の入射角度になるように出
射角度や設置高さが調整されたリング照明(例えば、多
数の光ファイバをその各端面が検査対象物6の方向を向
くようにリング状に配列したもの、この場合、光ファイ
バの各端面がいわば点光源として検査対象物6に光を出
射する)11を用いてもよいし、或いは、図6(b)に
示すように、上記した所定の入射角度になるように出射
角度や設置高さが調整された1または複数のスポット照
明(例えば、それぞれが1または複数の光ファイバの
束)12を用いてもよい。なお、光源装置2と投光角度
規制装置3とは必ずしも図1に示したようなものである
必要はなく、例えば投光角度規制装置が光源装置を支え
るような構造となっており、投光角度規制装置によっ
て、光源装置が、検査対象物の表面に垂直な方向から1
5°〜25°の範囲の照射角度から検査対象物に光を照
射するように支持されていてもよい。
方向(鉛直軸)には、CCDイメージセンサなどの撮像
素子を備えたエリアカメラもしくはラインカメラである
撮像装置4が設置されている。投光角度規制装置3で規
制された角度にて検査対象物6に光源装置2からの光を
照射した状態で、撮像装置4によって検査対象物6を撮
像して画像を取得する。撮像装置4がラインカメラの場
合は、その撮像素子の配列方向と直交方向に検査対象物
6を搬送しつつ連続撮像することにより2次元画像を得
ることができる。
ロック図である。図7に示すように、撮像装置4で検査
対象物6を撮像することによって得られた画像(濃淡画
像)は、欠陥検査部5の小欠陥検査部51及び大欠陥検
査部52にそれぞれ供給される。
0−258353号公報に記載されているのと同様に、
撮像装置4で得られた高解像度画像をそのまま用い、高
解像度画像を構成する各画素が濃度しきい値で設定され
た所定の濃度範囲内にあるかどうかを判定してから2値
化処理を行い、ラベリング処理によって複数の画素の集
合である欠陥領域候補を形成し、欠陥領域候補の面積が
所定の面積しきい値よりも大きい場合にその欠陥領域候
補を欠陥領域であると判断する。小欠陥検査部51で
は、比較的面積が小さく、正常部との濃度差が大きい欠
陥(傷、金未着などの欠陥)を高い精度で検出すること
を目的として検査を実施するので、あらかじめ、面積が
小さく、正常部との濃度差が大きい欠陥に適した濃度し
きい値及び面積しきい値が設定されている。
た高解像度画像を低解像度画像に変換する低解像度変換
部52aと、低解像度変換部52aで得られた低解像度
画像を用いて小欠陥検査部51と同様のステップを経て
欠陥を検出する低解像度画像検査部52bとを含んでい
る。大欠陥検査部52では、比較的面積が大きく、正常
部との濃度差が小さい欠陥(汚れ、色むらなどの変色欠
陥)を検出することを目的として検査を実施するので、
あらかじめ、面積が大きく、正常部との濃度差が小さい
欠陥に適した濃度しきい値及び面積しきい値が設定され
ている。
化フィルタやローパスフィルタを適用し、低解像度画像
を作成する。この低解像度変換により、図8(a)に示
すような濃度ばらつきの大きい画像が、図8(b)に示
すような濃度ばらつきの小さい画像となる。低解像度変
換部52aは撮像画像よりも画像データサイズが小さい
低解像度画像を形成するので、次の処理である低解像度
画像検査部52bでの処理時間が短縮されるという利点
がある。
換部52aで作成された低解像度画像を用いて、小欠陥
検査部51と同様のステップを経て欠陥を検出する。低
解像度画像検査部52bで検査される画像は低解像度変
換を施された低解像度画像であるため、図8(b)に示
すように、高周波の濃度ばらつきが低減されたものとな
って、正常部と欠陥部とが濃度に応じて分離されたもの
となる。従って、濃度しきい値a、bを適切に設定する
ことによって、汚れや色むらなどの変色欠陥に対しても
欠陥領域候補が細切れ状態になることなく大きな欠陥部
として検出が可能であって、正常部を過検出することな
く、汚れ、色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検出可
能となる。
めっき欠陥検査装置について、図9〜図11をさらに参
照して説明する。なお、本実施の形態の金めっき欠陥検
査装置は、欠陥検査部のみが第1の実施の形態のものと
相違するものであるため、ここでは光源装置などについ
ての説明を省略し、欠陥検査部について説明する。図9
は、本実施の形態による金めっき欠陥検査装置に含まれ
る欠陥検査部8のブロック図である。図9に示すよう
に、撮像装置4で検査対象物6を撮像することによって
得られた画像(濃淡画像)は、欠陥検査部8の小欠陥検
査部81及び大欠陥検査部82にそれぞれ供給される。
の形態の小欠陥検査部51と同様に、撮像装置4で得ら
れた高解像度画像をそのまま用い、高解像度画像を構成
する各画素が濃度しきい値で設定された所定の濃度範囲
内にあるかどうかを判定してから2値化処理を行い、ラ
ベリング処理によって複数の画素の集合である欠陥領域
候補を形成し、欠陥領域候補の面積が所定の面積しきい
値よりも大きい場合にその欠陥領域候補を欠陥領域であ
ると判断することによって、傷、金未着などの欠陥を高
い精度で検出するものである。
検査対象物6を撮像することによって得られた撮像画像
内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として設
定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥
画素として2値化処理を行う2値化部82aと、2値化
処理後にラベリング処理によって1又は複数の各欠陥画
素から欠陥領域候補を形成するラベリング部82bと、
ラベリング部82bでのラベリング処理によって得られ
た複数の欠陥領域候補が互いに近接している場合には当
該複数の欠陥領域候補を1つの欠陥領域候補に結合する
結合処理部82cと、結合処理部82cで結合された欠
陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい
面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域である
と判定する面積判定部82dとを有している。
82dのうち、2値化部82a及びラベリング部82b
は、上述の小欠陥検査部81の対応部分と同様の処理を
行う。結合処理部82cは、ラベリングによって得られ
た領域(欠陥領域候補)群のうち互いの距離が近いもの
を同じ領域として1つの領域にまとめる処理を行う。結
合処理の具体例として、以下の3例を説明する。
回(Nは自然数)膨張させる。ここで、膨張とは、ある
2値化された画像内のオフ画素の隣接画素にオン画素が
ある場合に、当該オフ画素をオン画素に変換することを
意味するものとする。 (2)N回の膨張によって、複数の欠陥領域候補が1つ
になれば、それら複数の欠陥領域候補を互いの距離が近
い1つの領域であると判断する。そして、膨張後の1つ
になった領域を、結合された新たな欠陥領域候補とす
る。本例は、検査対象物の実体との整合性が高い検査結
果が得られるという点で優れている。
心g(x、y)を計算する。 (2)欠陥領域候補から任意の2つの領域(領域iと領
域j)を選び、以下の式(2)に基づいて、領域iの重
心g(Xi、Yi)と、領域jの重心g(Xj、Yj)
の重心間距離Lijを計算する。 Lij=√((Xi−Xj)×(Xi−Xj)+(Yi−Yj)×(Yi− Yj)) 式(2) (3)重心間距離Lijが所定のしきい値Nを超えない
場合は、領域iと領域jを互いの距離が近い1つの領域
であると判断する。重心間距離Lijが、しきい値Nを
超える場合は、領域iと領域jを1つの領域とは判断し
ない。そして、これら複数の領域を結合し、結合された
領域を新たな欠陥領域候補とする。本例は、計算量が少
なくて済み、処理時間が短くなるという点で優れてい
る。
域を予め多数の局所領域21に分割しておく。 (2)ラベリングによって得られた欠陥領域候補22の
うち、同じ局所領域21内にあるものを結合し、図10
(b)に示すように、結合された領域を新たな欠陥領域
候補23、24とする。本例は、欠陥領域候補22間の
距離を考慮していないため、厳密な欠陥検査にはならな
いものの、局所領域21を小さくすれば、ある程度許容
できる検査結果が得られる。結合処理例その3は、結合
処理例その1や結合処理例その2に比べて計算量が少な
いので、高速化が図れるという利点がある。
2cで1つの領域に結合された新たな欠陥領域候補の面
積を計算する。そして、予め設定した面積しきい値を超
えた面積を有する欠陥領域候補を欠陥領域と判定する一
方、面積しきい値を超えていない領域は、欠陥と判定し
ない。このように、本実施の形態によると、正常部との
濃度差が小さい変色欠陥が細切れに複数の小さな欠陥領
域候補としてラベリングされた場合であっても、それら
の欠陥領域候補が互いに近接しているために1つの欠陥
領域候補に結合させられるので、正常部を過検出するこ
となく、汚れ、色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検
出することが可能である。
査した場合とそれ以外の部分を検査した場合との具体的
な検出結果の相違について、図11に基づいて説明す
る。検査対象物6の変色欠陥部以外の部分(具体的に
は、傷、金未着などの欠陥部)を大欠陥検査部82で検
査した場合、図11(a)に示すように、欠陥領域候補
31どうしが比較的離散して存在しているために、図1
1(b)に示すように、結合処理部82cによってこれ
らが結合されることがない。従って、大欠陥検査部82
では正常部に点在する傷、金未着などの欠陥部が検出さ
れることはない。
変色欠陥部を大欠陥検査部82で検査した場合、図11
(c)に示すように、欠陥領域候補32どうしが比較的
近距離に存在しているために、図11(d)に示すよう
に、結合処理部82cによってこれらが結合され、面積
が大きい新たな欠陥領域候補33が形成される。従っ
て、大欠陥検査部82では傷、金未着などの欠陥部以外
の変色欠陥を高い精度で検出することができる。
説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるもの
ではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々
な設計変更が可能なものである。
と、光源装置から出射される光の波長が400nm〜6
00nmの波長域に限定されているために、欠陥濃度レ
ベルと良品濃度レベルとのS/Nを向上させることが可
能となる。また、投光角度規制装置によって光の照射角
度が検査対象物の表面に垂直な方向から15°〜25°
の範囲に限定されているために、良品濃度のばらつきを
低減することが可能になる。また、傷、金未着などの欠
陥を小欠陥検査部によって検出可能であると共に、撮像
画像をより解像度の低い低解像度画像に変換することに
よって欠陥領域として検出されるべき欠陥領域候補が細
切れ状態になることを防止しつつ欠陥検出を行う大欠陥
検査部によって、正常部を過検出することなく、汚れ、
色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検出可能となる。
さい変色欠陥が細切れに複数の小さな欠陥領域候補とし
てラベリングされた場合であっても、それらの欠陥領域
候補は互いに近接しているために1つの欠陥領域候補に
結合させられるので、正常部を過検出することなく、変
色欠陥を高い信頼性で検出することが可能となる。
検査装置のブロック図である。
関係を描いたグラフである。
長に対するフィルタ透過率の関係を描いたグラフであ
る。
説明するための図である。
らつきを描いたグラフである。
スポット照明を説明するための模式図である。
る欠陥検査部のブロック図である。
よる効果を説明するためのグラフである。
検査装置に含まれる欠陥検査部のブロック図である。
理部で行われる結合処理の一例を説明するための模式図
である。
検査部で変色欠陥部を検査した場合とそれ以外の部分を
検査した場合との相違について説明するための模式図で
ある。
陥検査技術を説明するための濃度ヒストグラムである。
ついての濃度ヒストグラムである。
の変色欠陥の特性を説明するためのグラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】 無電解金めっき表面の欠陥を検出する金
めっき欠陥検査装置において、 (1)波長400nm〜600nmの光を出射する光源
装置と、 (2)前記光源装置からの光が、検査対象物の表面に垂
直な方向から15°〜25°の範囲の照射角度から検査
対象物に照射されるようにする投光角度規制装置と、 (3)検査対象物を撮像するために、その表面に垂直な
方向に設置された撮像装置と、 (4)前記撮像装置によって検査対象物を撮像すること
によって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像
の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれ
ない場合に当該画素を欠陥画素として2値化処理を行
い、2値化処理後に1又は複数の各欠陥画素からラベリ
ング処理によって欠陥領域候補を形成し、ラベリング処
理によって得られた欠陥領域候補が予め設定された面積
しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域
候補を欠陥領域であると判定する小欠陥検査部と、 (5)前記撮像画像によって検査対象物を撮像すること
によって得られた撮像画像をより解像度の低い低解像度
画像に変換し、変換された低解像度画像内の各画素の濃
度が低解像度画像の平均濃度を基準として設定された濃
度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として
2値化処理を行い、2値化処理後に1又は複数の各欠陥
画素からラベリング処理によって欠陥領域候補を形成
し、ラベリング処理によって得られた欠陥領域候補が予
め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場
合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する大欠
陥検査部とを具備していることを特徴とする金めっき欠
陥検査装置。 - 【請求項2】 前記大欠陥検査部が、 前記撮像装置によって検査対象物を撮像することによっ
て得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の平均
濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場
合に当該画素を欠陥画素として2値化処理を行う2値化
部と、 2値化処理後にラベリング処理によって1又は複数の各
欠陥画素から欠陥領域候補を形成するラベリング部と、 前記ラベリング部でのラベリング処理によって得られた
複数の欠陥領域候補が互いに近接している場合には当該
複数の欠陥領域候補を1つの欠陥領域候補に結合する結
合処理部と、 前記結合処理部で結合された欠陥領域候補が予め設定さ
れた面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該
欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する面積判定部と
を具備していることを特徴とする請求項1に記載の金め
っき欠陥検査装置。
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