JP5554126B2 - SiC半導体素子の製造方法 - Google Patents
SiC半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5554126B2 JP5554126B2 JP2010087522A JP2010087522A JP5554126B2 JP 5554126 B2 JP5554126 B2 JP 5554126B2 JP 2010087522 A JP2010087522 A JP 2010087522A JP 2010087522 A JP2010087522 A JP 2010087522A JP 5554126 B2 JP5554126 B2 JP 5554126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- sic substrate
- internal stress
- layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 86
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 14
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 100
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 98
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 63
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
<構成>
図1は、本発明の実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの構成を示す断面図である。
図2〜図7を用いて、実施の形態1におけるSiCショットキーバリアダイオードの製造工程を示す。図2〜図7は、SiCショットキーバリアダイオードの各製造工程における断面模式図である。
研磨による傷をRIE等で除去(図7)した後、SiC基板10の薄板化を行う。まず、SiC基体11の素子活性領域が形成された表面デバイス側をレジストなどで保護した上でテープやサファイア基板の平坦面に貼り付け、SiC基板10の底面を研削し、厚みを減少させる。
本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本実施の形態のSiC半導体素子の製造方法は、(a)表面側にイオン注入領域30(素子活性領域)が形成されたSiC基体11(SiC基板)を準備する工程と、(b)SiC基体11の表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、(c)SiC基体11の表面を平坦面に固定したまま、研削によるSiC基体11の反りを相殺する応力を付与する内部応力層3を、SiC基体11内部に形成する工程とを備える。これにより、薄板化に伴うSiC基板の反りを修正し、オン抵抗を低減することが出来る。
Claims (5)
- (a)表面側に素子活性領域が形成されたSiC基板を準備する工程と、
(b)前記SiC基板の前記表面を平坦面に固定し、裏面を研削する工程と、
(c)前記SiC基板の前記表面を前記平坦面に固定したまま、前記研削による前記SiC基板の反りを相殺する応力を付与する膨張応力を有する内部応力層を、前記SiC基板内部に形成する工程とを備える、SiC半導体素子の製造方法。 - 前記工程(c)は、レーザ照射によって前記内部応力層を形成することを特徴とする、請求項1に記載のSiC半導体素子の製造方法。
- 前記工程(c)は、前記内部応力層としてアモルファス層を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC半導体素子の製造方法。
- 前記工程(c)は、前記内部応力層をチップのダイシングラインに沿って形成する工程である、請求項1〜3のいずれかに記載のSiC半導体素子の製造方法。
- (d)前記ダイシングラインに沿って前記表面側に別の内部応力層を形成する工程をさらに備えた、請求項4に記載のSiC半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010087522A JP5554126B2 (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | SiC半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010087522A JP5554126B2 (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | SiC半導体素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014108638A Division JP5783298B2 (ja) | 2014-05-27 | 2014-05-27 | SiC半導体素子の製造方法およびSiC半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011222607A JP2011222607A (ja) | 2011-11-04 |
JP5554126B2 true JP5554126B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=45039236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010087522A Active JP5554126B2 (ja) | 2010-04-06 | 2010-04-06 | SiC半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5554126B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6083105B2 (ja) * | 2011-07-22 | 2017-02-22 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6158468B2 (ja) | 2011-11-08 | 2017-07-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の故障位置解析方法及び装置 |
JP2013201397A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体結晶成長用基板 |
JP6197461B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-09-20 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
EP3043376B1 (en) | 2013-09-05 | 2021-03-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor element |
JP6387855B2 (ja) * | 2015-02-24 | 2018-09-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法およびそれに用いるレーザ加工装置 |
JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
JP6515757B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2019-05-22 | 信越化学工業株式会社 | SiC複合基板の製造方法 |
TWI611578B (zh) * | 2017-06-14 | 2018-01-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 用以減少化合物半導體晶圓變形之改良結構 |
CN113728425B (zh) | 2019-06-17 | 2024-06-11 | 罗姆股份有限公司 | SiC半导体装置及其制造方法 |
CN113517183B (zh) * | 2021-07-14 | 2024-07-02 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于薄片碳化硅晶圆的器件制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130086057A (ko) * | 2005-09-16 | 2013-07-30 | 크리 인코포레이티드 | 실리콘 카바이드 전력 소자들을 그 상에 가지는 반도체 웨이퍼들의 가공방법들 |
JP2009094335A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-06 JP JP2010087522A patent/JP5554126B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011222607A (ja) | 2011-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5554126B2 (ja) | SiC半導体素子の製造方法 | |
JP7229852B2 (ja) | 炭化ケイ素ウェハを処理するための方法および炭化ケイ素半導体デバイス | |
US8679882B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus | |
WO2013089256A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US9779968B2 (en) | Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used | |
US9728606B2 (en) | Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof | |
JP5550738B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
US20150214053A1 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
JP2011091100A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
WO2012029735A1 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2011181909A (ja) | 半導体チップ製造方法 | |
WO2011118104A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6210415B2 (ja) | 紫外線発光素子の製造方法 | |
JP2011061084A (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 | |
JPWO2019004469A1 (ja) | 半導体素子基板の製造方法 | |
JP5783298B2 (ja) | SiC半導体素子の製造方法およびSiC半導体素子 | |
JP7364860B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
JP6740650B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6669144B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
US20130255774A1 (en) | Photovoltaic cell and process of manufacture | |
JP2022077203A (ja) | 貼り合わせウェーハ及び貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP6034694B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5931461B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
US11417528B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer | |
JP5857575B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140304 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140430 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5554126 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |