WO2023281996A1 - 粘着テープ - Google Patents

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WO2023281996A1
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die
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晃良 増田
浩和 佐藤
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マクセル株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing adhesive tape used in the manufacturing process of semiconductor devices, and more particularly to an expandable wafer processing adhesive tape used to obtain a semiconductor chip with a die bond film (adhesive layer).
  • a dicing tape and a die bond film consisting of a base material and an adhesive layer (hereinafter referred to as “adhesive layer ” or “adhesive film”) may be used.
  • the dicing die-bonding film is a detachable die-bonding film (hereinafter sometimes referred to as "adhesive film” or “adhesive layer”) on the adhesive layer of the dicing tape.
  • adhesive film or “adhesive layer”
  • a semiconductor wafer is attached and placed on a die bond film of a dicing die bond film, and the semiconductor wafer is diced together with the die bond film to obtain individual semiconductor chips with an adhesive film.
  • the semiconductor chip is peeled (picked up) from the adhesive layer of the dicing tape together with the die-bonding film as a semiconductor chip with the die-bonding film, and the semiconductor chip is adhered to a lead frame, a wiring board, or another semiconductor chip through the die-bonding film. Stick to the body.
  • the dicing die-bonding film is preferably used from the viewpoint of improving productivity, but in recent years, as a method of obtaining a semiconductor chip with a die-bonding film using a dicing die-bonding film, a conventional full-cut cutting method using a dicing blade rotating at high speed has been used.
  • DBG Dynamic Glass
  • stealth dicing registered trademark
  • the DBG method of (1) above first, without completely cutting the semiconductor wafer using a dicing blade, dividing grooves of a predetermined depth are formed in the surface of the semiconductor wafer, and then the back surface is ground. By adjusting the amount as appropriate until the thickness reaches a predetermined thickness, a divided body of a semiconductor wafer containing a plurality of semiconductor chips or a thinned semiconductor wafer that can be singulated into a plurality of semiconductor chips is obtained. After that, the semiconductor wafer divided body or the semiconductor wafer that can be singulated into the semiconductor chip is attached to a dicing die bond film, and the dicing tape is expanded at a low temperature (eg, -30 ° C. or higher and 0 ° C.
  • a low temperature eg, -30 ° C. or higher and 0 ° C.
  • the die-bonding film embrittled at a low temperature is cleaved into sizes corresponding to individual semiconductor chips along the dividing grooves (hereinafter sometimes referred to as "dividing"). some), or cut together with the semiconductor wafer.
  • the expansion of the dicing tape is performed by pushing up an expansion table provided under the dicing tape.
  • the adhesive layer of the dicing tape is peeled off by pickup to obtain individual semiconductor chips with a die-bonding film.
  • a semiconductor wafer thinned to a predetermined thickness by back grinding is attached to a dicing die bond film, and the inside of the semiconductor wafer is selectively modified by irradiating a laser beam.
  • a line to be diced is formed while forming a region (modified layer).
  • the dicing tape After that, by cool-expanding the dicing tape, cracks are propagated vertically from the modified region to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is individually along the planned dicing line along with the die bond film embrittled at a low temperature. Cleave.
  • the die-bonding film-attached semiconductor chips can be obtained by peeling off from the adhesive layer of the dicing tape by picking up.
  • the dicing tape is required to have sufficient stress and uniform and isotropic extensibility for cleaving the semiconductor wafer with the die-bonding film, and various proposals have been made so far.
  • Patent Document 1 there is no excessive softening in heat treatment when using a thermosetting type surface protection tape, and uniform and isotropic expandability that can be used in the expansion process for dividing the adhesive layer
  • a base film which consists of two or more layers, including a layer other than the bottom layer, which is made of a thermoplastic resin having a temperature of less than 80°C.
  • a modified region is selectively provided inside the semiconductor wafer by stealth dicing, and then the back surface is ground.
  • the semiconductor wafer can be thinned to a predetermined thickness, and a semiconductor wafer with a die-bonding film can be obtained as a divided body or a semiconductor wafer with a die-bonding film that can be separated into individual pieces.
  • SDBG Stepth Dicing Before Griding
  • a gap between adjacent individual semiconductor chips with a die-bonding film (hereinafter referred to as "kerf width A step of expanding the dicing tape at around normal temperature (hereinafter sometimes referred to as “normal temperature expansion”) is performed for the purpose of expanding the “normal temperature expansion”).
  • normal temperature expansion a step of expanding the dicing tape at around normal temperature
  • the stress applied to the dicing tape at the periphery of the expansion (expansion) table becomes greater than at the center of the expansion table. Therefore, when the expanded state is released by lowering the expansion table after normal temperature expansion, the outer peripheral portion of the dicing tape is loosened corresponding to the peripheral portion of the expansion table.
  • heat shrinking process As a means for eliminating such slackness of the dicing tape, hot air is blown onto the slackened portion of the outer peripheral portion of the dicing tape so that the surface temperature of the portion becomes about 80° C., for example, to heat the slackened portion.
  • a heat shrinking process (hereinafter sometimes referred to as a "heat shrinking process") is known in which a material is shrunk and restored to its original state. In order to carry out this step properly, the dicing tape must have high heat shrinkability at a temperature of about 80°C.
  • the region inside the outer peripheral portion of the dicing tape reaches a tension state where a predetermined degree of tension acts.
  • the gap (kerf width) between individual semiconductor chips can be fixed and held while being widened, so that individual cut semiconductor chips with a die-bonding film can be properly picked up from the adhesive layer of the dicing tape. can.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 2002-200000 describes a semiconductor wafer fixing device that can cope with expansion of the chip interval by increasing the elongation rate, sufficiently remove the slack caused by the expansion by blowing hot air, and prevent the occurrence of storage errors when storing the cassette after picking up.
  • a layer containing an ionomer resin having a melting point of 60 to 80°C in an adhesive tape for fixing a semiconductor wafer comprising an adhesive layer on a base film for the purpose of providing an adhesive tape for semiconductor wafers. is disclosed as a semiconductor wafer-fixing adhesive tape comprising at least one layer of
  • Patent Document 3 it has uniform expandability suitable for the step of dividing the adhesive layer by expansion, exhibits sufficient shrinkability in the heat shrinking step, and causes problems due to loosening after the heat shrinking step.
  • a thermoplastic crosslinked resin that has a Vicat softening point specified by JIS K7206 of 50°C or higher and lower than 90°C and an increase in stress due to heat shrinkage of 9 MPa or higher.
  • a base film is disclosed.
  • the wafer processing tape in Patent Document 1 uses a base film having a lowermost layer made of a thermoplastic resin having a Vicat softening point of 80° C. or higher. It is said that the layers can be separated well. However, there is no description of a heat shrink process for removing the slack of the dicing tape after expansion and securing the kerf width between individual semiconductor chips, and the heat shrinkability of the tape for wafer processing. If the Vicat softening point of the thermoplastic resin used for the base film is high, for example, it cannot be said that the heat shrinkability is sufficiently high when hot air is blown so that the surface temperature of the slack portion is about 80 ° C.
  • the slack cannot be restored to its original state by the heat shrink process, and there is a risk that a sufficient kerf width between individual semiconductor chips cannot be ensured.
  • an adhesive layer with a large thickness and high fluidity such as a wire-embedded die-bonding film, which will be described later, can be cut.
  • the base film has at least one layer containing an ionomer resin having a melting point of 60 to 80 ° C. Therefore, the chip interval is expanded by increasing the elongation rate. , the slack caused by the expansion can be sufficiently removed by blowing hot air, and the occurrence of mis-storage can be prevented when the cassette is stored after the end of pick-up.
  • the above heat shrinking process for example, when hot air is blown so that the surface temperature of the slack portion is about 80° C., if the ionomer resin used for the base film has a low melting point, the resin will be excessive during heat shrinking.
  • the adhesive tape for fixing semiconductor wafers may be deformed or, in the worst case, fused.
  • this adhesive tape for fixing semiconductor wafers has stress enough to break the semiconductor wafer together with the die bond film (adhesive layer) when applied to the method of DBG or stealth dicing.
  • the wafer processing tape in Patent Document 3 uses a base film made of a thermoplastic crosslinked resin having a Vicat softening point of 50° C. or more and less than 90° C. and an increase in stress due to heat shrinkage of 9 MPa or more. Therefore, there is very little slack after the heat shrinking process, and the semiconductor chips that have been cut and the adhesive that has been separated into pieces can be stably fixed on the wafer processing tape, and good pick-up properties can be obtained. It is However, according to the studies of the present inventors, depending on the performance of the thermoplastic crosslinked resin used for the base film, for example, the heat shrinkability when hot air is blown so that the surface temperature of the slack part becomes about 80 ° C.
  • the present invention has been made in view of the problems of the prior art, and the process of dividing an adhesive layer, particularly an adhesive layer that is difficult to break represented by a wire-embedded die-bonding film, by expanding.
  • a pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing which has suitable tensile stress, uniform expansibility, and high shrinkability capable of eliminating slackness of the tape caused during expansion in a heat shrinking process.
  • An expandable adhesive tape for wafer processing which is used when dividing an adhesive layer along a chip by expansion, comprising a base film and an adhesive layer provided on the base film. death,
  • the base film includes at least a first resin layer containing an ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more, and a second resin layer containing an ionomer resin that is the same as or different from the ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more.
  • each of the ionomer resins contains an ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer and zinc ions as the base polymer of the resin, and has a Vicat softening temperature defined by JIS K7206 of 50°C as the lower limit and 79°C as the lower limit. has a value within the upper bound,
  • the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid is 100 mass based on the total amount of structural units constituting the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer.
  • the pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing wherein the concentration of the zinc ion is within a range of 0.38 mmol as a lower limit and 0.60 mmol as an upper limit per 1 g of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer.
  • the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid is based on the total amount of structural units constituting the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer.
  • the pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing of form [1] which is in the range of 8.0% by mass or more and 15.0% by mass or less when 100% by mass of
  • the total thickness of the base film is in the range of 60 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, and the thickness of each of the resin layers containing the ionomer resin in the base film at a content ratio of 80% by mass or more is 10 ⁇ m.
  • the total thickness of all resin layers having a range of 50 ⁇ m or less and containing the ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is 65% or more of the total thickness of the base film.
  • the adhesive tape for wafer processing according to any one of [3].
  • the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is an ethylene/(meth)acrylic acid binary copolymer and an ethylene/(meth)acrylic acid/(meth)acrylic acid alkyl ester terpolymer.
  • a wafer processing pressure-sensitive adhesive tape having an adhesive layer detachably provided on the pressure-sensitive adhesive layer of the wafer processing pressure-sensitive adhesive tape of any one of modes [1] to [5].
  • the adhesive layer when the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, the epoxy resin, and the phenol resin, which are resin components, is set to 100 parts by mass as a reference, (a ) The glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer in the range of 17 parts by mass to 51 parts by mass, the epoxy resin in the range of 30 parts by mass to 64 parts by mass, and the phenol resin in the range of 19 parts by mass to 53 parts by mass.
  • the total amount of the resin component is adjusted to 100 parts by mass in the range of 100 parts by mass or less, and (b) the curing accelerator is 0.01 mass parts with respect to 100 parts by mass of the total amount of the epoxy resin and the phenol resin part or more and 0.07 part by mass or less, and (c) an inorganic filler with respect to 100 parts by mass of the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, the epoxy resin and the phenol resin
  • the tape for wafer processing has both tensile stress and uniform expandability suitable for the step of dividing the adhesive layer by expansion, and high shrinkability that can eliminate the slack of the tape that occurs during expansion in the heat shrinking step.
  • Adhesive tape can be provided. That is, the adhesive layer can be cut well, the slack of the tape generated during expansion can be removed by the heat shrinking process, and the cut semiconductor chip and the individualized adhesive layer can be used as the adhesive tape for wafer processing. It can be stably fixed while maintaining a sufficient kerf width. As a result, damage due to contact between adjacent semiconductor chips as described above and re-adhesion due to contact between adhesive layers are suppressed, and pick-up performance is improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a two-layer structure of a substrate film of a wafer processing pressure-sensitive adhesive tape to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a three-layer structure of a substrate film of a wafer processing pressure-sensitive adhesive tape to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of another aspect of the laminated structure of the base film of the pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing to which the present embodiment is applied.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a wafer processing pressure-sensitive adhesive tape to which this embodiment is applied; 1 is a cross-sectional view showing an example of a dicing die-bonding film in which an adhesive layer (die-bonding film) is detachably provided on an adhesive tape for wafer processing (dicing tape) to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 4 is a flow chart explaining a method for manufacturing an adhesive tape for wafer processing. 4 is a flow chart explaining a method for manufacturing a semiconductor chip;
  • FIG. 4 is a perspective view showing a state in which a ring frame (wafer ring) is attached to the outer edge of the dicing die bond film, and a semiconductor wafer processed to be singulated is attached to the center of the die bond film.
  • (a) to (f) are cross-sectional views showing an example of a step of grinding a semiconductor wafer in which a plurality of modified regions are formed by laser light irradiation and a step of bonding the semiconductor wafer to a dicing die-bonding film.
  • (a) to (f) are cross-sectional views showing an example of manufacturing a semiconductor chip using a thin film semiconductor wafer having a plurality of modified regions bonded with a dicing die-bonding film.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one mode of a semiconductor device having a laminated structure using a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding film to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of one mode of another semiconductor device using a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding film to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 10 is a plan view for explaining a method of measuring a gap (kerf width) between semiconductor chips after expansion;
  • 14 is an enlarged plan view of the central portion of the semiconductor wafer in FIG. 13;
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of one mode of a semiconductor device having a laminated structure using a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding film to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of one mode of another semiconductor device using a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding film to which the present embodiment is applied;
  • FIG. 1 are cross-sectional views showing an example of a two-layer structure of the base film 1 of the adhesive tape for wafer processing to which the present embodiment is applied.
  • the ionomer resin contained in the first resin layer and the second resin layer at a content ratio of 80% by mass or more is the same ionomer resin (Fig. 1 (a) see 1-A, 1-type 2-layer type), or the ionomer resin contained in the first resin layer and the second resin layer at a content ratio of 80% by mass or more is different. It may also be an ionomer resin (see (b) 1-B in FIG. 1, two-kind two-layer type).
  • FIG. 2 are cross-sectional views showing an example of a three-layer structure of the base film 1 of the adhesive tape for wafer processing to which the present embodiment is applied.
  • the first resin layer, the second resin layer, and the third resin layer all contain an ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more.
  • the same ionomer resin see (c) 1-C in FIG.
  • one type three-layer type may be used, or the ionomer contained in the first resin layer and the second resin layer at a content ratio of 80% by mass or more
  • the resin is the same ionomer resin, and the ionomer resin contained in the third resin layer at a content ratio of 80% by mass or more is a different type of ionomer resin (see (d) 1-D in FIG. 2, 2-kind 3-layer type).
  • the ionomer resins contained in the first resin layer, the second resin layer, and the third resin layer at a content ratio of 80% by mass or more are all different types of ionomer resins ((e) 1-E in FIG. 2 See, 3-kind 3-layer type).
  • the positions of the layers of the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer are not particularly limited in the entire base film.
  • FIG. 3 are cross-sectional views showing an example of another aspect of the laminated structure of the base film 1 of the adhesive tape for wafer processing to which the present embodiment is applied.
  • the first resin layer and the second resin layer are made of a resin containing the same ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more.
  • the third resin layer is composed of a resin other than the resin containing the ionomer resin constituting the first resin layer and the second resin layer at a content ratio of 80% by mass or more (see (f) 1-F in FIG.
  • the first resin layer and the second resin layer are composed of resins containing different types of ionomer resins at a content ratio of 80% by mass or more
  • the third resin layer is , Constructed from other resins other than the resin containing the ionomer resin constituting the first resin layer and the second resin layer at a content ratio of 80% by mass or more (see (g) 1-G in FIG. 3, three types and three layer types) may have been
  • the positions of the layers of the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer are not particularly limited in the entire base film.
  • the substrate film 1 of the adhesive tape for wafer processing to which the present embodiment is applied includes at least a first resin layer containing an ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more, and an ionomer of the same or different type as the ionomer resin. and a second resin layer containing a resin at a content ratio of 80% by mass or more.
  • a first resin layer containing an ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more and an ionomer of the same or different type as the ionomer resin.
  • a second resin layer containing a resin at a content ratio of 80% by mass or more it is not particularly limited as long as it does not impair the effects of the present invention.
  • the number of layers is preferably in the range of 2 to 5 layers.
  • the positions of the first resin layer and the second resin layer are not particularly limited in the entire base film.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the adhesive tape for wafer processing to which the present embodiment is applied.
  • the wafer processing pressure-sensitive adhesive tape 10 has a structure in which a pressure-sensitive adhesive layer 2 is provided on a base film 1 .
  • a typical example of such a laminated structure is a dicing tape.
  • the surface of the adhesive layer 2 of the adhesive tape 10 for wafer processing (the surface opposite to the surface facing the base film 1) is provided with a base sheet having releasability (release liner ).
  • the base film 1 includes at least a first resin layer containing an ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more, and a second resin layer containing an ionomer resin that is the same as or different from the ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more. and a laminated structure of two or more layers.
  • the adhesive for forming the adhesive layer 2 for example, an active energy ray-curable acrylic adhesive that cures and shrinks when irradiated with an active energy ray such as ultraviolet (UV) to reduce the adhesive force to the adherend.
  • An adhesive or the like is used.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a configuration in which the adhesive layer 3 is detachably provided on the wafer processing pressure-sensitive adhesive tape 10 to which the present embodiment is applied.
  • the adhesive layer 3 is adhered and laminated on the adhesive layer 2 of the adhesive tape 10 for wafer processing in a detachable manner.
  • a typical example of such a laminate structure is the dicing die bond film 20 .
  • the dicing die-bonding film 20 having such a configuration is used, for example, as follows in the semiconductor manufacturing process.
  • a thin semiconductor wafer having dividing grooves formed on the surface by a blade or a thin film semiconductor wafer having a modified layer formed inside by a laser is pasted.
  • the semiconductor wafer is cut together with the die-bonding film 3 by cool expansion to obtain individual semiconductor chips with the die-bonding film 3 attached.
  • a thin semiconductor wafer is attached and held (adhered) on the die bond film 3 of the dicing die bond film 20, and in that state, a modified layer is formed inside the semiconductor wafer with a laser, and then cool expansion is performed.
  • the semiconductor wafer is cut together with the die-bonding film 3 to obtain individual semiconductor chips with the die-bonding film 3 attached.
  • a divided body of a semiconductor wafer containing a plurality of semiconductor chips is adhered and held on the die bond film 3 of the dicing die bond film 20 by transfer from a back grind tape, and then the die bond film 3 is cooled and expanded to the semiconductor chips. , to obtain individual semiconductor chips with the die-bonding film 3 attached.
  • the individual semiconductor chips with the die-bonding film 3 are separated from the adhesive layer 2 of the adhesive tape (dicing tape) 10 for wafer processing by a pick-up process. peel from.
  • the obtained semiconductor chip with the die-bonding film (adhesive film) 3 is fixed to an adherend such as a lead frame, a wiring board, or another semiconductor chip via the die-bonding film (adhesive film) 3 .
  • the surface of the adhesive layer 2 of the wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 (the surface opposite to the surface facing the base film 1) and the surface of the die bond film 3 (the adhesive layer 2) may be provided with a base sheet (release liner) having releasability.
  • the base film 1 of the adhesive tape 10 for wafer processing of the present invention includes at least a first resin layer containing a specific ionomer resin (details will be described later) at a content ratio of 80% by mass or more, and an ionomer resin that is the same as or and a second resin layer containing 80% by mass or more of a specific ionomer resin of a different kind.
  • a specific ionomer resin (details will be described later) at a content ratio of 80% by mass or more
  • an ionomer resin that is the same as or and a second resin layer containing 80% by mass or more of a specific ionomer resin of a different kind When the base film 1 has only one resin layer containing an ionomer resin, that is, when the base film 1 is composed of a single resin layer containing an ionomer resin, the thickness of the base film 1 is particularly large.
  • the resin pressure in the extruder and the motor load may become excessively large during film formation, resulting in poor film forming accuracy of the base film 1 and stable It may become difficult to form a long film.
  • the base film 1 is wound up, unnecessary wrinkles are generated, which may cause problems such as poor appearance and a decrease in pick-up yield.
  • the base film is composed of a lamination of two or more layers including at least a first resin layer containing an ionomer resin and a second resin layer, the base film 1 having a single-layer structure and the same thickness is formed.
  • the extrusion flow rate can be controlled without excessively increasing the resin pressure and motor load in the extruder, so it is suitable from the viewpoint of film formation accuracy and stable film formation, and is unnecessary for the base film 1. It does not cause wrinkles.
  • it is suitable in that the film forming speed of the base film 1 can be increased, and the balance of physical properties such as tensile stress and uniform expansibility during expansion and shrinkage in the heat shrinking process can be easily controlled.
  • containing at a content ratio of 80% by mass or more means that when the mass of the entire resin in each of the first resin layer and the second resin layer is 100% by mass as a reference, the above specific It means that the content ratio of the ionomer resin is 80% by mass or more.
  • the content ratio of the specific ionomer resin is preferably in the range of 85% by mass or more and 100% by mass or less, and more preferably in the range of 90% by mass or more and 100% by mass or less. That is, the first resin layer and the second resin layer of the base film 1 may be composed only of the specific ionomer resin.
  • the content ratio of the specific ionomer resin is less than 80% by mass, the mechanical properties expressed by the appropriate and highly crosslinked structure of the ionomer resin, that is, the tensile stress during expansion of the adhesive tape 10 for wafer processing and Uniform expansibility and shrinkage in the heat shrinkage process are insufficient, and as a result, there is a risk that the die bond film (adhesive layer) 3 will not be cut well, and a sufficient kerf width between individual semiconductor chips cannot be secured. Good pick-up property may not be obtained.
  • the number of resin layers of the base film 1 having a laminated structure of two or more layers is not particularly limited, but is in the range of two to five layers from the viewpoint of the properties and productivity of the base film 1. It is preferable that the thickness is in the range of 2 to 3 layers. Although details will be described later, the total thickness of all the resin layers containing the specific ionomer resin in the base film 1 at a content ratio of 80% by mass or more is 65% or more of the total thickness of the base film 1. is preferably It is more preferably in the range of 80% or more and 100% or less, and still more preferably in the range of 90% or more and 100% or less.
  • the third resin layer is shown in FIG.
  • the resin may contain the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more, or may be composed of the specific ionomer resin alone.
  • the third resin layer is composed of a resin other than the resin containing the specific ionomer resin constituting the first resin layer and the second resin layer at a content ratio of 80% by mass or more as shown in FIG. may have been
  • the total thickness of all the resin layers containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is equal to the thickness of the substrate It corresponds to 100% of the total thickness of the film 1 and is particularly preferable as the present embodiment.
  • the thickness of each of the first resin layer and the second resin layer containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is is preferably 65% or more of the total thickness of the base film 1, more preferably 80% or more and 99% or less, and still more preferably 90% or more and 99% or less.
  • the ionomer resin is suitable and high
  • the mechanical properties expressed by such a crosslinked structure that is, the tensile stress and uniform expandability during expansion of the adhesive tape 10 for wafer processing, and the shrinkage properties during the heat shrinkage process become insufficient, resulting in a die bond film (adhesive There is a risk that the layer) 3 will not be cut satisfactorily, or that a sufficient kerf width between individual semiconductor chips cannot be secured, resulting in a risk that good pick-up properties cannot be obtained.
  • ⁇ Ionomer resin> A specific ionomer resin contained in the first resin layer and the second resin layer of the base film 1 of the present embodiment at a content ratio of 80% by mass or more will be described.
  • All of the above-mentioned specific ionomer resins contain an ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer and zinc ions as the base polymer of the resin, and the Vicat softening temperature specified by JIS K7206 has a lower limit of 50 ° C., 79 It has a value within a range with an upper limit of °C.
  • the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid is 100 mass based on the total amount of structural units constituting the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer.
  • the zinc ion concentration has a value within a range with a lower limit of 0.38 mmol and an upper limit of 0.60 mmol per 1 g of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer.
  • the ionomer resin used for the base film 1 by setting the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid and the concentration of zinc ions contained in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer to the above range, although the details will be described later, zinc ions appropriately neutralize the acid groups of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer, and in the continuous layer of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer, the unsaturated carboxylic acid.
  • ion aggregates (clusters) formed by aggregates of ionic bonds of carboxylate ions of the derived acid groups and zinc ions is sufficient and appropriate, and the cross-linking morphology is optimized, making it suitable for the cool expansion process. It is possible to realize an adhesive tape for wafer processing that has both tensile stress, uniform expansibility, and high shrinkability that can eliminate slackness of the tape that occurs during expansion in the heat-shrinking process.
  • the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer is at least a two-component copolymer obtained by copolymerizing ethylene and an unsaturated carboxylic acid, and is further copolymerized with other copolymer components such as the third and fourth copolymers. It may be a ternary or higher multi-dimensional copolymer.
  • the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer may be used alone, or two or more ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymers may be used in combination.
  • Examples of the unsaturated carboxylic acid constituting the ethylene/unsaturated carboxylic acid binary copolymer include acrylic acid, methacrylic acid, ethacrylic acid, itaconic acid, itaconic anhydride, fumaric acid, crotonic acid, maleic acid, and anhydride.
  • Unsaturated carboxylic acids having 4 to 8 carbon atoms such as maleic acid and the like are included. Among these, acrylic acid or methacrylic acid is preferable as the unsaturated carboxylic acid.
  • the second Other copolymer components such as third, fourth and the like may also be included.
  • Other copolymerization components such as third and fourth include unsaturated carboxylic acid esters, unsaturated hydrocarbons, vinyl esters, oxides such as vinyl sulfuric acid and vinyl nitric acid, halogen compounds, and vinyl group-containing primary and secondary amines. compounds, carbon monoxide, sulfur dioxide, and the like. Among these, unsaturated carboxylic acids and unsaturated hydrocarbons are preferred as other copolymerization components.
  • the unsaturated carboxylic acid ester is preferably an unsaturated carboxylic acid alkyl ester, and the number of carbon atoms in the alkyl moiety of the alkyl ester is preferably 1 or more and 12 or less, more preferably 1 or more and 8 or less, and 1 or more and 4 or less. is more preferred.
  • alkyl moieties include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, 2-ethylhexyl, isooctyl, and the like.
  • unsaturated carboxylic acid alkyl ester examples include unsaturated carboxylic acid alkyl esters in which the number of carbon atoms in the alkyl moiety ranges from 1 to 12 (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, isobutyl acrylate, acrylic acid n acrylic acid alkyl esters such as -butyl and isooctyl acrylate; methacrylic acid alkyl esters such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate and isobutyl methacrylate; and maleic acid alkyl esters such as dimethyl maleate and diethyl maleate).
  • unsaturated carboxylic acid alkyl esters in which the number of carbon atoms in the alkyl moiety ranges from 1 to 12 (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, isobutyl acrylate, acrylic acid n acrylic acid alkyl esters such as -butyl
  • (meth)acrylic acid alkyl esters in which the number of carbon atoms in the alkyl moiety ranges from 1 to 4 are more preferable.
  • Isobutyl methacrylate, in which the alkyl moiety has 4 carbon atoms, is particularly preferred from the viewpoint of uniform expandability including control of the Vicat softening temperature and suppression of the necking phenomenon during expansion of the adhesive tape 10 for wafer processing.
  • Examples of the unsaturated hydrocarbons include propylene, butene, 1,3-butadiene, pentene, 1,3-pentadiene, and 1-hexene.
  • Examples of the vinyl ester include vinyl acetate and vinyl propionate, and examples of the halogen compound include vinyl chloride and vinyl fluoride.
  • the form of the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer may be a block copolymer, a random copolymer, or a graft copolymer. Any combination is acceptable. Among them, a binary random copolymer, a ternary random copolymer, a graft copolymer of a binary random copolymer, or a graft copolymer of a ternary random copolymer is preferable in terms of industrial availability. , a binary random copolymer or a ternary random copolymer are more preferable, and a ternary random copolymer is more preferable from the viewpoint of uniform expandability when the pressure-sensitive adhesive tape 10 for wafer processing is expanded.
  • ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer examples include ethylene/(meth)acrylic acid binary copolymers such as ethylene/acrylic acid copolymers and ethylene/methacrylic acid copolymers, Examples include terpolymers of ethylene/(meth)acrylic acid/(meth)acrylic acid alkyl ester such as ethylene/methacrylic acid/isobutyl acrylate copolymer. From the viewpoint of expandability, a terpolymer of ethylene/(meth)acrylic acid/(meth)acrylic acid alkyl ester such as ethylene/methacrylic acid/isobutyl acrylate copolymer is preferable.
  • commercial products marketed as ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymers may be used, for example, Nucrel (registered trademark) series manufactured by DuPont Mitsui Polychemicals, etc. may be used.
  • the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid is 100 mass based on the total amount of structural units constituting the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer. %, it has a value within a range with a lower limit of 6.9% by mass and an upper limit of 18.0% by mass.
  • the lower limit of the content ratio of the structural unit derived from the unsaturated carboxylic acid is preferably 8.0% by mass, more preferably 10.0% by mass.
  • the upper limit is preferably 15.0% by mass, more preferably 12.0% by mass.
  • the acid group (carboxyl group) possessed by the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is converted into zinc ions at an arbitrary ratio.
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 may not be cut well, or a sufficient kerf width between individual semiconductor chips may not be ensured, resulting in poor pick-up performance.
  • the Vicat softening temperature may become too high.
  • the content ratio of the structural unit derived from the unsaturated carboxylic acid exceeds 18.0% by mass, the mechanical properties of the base film 1 may become insufficient.
  • the Vicat softening temperature which will be described later, may become too low.
  • the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is an unsaturated carboxylic acid ester when the total amount of the structural units constituting the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is 100% by mass of the reference. It is preferable that the content ratio of the derived structural unit has a value within a range with a lower limit of 0% by mass and an upper limit of 16.0% by mass. From the viewpoint of uniform expandability including suppression of the necking phenomenon during expansion of the adhesive tape for wafer processing 10, the lower limit of the content ratio of the structural unit derived from the unsaturated carboxylic acid ester is more preferably 1.5% by mass. Preferably, 5.0% by mass is more preferable.
  • the upper limit is more preferably 15.0% by mass, still more preferably 12.0% by mass. If the content ratio of the constituent units derived from the unsaturated carboxylic acid ester exceeds 16.0% by mass, the Vicat softening temperature, which will be described later, may become too low depending on the content ratio of the unsaturated carboxylic acid. In addition, blocking or fusion may occur in the base film 1 .
  • the preferred copolymerization ratio is that the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer is When the total amount of the constituting structural units is 100% by mass of the reference, the content ratio of the structural units derived from ethylene is in the range of 82.0% by mass or more and 93.1% by mass or less, and is derived from an unsaturated carboxylic acid The content ratio of the structural units is in the range of 6.9% by mass or more and 18.0% by mass or less.
  • the content ratio of structural units derived from ethylene is in the range of 85.0% by mass or more and 92.0% by mass or less, and the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid is 8.0% by mass or more. The range is 15.0% by mass or less.
  • the preferred copolymerization ratio is the ethylene/unsaturated carboxylic acid
  • the content ratio of the structural units derived from ethylene is in the range of 66.0% by mass to 91.6% by mass
  • unsaturated is in the range of 6.9% by mass or more and 18.0% by mass or less
  • the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid ester is in the range of 1.5% by mass or more.16.
  • the range is 0% by mass or less, and the total amount is adjusted to 100% by mass. More preferably, the content ratio of structural units derived from ethylene is in the range of 70.0% by mass or more and 87.0% by mass or less, and the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid is 8.0% by mass or more. It is in the range of 15.0% by mass or less, and the content ratio of the structural unit derived from the unsaturated carboxylic acid ester is in the range of 5.0% by mass or more and 15.0% by mass or less.
  • Ionomer resins are usually composed of lithium ions, sodium ions, potassium ions, rubidium ions, cesium ions, zinc ions, and magnesium ions. Although it is neutralized at an arbitrary ratio with metal ions such as ions and manganese ions, the specific ionomer resin applied to the base film 1 of the present embodiment has a stabilization of the crosslinked structure (strong crosslinked From the viewpoint of bonding), the acid groups contained in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer that is the base polymer of the resin and the zinc ion are contained in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer that is the base polymer of the resin. At least part of is neutralized with zinc ions, which are divalent metal ions.
  • Examples of the zinc ion supply source include zinc oxides, hydroxides, carbonates, bicarbonates, acetates, formates, and organic acid salts. Specific examples include zinc oxide, zinc hydroxide, zinc acetate, zinc stearate, and basic zinc carbonate. Among these, zinc oxide and zinc stearate are preferred. These zinc ion sources may be used singly or in combination of two or more.
  • the content ratio of structural units derived from unsaturated carboxylic acid which is the base polymer of the resin, is within a range with a lower limit of 6.9% by mass and an upper limit of 18.0% by mass.
  • a source of zinc ions is added to the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer adjusted to be an arbitrary ratio of acid groups (carboxyl groups) possessed by the copolymer by zinc ions. It is obtained by neutralizing (crosslinking) with.
  • any ionomer resin may not be used.
  • the concentration of the zinc ions in the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer in which the content ratio of the constituent units is specified is extremely important. That is, in the specific ionomer resin applied to the base film 1 of the present embodiment, the concentration of the zinc ion is 0.38 mmol per 1 g of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer as a lower limit, and 0 The value is adjusted so as to be within a range with an upper limit of 0.60 mmol.
  • the lower limit of the zinc ion concentration is preferably 0.41 mmol, more preferably 0.46 mmol.
  • the upper limit is preferably 0.55 mmol, more preferably 0.52 mmol.
  • the zinc ion concentration is less than 0.38 mmol, the cross-linking effect of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer by zinc ions is small, and the continuous layer of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is unsaturated. Since the development of ion aggregates (clusters) formed by aggregates of ionic bonds of carboxylate ions of acid groups derived from carboxylic acid and zinc ions is also insufficient, uniform expansion of the adhesive tape 10 for wafer processing during expansion. As a result, a sufficient kerf width between individual semiconductor chips cannot be ensured, and good pick-up performance may not be obtained.
  • the melt viscosity of the resin may be high depending on the content ratio of the unsaturated carboxylic acid in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer, which is the base polymer of the specific ionomer resin. If it becomes too high, the resin pressure in the extruder increases and the motor load increases, which may make it difficult to form a film stably.
  • the concentration of the zinc ion is within the above range, in the continuous layer of the ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer, an aggregation of ionic bonds between the carboxylate ion of the acid group derived from the unsaturated carboxylic acid and the zinc ion Since the formed ionic aggregates (clusters) develop sufficiently and appropriately, the cross-linking effect makes the ionic aggregates (clusters) less likely to be destroyed even when the base film 1 is expanded, and the ionic aggregates (clusters) are formed together with the expansion. The number of tensions in the molecular chains between them increases and moderate tensile stress develops.
  • the entropic elasticity works strongly, and the stretched and oriented molecules easily return to their original state. That is, the tensile stress during stretching of the base film 1 and the restoring force during heating against the strain after stretching are sufficient, and the adhesive tape for wafer processing 10 has an appropriate tensile stress and uniform expansibility during expansion, and a heating effect. It is possible to achieve both shrinkability in the shrinking process. As a result, the adhesive layer 3 can be broken well, a sufficient kerf width between individual semiconductor chips can be secured, and a good pick-up property can be obtained.
  • the above-mentioned specific ionomer resin has a Vicat softening temperature defined by JIS K7206 within a range with a lower limit of 50°C and an upper limit of 79°C.
  • the lower limit of the Vicat softening temperature is preferably 54°C, more preferably 57°C.
  • the upper limit is preferably 74°C, more preferably 64°C. If the specific ionomer resin has a Vicat softening temperature of less than 50°C, blocking may occur during film formation or pressure-sensitive adhesive tape production.
  • the resin in the heat shrinking process, for example, if hot air is blown so that the surface temperature of the slack part becomes about 80 ° C., the resin will be excessively softened and fluidized during heat shrinking, so the adhesive for wafer processing There is a risk that the tape 10 will be deformed or fused more than necessary.
  • the Vicat softening temperature of the specific ionomer resin is 80°C or higher, the heat shrinkability becomes insufficient when hot air is blown so that the surface temperature of the slack portion becomes about 80°C, for example. A sufficient kerf width between individual semiconductor chips cannot be ensured, and there is a risk that good pick-up properties cannot be obtained.
  • the step of dividing the adhesive layer by expanding is performed. It is possible to achieve both suitable tensile stress and uniform expansibility, as well as high shrinkability (resilience) suitable for the process of eliminating and removing the slackness of the tape generated during expansion (heat shrinkage process).
  • the specific ionomer resin contained in the first resin layer and the second resin layer of the base film 1 at a content ratio of 80% by mass or more has been described. and a laminated structure of three or more layers having other resin layers having the same structure as the first resin layer and the second resin layer in addition to the second resin layer (for example, the embodiment shown in FIG. 2), of course
  • the ionomer resin contained in the other resin layer at a content ratio of 80% by mass or more the specific ionomer resin described above can be used.
  • the first resin layer and the second resin layer that the base film 1 has are within the range that does not hinder the effects of the present invention, that is, the mass of the entire resin in the first resin layer and the second resin layer is 100 based on each standard. In terms of % by mass, other resins than the specific ionomer resin can be contained at a content rate of 20% by mass or less. Also, when the third, fourth, etc. resin layers laminated on the first resin layer and the second resin layer contain the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more, the specific ionomer resin A resin other than the ionomer resin can be contained at a content rate of 20% by mass or less.
  • the other resin layer contains 80% of the specific ionomer resin constituting the first resin layer and the second resin layer. It can also be composed of other resins other than the resins contained at a content ratio of mass % or more.
  • thermoplastic resins are not particularly limited, but thermoplastic resins are preferable.
  • the thermoplastic resin include ionomer resins other than the specific ionomer resins, thermoplastic olefin copolymers, thermoplastic polyurethanes, thermoplastic polyamides, thermoplastic styrene resins, thermoplastic polyesters, and thermoplastic acrylic resins.
  • thermoplastic resins include thermoplastic olefin copolymers such as ethylene/propylene copolymer elastomers and ethylene/1-butene copolymer elastomers, and thermal resins such as nylon 6 and nylon 6/12.
  • Plastic polyamides and thermoplastic polyether/polyolefin copolymers are preferable, and thermoplastic polyamides are more preferable from the viewpoint of the splitting property of the adhesive layer 3 .
  • thermoplastic resins may be used singly or in combination of two or more.
  • the Vicat softening temperature of the other resin is is not particularly limited, but is preferably selected appropriately so that the Vicat softening temperature of the mixed resin is in the range of 50°C or higher and lower than 80°C.
  • the other resin layer laminated on the first resin layer and the second resin layer is composed of a resin other than the resin containing the above-mentioned specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more
  • the other resin The Vicat softening temperature is preferably in the range of 50°C or more and less than 80°C.
  • the resin used for each resin layer constituting the substrate film 1 of the present embodiment may contain other components other than the resin of the present embodiment within a range that does not impair the effects of the present invention. .
  • Other components are not particularly limited. Dyes, pigments, lubricants, impact modifiers, metal deactivators, flame retardants, flame retardant aids, slip agents, reinforcing agents, release agents, and the like. Other components may be used singly or in combination of two or more. The content of these other components is not particularly limited, but should be within a range in which the base film 1 exhibits desired functions and does not lose its expandability and heat-shrinkability.
  • the total thickness of the substrate film 1 of the present embodiment is not particularly limited, the lower limit thereof is preferably 60 ⁇ m, more preferably 70 ⁇ m. On the other hand, its upper limit is preferably 150 ⁇ m, more preferably 120 ⁇ m. If the total thickness of the base film 1 is less than 60 ⁇ m, the strength may be insufficient for holding the ring frame during dicing, for example. On the other hand, if the total thickness of the base film 1 exceeds 150 ⁇ m, for example, expandability may be poor. Further, when the substrate film 1 or the adhesive tape for wafer processing 10 is wound into a long roll, there is a possibility that a stepped mark may be formed on the winding core.
  • each of the resin layers containing the specific ionomer resin in the base film 1 at a content ratio of 80% by mass or more is not particularly limited, but the lower limit thereof is preferably 10 ⁇ m, more preferably 20 ⁇ m. preferable.
  • the upper limit thereof is preferably 50 ⁇ m, more preferably 40 ⁇ m.
  • the total thickness of all the resin layers containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is not particularly limited, but the lower limit is 65% of the total thickness of the base film 1. is preferred, 80% is more preferred, 90% is even more preferred, and the upper limit is 100%.
  • the base film 1 adjusted in this way, since the mechanical properties expressed by the appropriate and highly crosslinked structure of the specific ionomer resin are sufficiently reflected, the tensile stress when the base film 1 is stretched , uniform expansibility and sufficient restoring force upon heating against strain after stretching. As a result, the die-bonding film (adhesive layer) 3 is cut well, and the kerf width between the individual semiconductor chips is sufficiently secured, so good pick-up property is obtained.
  • each resin layer containing the specific ionomer resin in the base film 1 at a content ratio of 80% by mass or more has a thickness of 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less. It is preferable to laminate and manufacture the base film 1 so that the total thickness of the base film 1 is in the range of 60 ⁇ m to 150 ⁇ m. Compared to film production, the extrusion flow rate can be controlled without excessively increasing the resin pressure and motor load in the extruder, which is preferable from the viewpoint of film formation accuracy and stable film formation.
  • the total thickness of the other resin layers is the total thickness of the base film 1. It is preferable to adjust the thickness appropriately so that the thickness is in the range of 60 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less. It is preferable to adjust the total thickness of the other resin layers, for example, within a range of 0.6 ⁇ m or more and 52 ⁇ m or less.
  • the method for producing the substrate film 1 of the present embodiment is not particularly limited, but for example, the resin composition for forming the first resin layer and the resin composition for forming the second resin layer are mixed.
  • a T-die coextrusion method or an inflation coextrusion method can be used in which the resin compositions are supplied to separate extruders, melted, and extruded from a single die.
  • separate extruders corresponding to the number of layers may be used.
  • a method of extrusion laminating a second resin layer on a preformed first resin layer a method of extrusion laminating a second resin layer between two preformed first resin layers, or the like can also be used.
  • the T-die co-extrusion method is preferable from the viewpoint of uniform extensibility of the base film 1 and production efficiency.
  • the resin tends to be oriented, so there is a possibility that the uniform extensibility may be lowered.
  • the extrusion lamination method requires one layer to be formed into a film in advance, the production efficiency is poor.
  • the T-die co-extrusion method it is desirable to employ a T-die co-extrusion-nip roll forming method using a nip roll having fine unevenness on the surface.
  • the resin composition is extruded from a T-die and sandwiched between a cooling roll and a nip roll having fine irregularities (nip roll molding), for example, the specific ionomer resin having a low Vicat softening point is used as the outermost layer of the base film 1. Even if the resin layer containing In addition, it is possible to secure the anti-blocking property of the base film 1 after film formation and the roll-shaped raw material of the pressure-sensitive adhesive tape for wafer processing after processing.
  • the adhesive tape 10 for wafer processing of the present invention has a configuration in which an adhesive layer 2 for holding (temporarily fixing) a semiconductor wafer is provided on one surface of the base film 1 described above. Further, the surface of the adhesive layer 2 of the adhesive tape 10 for wafer processing (the surface opposite to the surface facing the base film 1) is provided with a base sheet (release liner) having releasability. good too.
  • the adhesive for forming the adhesive layer 2 for example, conventionally known adhesive compositions such as acrylic, silicone, polyester, polyvinyl acetate, polyurethane, and rubber can be used.
  • active energy ray-curable acrylics that cure and shrink when irradiated with active energy rays such as ultraviolet rays (UV) reduce the adhesive force to the adherend.
  • active energy rays such as ultraviolet rays (UV)
  • a pressure-sensitive adhesive composition is preferably used.
  • active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition typically, an acrylic pressure-sensitive adhesive polymer having a photosensitive carbon-carbon double bond and a functional group (hereinafter referred to as "active energy ray-curable acrylic Sometimes referred to as "adhesive polymer"), a photopolymerization initiator, and an adhesive composition (A) comprising a cross-linking agent that reacts with the functional group, or an acrylic adhesive polymer having a functional group, An active energy ray-curable compound, a photopolymerization initiator, and a pressure-sensitive adhesive composition (B) comprising a cross-linking agent that reacts with the functional group are included, but are not particularly limited thereto.
  • active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition typically, an acrylic pressure-sensitive adhesive polymer having a photosensitive carbon-carbon double bond and a functional group (hereinafter referred to as "adhesive polymer”), a photopolymerization initiator, and an adhesive composition (A) comprising a cross
  • the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer of the former embodiment, the photopolymerization initiator, and the A pressure-sensitive adhesive composition (A) comprising a cross-linking agent that reacts with functional groups is preferred.
  • the term "functional group” as used herein refers to a thermally reactive functional group that can coexist with a carbon-carbon double bond. Examples of such functional groups are functional groups that thermally react with active hydrogen groups such as hydroxyl groups, carboxyl groups and amino groups, and active hydrogen groups such as glycidyl groups.
  • An active hydrogen group refers to a functional group having an element other than carbon, such as nitrogen, oxygen or sulfur, and hydrogen directly bonded thereto.
  • the adhesive composition (A) contains a photosensitive carbon-carbon double bond and an acrylic adhesive polymer having a functional group, a photopolymerization initiator, and a cross-linking agent that reacts with the functional group.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive polymer having a carbon-carbon double bond and a functional group in the pressure-sensitive adhesive composition (A) one having a carbon-carbon double bond introduced into the molecular side chain is used.
  • the method for producing an acrylic adhesive polymer having a carbon-carbon double bond and a functional group is not particularly limited, but usually a (meth)acrylic acid ester and a functional group-containing unsaturated compound are used together.
  • a method of obtaining a copolymer by polymerization and subjecting the functional group of the copolymer to addition reaction with a functional group capable of addition reaction and a compound having a carbon-carbon double bond can be mentioned.
  • the copolymer (hereinafter sometimes referred to as "copolymer having a functional group”) before the addition reaction of the compound having the functional group and the carbon-carbon double bond includes: Examples thereof include copolymers containing (meth)acrylic acid alkyl ester monomers and active hydrogen group-containing monomers and/or glycidyl group-containing monomers.
  • Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester monomers include hexyl (meth)acrylate having 6 to 18 carbon atoms, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, nonyl ( meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) Acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, or penty
  • Examples of the active hydrogen group-containing monomer include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, and the like.
  • hydroxyl group-containing monomers carboxyl group-containing monomers such as (meth)acrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, and isocrotonic acid; acid anhydride group-containing monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; monomer, (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N-methylol(meth)acrylamide, N-methylolpropane(meth)acrylamide, N-methoxymethyl(meth) Amide-based monomers such as acrylamide and N-butoxymethyl (meth)acrylamide; amino ethyl (meth)acrylate, N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate, t-butylaminoethyl (meth)acrylate group-containing monomers, and the like.
  • active hydrogen group-containing monomer components may be used alone or
  • the content of the thermally reactive functional group is not particularly limited, it is preferably in the range of 0.5% by mass or more and 50% by mass or less based on the total amount of the copolymerizable monomer components.
  • suitable functional group-containing copolymers obtained by copolymerizing the above monomers include a binary copolymer of 2-ethylhexyl acrylate and acrylic acid, and a copolymer of 2-ethylhexyl acrylate and acrylic acid.
  • Examples include, but are not limited to, tetrapolymers of -ethylhexyl, methyl methacrylate, 2-hydroxye
  • the above functional group-containing copolymer may contain other comonomer components as necessary.
  • specific examples of such other copolymerizable monomer components include cyano group-containing monomers such as (meth)acrylonitrile, olefinic monomers such as ethylene, propylene, isoprene, butadiene and isobutylene.
  • styrene ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene and other styrene monomers, vinyl acetate, vinyl propionate and other vinyl ester monomers, methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether and other vinyl ether monomers, vinyl chloride, chloride Halogen atom-containing monomers such as vinylidene, alkoxy group-containing monomers such as methoxyethyl (meth)acrylate and ethoxyethyl (meth)acrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, N-methylvinylpyrrolidone, N- vinylpyridine, N-vinylpiperidone, N-vinylpyrimidine, N-vinylpiperazine, N-vinylpyrazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholine, N-vinylcaprolactam, N-( Examples include mono
  • the acrylic adhesive polymer having the functional group preferably has a glass transition temperature (Tg) in the range of -70°C or higher and 15°C or lower, more preferably in the range of -60°C or higher and -10°C or lower. .
  • Tg glass transition temperature
  • the above-mentioned acrylic adhesive polymer having a carbon-carbon double bond and a functional group uses the above-mentioned copolymer having a functional group, and a functional group capable of undergoing an addition reaction with the functional group possessed by the copolymer. It can be obtained by an addition reaction of a compound having a group and a carbon-carbon double bond.
  • Examples of such compounds having a functional group and a carbon-carbon double bond include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 4 Isocyanate compounds having a (meth)acryloyloxy group such as -methacryloyloxy-n-butyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate can be used. Further, when the addition reaction is performed on the carboxyl group in the side chain of the copolymer, glycidyl (meth)acrylate, 2-(1-aziridinyl)ethyl (meth)acrylate, etc. are used as the compound. be able to. Furthermore, (meth)acrylic acid or the like can be used as the compound when the addition reaction is performed on the glycidyl group in the side chain of the copolymer.
  • an isocyanate group and a carbon As the addition reaction, from the viewpoint of ease of reaction tracking (stability of control) and technical difficulty, an isocyanate group and a carbon
  • the most preferred method is a method of subjecting a compound having a -carbon double bond (an isocyanate compound having a (meth)acryloyloxy group) to an addition reaction.
  • the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer is crosslinked with a crosslinking agent such as a polyisocyanate crosslinking agent or an epoxy crosslinking agent, which will be described later, to further increase the molecular weight. It is preferable that a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group or a glycidyl group is left in the base.
  • the hydroxyl group (—OH) in the side chain of the copolymer (meth) may be adjusted so that the isocyanate group (--NCO) equivalent ratio [(NCO)/(OH)] of the isocyanate compound having an acryloyloxy group is less than 1.0.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive polymer having a carbon-carbon double bond such as a (meth)acryloyloxy group and a functional group, that is, an active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive polymer can be obtained.
  • a polymerization inhibitor so that the active energy ray reactivity of the carbon-carbon double bond is maintained.
  • a quinone-based polymerization inhibitor such as hydroquinone monomethyl ether is preferable.
  • the amount of the polymerization inhibitor is not particularly limited, it is usually in the range of 0.01 part by mass or more and 0.1 part by mass or less with respect to the total amount of the copolymer having a functional group and the active energy ray-reactive compound. Preferably.
  • the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer preferably has a weight average molecular weight Mw in the range of 100,000 to 2,000,000.
  • Mw weight average molecular weight
  • a high-viscosity active energy ray curing agent of several thousand cP or more and tens of thousands of cP or less is used. It is difficult to obtain a solution of the flexible resin composition, which is not preferable.
  • the cohesive force of the adhesive layer 2 before the irradiation of the active energy ray becomes small, for example, when the semiconductor chip with the die bonding film 3 is detached from the adhesive layer 2 after the irradiation with the active energy ray, the semiconductor wafer with the die bonding film 3 may contaminate the
  • the weight-average molecular weight Mw exceeds 2,000,000, there is no particular problem in terms of properties as an adhesive, but it is difficult to mass-produce the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer.
  • the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer may gel during synthesis, which is not preferable.
  • the weight average molecular weight Mw of the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer is more preferably 300,000 or more and 1,500,000 or less.
  • the weight average molecular weight Mw means a standard polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography.
  • the carbon-carbon double bond content of the acrylic adhesive polymer having a carbon-carbon double bond and a functional group is an amount that can obtain a sufficient adhesive force reduction effect in the adhesive layer 2 after irradiation with an active energy ray.
  • the carbon-carbon double bond content is, for example, 0.85 meq/g or more and 1.60 meq/g or less. A range is preferred.
  • the carbon-carbon double bond content is less than 0.85 meq/g, the effect of reducing the adhesive strength of the adhesive layer 2 after irradiation with active energy rays is reduced, and pick-up failures of the semiconductor chip with the adhesive layer 3 increase.
  • the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition contains a photopolymerization initiator that generates radicals upon exposure to active energy rays.
  • the photopolymerization initiator receives the irradiation of the active energy ray to the adhesive layer at the time of detachment of the adherend, generates radicals, and the carbon that the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer in the adhesive layer 2 has - initiates the cross-linking reaction of carbon double bonds.
  • the pressure-sensitive adhesive layer further hardens and shrinks under the irradiation of active energy rays, thereby reducing the adhesive force to the adherend.
  • photopolymerization initiator compounds that generate radical active species by ultraviolet rays or the like are preferable, and examples thereof include alkylphenone radical polymerization initiators, acylphosphine oxide radical polymerization initiators, oxime ester radical polymerization initiators, and the like. be done. These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • alkylphenone-based radical polymerization initiators examples include benzylmethylketal-based radical polymerization initiators, ⁇ -hydroxyalkylphenone-based radical polymerization initiators, ⁇ -aminoalkylphenone-based radical polymerization initiators, and the like.
  • benzyl methyl ketal-based radical polymerization initiator examples include, for example, 2,2'-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one (eg, trade name: Omnirad 651, IGM Resins B.V. company) and the like.
  • ⁇ -hydroxyalkylphenone-based radical polymerization initiator examples include, for example, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one (trade name: Omnirad 1173, IGM Resins B.V.
  • ⁇ -aminoalkylphenone-based radical polymerization initiator examples include, for example, 2-methyl-1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropan-1-one (trade name: Omnirad 907, IGM Resins B.V.), 2-benzyl-2-(dimethylamino)-4'-morpholinobtyrophenone (trade name: Omnirad 369, manufactured by IGM Resins B.V.), 2-dimethylamino-2-( 4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one (trade name: Omnirad 379EG, manufactured by IGM Resins B.V.) and the like.
  • acylphosphine oxide-based radical polymerization initiator examples include, for example, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide (trade name: OmniradTPO, manufactured by IGM Resins B.V.), bis (2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide (trade name: Omnirad 819, manufactured by IGM Resins B.V.) and the like.
  • oxime ester-based radical polymerization initiator examples include 1,2-octanedione, 1-[4-(phenylthio)phenyl]-,2-(O-benzoyloxime) (trade name: Omnirad OXE-01, IGM Resins B.V.). V. Co.) and the like.
  • the amount of the photopolymerization initiator added is in the range of 0.1 parts by mass or more and 10.0 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the solid content of the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer. preferable. If the amount of the photopolymerization initiator added is less than 0.1 parts by mass, the photo-radical crosslinking reaction of the acrylic adhesive polymer is not sufficient even if the active energy ray is irradiated because the photoreactivity with respect to the active energy ray is insufficient.
  • the curing and shrinkage of the adhesive become insufficient, and as a result, the effect of reducing the adhesive force in the adhesive layer 2 after irradiation with active energy rays is reduced, and there is a risk that pickup defects of semiconductor chips may increase.
  • the amount of the photopolymerization initiator added exceeds 10.0 parts by mass, the effect is saturated, which is not preferable from the viewpoint of economy.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 may turn yellow and have a poor appearance.
  • compounds such as dimethylaminoethyl methacrylate and isoamyl 4-dimethylaminobenzoate may be added to the adhesive as sensitizers for such photopolymerization initiators.
  • the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition (adhesive composition (A)) further contains a cross-linking agent for increasing the molecular weight of the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive polymer. do.
  • a cross-linking agent is not particularly limited, and is a known cross-linking agent having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group, a carboxyl group, a glycidyl group, or the like, which is a functional group possessed by the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer. agent can be used.
  • polyisocyanate-based cross-linking agents examples include polymer-based cross-linking agents.
  • polyisocyanate-based cross-linking agent or an epoxy-based cross-linking agent from the viewpoint of reactivity and versatility.
  • cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the cross-linking agent to be blended is preferably in the range of 0.01 parts by mass or more and 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the solid content of the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer.
  • polyisocyanate-based cross-linking agent examples include polyisocyanate compounds having an isocyanurate ring, adduct polyisocyanate compounds obtained by reacting trimethylolpropane and hexamethylene diisocyanate, and adducts obtained by reacting trimethylolpropane and tolylene diisocyanate.
  • examples include polyisocyanate compounds, adduct polyisocyanate compounds obtained by reacting trimethylolpropane and xylylene diisocyanate, and adduct polyisocyanate compounds obtained by reacting trimethylolpropane and isophorone diisocyanate. These can be used singly or in combination of two or more.
  • epoxy-based cross-linking agent examples include bisphenol A/epichlorohydrin type epoxy resin, ethylene glycol diglycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, glycerin diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether.
  • trimethylolpropane triglycidyl ether trimethylolpropane triglycidyl ether, sorbitol polyglycidyl ether, polyglycerol polyglycidyl ether, pentaerythritol polyglycidylerythritol, diglycerol polyglycidyl ether, 1,3′-bis(N,N-diglycidylaminomethyl)cyclohexane, N , N,N',N'-tetraglycidyl-m-xylenediamine and the like. These can be used singly or in combination of two or more.
  • the cross-linking agent reacts with the active energy ray-curable acrylic adhesive polymer having the functional group.
  • the aging conditions for aging are not particularly limited, but for example, the temperature may be set in the range of 23° C. or higher and 80° C. or lower, and the time may be set in the range of 24 hours or longer and 168 hours or shorter.
  • the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition may optionally further contain a polyfunctional acrylic monomer, a polyfunctional acrylic oligomer, as long as the effects of the present invention are not impaired. , tackifiers, fillers, antioxidants, colorants, flame retardants, antistatic agents, surfactants, silane coupling agents, leveling agents, and other additives may be added.
  • the adhesive composition (B) contains an acrylic adhesive polymer having a functional group, an active energy ray-curable compound, a photopolymerization initiator, and a cross-linking agent that reacts with the functional group.
  • an acrylic pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group of the pressure-sensitive adhesive composition (B) the above-described active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition (pressure-sensitive adhesive composition (A)) having a functional group
  • pressure-sensitive adhesive composition (A)) having a functional group
  • the same one as exemplified as the acrylic adhesive polymer can be used.
  • the active energy ray-curable compound of the pressure-sensitive adhesive composition (B) includes, for example, a low molecular weight compound having at least two carbon-carbon double bonds in the molecule, which can be formed into a three-dimensional network by irradiation with an active energy ray. is widely used.
  • low molecular weight compounds include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di (Meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth acrylate, esters of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohol such as dipentaerythritol hexa (meth) acrylate; 2-propenyl-di-3-butenyl cyanurate, 2-hydroxyethylbis(2-acryloxyethyl)isocyanurate, tris(2-methacryloxyethyl)isocyanurate, isocyanurate compounds, etc.
  • active energy ray-curable low molecular weight compounds are It may be used alone or in combination of two or more.
  • active energy ray-curable oligomers such as epoxy acrylate-based oligomers, urethane acrylate-based oligomers, and polyester acrylate-based oligomers can also be used as active energy ray-curable compounds.
  • Epoxy acrylate is synthesized by an addition reaction between an epoxy compound and (meth)acrylic acid.
  • a urethane acrylate is synthesized, for example, by reacting an addition reaction product of a polyol and a polyisocyanate with an isocyanate group remaining at the terminal with a hydroxyl group-containing (meth)acrylate to introduce a (meth)acrylic group at the molecular terminal.
  • Polyester acrylates are synthesized by reacting polyester polyols with (meth)acrylic acid.
  • the active energy ray-curable oligomer preferably has three or more carbon-carbon double bonds in the molecule from the viewpoint of reducing the adhesive force of the adhesive layer 2 after irradiation with an active energy ray. These active energy ray-curable oligomers may be used alone or in combination of two or more.
  • the weight average molecular weight Mw of the active energy ray-curable oligomer is not particularly limited, but is preferably in the range of 100 or more and 30,000 or less. From the viewpoint of both the effect of reducing the adhesive strength, it is more preferably in the range of 500 or more and 6,000 or less.
  • the content of the active energy ray-curable compound is 5 parts by mass or more and 500 parts by mass or less, preferably 50 parts by mass or more and 180 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the acrylic adhesive polymer having a functional group.
  • the adhesive strength of the adhesive layer 2 is appropriately reduced after the irradiation of the active energy ray, and the semiconductor chip is not damaged and can be easily picked up. can be done.
  • the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition contains a photopolymerization initiator that generates radicals upon exposure to active energy rays.
  • a photopolymerization initiator the same ones as exemplified in the description of the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition (pressure-sensitive adhesive composition (A)) can be used.
  • the amount of the photopolymerization initiator to be added may be the same.
  • the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition (pressure-sensitive adhesive composition (B)) further contains a cross-linking agent for increasing the molecular weight of the above-described functional group-containing acrylic pressure-sensitive adhesive polymer.
  • a cross-linking agent for increasing the molecular weight of the above-described functional group-containing acrylic pressure-sensitive adhesive polymer.
  • the cross-linking agent the same ones as those exemplified as the cross-linking agent in the description of the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition (pressure-sensitive adhesive composition (A)) can be used. The same applies to the blending amount of the cross-linking agent and the aging conditions for reacting the cross-linking agent with the acrylic pressure-sensitive adhesive polymer having a functional group.
  • the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition may optionally contain a tackifier, a filler, an anti-aging agent, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • Additives such as agents, colorants, flame retardants, antistatic agents, surfactants, silane coupling agents and leveling agents may be added.
  • the thickness of the adhesive layer 2 of the adhesive tape 10 for wafer processing of the present invention is not particularly limited, it is preferably in the range of 5 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, more preferably 6 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, and 7 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less. is particularly preferred. If the thickness of the adhesive layer 2 is less than 5 ⁇ m, the adhesive strength of the adhesive tape 10 for wafer processing may be excessively lowered. In this case, the die-bonding film 3 tends to be lifted from the pressure-sensitive adhesive layer 2 in the cool-expanding process, and the yield of non-defective semiconductor chips decreases.
  • adhesion failure between the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film 3 may occur.
  • the thickness of the adhesive layer 2 exceeds 50 ⁇ m, the internal stress generated when the wafer processing adhesive tape 10 is cool-expanded may be difficult to transmit to the semiconductor wafer with the die bond film 3 as external stress. In that case, there is a possibility that the cutting yield of the semiconductor chip with the die-bonding film 3 may be lowered in the dicing process.
  • the adhesiveness with the die-bonding film 3 is increased, which is not practically preferable from the viewpoint of economy after irradiation with active energy rays.
  • An anchor coat layer matching the composition of the base film 1 may be provided between the base film 1 and the adhesive layer 2 .
  • a release liner may be provided on the surface side (one surface side) of the pressure-sensitive adhesive layer 2 opposite to the base film 1, if necessary.
  • Materials that can be used as the release liner are not particularly limited, and examples thereof include synthetic resins such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate, papers, and the like.
  • the surface of the release liner may be subjected to a release treatment with a silicone-based release agent, a long-chain alkyl-based release agent, a fluorine-based release agent, or the like, in order to enhance the release property of the pressure-sensitive adhesive layer 2 .
  • the thickness of the release liner is not particularly limited, but those in the range of 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less can be preferably used.
  • FIG. 6 is a flow chart illustrating a method for manufacturing the adhesive tape 10 for wafer processing.
  • a release liner is prepared (step S101: release liner preparation step).
  • a coating solution for the adhesive layer 2 (coating solution for forming the adhesive layer), which is a material for forming the adhesive layer 2, is prepared (step S102: coating solution preparing step).
  • the coating solution can be prepared, for example, by uniformly mixing and stirring an acrylic adhesive polymer, a cross-linking agent, and a diluent solvent, which are constituent components of the adhesive layer 2 .
  • the solvent for example, general-purpose organic solvents such as toluene and ethyl acetate can be used.
  • step S103 adhesive layer forming step.
  • the coating method is not particularly limited, and for example, a die coater, a comma coater (registered trademark), a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, etc. can be used.
  • the drying conditions are not particularly limited, it is preferable that the drying temperature is in the range of 80° C. or higher and 150° C. or lower, and the drying time is in the range of 0.5 minute or longer and 5 minutes or shorter.
  • step S104 base film preparation step
  • step S105 base film laminating step
  • step S106 thermosetting step
  • the coating solution for the adhesive layer 2 is applied on the release liner and dried, and then the substrate is coated on the adhesive layer 2.
  • a method of laminating the film 1 is exemplified, a method of directly applying the coating solution for the pressure-sensitive adhesive layer 2 onto the base film 1 and drying it may be used. From the viewpoint of stable production, the former method is preferably used.
  • the wafer processing pressure-sensitive adhesive tape 10 of the present embodiment may be wound into a roll or may be formed by stacking wide sheets. Alternatively, the adhesive tape 10 for wafer processing in these forms may be cut into a predetermined size to form a sheet or tape.
  • the wafer processing pressure-sensitive adhesive tape 10 of the present embodiment has a die bond film (adhesive layer) 3 formed on the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the wafer processing pressure-sensitive adhesive tape 10 in the semiconductor manufacturing process.
  • a die bond film (adhesive layer) 3 can be used in the form of a so-called dicing die bond film 20, in which are adhered and laminated in a detachable manner.
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 is for bonding/connecting the semiconductor chips, which are split and separated by cool expansion, to lead frames and wiring substrates (supporting substrates). Also, when semiconductor chips are stacked, it also serves as an adhesive layer between the semiconductor chips.
  • the semiconductor chip in the first stage is adhered to the semiconductor chip mounting wiring board on which terminals are formed by a die bond film (adhesive layer) 3, and a die bond film (adhesive layer) is further applied on the semiconductor chip in the first stage. ) 3, the second stage semiconductor chip is bonded.
  • the connection terminals of the semiconductor chip in the first stage and the semiconductor chip in the second stage are electrically connected to external connection terminals via wires. It is embedded in the film (adhesive layer) 3, that is, the wire-embedded die-bonding film (adhesive layer) 3 described above.
  • die-bonding film (adhesive layer) 3 in the case where the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 of the present embodiment is used as the dicing die-bonding film 20 is shown below, but it is particularly limited to this example. not a thing
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 is a layer made of a thermosetting adhesive composition that is cured by heat.
  • the adhesive composition is not particularly limited, and conventionally known materials can be used.
  • a preferred embodiment of the adhesive composition includes, for example, a glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer as a thermoplastic resin, an epoxy resin as a thermosetting resin, and a phenol resin as a curing agent for the epoxy resin.
  • a thermosetting adhesive composition obtained by adding a curing accelerator, an inorganic filler, a silane coupling agent, etc. to a resin composition containing.
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 made of such a thermosetting adhesive composition has excellent adhesiveness between the semiconductor chip/support substrate and between the semiconductor chip/semiconductor chip, and also has excellent electrode-embedding properties and/or wire-embedding properties. It is preferable because it can be imparted with properties, can be bonded at a low temperature in the die bonding process, can be cured in a short time, and has excellent reliability after being molded with a sealing agent.
  • a general-purpose die-bonding film in which a wire is not embedded in an adhesive layer and a wire-embedded die-bonding film in which a wire is embedded in an adhesive layer differ from the materials constituting the adhesive composition.
  • the types are mostly the same, but by changing the blending ratio of the materials used and the physical properties and characteristics of each material according to each purpose, it is possible to create general-purpose die-bonding films or wire-embedded die-bonding. Customized for film.
  • the wire-embedded die-bonding film may be used as a general-purpose die-bonding film. That is, the wire-embedded die-bonding film is not limited to wire-embedded applications, but can also be used for bonding semiconductor chips to metal substrates such as lead frames and substrates having irregularities caused by wiring and the like.
  • ⁇ Adhesive composition for general-purpose die-bonding film First, an example of the adhesive composition for general-purpose die-bonding films will be described, but the composition is not particularly limited to this example.
  • shear viscosity characteristics at 80°C can be mentioned. indicates a value in the range of 20,000 Pa ⁇ s to 40,000 Pa ⁇ s, preferably in the range of 25,000 Pa ⁇ s to 35,000 Pa ⁇ s.
  • the above shear viscosity at 80° C. is a value measured by the following method.
  • a laminate is produced by laminating a plurality of die-bonding films (adhesive layers) 3 at 70° C.
  • the laminate is punched out in the thickness direction into a size of 10 mm ⁇ 10 mm to obtain a measurement sample.
  • ARES dynamic viscoelasticity apparatus
  • a circular aluminum plate jig with a diameter of 8 mm is mounted, and then a measurement sample is set.
  • the shear viscosity is measured while applying a strain of 5% to the measurement sample at 35°C and heating the measurement sample at a heating rate of 5°C/min to determine the value of the shear viscosity at 80°C.
  • One example of a preferred embodiment of the adhesive composition for general-purpose die-bonding films is a total of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, the epoxy resin, and the phenol resin, which are resin components of the adhesive composition.
  • the inorganic filler containing the glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer and the epoxy resin and the phenol resin in an amount of 5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less per 100 parts by mass of the total amount of the phenol resin.
  • the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer contains, as a copolymer unit, at least an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms and glycidyl (meth)acrylate. is preferred.
  • the copolymer unit of glycidyl (meth)acrylate is 0.5% by mass or more and 6.0% by mass in the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer from the viewpoint of ensuring appropriate adhesive strength.
  • the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer may optionally contain other monomers such as styrene and acrylonitrile as copolymer units from the viewpoint of adjusting the glass transition temperature (Tg). You can
  • the glass transition temperature (Tg) of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer is preferably in the range of -50 ° C. or higher and 30 ° C. or lower, and improves handling property as a die bond film (tackiness from the viewpoint of suppression), it is more preferably in the range of -10°C or higher and 30°C or lower.
  • Tg glass transition temperature
  • the weight average molecular weight Mw of the glycidyl group-containing (meth)acrylate copolymer is preferably in the range of 500,000 to 2,000,000, more preferably in the range of 700,000 to 1,000,000.
  • the weight-average molecular weight Mw is within the above range, the adhesive strength, heat resistance, and flowability are likely to be appropriate.
  • the weight average molecular weight Mw means a standard polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography.
  • the content ratio of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer in the die-bonding film (adhesive layer) 3 is When the total amount of coalescing and the epoxy resin and phenol resin described later is set to 100 parts by mass as a reference, it is preferably in the range of 52% by mass or more and 90% by mass or less, and in the range of 60% by mass or more and 80% by mass or less. It is more preferable to have
  • epoxy resins include, but are not limited to, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, aliphatic chain epoxy resins, phenol novolak type epoxy resins, and alkylphenols.
  • Novolac type epoxy resins cresol novolak type epoxy resins, bisphenol A novolac type epoxy resins, diglycidlyetherified biphenols, diglycidlyetherified naphthalene diols, diglycidlyetherified phenols, diglycidyl ethers of alcohols bifunctional epoxy resins such as alkyl-substituted compounds, halides, and hydrogenated compounds thereof, novolac-type epoxy resins, and the like.
  • Other commonly known epoxy resins may also be used, such as polyfunctional epoxy resins and heterocyclic-containing epoxy resins. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the softening point of the epoxy resin is preferably in the range of 70°C or higher and 130°C or lower from the viewpoint of adhesive strength and heat resistance.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably in the range of 100 or more and 300 or less from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction with the phenol resin described later.
  • the content of the epoxy resin in the die-bonding film (adhesive layer) 3 is, from the viewpoint of appropriately expressing the function as a thermosetting adhesive in the die-bonding film (adhesive layer) 3, the content of the epoxy resin in the adhesive composition.
  • the range is 5% by mass or more and 25% by mass or less. and more preferably in the range of 10% by mass or more and 20% by mass or less.
  • Curing agents for epoxy resins are not particularly limited, but include, for example, phenolic resins that can be obtained by reacting a phenolic compound and a xylylene compound, which is a divalent linking group, in the absence of a catalyst or in the presence of an acid catalyst.
  • phenolic resin include novolac type phenolic resin, resol type phenolic resin, and polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene.
  • novolac-type phenolic resins examples include phenol novolak resins, phenol aralkyl resins, cresol novolac resins, tert-butylphenol novolac resins, and nonylphenol novolak resins. These phenol resins may be used alone or in combination of two or more. Among these phenolic resins, phenolic novolac resins and phenolic aralkyl resins tend to improve the connection reliability of the die-bonding film (adhesive layer) 3, and are preferably used.
  • the softening point of the phenol resin is preferably in the range of 70°C or higher and 90°C or lower from the viewpoint of adhesive strength and heat resistance.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is preferably in the range of 100 or more and 200 or less from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction with the epoxy resin.
  • the phenolic resin should be It is preferable to add hydroxyl groups in an amount that is preferably 0.5 equivalents or more and 2.0 equivalents or less, more preferably 0.8 equivalents or more and 1.2 equivalents or less. Since it depends on the functional group equivalent of each resin, it cannot be generalized.
  • the total amount of the epoxy resin and the phenol resin is 100 parts by mass as a reference, it is preferably in the range of 5% by mass or more and 23% by mass or less.
  • a curing accelerator such as a tertiary amine, imidazoles, or quaternary ammonium salts can be added to the thermosetting resin composition, if necessary.
  • curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitium tate and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the curing accelerator added is preferably in the range of 0.1 parts by mass or more and 0.3 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the epoxy resin and the phenol resin.
  • an inorganic filler can be added to the thermosetting resin composition as necessary.
  • inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whiskers, boron nitride, crystals crystalline silica, amorphous silica, etc., and these may be used singly or in combination of two or more.
  • crystalline silica, amorphous silica and the like are preferably used from the viewpoint of versatility.
  • Aerosil registered trademark: ultrafine dry silica having a nano-sized average particle size is preferably used.
  • the content of the inorganic filler in the die bond film (adhesive layer) 3 is 100 based on the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, epoxy resin, and phenol resin that are the resin components described above. When expressed as parts by mass, it is preferably in the range of 5% by mass or more and 20% by mass or less.
  • Silane coupling agent Furthermore, a silane coupling agent can be added to the thermosetting resin composition, if necessary, from the viewpoint of improving the adhesive strength to the adherend.
  • Silane coupling agents include, for example, ⁇ -(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, and ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, which can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the silane coupling agent added is preferably in the range of 1.0 parts by mass or more and 7.0 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the epoxy resin and the phenol resin.
  • thermosetting resin composition may be added to the thermosetting resin composition as long as the function as a die-bonding film is not impaired.
  • Flame retardants include, for example, antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resins.
  • ion trapping agents include hydrotalcites, bismuth hydroxide, hydrous antimony oxide, zirconium phosphate having a specific structure, magnesium silicate, aluminum silicate, triazole compounds, tetrazole compounds, and bipyridyl compounds. mentioned.
  • Adhesive composition for wire-embedded die-bonding film ⁇ Adhesive composition for wire-embedded die-bonding film>
  • the composition is not particularly limited to this example.
  • shear viscosity characteristics at 80°C can be mentioned.
  • the shear viscosity is in the range of 200 Pa ⁇ s to 11,000 Pa ⁇ s, preferably 2,000 Pa ⁇ s to 7,000 Pa ⁇ s.
  • the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer which is a resin component of the adhesive composition, the epoxy resin, and the phenol resin
  • the total amount is 100 parts by mass as a reference
  • a curing accelerator is added to the epoxy resin and the above 0.01 parts by mass or more and 0.07 parts by mass or less with respect to the total amount of 100 parts by mass with the phenol resin
  • the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer contains, as a copolymer unit, at least an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms and glycidyl (meth)acrylate. is preferred. In the case of a wire-embedded die-bonding film, it is necessary to achieve both improved fluidity during die-bonding and securing of adhesive strength after curing.
  • a group-containing (meth)acrylate copolymer (A) and a glycidyl group-containing (meth)acrylate copolymer (B) having a low copolymer unit ratio of glycidyl (meth)acrylate and a high molecular weight are preferably used in combination, and it is preferable that the former component (A) is contained in a certain amount or more.
  • the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer in the adhesive composition for a wire-embedded die-bonding film is specifically described as "a copolymer unit of glycidyl (meth)acrylate is a glycidyl group-containing In the total amount of (meth) acrylic acid ester copolymer, it is contained in the range of 5.0% by mass or more and 15.0% by mass or less, the glass transition temperature (Tg) is in the range of -50 ° C. or more and 30 ° C.
  • the weight average molecular weight Mw means a standard polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography.
  • the content of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer (A) is 60% by mass of the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer (total of (A) and (B)). It is preferably in the range of 90% by mass or more.
  • the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer may optionally contain other monomers such as styrene and acrylonitrile as copolymer units from the viewpoint of adjusting the glass transition temperature (Tg). You can
  • the glass transition temperature (Tg) of the entire glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer is preferably in the range of -50 ° C. or higher and 30 ° C. or lower. from the point of view of suppression of the temperature, it is more preferably in the range of ⁇ 10° C. or higher and 30° C. or lower.
  • the (meth)acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is ethyl (meth)acrylate and/or butyl (meth)acrylate is preferably used.
  • the content ratio of the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer (total of (A) and (B)) in the wire-embedded die-bonding film (adhesive layer) 3 is determined by the fluidity during die bonding and From the viewpoint of adhesive strength after curing, 100 parts by mass based on the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, which is a resin component in the adhesive composition, and the epoxy resin and phenol resin described later. , the content is preferably in the range of 17% by mass or more and 51% by mass or less, and more preferably in the range of 20% by mass or more and 45% by mass or less.
  • Epoxy resin is not particularly limited, but the same epoxy resins as those exemplified above for the adhesive composition for general-purpose die-bonding films can be used. These may be used alone or in combination of two or more. In the case of a wire-embedded die-bonding film, the bonding strength is ensured, and the generation of voids on the bonding surface is suppressed, and the wire is kept in good condition. In order to control the fluidity and elastic modulus, it is preferable to use two or more types of epoxy resins in combination.
  • Preferred embodiments of the epoxy resin used for the wire-embedded die-bonding film (adhesive layer) 3 include an epoxy resin (C) that is liquid at room temperature and an epoxy resin (D ).
  • the content of the epoxy resin (C), which is liquid at room temperature, is preferably in the range of 15% by mass or more and 75% by mass or less in the total amount of the epoxy resin (total of (C) and (D)). More preferably, it is in the range of not less than 50% by mass and not more than 50% by mass.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably in the range of 100 or more and 300 or less from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction with the phenol resin described later.
  • the content of the epoxy resin in the die-bonding film (adhesive layer) 3 is, from the viewpoint of appropriately expressing the function as a thermosetting adhesive in the die-bonding film (adhesive layer) 3, the content of the epoxy resin in the adhesive composition.
  • the total amount of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, which is a resin component, the epoxy resin, and the phenol resin described later is set to 100 parts by mass, the range is 30% by mass or more and 64% by mass or less. and more preferably in the range of 35% by mass or more and 50% by mass or less.
  • the curing agent for the epoxy resin is not particularly limited, but the same phenolic resins as those exemplified above for the adhesive composition for general-purpose die-bonding films can be used in the same manner.
  • the softening point of the phenol resin is preferably in the range of 70° C. or higher and 115° C. or lower from the viewpoint of adhesive strength and fluidity.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is preferably in the range of 100 or more and 200 or less from the viewpoint of sufficiently advancing the curing reaction with the epoxy resin.
  • the phenolic resin should be The amount of hydroxyl groups is preferably 0.5 equivalents or more and 2.0 equivalents or less, more preferably 0.6 equivalents or more and 1.0 equivalents or less from the viewpoint of compatibility with fluidity during die bonding. is preferred. Since it depends on the functional group equivalent of each resin, it cannot be generalized. When the total amount of the epoxy resin and the phenol resin is 100 parts by mass as a reference, it is preferably in the range of 19% by mass or more and 53% by mass or less.
  • a curing accelerator such as a tertiary amine, imidazoles, or quaternary ammonium salts can be added to the thermosetting resin composition, if necessary.
  • a curing accelerator such as a tertiary amine, imidazoles, or quaternary ammonium salts can be added to the thermosetting resin composition, if necessary.
  • the same curing accelerator as exemplified as the curing accelerator for the adhesive composition for general-purpose die-bonding films can be used in the same manner.
  • the amount of the curing accelerator added is 0.01 parts by mass or more and 0.07 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the epoxy resin and the phenol resin, from the viewpoint of suppressing the generation of voids on the adhesive surface. A range is preferred.
  • thermosetting resin composition is used from the viewpoint of improving the handleability of the die bond film (adhesive layer) 3, adjusting the fluidity during die bonding, imparting thixotropic properties, improving the adhesive strength, etc.
  • an inorganic filler can be added as necessary.
  • the same inorganic fillers as those exemplified as the above-described adhesive composition for a general-purpose die-bonding film can be used in the same manner. It is preferably used.
  • the content ratio of the inorganic filler in the die-bonding film (adhesive layer) 3 is, from the viewpoint of fluidity during die-bonding, fractureability during cool expansion, and adhesive strength, glycidyl group-containing (meta), which is the resin component described above.
  • glycidyl group-containing (meta) which is the resin component described above.
  • the total amount of the acrylic acid ester copolymer, epoxy resin, and phenol resin is 100 parts by mass as a reference, it is preferably in the range of 10% by mass or more and 80% by mass or less, and 15% by mass or more and 50% by mass or less. is more preferred.
  • the above inorganic filler is a mixture of two or more inorganic fillers with different average particle sizes for the purpose of improving the splitting property of the die-bonding film (adhesive layer) 3 during cool expansion and sufficiently expressing the adhesive strength after curing. preferably. Specifically, it is preferable to use an inorganic filler having an average particle size of 0.1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less as the main inorganic filler component accounting for 80% by mass or more of the total mass of the inorganic filler.
  • an inorganic filler having a particle diameter of less than 0.1 ⁇ m may be used in combination with the main inorganic filler component in an amount of 20% by mass or less based on the total mass of the inorganic filler.
  • silane coupling agent Furthermore, a silane coupling agent can be added to the thermosetting resin composition, if necessary, from the viewpoint of improving the adhesive strength to the adherend.
  • silane coupling agent the same silane coupling agents as exemplified for the adhesive composition for general-purpose die-bonding films can be used in the same manner.
  • the amount of the silane coupling agent added is 0.5 parts by mass or more and 2.0 parts by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the epoxy resin and the phenol resin, from the viewpoint of suppressing the generation of voids on the bonding surface. is preferably in the range of
  • thermosetting resin composition may be added to the thermosetting resin composition within a range that does not impair the function of the die-bonding film 3 .
  • flame retardants and ion trapping agents the same flame retardants and ion trapping agents as those exemplified above for the adhesive composition for general-purpose die-bonding films can be used in the same manner.
  • the thickness of the die-bonding film (adhesive layer) 3 is not particularly limited, but it is necessary to ensure adhesive strength, to properly embed wires for connecting semiconductor chips, or to sufficiently fill the unevenness of the wiring circuit of the substrate. , 5 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. If the thickness of the die-bonding film (adhesive layer) 3 is less than 5 ⁇ m, the adhesive strength between the semiconductor chip and the lead frame, wiring substrate, or the like may be insufficient. On the other hand, if the thickness of the die-bonding film (adhesive layer) 3 exceeds 200 ⁇ m, it is not economical, and it tends to be insufficient to cope with miniaturization and thinning of semiconductor devices.
  • the thickness of the film-like adhesive is more preferably 10 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and particularly preferably 20 ⁇ m or more and 75 ⁇ m or less, in terms of high adhesion and thinning of the semiconductor device.
  • the thickness when used as a general-purpose die-bonding film is, for example, preferably in the range of 5 ⁇ m or more and less than 30 ⁇ m, particularly preferably in the range of 10 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less.
  • the thickness is, for example, preferably in the range of 30 ⁇ m to 100 ⁇ m, particularly preferably in the range of 40 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 is manufactured, for example, as follows. First, prepare a release liner. As the release liner, the same release liner as the release liner placed on the adhesive layer 2 of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 can be used. Next, a coating solution for the die-bonding film (adhesive layer) 3, which is a material for forming the die-bonding film (adhesive layer) 3, is prepared.
  • the coating solution includes, for example, a glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester copolymer, an epoxy resin, a curing agent for the epoxy resin, an inorganic filler, and a curing accelerator, which are constituent components of the die-bonding film (adhesive layer) 3 as described above. It can be produced by uniformly mixing and dispersing a thermosetting resin composition containing an agent, silane coupling, etc., and a dilution solvent.
  • the solvent for example, general-purpose organic solvents such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone can be used.
  • a coating solution for the die-bonding film (adhesive layer) 3 is applied onto the release-treated surface of the release liner, which serves as a temporary support, and dried to form a die-bonding film (adhesive layer) having a predetermined thickness. )3.
  • the release-treated surface of another release liner is attached onto the die bond film (adhesive layer) 3 .
  • the coating method is not particularly limited, and for example, a die coater, a comma coater (registered trademark), a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, or the like can be used.
  • the drying conditions for example, the drying temperature is preferably in the range of 60° C. or more and 200° C.
  • a laminate having release liners on both sides or one side of the die-bonding film (adhesive layer) 3 may also be referred to as the die-bonding film (adhesive layer) 3 .
  • the method for producing the dicing die-bonding film 20 is not particularly limited, it can be produced by a conventionally known method.
  • the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 and the die-bonding film 20 are individually prepared, and then the adhesive layer 2 and the adhesive layer 2 of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 are prepared.
  • the release liner of the die-bonding film (adhesive layer) 3 is peeled off, and the adhesive layer 2 and the die-bonding film (adhesive layer) 3 of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 are pressure-bonded by, for example, a hot roll laminator. It may be bonded by pressure bonding with a roll.
  • the bonding temperature is not particularly limited, and is preferably in the range of, for example, 10° C. to 100° C.
  • the bonding pressure linear pressure
  • the dicing die-bonding film 20 may also be referred to as the dicing die-bonding film 20 in some cases as a laminate in which a release liner is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film (adhesive layer) 3 .
  • the release liner provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film (adhesive layer) 3 may be peeled off when the dicing die-bonding film 20 is provided to a work.
  • the dicing die-bonding film 20 may be in the form of being wound in a roll or in the form of laminating wide sheets. Further, a sheet-like or tape-like lamination form formed by cutting the adhesive tape 10 for wafer processing or the die-bonding film 3 of these forms into a predetermined size may be used.
  • an adhesive layer (die bond film 3) and an adhesive film (dicing It can also be produced in the form of a film roll in which a large number of tapes 10) are formed in the shape of islands.
  • the dicing tape 10 is formed in a circular shape with a larger diameter than the die bond film (adhesive layer) 3, and the die bond film (adhesive layer) 3 is formed in a circular shape with a larger diameter than the semiconductor wafer 30.
  • excess dicing tape 10 is peeled off.
  • FIG. 7 shows the production of a semiconductor chip using a dicing die bond film 20 in which a die bond film (adhesive layer) 3 is laminated on the adhesive layer 2 of the wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 of the present embodiment.
  • 4 is a flow chart describing a method;
  • a ring frame (wafer ring) 40 is attached to the outer edge (the exposed portion of the adhesive layer 2) of the wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 of the dicing die-bonding film 20, and the die-bonding film (adhesive 3 is a schematic diagram showing a state in which a semiconductor wafer that has been processed so as to be singulated is attached on layer) 3.
  • FIG. 8 is a flow chart describing a method
  • FIGS. 9A to 9F show an example of a grinding process of a semiconductor wafer in which a plurality of modified regions are formed by laser light irradiation and a bonding process of the semiconductor wafer to a dicing die-bonding film. It is a sectional view. 10(a) to 10(f) are cross-sectional views showing an example of manufacturing a semiconductor chip using a thin film semiconductor wafer having a plurality of modified regions bonded with a dicing die-bonding film.
  • a method for manufacturing a semiconductor chip using the dicing die-bonding film 20 is not particularly limited, and may be any of the methods described above.
  • a manufacturing method by SDBG Step Dicing Before Griding
  • a back grind tape T having an adhesive surface Ta is attached to the first surface Wa of the semiconductor wafer W.
  • the laser light focused inside the wafer is directed to the opposite side of the back grinding tape T, that is, The semiconductor wafer W is irradiated from the second surface Wb side of the semiconductor wafer W along the grid-like dividing lines X, and the modified region 30b is formed in the semiconductor wafer W by ablation due to multiphoton absorption.
  • Step S202 in FIG. 7 modified region forming step.
  • the modified region 30b is a weakened region for breaking and separating the semiconductor wafer W into semiconductor chip units by a cool expansion process.
  • a method of forming the modified region 30b along the dividing line by irradiating the semiconductor wafer W with laser light is described in, for example, Japanese Patent No. 3408805, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-192370, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-338567. Reference can be made to the disclosed methods.
  • the semiconductor wafer W is ground from the second surface Wb to a predetermined thickness to form a thin film.
  • the thickness of the semiconductor wafer 30 is adjusted to preferably 100 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, from the viewpoint of thinning the semiconductor device.
  • the thin film semiconductor wafer 30 having therein the modified region 30b that facilitates singulation into a plurality of semiconductor chips 30a by cool expansion in the post-process is obtained (step S203 in FIG. 7: grinding and thinning process).
  • the grinding load of the grinding wheel is added due to differences in the final thickness of the semiconductor wafer 30 after grinding, the number of scanning times of laser light irradiation (input power), the physical properties of the back grinding tape T, and the like.
  • the semiconductor wafer 30 is broken, cracks grow in the vertical direction starting from the modified regions 30b, and the semiconductor wafer 30 is already split into individual semiconductor chips 30a at this stage. Sometimes.
  • a thin film semiconductor wafer 30 (the semiconductor wafer 30 is already attached to the semiconductor chip 30a) and has therein a plurality of modified regions 30b held by the back grinding tape T. If the semiconductor chips 30a are cut, the plurality of semiconductor chips 30a) are bonded to the die bond film 3 of the separately prepared dicing die bond film 20 (step S204 in FIG. 7: bonding step). In this step, after peeling off the release liner from the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the die-bonding film (adhesive layer) 3 of the dicing die-bonding film 20 cut into a circle, as shown in FIG.
  • a ring frame (wafer ring) 40 is attached to the outer edge (adhesive layer 2 exposed part) of the dicing tape 10, and the die bond film (adhesive layer) 3 laminated on the upper center part of the adhesive layer 2 of the dicing tape 10
  • a thin-film semiconductor wafer 30 (a plurality of semiconductor chips 30a when the semiconductor wafer 30 has already been cut into semiconductor chips 30a) that has been processed so as to be singulated is attached.
  • the back grind tape T is peeled off from the thin-film semiconductor wafer 30 (or the plurality of semiconductor chips 30a if the semiconductor wafer 30 has already been cut into semiconductor chips 30a).
  • the sticking is performed while pressing with a pressing means such as a pressing roll.
  • the bonding temperature is not particularly limited, and for example, it is preferably in the range of 20° C. or higher and 130° C. or lower. is more preferred.
  • the bonding pressure is not particularly limited, and is preferably in the range of 0.1 MPa or more and 10.0 MPa or less. Since the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 of the present invention has a certain degree of heat resistance, there is no particular problem in handling it even if the bonding temperature is high.
  • a thin film semiconductor wafer 30 has a plurality of modified regions 30b formed therein along dicing lines X so that it can be singulated into a plurality of semiconductor chips 30a. It is
  • a first expansion step under conditions of relatively low temperature for example, ⁇ 30° C. or higher and 0° C. or lower
  • a cool expansion step is performed as shown in FIG.
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 of the dicing die-bonding film 20 is cut into small pieces of the die-bonding film (adhesive layer) 3a corresponding to the size of the semiconductor chips 30a.
  • the semiconductor chip 30a with the die-bonding film 3a is obtained (step S205 in FIG. 7: cool expansion step).
  • a hollow columnar push-up member (not shown) provided in the expanding device is lifted in contact with the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 under the dicing die-bonding film 20 to enable singulation.
  • the wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 of the dicing die bond film 20 to which the processed semiconductor wafer 30 is bonded is expanded so as to be stretched in two-dimensional directions including the radial direction and the circumferential direction of the semiconductor wafer 30.
  • the internal stress generated by the omnidirectional tension of the wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 due to the cool expansion is applied to the semiconductor wafer 30 processed to be singulated and the die bond film 3 attached to the semiconductor wafer 30. is transmitted as an external stress to Due to this external stress, cracks grow in the vertical direction starting from a plurality of grid-shaped modified regions 30b formed inside the semiconductor wafer 30, and the semiconductor wafer 30 is cleaved into individual semiconductor chips 30a.
  • the embrittled die-bonding film 3 is also cut into small pieces of the die-bonding film 3a having the same size as the semiconductor chip 30a.
  • the semiconductor wafer 30 has already been cut into individual semiconductor chips 30a in the grinding and thinning process, only the die bond film 3 that is in close contact with the semiconductor chips 30a and is brittle at a low temperature is exposed to the semiconductor by cool expansion.
  • the semiconductor chip 30a with the die-bonding film 3a is obtained by cutting the die-bonding film 3a into small pieces corresponding to the size of the chip 30a.
  • the temperature conditions in the cool expansion step are, for example, -30°C or higher and 0°C or lower, preferably -20°C or higher and -5°C or lower, more preferably -15°C or higher and -5°C or lower. and particularly preferably -15°C.
  • the expansion speed (the speed at which the hollow columnar push-up member rises) in the cool expansion step is preferably in the range of 0.1 mm/second or more and 1000 mm/second or less, more preferably 10 mm/second or more and 300 mm/second or less. Range.
  • the expansion amount (push-up height of the hollow columnar push-up member) in the cool expansion step is preferably in the range of 3 mm or more and 16 mm or less.
  • the base film 1 has, as described above, an ethylene-unsaturated Since it is composed of laminated resin layers containing an ionomer resin in which a carboxylic acid copolymer is crosslinked with a specific concentration of zinc ions, ion aggregates (clusters ) is sufficiently and appropriately developed, the cross-linking effect makes it difficult for the ion aggregates (clusters) to be destroyed even when the base film 1 is expanded, and the tension number of the molecular chains between the ion aggregates increases along with the expansion. To increase.
  • the die bond film 3 is cut into small pieces of the die-bonding film 3a corresponding to the size of the semiconductor chip 30a with a high yield, and the semiconductor chip 30a with the die-bonding film 3a is obtained with a high yield. Even if a wire-embedded die-bonding film having a large thickness and high fluidity (low melt viscosity at high temperatures) is used as the die-bonding film 3, the die-bonding film can be cut with high yield.
  • the hollow cylindrical push-up member of the expansion device is lowered, and the expanded state of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is released.
  • a second expanding step under conditions of relatively high temperature for example, 10° C. or higher and 30° C. or lower
  • a room temperature expansion step is performed as shown in FIG.
  • the distance (kerf width) between the semiconductor chips 30a with the agent layer) 3a is widened.
  • a columnar table (not shown) provided in the expanding device is lifted in contact with the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 under the dicing die-bonding film 20 to process the dicing die-bonding film 20 into a wafer.
  • the adhesive tape (dicing tape) 10 is expanded (step S206 in FIG. 7: normal temperature expansion step).
  • the recognition of the semiconductor chips 30a by a CCD camera or the like is enhanced, and the adjacent semiconductor chips 30a can be easily picked up. It is possible to prevent re-bonding of the semiconductor chips 30a with the die bond film (adhesive layer) 3a caused by contact between the semiconductor chips 30a. As a result, in the later-described pick-up process, the pick-up property of the semiconductor chip 30a with the die-bonding film (adhesive layer) 3a is improved.
  • the temperature condition in the normal temperature expansion step is, for example, 10°C or higher, preferably 15°C or higher and 30°C or lower.
  • the expansion speed (the speed at which the cylindrical table rises) in the normal temperature expansion step is, for example, in the range of 0.1 mm/sec to 50 mm/sec, preferably in the range of 0.3 mm/sec to 30 mm/sec. .
  • the expansion amount in the normal temperature expansion step is, for example, in the range of 3 mm or more and 20 mm or less.
  • the table vacuum-adsorbs the wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 . Then, the table is lowered together with the work while maintaining the adsorption by the table, and the expanded state of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is released.
  • the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is vacuum-adsorbed to the table, the peripheral portion of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 outside the semiconductor chip 30a holding area is thermally shrunk by hot air blowing, resulting in expansion. It is preferable to keep the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 in a tensioned state by eliminating slack. After the heat shrinkage, the vacuum suction state by the table is released.
  • the temperature of the hot air may be adjusted according to the physical properties of the base film 1, the distance between the hot air outlet and the dicing tape, the amount of air, and the like.
  • the distance between the hot air outlet and the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is preferably in the range of 15 mm or more and 25 mm or less, for example.
  • the air volume is preferably in the range of, for example, 35 L/min or more and 45 L/min or less.
  • the semiconductor chip 30a of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is rotated while rotating the stage of the expanding device at a rotation speed in the range of, for example, 3°/sec or more and 10°/sec or less. Hot air is blown along the circumference outside the holding area. By such hot air blowing, the temperature of the surface of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is adjusted to around 80° C., for example.
  • an ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer containing a structural unit derived from an unsaturated carboxylic acid at a specific content ratio is specified as the base film 1.
  • the unsaturated carboxylic acid-derived Since the ion aggregates (clusters) formed by the aggregates of the ionic bonds of the carboxylate ions of the acid groups and the zinc ions develop sufficiently and appropriately, the cross-linking effect of Since the ionic aggregates (clusters) are not completely destroyed and are appropriately maintained, the entropic elasticity works strongly in the heat shrinking process after expansion, and the stretched and oriented molecules easily return to their original state. .
  • the restoring force of the base film 1 against strain after stretching becomes sufficient during heating, and the circumference of the dicing tape 10 does not generate heat wrinkles or the like in the heat shrinking process of the adhesive tape 10 for wafer processing.
  • the part can be heat shrunk without problems to eliminate slack. As a result, a sufficient kerf width is ensured between individual semiconductor chips, and good pick-up performance can be obtained in the pick-up process described later.
  • an adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is irradiated with active energy rays from the side of the base film 1 to cure and shrink the adhesive layer 2, thereby forming a die-bonding film 3a of the adhesive layer 2.
  • active energy ray irradiation step the active energy rays used for the post-irradiation include ultraviolet rays, visible rays, infrared rays, electron beams, ⁇ rays, ⁇ rays, and the like.
  • ultraviolet rays (UV) and electron beams (EB) are preferred, and ultraviolet rays (UV) are particularly preferred.
  • the light source for irradiating the ultraviolet rays (UV) is not particularly limited, but examples include black lights, ultraviolet fluorescent lamps, low pressure mercury lamps, medium pressure mercury lamps, high pressure mercury lamps, ultra high pressure mercury lamps, carbon arc lamps, metal halide lamps, and xenon lamps. etc. can be used.
  • ArF excimer laser, KrF excimer laser, excimer lamp, synchrotron radiation, or the like can also be used.
  • the amount of ultraviolet (UV) irradiation light is not particularly limited, and is preferably in the range of 100 mJ/cm 2 or more and 2,000 mJ/cm 2 or less, and in the range of 300 mJ/cm 2 or more and 1,000 mJ/cm 2 or less. is more preferable.
  • the active energy ray-reactive carbon-carbon double bond concentration is for example, since it is controlled within the range of 0.85 mmol or more and 1.60 mmol or less per 1 g of the active energy ray-curable adhesive composition, the adhesive layer 2 after ultraviolet (UV) irradiation has carbon-carbon double bonds.
  • the three-dimensional cross-linking reaction increases the cross-linking density, that is, the storage elastic modulus is greatly increased, the glass transition temperature is also increased, and the volume shrinkage is also increased, so that the adhesive force to the die-bonding film 3a can be sufficiently reduced.
  • the semiconductor chip 30a with the die-bonding film (adhesive layer) 3a can be easily picked up in the picking-up process described later.
  • the semiconductor chip 30a with the die-bonding film (adhesive layer) 3a which has been cut and separated by the expanding process described above, is attached to the adhesive tape (dicing tape) 10 for wafer processing after ultraviolet (UV) irradiation. So-called pick-up is performed to peel off the agent layer 2 (step S208 in FIG. 7: peeling (pick-up) step).
  • the pick-up method for example, as shown in FIG.
  • the surface is pushed up by a push-up pin (needle) 60 and, as shown in FIG. A method of peeling off from the adhesive layer 2 of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 by suction, and the like.
  • a semiconductor chip 30a with a die-bonding film (adhesive layer) 3a is obtained.
  • the pick-up condition is not particularly limited as long as it is practically permissible, and usually, the thrusting speed of the thrusting pin (needle) 60 is set within a range of 1 mm/second or more and 100 mm/second or less.
  • the thrusting speed of the thrusting pin (needle) 60 is set within a range of 1 mm/second or more and 100 mm/second or less.
  • the thickness of the semiconductor chip 30a thickness of the semiconductor wafer
  • it is set within the range of 1 mm / sec or more and 20 mm / sec or less.
  • From the viewpoint of productivity it is more preferable to be able to set within the range of 5 mm/sec to 20 mm/sec.
  • the thrust height of the thrust pin that enables pickup without damaging the semiconductor chip 30a is preferably set within the range of 100 ⁇ m or more and 600 ⁇ m or less from the same viewpoint as described above. From the viewpoint of reduction, it is more preferable that the thickness can be set within the range of 100 ⁇ m or more and 450 ⁇ m or less. From the viewpoint of productivity, it is particularly preferable that the thickness can be set within the range of 100 ⁇ m or more and 350 ⁇ m or less. It can be said that such an adhesive tape for wafer processing (dicing tape) capable of reducing the thrust height is excellent in pick-up properties.
  • Wafer processing pressure-sensitive adhesive tape (dicing tape) 10 of the present invention composed of a base film 1 consisting of a laminated resin layer containing an ionomer resin having is used as a form of a dicing die bond film 20 in which a die bond film (adhesive layer) 3 is releasably adhered and laminated on an adhesive layer 2 of a wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 in a semiconductor manufacturing process.
  • the semiconductor wafer 30 with the die-bonding film 3 can be formed satisfactorily by cool expansion.
  • a sufficient kerf width can be secured by normal temperature expansion and heat shrinking, and in the die-bonding film 3a after cutting, the adhesive layer 2 of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is cut.
  • the individual semiconductor chips 30a with the die-bonding films 3a can be favorably picked up.
  • the manufacturing method described with reference to FIGS. 10A to 10F is an example (SDBG) of manufacturing the semiconductor chip 30a using the dicing die bond film 20, and the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 is used.
  • the method used as the shape of the dicing die-bonding film 20 is not limited to the above method.
  • the method of forming the modified regions 30b along the dividing lines by irradiating the semiconductor wafer W with laser light as described in FIG. A method of forming dividing grooves with a depth of .
  • the semiconductor wafer W is held by the back grind tape T2.
  • Dividing grooves having a predetermined depth are formed on the first surface Wa side of W using a rotary blade such as a dicing machine.
  • the back grind tape T having the adhesive surface Ta is attached to the first surface Wa side of the semiconductor wafer W, and the back grind tape T2 is peeled off from the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 9B. state.
  • a method of grinding the semiconductor wafer W until the dividing groove itself is exposed on the second surface Wb side may be employed, or the semiconductor wafer W may be divided from the second surface Wb side.
  • the semiconductor wafer W is ground before reaching the groove, and thereafter, cracks are generated between the dividing groove and the second surface by the action of the grinding load pressure of W from the grinding wheel to the semiconductor wafer, thereby dividing the semiconductor wafer W ( A method of forming a plurality of semiconductor chips 30a) may be employed.
  • the depth from the first surface Wa of the division grooves to be formed is appropriately determined according to the adopted method.
  • the dicing die bond film 20 of the present embodiment can be used without being limited to the above method as long as it can be attached to the semiconductor wafer 30 during dicing.
  • the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) 10 of the present invention is particularly integrated with a wire-embedded die-bonding film to form a dicing die-bonding film in a manufacturing method for obtaining a thin-film semiconductor chip such as DBG, stealth dicing, or SDBG. It is suitable as a dicing tape for use as. Of course, it is also possible to integrate with a general-purpose die-bonding film.
  • a semiconductor device mounted with a semiconductor chip manufactured using a dicing die bond film 20 in which a wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 and a die bond film 3 to which the present embodiment is applied is integrated will be described below in detail. explained in detail.
  • a semiconductor device is produced by, for example, bonding the semiconductor chip 30a with the die-bonding film (adhesive layer) 3a described above to a support member for mounting a semiconductor chip or a semiconductor chip by thermocompression bonding, followed by a wire bonding process and sealing. It can be obtained through processes such as a sealing process using a material.
  • FIG. 11 shows a semiconductor chip mounted with a semiconductor chip manufactured using a dicing die-bonding film 20 in which a wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 to which the present embodiment is applied and a wire-embedded die-bonding film 3 are integrated.
  • 1 is a schematic cross-sectional view of one mode of a semiconductor device having a stacked structure;
  • FIG. A semiconductor device 70 shown in FIG. 11 includes a semiconductor chip mounting support substrate 4, cured die-bonding films (adhesive layers) 3a1 and 3a2, a first-stage semiconductor chip 30a1, a second-stage semiconductor chip 30a2, and a sealing material 8 .
  • the semiconductor chip mounting support substrate 4, the cured die bond film 3a1, and the semiconductor chip 30a1 constitute a support member 9 for the semiconductor chip 30a2.
  • a plurality of external connection terminals 5 are arranged on one surface of the semiconductor chip mounting support substrate 4 , and a plurality of terminals 6 are arranged on the other surface of the semiconductor chip mounting support substrate 4 .
  • the semiconductor chip mounting support substrate 4 has wires 7 for electrically connecting connection terminals (not shown) of the semiconductor chips 30 a 1 and 30 a 2 and the external connection terminals 5 .
  • the semiconductor chip 30a1 is adhered to the semiconductor chip mounting support substrate 4 by the cured die bond film 3a1 in such a manner as to fill the irregularities resulting from the external connection terminals 5. As shown in FIG.
  • the semiconductor chip 30a2 is bonded to the semiconductor chip 30a1 with a cured die bond film 3a2.
  • the wire-embedded die-bonding film 3a is suitably used for a semiconductor device having a laminated structure in which a plurality of semiconductor chips 30a are stacked.
  • FIG. 12 shows a semiconductor chip mounted with a dicing die-bonding film 20 that integrates a wafer processing adhesive tape (dicing tape) 10 and a general-purpose die-bonding film 3 to which the present embodiment is applied.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of one mode of another semiconductor device;
  • a semiconductor device 80 shown in FIG. 12 includes a semiconductor chip mounting support substrate 4 , a cured die bond film 3 a , a semiconductor chip 30 a and a sealing material 8 .
  • the semiconductor chip mounting support substrate 4 is a support member for the semiconductor chip 30a, and includes connection terminals (not shown) of the semiconductor chip 30a and external connection terminals (not shown) arranged on the main surface of the semiconductor chip mounting support substrate 4 (see FIG. not shown).
  • the semiconductor chip 30a is adhered to the semiconductor chip mounting support substrate 4 by the cured die bond film 3a.
  • Semiconductor chip 30 a and wires 7 are sealed with sealing material 8 .
  • Resin (TPO-2) Multi-stage polymerized propylene/ethylene copolymer [Reactor TPO] "Cataloy (registered trademark)” manufactured by Lyondale Basel, Vicat softening temperature: 59°C
  • ⁇ Base film 1 (a)> Ionomer resin (IO-1) is put into each extruder of a type 1 (same resin) 3-layer T-die film molding machine, and molded at a processing temperature of 240 ° C. The thickness of the 3-layer structure of the same resin A 90 ⁇ m base film 1(a) was produced. The third resin layer side (the surface opposite to the surface in contact with the second resin layer) was matted. The thickness of each resin layer was set to 1st resin layer (surface side in contact with adhesive layer 2)/2nd resin layer/3rd resin layer 30 ⁇ m/30 ⁇ m/30 ⁇ m. The content ratio of the specific ionomer resin in each resin layer is 100% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer) containing a specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is the total thickness of the base film 1(a). 100% of the height.
  • ⁇ Base film 1(b) to 1(j), 1(l) to 1(n)> The same as the base film 1 (a) except that the ionomer resin (IO-1) was changed to ionomer resins (IO-2) to (IO-10) and (IO-12) to (IO-14). Then, substrate films 1(b) to 1(j) and 1(l) to 1(n) were produced.
  • the content ratio of the specific ionomer resin in each resin layer of the base films 1(b) to 1(j) and 1(l) to 1(n) is 100% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer) containing a specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is the total thickness of the base film 1 is 100% of
  • the content ratio of the specific ionomer resin in each resin layer is 100% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer) containing a specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is the total thickness of the base film 1(o). 100% of the height.
  • ⁇ Base film 1 (p)> The ionomer resin (IO-2) is used as the resin composition for the first resin layer, the ionomer resin (IO-3) is used as the resin composition for the second resin layer, and the ionomer resin (IO-3) is used as the resin composition for the third resin layer.
  • IO-4) is prepared, put into each extruder of a three-type (resin) three-layer T-die film molding machine, and molded at a processing temperature of 240 ° C.
  • the three-layer structure of the three resins has a thickness of 90 ⁇ m.
  • a base film 1 (p) was produced.
  • the third resin layer side (the surface opposite to the surface in contact with the second resin layer) was matted.
  • the content ratio of the specific ionomer resin in each resin layer is 100% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer) containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is the total thickness of the base film 1(p). 100% of the height.
  • ⁇ Base film 1 An ionomer resin (IO-2) is used as the resin composition for the first resin layer and the second resin layer, and a mixed resin (IO-2/PA) of an ionomer resin and a polyamide resin is used as the resin composition for the third resin layer.
  • IO-2/PA mixed resin
  • IO-2/PA mixed resin
  • the content ratio of the specific ionomer resin in the first resin layer and the second resin layer is 100% by mass, and the content ratio of the specific ionomer resin in the third resin layer is 90% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer, the second resin layer and the third resin layer) containing a specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is the total thickness of the base film 1(q). 100% of the height.
  • ⁇ Base film 1 An ionomer resin (IO-2) is used as the resin composition for the first resin layer, and a mixed resin (IO-2/TPO-1) of an ionomer resin and an olefinic thermoplastic elastomer resin is used as the resin composition for the second resin layer.
  • IO-2/TPO-1 a mixed resin of an ionomer resin and an olefinic thermoplastic elastomer resin
  • the content ratio of the specific ionomer resin in the first resin layer is 100% by mass
  • the content ratio of the specific ionomer resin in the second resin layer is 80% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer and the second resin layer) containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is 100% of the total thickness of the base film 1(r). be.
  • ⁇ Base film 1 (s)> Prepare an ionomer resin (IO-2) as a resin composition for the first resin layer and the third resin layer, and prepare an olefinic thermoplastic elastomer resin (TPO-1) as a resin composition for the second resin layer;
  • the seed (resin) is put into each extruder of a three-layer T-die film molding machine, and molded at a processing temperature of 240° C. to form a base film 1(s) having a thickness of 90 ⁇ m with a three-layer configuration of two types of resin. made.
  • the third resin layer side (the surface opposite to the surface in contact with the second resin layer) was matted.
  • the content ratio of the specific ionomer resin in the first resin layer and the third resin layer is 100% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer and the third resin layer) containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is 89% of the total thickness of the base film 1(s). be.
  • ⁇ Base film 1 (t)> Prepare an ionomer resin (IO-2) as a resin composition for the first resin layer and the second resin layer, and prepare an olefinic thermoplastic elastomer resin (TPO-2) as a resin composition for the third resin layer;
  • the seed (resin) was put into each extruder of a three-layer T-die film molding machine and molded at a processing temperature of 240 ° C. to form a base film 1 (t) having a thickness of 120 ⁇ m with a three-layer configuration of two kinds of resins. made.
  • the third resin layer side (the surface opposite to the surface in contact with the second resin layer) was matted.
  • the content ratio of the specific ionomer resin in the first resin layer and the second resin layer is 100% by mass.
  • the total thickness of the resin layers (the first resin layer and the second resin layer) containing the specific ionomer resin at a content ratio of 80% by mass or more is 67% of the total thickness of the base film 1(t). be.
  • AIBN azobisisobutyronitrile
  • an isocyanate group and an active energy ray-reactive carbon-carbon double bond manufactured by Showa Denko KK are added as an active energy ray-reactive compound manufactured by Showa Denko KK.
  • 2-isocyanatoethyl methacrylate (trade name: Karenz MOI, molecular weight: 155.15, isocyanate group: 1/1 molecule, double bond group: 1/1 molecule) 21.0 parts by mass (135.35 mmol: 74.8 mol% with respect to 2-HEA) and reacted with part of the hydroxyl groups of 2-HEA to obtain a solution of acrylic adhesive polymer (A) having carbon-carbon double bonds in side chains ( Solid content concentration: 50% by mass, weight average molecular weight Mw: 380,000, solid content hydroxyl value: 21.1 mgKOH/g, solid content acid value: 2.7 mgKOH/g, carbon-carbon double bond content: 1.12 mmol /g) were synthesized. In the above reaction, 0.05 part by mass of hydroquinone monomethyl ether was used as a polymerization inhibitor for maintaining the reactivity of carbon-carbon double bonds.
  • IGM Resins B.I. V. 2.0 parts by mass of an ⁇ -hydroxyalkylphenone-based photopolymerization initiator (trade name: Omnirad 184) manufactured by IGM Resins B.V. V. 0.4 parts by mass of an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator (trade name: Omnirad 819) manufactured by Tosoh Corporation as a cross-linking agent, and a TDI-based polyisocyanate-based cross-linking agent manufactured by Tosoh Corporation (trade name: Coronate L-45E, Solid content concentration: 45% by mass) was blended at a ratio of 2.56 parts by mass (1.15 parts by mass in terms of solid content, 1.75 mmol), diluted with ethyl acetate and stirred to obtain a solid content concentration of 22% by mass.
  • a solution of the active energy ray-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition 2(a) was prepared.
  • Adhesive Composition Solution As the adhesive composition for the die bond film (adhesive layer) 3 of the dicing die bond film 20, solutions of the following adhesive compositions 3(a) to 3(d) were prepared.
  • thermosetting resin 26 parts by mass of a bisphenol type epoxy resin (trade name: R2710, epoxy equivalent: 170, molecular weight: 340, liquid at room temperature) manufactured by Printec Co., Ltd., cresol novolak type epoxy manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.
  • Resin trade name: YDCN-700-10, epoxy equivalent 210, softening point 80 ° C.
  • cross-linking agent (trade name: Milex XLC-LL, hydroxyl equivalent: 175, softening Point: 77 ° C., water absorption: 1 mass%, heating mass reduction rate: 4 mass%) 1 part by mass, phenolic resin manufactured by Air Water Co., Ltd. (trade name: HE200C-10, hydroxyl equivalent: 200, softening point: 71 ° C., water absorption: 1 mass%, heating mass reduction rate: 4 mass%) 25 parts by mass, phenolic resin manufactured by Air Water Co., Ltd. (trade name: HE910-10, hydroxyl equivalent: 101, softening point: 83 ° C.
  • silica filler dispersion manufactured by Admatechs Co., Ltd. as an inorganic filler (trade name: SC2050-HLG, average particle size: 0.50 ⁇ m) 15 parts by mass, silica filler dispersion manufactured by Admatechs Co., Ltd. (trade name: SC1030-HJA, average particle size: 0.25 ⁇ m) 14 parts by mass, silica manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • a glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Corporation (trade name: HTR-860P-30B-CHN, glycidyl (meth) acrylate content : 8 mass%, weight average molecular weight Mw: 230,000, Tg: -7 ° C.) 37 parts by mass, glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.
  • a weight percent solution of adhesive composition 3(a) was prepared.
  • the content of the inorganic filler was 20.5% by mass with respect to the total amount of the resin component.
  • the shear viscosity at 80° C. of the die-bonding film (adhesive layer) 3 formed from the solution of the adhesive composition 3(a) was 3,800 Pa ⁇ s.
  • thermosetting resin Tohto Kasei Co., Ltd. bisphenol F type epoxy resin (trade name: YDF-8170C, epoxy equivalent: 159, molecular weight: 310, liquid at room temperature) 21 parts, Tohto Kasei Co., Ltd. cresol Novolak type epoxy resin (trade name: YDCN-700-10, epoxy equivalent 210, softening point 80 ° C.) 33 parts by mass, Air Water Co., Ltd.
  • phenol resin (trade name: HE200C-10, hydroxyl equivalent: 200, softening point: 71 ° C., water absorption: 1% by mass, heating mass reduction rate: 4% by mass) 46 parts by mass, silica filler dispersion manufactured by Admatechs Co., Ltd. as an inorganic filler (trade name: SC1030-HJA, average Cyclohexanone as a solvent was added to a resin composition consisting of 18 parts by mass of a particle size of 0.25 ⁇ m, mixed with stirring, and further dispersed for 90 minutes using a bead mill.
  • silica filler dispersion manufactured by Admatechs Co., Ltd. as an inorganic filler
  • SC1030-HJA average Cyclohexanone as a solvent
  • a glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Corporation (trade name: HTR-860P-30B-CHN, glycidyl (meth) acrylate content : 8 mass%, weight average molecular weight Mw: 230,000, Tg: -7 ° C.) 16 parts by mass, glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.
  • a weight percent solution of adhesive composition 3(b) was prepared.
  • the content of the inorganic filler was 10.0% by mass with respect to the total amount of the resin component.
  • the shear viscosity at 80° C. of the die-bonding film (adhesive layer) 3 formed from the solution of the adhesive composition 3(b) was 9,700 Pa ⁇ s.
  • thermosetting resin 11 parts by mass of a bisphenol type epoxy resin manufactured by Printec Co., Ltd. (trade name: R2710, epoxy equivalent: 170, molecular weight: 340, liquid at room temperature), dicyclopentadiene type epoxy manufactured by DIC Corporation.
  • Resin (trade name: HP-7200H, epoxy equivalent: 280, softening point: 83 ° C.) 40 parts by mass, DIC Corporation bisphenol S type epoxy resin (trade name: EXA-1514, epoxy equivalent: 300, softening point: 75 ° C.) 18 parts by mass, a phenolic resin manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. as a cross-linking agent (trade name: Milex XLC-LL, hydroxyl equivalent: 175, softening point: 77 ° C., water absorption: 1 mass%, heating mass reduction rate: 4% by mass) 1 part by mass, phenolic resin manufactured by Air Water Inc.
  • a glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Corporation (trade name: HTR-860P-30B-CHN, glycidyl (meth) acrylate content : 8 mass%, weight average molecular weight Mw: 230,000, Tg: -7 ° C.) 30 parts by mass, glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.
  • a solution of adhesive composition 3(c) with a concentration of 20% by weight was prepared.
  • the content of the inorganic filler was 18.0% by mass with respect to the total amount of the resin component.
  • the shear viscosity at 80° C. of the die-bonding film (adhesive layer) 3 formed from the solution of the adhesive composition 3(c) was 3,600 Pa ⁇ s.
  • thermosetting resin cresol novolac epoxy resin (trade name: YDCN-700-10, epoxy equivalent: 210, softening point: 80 ° C.) manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd. 54 parts by mass
  • Mitsui Chemicals Co., Ltd. as a cross-linking agent phenol resin (trade name: Milex XLC-LL, hydroxyl equivalent: 175, water absorption: 1.8%) 46 parts by mass, silica manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
  • inorganic filler trade name: Aerosil R972, average particle size : 0.016 ⁇ m
  • cyclohexanone was added as a solvent, mixed with stirring, and further dispersed for 90 minutes using a bead mill.
  • a glycidyl group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. (trade name: HTR-860P-3CSP, glycidyl (meth) acrylate content: 3) is added to the resin composition as a thermoplastic resin.
  • a solution of the adhesive composition 3 (a) for forming the die-bonding film (adhesive layer) 3 is prepared, and the dried die-bonding film ( The solution of the adhesive composition 3(a) is applied so that the adhesive layer) 3 has a thickness of 30 ⁇ m, and is first heated at a temperature of 90° C. for 5 minutes and then at a temperature of 140° C. for 5 minutes. The solvent was dried by heating in two stages, and a die-bonding film (adhesive layer) 3 provided with a release liner was produced.
  • a protective film for example, a polyethylene film or the like
  • the die-bonding film (adhesive layer) 3 provided with the release liner prepared above is cut into a circle with a diameter of 335 mm together with the release liner, and the adhesive layer-exposed surface of the die-bonding film (adhesive layer) 3 (peeling The liner-free surface) was attached to two surfaces of the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing tape 10 from which the release liner was removed.
  • the bonding conditions were 23° C., 10 mm/sec, and linear pressure of 30 kgf/cm.
  • a circular die bond film (adhesive layer) 3 with a diameter of 335 mm is laminated on the center part of the adhesive layer 2 of the circular dicing sheet 10 with a diameter of 370 mm.
  • a dicing die-bonding film 20 (DDF(a)) was produced.
  • Examples 2 to 19 All the same as in Example 1 except that the base film 1 (a) was changed to the base films 1 (b) to 1 (j) and 1 (l) to 1 (t) shown in Tables 1 to 3, respectively.
  • Dicing die-bonding films 20 DDF(b) to DDF(j), DDF(1) to DDF(t) were prepared in the same manner.
  • Example 20 A dicing die-bonding film 20 (DDF(u)) was produced in the same manner as in Example 2, except that the solution of adhesive resin composition 3(a) was changed to the solution of adhesive composition 3(b).
  • Example 21 A dicing die-bonding film 20 (DDF(v)) was produced in the same manner as in Example 2, except that the solution of adhesive resin composition 3(a) was changed to the solution of adhesive composition 3(c).
  • Example 22 All except that the solution of the adhesive resin composition 3(a) was changed to the solution of the adhesive composition 3(d), and the thickness of the die-bonding film (adhesive layer) 3 after drying was changed to 20 ⁇ m.
  • a dicing die-bonding film 20 (DDF(w)) was produced in the same manner as in Example 2.
  • Example 23 A dicing die-bonding film 20 (DDF(x)) was produced in the same manner as in Example 3, except that the thickness of the die-bonding film (adhesive layer) 3 after drying was changed to 50 ⁇ m.
  • shear viscosity of die bond film (adhesive layer) 3 at 80 ° C was measured by the following method.
  • a laminate was prepared by laminating a plurality of die-bonding films (adhesive layer) 3 from which the release liner was removed at 70° C. so that the total thickness would be 200 to 210 ⁇ m.
  • the laminate was punched out in the thickness direction into a size of 10 mm ⁇ 10 mm to obtain a measurement sample. Subsequently, using a dynamic viscoelasticity apparatus ARES (manufactured by Rheometric Scientific F.E.
  • a circular aluminum plate jig with a diameter of 8 mm was mounted, and then a measurement sample was set.
  • the shear viscosity was measured while applying a strain of 5% to the measurement sample at 35°C and heating the measurement sample at a heating rate of 5°C/min to determine the value of the shear viscosity at 80°C.
  • Laser oscillator type Semiconductor laser excitation
  • Q-switched solid-state laser (2) Wavelength: 1342 nm (3)
  • the semiconductor wafer W with a thickness of 750 ⁇ m in which the modified region 30b is formed and held by the back grinding tape is ground and thinned.
  • a semiconductor wafer 30 having a thickness of 30 ⁇ m was obtained.
  • the semiconductor wafer 30 is cracked vertically from the modified region 30b formed on the dividing line on the backgrinding tape. It is divided into semiconductor chips 30a each having the same size.
  • the splitting property of the adhesive layer 3, which is one of the index items of the stealth dicing property was evaluated by carrying out a cool expansion process by the following method.
  • a plurality of semiconductor chips 30a having a thickness of 30 ⁇ m obtained by the above method were applied from the dicing die-bonding film 20 produced in each example and comparative example to the surface opposite to the side to which the back grind tape was attached.
  • a dicing die-bonding film 20 is applied to a plurality of semiconductor chips 30a using a laminating device (device name: DFM2800) manufactured by Disco Co., Ltd. so that the adhesive layer 3 exposed by peeling off the release liner adheres.
  • the dicing tape 10 was laminated at a lamination temperature of 70° C. and a lamination speed of 10 mm/sec.
  • the back grind tape was peeled off, and a plurality of semiconductor chips 30 a were transferred and fixed onto the die bond film 3 of the dicing die bond film 20 .
  • the dicing die-bonding film 20 is divided between the MD direction of the base film 1 and the vertical line direction of the grid-shaped division lines of the semiconductor wafer 30 (the TD direction of the base film 1 and the grid-shaped semiconductor wafer 30). It is attached to a plurality of semiconductor chips 30a, which are divided bodies of the semiconductor wafer 30, so that the horizontal line direction of the line to be divided coincides.
  • a laminate (semiconductor chips 30a/adhesive layer 3/adhesive layer 2/base film 1) including a plurality of semiconductor chips 30a held by the ring frame (wafer ring) 40 is expanded by DISCO Corporation. It was fixed to a device (device name: DDS2300 Fully Automatic Die Separator).
  • the adhesive layer 3 was cut by cool-expanding the dicing tape 10 (adhesive layer 2/base film 1) of the dicing die-bonding film 20 with the semiconductor wafer 30 under the following conditions.
  • a semiconductor chip 30a with a die bond film (adhesive layer) 3 was obtained.
  • the cool expansion process was carried out under the following conditions. The cool expansion step may be performed at .
  • the adhesive layer 3 after cool expansion is observed from the surface side of the semiconductor chip 30a using an optical microscope (type: VHX-1000) manufactured by Keyence Corporation at a magnification of 200 times to determine the side to be cut. Among them, the number of sides that were not cleaved was counted. Then, for each adhesive layer 3, from the total number of sides to be cut and the total number of uncut sides, the ratio of the number of cut sides to the total number of sides to be cut is calculated as a cutting rate (%). calculated as All the semiconductor chips 30a were observed with the optical microscope. The splittability of each adhesive layer 3 was evaluated according to the following criteria, and evaluation of B or higher was judged to be good splittability.
  • the dicing tape 10 was sucked by the suction table, and the suction table was lowered together with the work while the suction by the suction table was maintained. Then, a heat shrinking process was performed under the following conditions to heat shrink (heat shrink) the circumferential portion of the dicing tape 10 outside the semiconductor chip 30a holding region.
  • the surface temperature of the heated portion of the dicing tape 10 was 80°C.
  • Hot air temperature 220°C
  • Air volume 40L/min
  • Distance between hot air outlet and dicing tape 10 20 mm
  • Stage rotation speed 7°/sec
  • the workpiece is removed from the expanding device, placed on a flat rubber mat, and the semiconductor chip 30a holding region of the dicing tape 10 after heat shrinking is removed.
  • the degree of elimination of slackness in the outer circumferential portion was visually confirmed under a three-wavelength fluorescent lamp.
  • Each dicing tape 10 was evaluated for the degree of elimination of slackness according to the following criteria, and an evaluation of B or higher was judged to have good heat shrinkability.
  • the expandability and heat shrinkability of the dicing tape 10 in the dicing die-bonding film 20 are evaluated according to the following criteria, and the evaluation of B or higher indicates that the expandability and heat shrinkability are good, that is, the kerf width at a level that hardly causes problems in the pick-up process. was determined to be secured.
  • Both the kerf width in the MD direction and the kerf width in the TD direction were 30 ⁇ m or more.
  • B The value of the kerf width in the MD direction is 30 ⁇ m or more and the value of the kerf width in the TD direction is 25 ⁇ m or more and less than 30 ⁇ m, or the value of the kerf width in the TD direction is 30 ⁇ m or more and the value of the kerf width in the MD direction is 25 ⁇ m or more and less than 30 ⁇ m.
  • both the kerf width in the MD direction and the kerf width in the TD direction are 25 ⁇ m or more and less than 30 ⁇ m.
  • C At least one of the kerf width in the MD direction and the kerf width in the TD direction was less than 25 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 was cured by irradiating ultraviolet rays (UV) having a central wavelength of 365 nm so that the integrated light amount was 150 mJ/cm at an irradiation intensity of 70 mW/cm, thereby obtaining a pick-up evaluation sample.
  • UV ultraviolet rays
  • a pick-up test was performed using a device (device name: die bonder DB-830P) having a pick-up mechanism manufactured by Fasford Technology Co., Ltd. (former Hitachi High-Technologies Corporation).
  • the size of the pick-up collet was 4.4 ⁇ 6.9 mm
  • the number of push-up pins was 12, and the pick-up conditions were as follows: push-up speed of the push-up pin was 10 mm/sec, and push-up height of the push-up pin was 100 ⁇ m. bottom.
  • the number of pick-up trie samples was 20 (chips) at a predetermined position, and the pick-up property of the dicing tape 10 on the dicing die-bonding film 20 was evaluated according to the following criteria. .
  • the dicing die bond films of Examples 1 to 23 (DDF (a) to DDF (j), DDF (l) to DDF (x)), after the adhesive layer is cut, fixes the semiconductor chip with the adhesive layer on the adhesive layer of the adhesive tape for wafer processing (dicing tape) while ensuring a sufficient kerf width.
  • the dicing die-bonding film using the adhesive tape for wafer processing of the present invention includes, as a base film, an ethylene/unsaturated carboxylic acid-based copolymer containing a specific content ratio of structural units derived from an unsaturated carboxylic acid.
  • the resin film is laminated with a resin layer containing an ionomer resin that is cross-linked with a specific concentration of zinc ions and has an appropriate Vicat softening temperature, it has moderate tensile stress and uniform extensibility at the time of expansion, and heat It also has shrinkability in the shrinking process, so that the adhesive layer can be divided satisfactorily by expansion, and slack generated in the tape during expansion can be removed by heat shrinkage. As a result, the kerf width between the semiconductor chips with the adhesive layers secured by the expansion is properly maintained, and damage due to contact between the chips and re-adhesion due to contact between the adhesive layers are less likely to occur. It was found that a semiconductor chip with an adhesive layer could be picked up satisfactorily.
  • the adhesive layer is as good as an ordinary general-purpose die-bonding film. It was found that the adhesive layer-attached semiconductor chip could be picked up satisfactorily.
  • the content ratio of the specific ionomer resin in each resin layer is 100% by mass, and the resin layer (first resin layer, The total thickness of the second resin layer and the third resin layer) was 100% of the total thickness of the base film.
  • the zinc (Zn 2+ ) ion concentration per 1 g of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is in the range of 0.41 mmol or more and 0.60 mmol or less
  • the unsaturated ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer The dicing die-bonding films of Examples 12 and 13, in which the content ratio of the structural unit (isobutyl acrylate) derived from a carboxylic acid ester is as low as 1.5% by mass, is the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer containing isobutyl acrylate. The result was slightly inferior to the dicing die films of Examples 2 to 8 and Example 15 in which the content ratio was 5% by mass or more.
  • the dicing die-bonding films of Example 2 and Examples 20-22 using die-bonding films having the same configuration of the dicing tape 10 and different shear viscosity characteristics at 80° C. and the thickness of the die-bonding film were changed to 30 ⁇ m of Example 3. From the evaluation results of the dicing die bond film of Example 23, which was thickened to 50 ⁇ m with respect to It was found that even when using , the splittability of the adhesive layer was generally good, the kerf width after heat shrinking was sufficiently secured, and the pick-up property was also good.
  • an ionomer resin (IO-2) is used as the resin composition for the first resin layer and the second resin layer, and an ionomer resin and a polyamide resin are mixed at a mass ratio of 90:1 as the resin composition for the third resin layer.
  • the dicing die-bonding film of Example 16 which has a base film having a two-resin three-layer structure using the resin (IO-2/PA) used in the resin (IO-2/PA), has a one-kind resin three-layer structure using only the ionomer resin (IO-2).
  • Example 2 It was found to be as excellent as the dicing die bond film of Example 2 having a base film of, but the ionomer resin (IO-2) was used as the resin composition for the first resin layer, and the resin for the second resin layer Example 17 having a base film having a two-layer two-layer structure using a resin (IO-2/TPO-1) obtained by mixing an ionomer resin and an olefinic thermoplastic elastomer resin at a mass ratio of 80:20 as a composition.
  • a resin (IO-2/TPO-1) obtained by mixing an ionomer resin and an olefinic thermoplastic elastomer resin at a mass ratio of 80:20 as a composition.
  • the dicing die-bonding film of No. 2 was of a practically acceptable level, the results were slightly inferior to those of the dicing die-bonding film of Example 2.
  • an ionomer resin (IO-2) is used as the resin composition for the first resin layer and the third resin layer
  • an olefinic thermoplastic elastomer resin (TPO-1) is used as the resin composition for the second resin layer.
  • the dicing die-bonding films (DDF(y) to DDF(dd)) of Comparative Examples 1 to 6 using wafer processing adhesive tapes that do not satisfy the requirements of the present invention are all It was confirmed that the results were inferior to those of the dicing die-bonding films of Examples 1 to 23 in terms of the tearability of the adhesive layer, the kerf width after heat shrinking, and the pick-up property.
  • IO-16 ionomer resin
  • Zn 2+ zinc (Zn 2+ ) ion concentration of less than 0.38 mmol per gram of ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer
  • the content ratio of the structural unit (methacrylic acid) derived from the unsaturated carboxylic acid in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is less than 6.9% by mass, and 1 g of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer
  • the dicing die-bonding film of Comparative Example 2 which has a substrate film of a three-layer structure of a single resin using only an ionomer resin (IO-17) having a zinc (Zn 2+ ) ion concentration of less than 0.38 mmol per unit, is also a comparative example. Similar to the dicing die-bonding film of No. 1, the pick-up property was inferior to the dicing die-bonding films of Examples 1-15.
  • the content ratio of the structural unit (methacrylic acid) derived from the unsaturated carboxylic acid in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer exceeds 18.0% by mass, and the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer per 1 g
  • the dicing die-bonding film of No. 3 was inferior in pick-up property to the dicing die-bonding films of Examples 1-15.
  • some blocking occurred on the winding core side of the raw fabric roll, so the evaluation was performed on the portion without blocking.
  • the content ratio of the structural unit (methacrylic acid) derived from the unsaturated carboxylic acid in the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is less than 6.9% by mass, and the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer Comparison with a base film having a three-layer structure of a single resin using only an ionomer resin (IO-19) having a zinc (Zn 2+ ) ion concentration per 1 g of less than 0.38 mmol and a Vicat softening temperature exceeding 80 ° C.
  • IO-19 ionomer resin having a zinc (Zn 2+ ) ion concentration per 1 g of less than 0.38 mmol and a Vicat softening temperature exceeding 80 ° C.
  • the zinc (Zn 2+ ) ion concentration per 1 g of the ethylene/unsaturated carboxylic acid copolymer is 0.
  • the dicing die-bonding film of Comparative Example 6 which has a base film having a two-layer resin structure in which resin layers made of an ionomer resin (IO-16) of less than 38 mmol are laminated, , and the dicing die-bonding films of Examples 1 to 23 were inferior in pick-up properties.
  • Comparative Example 5 could not be evaluated as a dicing die-bonding film because the base film 1(y) could not be stably formed.
  • Semiconductor wafer left part 33... Semiconductor wafer right part, 34 ... the upper part of the semiconductor wafer, 35 ... semiconductor wafer lower part, 40... ring frame (wafer ring), 41 ... holder, 50... Adsorption collet, 60... push-up pin (needle), 70, 80... Semiconductor devices.

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Abstract

発明の課題は、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した引張応力と均一拡張性、加熱収縮工程でエキスパンド時に生じたテープの弛みを解消できる高い収縮性を兼ね備えたウエハ加工用粘着テープを提供することである。課題の解決手段は、アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率の第１樹脂層と第２樹脂層を有する２層以上の基材フィルムと粘着剤層を有し、前記アイオノマー樹脂は、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が有する酸基の一部が亜鉛イオンで中和されたビカット軟化温度が５０～７９℃の樹脂から成り、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸由来の構成単位の含有比率が、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の構成単位の全量を１００質量％とした時、６．９～１８．０質量％、前記亜鉛イオンの濃度が、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．３８～０．６０ｍｍｏｌのウエハ加工用粘着テープである。

Description

粘着テープ
　本発明は、半導体装置の製造工程で使用されるウエハ加工用粘着テープに関し、特に、ダイボンドフィルム（接着剤層）付き半導体チップを得るために使用されるエキスパンド可能なウエハ加工用粘着テープに関する。
　ＩＣ等の半導体装置の製造工程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップを得るうえで、基材および粘着剤層からなるダイシングテープとダイボンドフィルム（以下、「接着剤層」あるいは「接着フィルム」と称する場合がある）とが一体化されたダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。
　上記ダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンドフィルム（以下、「接着フィルム」あるいは「接着剤層」と称する場合がある）を剥離可能に設けたものである。具体的には、半導体装置の製造において、例えば、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを貼着・配置して、半導体ウエハをダイボンドフィルムと共にダイシングして個々の接着フィルム付き半導体チップを得るために用いられる。その後、半導体チップをダイボンドフィルムと共にダイシングテープの粘着剤層からダイボンドフィルム付き半導体チップとして剥離（ピックアップ）し、ダイボンドフィルムを介して半導体チップをリードフレームや配線基板、あるいは別の半導体チップ等の被着体に固着させる。
　上記ダイシングダイボンドフィルムは、生産性向上の観点から好適に用いられるが、ダイシングダイボンドフィルムを使用してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る方法として、近年では、従来の高速回転するダイシングブレードによるフルカット切断方法に取って代わり、薄膜化する半導体ウエハをチップに個片化する際のチッピングや接着剤層の切削屑に起因するピックアップ不良が抑制できるとして、（１）ＤＢＧ（Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）による方法、（２）ステルスダイシング（登録商標）による方法等が提案されている。
　上記（１）のＤＢＧによる方法では、まず、ダイシングブレードを用いて半導体ウエハを完全に切断せずに、半導体ウエハの表面に所定の深さの分割溝を形成し、その後裏面研削を、該研削量を適宜調整しながら所定の厚さまで行うことにより、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体あるいは複数の半導体チップに個片化可能な薄膜化された半導体ウエハを得る。その後、該半導体ウエハの分割体あるいは該半導体チップに個片化可能な半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、ダイシングテープを低温下（例えば、－３０℃以上０℃以下）にてエキスパンド（以下、「クールエキスパンド」と称する場合がある）することにより、上記分割溝に沿って、低温で脆性化されたダイボンドフィルムを個々の半導体チップに相当するサイズに割断（以下、「分断」と称する場合がある）、あるいは半導体ウエハと共に割断する。上記ダイシングテープのエキスパンドは、ダイシングテープの下に設けた拡張テーブルを押し上げることで行う。最後にダイシングテープの粘着剤層からピックアップにより剥離して、個々のダイボンドフィルム付き半導体チップを得ることができる。
　上記（２）のステルスダイシングによる方法では、まず、裏面研削により所定の厚さに薄膜化された半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、半導体ウエハ内部にレーザー光を照射して選択的に改質領域（改質層）を形成させながらダイシング予定ラインを形成する。その後、ダイシングテープをクールエキスパンドすることにより、半導体ウエハに対して改質領域から垂直に亀裂を進展させ、該半導体ウエハを上記ダイシング予定ラインに沿って、低温で脆性化されたダイボンドフィルムと共に個々に割断する。最後にダイシングテープの粘着剤層からピックアップにより剥離して、個々のダイボンドフィルム付き半導体チップを得ることができる。この際、ダイシングテープには、ダイボンドフィルム付き半導体ウエハを確実に割断するために、割断できるだけの応力および均一且つ等方的な拡張性が要求され、これまでに種々の提案がなされている。
　例えば、特許文献１には、熱硬化タイプの表面保護テープを使用する場合の加熱処理において過剰軟化せず、しかも、接着剤層を分断するエキスパンド工程において使用可能な均一且つ等方的な拡張性を有するウエハ加工用テープを提供することを目的として、ＪＩＳ　Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂からなる最下層と、ＪＩＳ　Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上８０℃未満の熱可塑性樹脂からなる前記最下層以外の他の層とを有する２層以上の複数層からなる基材フィルムが開示されている。
　また、上記（１）のＤＢＧによる方法においては、半導体ウエハ表面にダイシングブレードにより分断（割断）溝を形成する代わりにステルスダイシングにより半導体ウエハ内部に選択的に改質領域を設けた後、裏面研削することにより半導体ウエハを所定の厚さまで薄膜化し、ダイボンドフィルム付き半導体ウエハの分割体あるいは個片化可能なダイボンドフィルム付き半導体ウエハを得ることもできる。これは、ＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｄｉｎｇ）と呼ばれる方法である。
　ところで、上述したダイボンドフィルム付き半導体チップを適切にピックアップするために、通常はその前工程として、上記クールエキスパンド工程において割断された隣接する個々のダイボンドフィルム付き半導体チップ間の間隔（以下、「カーフ幅」と称する場合がある）を広げることを目的にダイシングテープを常温付近でエキスパンド（以下、「常温エキスパンド」と称する場合がある）する工程が実施される。該工程において、ダイシングテープの下に設けた拡張テーブルを押し上げる際、エキスパンド（拡張）テーブルの周縁部でダイシングテープに掛かる応力は、エキスパンドテーブルの中心部よりも大きなものとなる。そのため、常温エキスパンド後に拡張テーブルを降下させてエキスパンド状態を解除すると、ダイシングテープの外周部には、エキスパンドテーブルの周縁部に対応した弛みが生じる。このような弛みは、分割された半導体チップの間隔を不均一にしたり狭めたりし、ピックアップ工程における製品不良の原因となる。具体的には、ピックアップ工程において、ダイシングテープの粘着剤層からダイボンドフィルム付き半導体チップを適切にピックアップできないことがあり、例えば、半導体チップのピックアップ時に、当該チップとそれに隣接するチップおいてチップ間接触に起因する損傷や接着剤層同士の接触に起因する再癒着等が生じ、ピックアップ歩留まりが低下することがある。
　このようなダイシングテープの弛みを解消する手段として、ダイシングテープの外周部の弛んだ部分に、例えば該部分の表面温度が約８０℃となるように熱風を吹きかけて弛んだ部分を加熱することで収縮させて元の状態に復元するヒートシュリンク工程（以下、「加熱収縮工程」と称する場合がある）が知られている。この工程が適切に実施されるためには、ダイシングテープは、８０℃程度の温度において高い熱収縮性を有する必要がある。この適切なヒートシュリンク工程により、ダイシングテープの外周部より内側の領域（半導体ウエハが貼着された領域）は所定程度の張力が作用する緊張状態に至る。その結果、個々の半導体チップ間の間隔（カーフ幅）を広げたまま固定保持することができるので、割断された個々のダイボンドフィルム付き半導体チップをダイシングテープの粘着剤層から適切にピックアップすることができる。
　例えば、特許文献２には、引き伸ばし率の増大によるチップ間隔の拡張に対応でき、エキスパンドによって生じたたるみが熱風吹き付けによって十分に除去でき、ピックアップ終了後のカセット収納時に収納ミスの発生しない半導体ウエハ固定用粘着テープを提供することを目的として、基材フィルム上に粘着剤層を有してなる半導体ウエハ固定用粘着テープにおいて、前記基材フィルムが、融点が６０～８０℃のアイオノマー樹脂を含む層を少なくとも１層有してなる半導体ウエハ固定用粘着テープが開示されている。
　また、特許文献３には、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性を有し、且つ、加熱収縮工程において十分な収縮性を示し、加熱収縮工程の後に弛みによる不具合を引き起こすことないウエハ加工用テープを提供することを目的として、ＪＩＳ　Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満であり、熱収縮による応力の増大が９ＭＰａ以上である熱可塑性架橋樹脂からなる基材フィルムが開示されている。
特開２００９－２３１７００ 特開平９－７９７６ 特開２０１１－２１６５０８
　特許文献１におけるウエハ加工用テープは、ビカット軟化点が８０℃以上の熱可塑性樹脂からなる最下層を有する基材フィルムを使用しているため、チャックテーブルへの貼り付きが発生せず、接着剤層を良好に分断できるとされている。しかしながら、エキスパンド後のダイシングテープの弛みを除去し、個々の半導体チップ間のカーフ幅を確保するためのヒートシュリンク工程やウエハ加工用テープの熱収縮性に関する記載はなく、本発明者らの検討によると、基材フィルムに使用する熱可塑性樹脂のビカット軟化点が高いと、例えば弛み部分の表面温度が約８０℃となるように熱風を吹きかけた際の熱収縮性が十分に高いとは言えない場合があり、ヒートシュリンク工程によって弛みを元の状態に復元できずに、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できないおそれがあった。また、後述するワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムのような厚さが厚く、流動性の高い接着剤層が割断できるかどうかは不明である。
　また、特許文献２における半導体ウエハ固定用粘着テープは、基材フィルムが、融点が６０～８０℃のアイオノマー樹脂を含む層を少なくとも１層有しているため、引き伸ばし率の増大によるチップ間隔の拡張に対応でき、エキスパンドによって生じたたるみが熱風吹き付けによって十分に除去でき、ピックアップ終了後のカセット収納時に収納ミスの発生を防止できるとされている。しかしながら、上記ヒートシュリンク工程において、例えば弛み部分の表面温度が約８０℃となるように熱風を吹きかけた場合、基材フィルムに使用するアイオノマー樹脂の融点が低いと、加熱収縮の際に樹脂が過剰に軟化し、流動化してしまうため、半導体ウエハ固定用粘着テープが変形あるいは最悪は溶断してしまうおそれがあった。また、接着剤層については一切記載がなく、この半導体ウエハ固定用粘着テープをＤＢＧやステルスダイシングによる方法に適用した場合、半導体ウエハをダイボンドフィルム（接着剤層）とともに割断できる応力を有するかは不明であり、さらに、ヒートシュリンク後にエキスパンド状態を開放してチップをピックアップする工程に供した場合にカーフ幅が十分に確保されるかも不明である。
　また、特許文献３におけるウエハ加工用テープは、ビカット軟化点が５０℃以上９０℃未満であり、熱収縮による応力の増大が９ＭＰａ以上である熱可塑性架橋樹脂からなる基材フィルムを使用しているため、加熱収縮工程の後に弛みが非常に少なく、分断済みの半導体チップおよび個片化された接着剤をウエハ加工用テープ上に安定して固定することができ、良好なピックアップ性が得られるとされている。しかしながら、本発明者らの検討によると、基材フィルムに使用する熱可塑性架橋樹脂の性能によっては、例えば弛み部分の表面温度が約８０℃となるように熱風を吹きかけた際の熱収縮性が十分に高いとは言えない場合があり、ヒートシュリンク工程によって弛みを元の状態に復元できずに、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できないおそれがあった。また、後述するワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムのような厚さが厚く、流動性の高い接着剤層が割断できるかどうかは不明である。
　上述したように、従来技術においては、エキスパンド後のテープの弛みの解消に対して、一定の効果は得られるものの、使用する熱可塑性架橋樹脂を含む基材フィルムの性能によっては、加熱による収縮が十分ではなく、加熱収縮工程の後に弛みが残り、分断済みの半導体チップおよび個片化された接着剤層をテープ上にカーフ幅を広げたまま安定して固定することができず、隣接する半導体チップ同士が接触して破損したり、接着剤層同士が接触して再癒着したりすることで、半導体部品製造工程の歩留まりが悪化してしまう場合があり、まだまだ改善の余地があった。
　加えて、近年では、半導体ウエハの薄型化に伴って、半導体チップの多段積層工程におけるワイヤボンド時にチップ割れが発生し易くなっており、その課題対策として、スペーサ機能を兼ね備えたワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムが提案されている。このワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムは、ダイボンディング時にワイヤを隙間なく埋め込む必要があり、上述した従来の汎用ダイボンドフィルムと比較して、厚さが厚く、流動性が高い（高温下での溶融粘度が低い）傾向にある。そのため、このようなワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムは、従来のワイヤが接着剤層中に埋め込まれない形態で使用される汎用ダイボンドフィルムと比較して、クールエキスパンド時に割断されにくく、また、割断された厚さが厚いダイボンドフィルム同士の再付着や半導体チップ同士の衝突が生じやすく、ピックアップ性が劣る傾向にある。その対策のために、ウエハ加工用粘着テープのエキスパンド量を大きくすると、弛み量も大きくなり、加熱収縮工程による弛みの解消が困難となる場合があった。したがって、このような観点からも、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムに代表される割断しにくいダイボンドフィルムであっても良好に割断することができ、さらに分断済みの半導体チップおよび個片化された接着剤層をテープ上にカーフ幅を十分に広げたまま安定して固定することができるウエハ加工用粘着テープが強く望まれていた。
　本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、エキスパンドによって接着剤層、特にはワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムに代表される割断しにくい接着剤層を分断する工程に適した引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程においてエキスパンド時に生じたテープの弛みを解消できる高い収縮性とを兼ね備えたウエハ加工用粘着テープを提供することを目的とする。
　すなわち、本発明は、以下の実施形態を提供する。
　［１］エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用粘着テープであって、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層を有し、
　前記基材フィルムは、少なくとも、アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第１樹脂層と、前記アイオノマー樹脂と同一もしくは異なる種類のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第２樹脂層と、を有する２層以上の積層構成から成り、
　前記アイオノマー樹脂は、いずれも該樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体と亜鉛イオンを含み、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化温度が、５０℃を下限値、７９℃を上限値とする範囲内の値を有し、
　前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、６．９質量％を下限値、１８．０質量％を上限値とする範囲内の値を有し、
前記亜鉛イオンの濃度は、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．３８ｍｍｏｌを下限値、０．６０ｍｍｏｌを上限値とする範囲内の値を有する、ウエハ加工用粘着テープ。
　［２］前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、８．０質量％以上１５．０質量％以下の範囲である、形態［１］のウエハ加工用粘着テープ。
　［３］前記亜鉛イオンの濃度は、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．４１ｍｍｏｌ以上０．５５ｍｍｏｌ以下の範囲である、形態［１］又は［２］のウエハ加工用粘着テープ。
　［４］前記基材フィルムの総厚さは、６０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であり、前記基材フィルムにおける前記アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の各々の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲であり、前記アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層すべての合計厚さは、前記基材フィルムの総厚さの６５％以上である、形態［１］～［３］のいずれかのウエハ加工用粘着テープ。
　［５］前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、エチレン・（メタ）アクリル酸の二元共重合体及びエチレン・（メタ）アクリル酸・（メタ）アクリル酸アルキルエステルの三元共重合体から成る群から選択される少なくとも一つの共重合体から成る、形態［１］～［４］のいずれかのウエハ加工用粘着テープ。
　［６］形態［１］～［５］のいずれかのウエハ加工用粘着テープの前記粘着剤層上に剥離可能に設けられた接着剤層を有するウエハ加工用粘着テープ。
　［７］前記接着剤層は、樹脂成分としてグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂を含む、形態［６］のウエハ加工用粘着テープ。
　［８］前記接着剤層は、８０℃でのずり粘度が、２００Ｐａ・ｓ以上１１，０００Ｐａ・ｓ以下の範囲である、形態［６］又は［７］のウエハ加工用粘着テープ。
　［９］前記接着剤層は、樹脂成分である前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、（ａ）前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体を１７質量部以上５１質量％以下の範囲、前記エポキシ樹脂を３０質量部以上６４質量部の範囲、前記フェノール樹脂を１９質量部以上５３質量部以下の範囲で、樹脂成分全量が１００質量部となるように調整されて含み、（ｂ）硬化促進剤を前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して０．０１質量部以上０．０７質量部以下の範囲で含み、（ｃ）無機フィラーを前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して１０質量部以上８０質量部以下の範囲で含む、形態［８］のウエハ加工用粘着テープ。
　［１０］形態［１］～［９］のいずれかのウエハ加工用粘着テープを使用する、半導体チップ又は半導体装置の製造方法。
　本発明によれば、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程に適した引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程においてエキスパンド時に生じたテープの弛みを解消できる高い収縮性とを兼ね備えたウエハ加工用粘着テープを提供することできる。すなわち、接着剤層を良好に分断でき、エキスパン時に生じたテープの弛みを加熱収縮工程により除去することができ、分断済みの半導体チップおよび個片化された接着剤層をウエハ加工用粘着テープ上に十分なカーフ幅を維持した状態で安定して固定することができる。その結果、前述した様な隣接する半導体チップ同士の接触による破損や、接着剤層同士の接触による再癒着等の発生が抑制され、ピックアップ性がより良好なものとなる。そして、該接着剤層として、厚さが厚く、流動性が高いワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムが使用された場合であっても、同様の効果を奏することができる。また、該ウエハ加工用粘着テープを使用する、半導体チップ又は半導体装置の製造方法、を提供することができる。
本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルムの２層構成の一例を示した断面図である。 本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルムの３層構成の一例を示した断面図である。 本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルムの別の態様の積層構成の一例を示した断面図である。 本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの構成の一例を示した断面図である。 本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）に接着剤層（ダイボンドフィルム）が剥離可能に設けられた構成のダイシングダイボンドフィルムの一例を示した断面図である。 ウエハ加工用粘着テープの製造方法について説明したフローチャートである。 半導体チップの製造方法について説明したフローチャートである。 ダイシングダイボンドフィルムの外縁部にリングフレーム（ウエハリング）、ダイボンドフィルム中心部に個片化可能に加工された半導体ウエハが貼り付けられた状態を示した斜視図である。 （ａ）～（ｆ）は、レーザー光照射により複数の改質領域が形成された半導体ウエハの研削工程および該半導体ウエハのダイシングダイボンドフィルムへの貼合工程の一例を示した断面図である。 （ａ）～（ｆ）は、ダイシングダイボンドフィルムが貼合された複数の改質領域を有する薄膜半導体ウエハを用いた半導体チップの製造例を示した断面図である。 本実施の形態が適用されるダイシングダイボンドフィルムを用いて製造された半導体チップを用いた積層構成の半導体装置の一態様の模式断面図である。 本実施の形態が適用されるダイシングダイボンドフィルムを用いて製造された半導体チップを用いた他の半導体装置の一態様の模式断面図である。 エキスパンド後における半導体チップ間の間隔（カーフ幅）の測定方法を説明するための平面図である。 図１３における半導体ウエハの中心部の拡大平面図である。
　以下、必要に応じて図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
（ウエハ加工用粘着テープの構成）
　図１の（ａ）および（ｂ）は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルム１の２層構成の一例を示した断面図である。本実施の形態のウエハ加工用粘着テープの２層構成の基材フィルム１は、第１樹脂層と第２樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂が同一のアイオノマー樹脂（図１の（ａ）１－Ａ参照、１種２層タイプ）であってもよいし、第１樹脂層と第２樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂がそれぞれ異なる種類のアイオノマー樹脂（図１の（ｂ）１－Ｂ参照、２種２層タイプ）であってもよい。
　図２の（ｃ）～（ｅ）は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルム１の３層構成の一例を示した断面図である。本実施の形態のウエハ加工用粘着テープの３層構成の基材フィルム１は、第１樹脂層と第２樹脂層と第３樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂が全て同一のアイオノマー樹脂（図２の（ｃ）１－Ｃ参照、１種３層タイプ）であってもよいし、第１樹脂層と第２樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂が同一のアイオノマー樹脂で、第３樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂が異なる種類のアイオノマー樹脂（図２の（ｄ）１－Ｄ参照、２種３層タイプ）であってもよいし、第１樹脂層と第２樹脂層と第３樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂が全て異なる種類のアイオノマー樹脂（図２の（ｅ）１－Ｅ参照、３種３層タイプ）であってもよい。なお、基材フィルム全体において、第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層の層の位置は、特に限定はされない。
　図３の（ｆ）および（ｇ）は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルム１の別の態様の積層構成の一例を示した断面図である。本実施の形態のウエハ加工用粘着テープの３層構成の基材フィルム１は、第１樹脂層と第２樹脂層が、同一のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂から構成され、第３樹脂層が、第１樹脂層および第２樹脂層を構成するアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂以外のその他樹脂から構成（図３の（ｆ）１－Ｆ参照、２種３層タイプ）されていてもよいし、第１樹脂層と第２樹脂層が、それぞれ異なる種類のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂から構成され、第３樹脂層が、第１樹脂層および第２樹脂層を構成するアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂以外のその他樹脂から構成（図３の（ｇ）１－Ｇ参照、３種３層タイプ）されていてもよい。なお、基材フィルム全体において、第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層の層の位置は、特に限定はされない。
　本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの基材フィルム１は、少なくとも、アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第１樹脂層と、前記アイオノマー樹脂と同一もしくは異なる種類のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第２樹脂層と、を有する２層以上の積層構成から成るが、その層数は、上記の第１樹脂層と第２樹脂層の２層を有し、本発明の効果を損なわない範囲において、特に限定されるものではない。上記層数は、基材フィルム１の機械的特性および生産性の観点等から、２層以上５層以下の範囲であることが好ましい。なお、基材フィルム全体において、第１樹脂層、第２樹脂層の層の位置は、特に限定はされない。
　図４は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープの構成の一例を示した断面図である。図４に示すように、ウエハ加工用粘着テープ１０は、基材フィルム１の上に粘着剤層２を備えた構成を有している。このような積層構成の典型的な例は、ダイシングテープである。なお、図示はしないが、ウエハ加工用粘着テープ１０の粘着剤層２の表面（基材フィルム１に対向する面とは反対側の面）には、離型性を有する基材シート（剥離ライナー）を備えていても良い。基材フィルム１は、少なくとも、アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第１樹脂層と、前記アイオノマー樹脂と同一もしくは異なる種類のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第２樹脂層と、を有する２層以上の積層構成から成る。粘着剤層２を形成する粘着剤としては、例えば、紫外線（ＵＶ）等の活性エネルギー線を照射することにより硬化・収縮して被着体に対する粘着力が低下する活性エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤等が使用される。
　図５は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープ１０に接着剤層３が剥離可能に設けられた構成の一例を示した断面図である。接着剤層３は、ウエハ加工用粘着テープ１０の粘着剤層２の上に剥離可能に密着、積層されている。このような積層構成の典型的な例は、ダイシングダイボンドフィルム２０である。
　係る構成のダイシングダイボンドフィルム２０は、半導体製造工程においては、例えば、以下のように使用される。ダイシングダイボンドフィルム２０の、ダイボンドフィルム(接着剤層)３上に、ブレードにより表面に分割溝が形成された薄膜の半導体ウエハや、レーザーにより内部に改質層が形成された薄膜の半導体ウエハを貼り付けて保持（接着）し、クールエキスパンドにより該半導体ウエハをダイボンドフィルム３と共に割断し、個々のダイボンドフィルム３付き半導体チップを得る。あるいは、ダイシングダイボンドフィルム２０の、ダイボンドフィルム３上に、薄膜の半導体ウエハを貼り付けて保持（接着）し、その状態でレーザーにより該半導体ウエハの内部に改質層を形成した後、クールエキスパンドにより半導体ウエハをダイボンドフィルム３と共に割断し、個々のダイボンドフィルム３付き半導体チップを得る。あるいは、ダイシングダイボンドフィルム２０の、ダイボンドフィルム３上に、複数の半導体チップを含む半導体ウエハの分割体をバックグラインドテープからの転写により貼り付けて保持した後、クールエキスパンドによりダイボンドフィルム３を半導体チップに沿って割断し、個々のダイボンドフィルム３付き半導体チップを得る。
　次いで、常温エキスパンドによりダイボンドフィルム３付き半導体チップ間のカーフ幅を十分に拡張した後、ピックアップ工程により、個々のダイボンドフィルム３付き半導体チップをウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２から剥離する。得られたダイボンドフィルム（接着フィルム）３付き半導体チップを、ダイボンドフィルム（接着フィルム）３を介してリードフレームや配線基板、あるいは別の半導体チップ等の被着体に固着させる。なお、図示はしないが、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２の表面（基材フィルム１に対向する面とは反対側の面）およびダイボンドフィルム３の表面（粘着剤層２に対向する面とは反対側の面）には、それぞれ離型性を有する基材シート（剥離ライナー）を備えていても良い。
（ウエハ加工用粘着テープ）
<<基材フィルム>>
　本発明のウエハ加工用粘着テープ１０の基材フィルム１は、少なくとも、特定のアイオノマー樹脂（詳細は後述する）を８０質量％以上の含有比率で含む第１樹脂層と、上記アイオノマー樹脂と同一もしくは異なる種類の特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第２樹脂層と、を有する２層以上の積層構成から成る。基材フィルム１がアイオノマー樹脂を含む樹脂層を１層のみ有する場合、すなわち、基材フィルム１を、アイオノマー樹脂を含む樹脂層の単層で構成する場合、特に基材フィルム１の厚さを厚くする際に樹脂の押出流量を増大させる必要があるため、製膜時に押出機内の樹脂圧力やモーター負荷が過度に大きくなることがあり、基材フィルム１の製膜精度が悪くなり、安定して長尺製膜することが困難となる場合がある。その結果、基材フィルム１を巻き取った際に不必要なシワが生じ、外観不良やピックアップ歩留まりの低下といった問題を生じることがある。一方、基材フィルムを、少なくともアイオノマー樹脂を含む第１樹脂層と第２樹脂層とを含む２層以上の積層で構成する場合、単層構成で同じ厚さの基材フィルム１を製膜する場合と比較して、押出機内の樹脂圧力やモーター負荷を過度に増大させることなく押出流量を制御できるので、製膜精度や安定成膜の観点からは好適であり、基材フィルム１に不必要なシワを生じることがない。また、基材フィルム１の製膜速度をアップすることもできる点やエキスパンド時における引張応力と均一拡張性及び加熱収縮工程における収縮性といった物性のバランスを制御しやすい点でも好適である。
　ここで、「～を８０質量％以上の含有比率で含む」とは、上記第１樹脂層および第２樹脂層のそれぞれにおける樹脂全体の質量を基準の１００質量％とした場合に、上記特定のアイオノマー樹脂の含有比率が、８０質量％以上であることを意味する。上記特定のアイオノマー樹脂の含有比率は、８５質量％以上１００質量％以下の範囲であることが好ましく、９０質量％以上１００質量％以下の範囲であることがより好ましい。すなわち、上記基材フィルム１が有する第１樹脂層および第２樹脂層は上記特定のアイオノマー樹脂のみから構成されていてもよい。上記特定のアイオノマー樹脂の含有比率が８０質量％未満である場合、該アイオノマー樹脂の適切かつ高度な架橋構造によって発現される機械的特性、すなわち、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程における収縮性が不十分となり、その結果、ダイボンドフィルム（接着剤層）３が良好に割断されないおそれや、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できず、良好なピックアップ性が得られないおそれがある。
　上記２層以上の積層構成から成る基材フィルム１の樹脂層の層数は、特に限定されないが、基材フィルム１の特性および生産性の観点等から、２層以上５層以下の範囲であることが好ましく、２層以上３層以下の範囲であることが好ましい。詳細は後述するが、上記基材フィルム１において上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層すべての厚さの合計は、前記基材フィルム１の総厚さの６５％以上であることが好ましい。より好ましくは８０％以上１００％以下の範囲であり、更に好ましくは９０％以上１００％以下の範囲である。例えば、上記基材フィルム１が、上記第１樹脂層および第２樹脂層以外に第３樹脂層を有する３層の積層構成から成る場合について説明すると、まず上記第３樹脂層は、図２に示したように上記第１樹脂層および第２樹脂層と同様に上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂あるいは上記特定のアイオノマー樹脂のみから構成されていてもよい。また、上記第３樹脂層は、図３に示したように第１樹脂層および第２樹脂層を構成する上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂以外のその他樹脂から構成されていてもよい。ここで、前者の構成（図２に示した態様）の基材フィルム１の場合、上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層すべての厚さの合計は、前記基材フィルム１の総厚さの１００％に相当し、本実施の形態として特に好ましい。
　一方、後者の構成（図３に示した態様）の基材フィルム１の場合、上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第１樹脂層および第２樹脂層の各々の厚さの合計は、前記基材フィルム１の総厚さの６５％以上であることが好ましく、より好ましくは８０％以上９９％以下の範囲であり、更に好ましくは９０％以上９９％以下の範囲である。上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の各々の厚さの合計が、前記基材フィルム１の総厚さの６５％未満である場合、該アイオノマー樹脂の適切かつ高度な架橋構造によって発現される機械的特性、すなわち、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程における収縮性が不十分となり、その結果、ダイボンドフィルム（接着剤層）３が良好に割断されないおそれや、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できず、良好なピックアップ性が得られないおそれがある。
＜アイオノマー樹脂＞
　本実施の形態の基材フィルム１が有する第１樹脂層および第２樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれる特定のアイオノマー樹脂について説明する。
　上記特定のアイオノマー樹脂は、いずれも該樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体と亜鉛イオンを含み、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化温度が、５０℃を下限値、７９℃を上限値とする範囲内の値を有する。上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、６．９質量％を下限値、１８．０質量％を上限値とする範囲内の値を有する。さらに、上記亜鉛イオンの濃度は、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．３８ｍｍｏｌを下限値、０．６０ｍｍｏｌを上限値とした範囲内の値を有する。
　基材フィルム１に用いるアイオノマー樹脂において、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体に含まれる、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率と亜鉛イオンの濃度を上記の範囲とすることにより、詳細は後述するが、亜鉛イオンによりエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が有する酸基が適切に中和されて、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の連続層において、不飽和カルボン酸由来の酸基のカルボキシラートイオンと亜鉛イオンのイオン結合の集合体により形成されるイオン凝集体（クラスター）の発達が十分かつ適切となり、架橋形態が最適化されるため、クールエキスパンド工程に適した引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程においてエキスパンド時に生じたテープの弛みを解消できる高い収縮性とを兼ね備えたウエハ加工用粘着テープを実現することができる。
　上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、エチレンと不飽和カルボン酸とが共重合した少なくとも二元の共重合体であり、さらに第三、第四等の他の共重合成分が共重合した三元以上の多元共重合体であってもよい。なお、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、一種単独で用いてもよく、二種以上のエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を併用してもよい。
　上記エチレン・不飽和カルボン酸二元共重合体を構成する不飽和カルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、エタクリル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、フマル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸等の炭素数４～８の不飽和カルボン酸等が挙げられる。これらの中でも、不飽和カルボン酸としては、アクリル酸またはメタクリル酸が好ましい。
　上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が三元以上の多元共重合体である場合、上記二元共重合体を構成するエチレンと不飽和カルボン酸以外に、多元共重合体を形成する第三、第四等の他の共重合体成分等を含んでもよい。第三、第四等の他の共重合成分としては、不飽和カルボン酸エステル、不飽和炭化水素、ビニルエステル、ビニル硫酸やビニル硝酸等の酸化物、ハロゲン化合物、ビニル基含有１，２級アミン化合物、一酸化炭素、二酸化硫黄等が挙げられる。これらの中でも、他の共重合成分としては、不飽和カルボンや不飽和炭化水素が好ましい。
　上記不飽和カルボン酸エステルとしては、不飽和カルボン酸アルキルエステルが好ましく、アルキルエステルのアルキル部位の炭素数は１以上１２以下の範囲が好ましく、１以上８以下の範囲がより好ましく、１以上４以下の範囲が更に好ましい。アルキル部位の例としては、メチル、エチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、セカンダリーブチル、２－エチルヘキシル、イソオクチル等が挙げられる。
　上記不飽和カルボン酸アルキルエステルの具体例としては、アルキル部位の炭素数が１以上１２以下の範囲の不飽和カルボン酸アルキルエステル（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸イソオクチル等のアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチル等のメタクリル酸アルキルエステル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル等のマレイン酸アルキルエステル）等が挙げられる。これらの中でも、アルキル部位の炭素数が１以上４以下の範囲の（メタ）アクリル酸アルキルエステルがより好ましい。ビカット軟化温度の制御およびウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時におけるネッキング現象の抑制を含めた均一拡張性の観点から、アルキル部位の炭素数が４であるメタクリル酸イソブチルが特に好ましい。
　上記不飽和炭化水素としては、例えば、プロピレン、ブテン、１，３－ブタジエン、ペンテン、１，３－ペンタジエン、１－ヘキセン等が挙げられる。
　また、上記ビニルエステルとしては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル等が挙げられ、ハロゲン化合物としては、例えば、塩化ビニル、フッ化ビニル等が挙げられる。
　上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の形態は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよく、二元共重合体、三元以上の多元共重合体のいずれでもよい。中でも、工業的に入手可能な点で、二元ランダム共重合体、三元ランダム共重合体、二元ランダム共重合体のグラフト共重合体あるいは三元ランダム共重合体のグラフト共重合体が好ましく、二元ランダム共重合体または三元ランダム共重合体がより好ましく、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における均一拡張性の観点から、三元ランダム共重合体が更に好ましい。
　上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の好適な具体例としては、エチレン・アクリル酸共重合体やエチレン・メタクリル酸共重合体等のエチレン・（メタ）アクリル酸の二元共重合体、エチレン・メタクリル酸・アクリル酸イソブチル共重合体等のエチレン・（メタ）アクリル酸・（メタ）アクリル酸アルキルエステルの三元共重合体が挙げられるが、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における均一拡張性の観点からは、エチレン・メタクリル酸・アクリル酸イソブチル共重合体等のエチレン・（メタ）アクリル酸・（メタ）アクリル酸アルキルエステルの三元共重合体が好ましい。また、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体として上市されている市販品を用いてもよく、例えば、三井・デュポンポリケミカル社製のニュクレル（登録商標）シリーズ等を使用することができる。
　上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、６．９質量％を下限値、１８．０質量％を上限値とする範囲内の値を有する。上記不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率の下限値は、８．０質量％が好ましく、１０．０質量％がより好ましい。一方、その上限値は１５．０質量％が好ましく、１２．０質量％がより好ましい。上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体をベースポリマーとする上記特定のアイオノマー樹脂は、該エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が有する酸基（カルボキシル基）が亜鉛イオンによって任意の割合で中和、すなわち、高分子間が疑似架橋された構造を形成しているが、上記不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が６．９質量％未満である場合、亜鉛イオンによる架橋効果が小さく、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の連続層において、不飽和カルボン酸由来の酸基のカルボキシラートイオンと亜鉛イオンのイオン結合の集合体により形成されるイオン凝集体（クラスター）の発達も不十分となるため、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程における収縮性が不十分となるおそれがある。
　その結果、ダイボンドフィルム（接着剤層）３が良好に割断されないおそれや、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できず、良好なピックアップ性が得られないおそれがある。また、ビカット軟化温度が高くなり過ぎる場合がある。一方、上記不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が１８．０質量％を超える場合、上記基材フィルム１の機械的特性が不十分になるおそれがある。また、不飽和カルボン酸エステルの含有比率によっては後述するビカット軟化温度が低くなりすぎるおそれがある。上記不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が上記範囲内であると、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における適度な引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程における収縮性を両立させやすくなる。
　また、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、不飽和カルボン酸エステルに由来する構成単位の含有比率が、０質量％を下限値、１６．０質量％を上限値とする範囲内の値を有することが好ましい。ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時におけるネッキング現象の抑制を含めた均一拡張性の観点からは、不飽和カルボン酸エステルに由来する構成単位の含有比率の下限値は、１．５質量％がより好ましく、５．０質量％が更に好ましい。一方、その上限値は、１５．０質量％がより好ましく、１２．０質量％が更に好ましい。上記不飽和カルボン酸エステルに由来する構成単位の含有比率が１６．０質量％を超える場合、不飽和カルボン酸の含有比率によっては後述するビカット軟化温度が低くなりすぎるおそれがある。また、基材フィルム１においてブロッキングや融着が発生するおそれがある。
　本発明における上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体がエチレン・不飽和カルボン酸の二元共重合体である場合の好ましい共重合比率としては、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％とした時に、エチレンに由来する構成単位の含有比率が８２．０質量％以上９３．１質量％以下の範囲であり、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が６．９質量％以上１８．０質量％以下の範囲である。より好ましくは、エチレンに由来する構成単位の含有比率が８５．０質量％以上９２．０質量％以下の範囲であり、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が８．０質量％以上１５．０質量％以下の範囲である。
　また、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体がエチレン・不飽和カルボン酸・不飽和カルボン酸エステルの三元共重合体である場合の好ましい共重合比率としては、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％とした時に、エチレンに由来する構成単位の含有比率が６６．０質量％以上９１．６質量％以下の範囲であり、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が６．９質量％以上１８．０質量％以下の範囲であり、不飽和カルボン酸エステルに由来する構成単位の含有比率が１．５質量％以上１６．０質量％以下の範囲であり、全量が１００質量％となるように調整される。より好ましくは、エチレンに由来する構成単位の含有比率が７０．０質量％以上８７．０質量％以下の範囲であり、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が８．０質量％以上１５．０質量％以下の範囲であり、不飽和カルボン酸エステルに由来する構成単位の含有比率が５．０質量％以上１５．０質量％以下の範囲である。
　通常アイオノマー樹脂は、該樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が有する酸基（カルボキシル基）がリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、セシウムイオン、亜鉛イオン、マグネシウムイオン、マンガンイオン等の金属イオンによって任意の割合で中和されているが、本実施の形態の基材フィルム１に適用される上記特定のアイオノマー樹脂には、架橋構造の安定化（強固な架橋結合）の観点から、該樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体と亜鉛イオンを含み、該樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が有する酸基の少なくとも一部が２価の金属イオンである亜鉛イオンで中和されたアイオノマー樹脂を用いる。
　上記亜鉛イオンの供給源としては、亜鉛の酸化物、水酸化物、炭酸塩、重炭酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、有機酸塩等が挙げられる。具体的には、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛、酢酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、塩基性炭酸亜鉛等が挙げられる。これらの中でも、酸化亜鉛やステアリン酸亜鉛が好ましい。これら亜鉛イオンの供給源は、一種単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
　上記特定のアイオノマー樹脂は、該樹脂のベースポリマーである不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が６．９質量％を下限値、１８．０質量％を上限値とした範囲内の値となるように調整されたエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体に対して、亜鉛イオンの供給源を添加して、亜鉛イオンによって該共重合体が有する酸基（カルボキシル基）を任意の割合で中和（架橋）することにより得られる。ここで、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における均一拡張性と、加熱収縮工程における収縮性を両立するためには、どのようなアイオノマー樹脂でも良いというわけではなく、上記不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が特定されたエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体に対する上記亜鉛イオンの濃度が極めて重要となる。すなわち、本実施の形態の基材フィルム１に適用される上記特定のアイオノマー樹脂において、上記亜鉛イオンの濃度は、上記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．３８ｍｍｏｌを下限値、０．６０ｍｍｏｌを上限値とする範囲内の値となるように調整される。上記亜鉛イオンの濃度の下限値は、０．４１ｍｍｏｌが好ましく、０．４６ｍｍｏｌがより好ましい。一方、その上限値は、０．５５ｍｍｏｌが好ましく、０．５２ｍｍｏｌがより好ましい。
　上記亜鉛イオンの濃度が０．３８ｍｍｏｌ未満である場合、亜鉛イオンによるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の架橋効果が小さく、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の連続層において、不飽和カルボン酸由来の酸基のカルボキシラートイオンと亜鉛イオンのイオン結合の集合体により形成されるイオン凝集体（クラスター）の発達も不十分となるため、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における均一拡張性と、加熱収縮工程における収縮性が不十分となり、その結果、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できず、良好なピックアップ性が得られないおそれがある。一方、上記亜鉛イオンの濃度が０．６０ｍｍｏｌを超える場合、特定のアイオノマー樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体における不飽和カルボン酸の含有比率によっては樹脂の溶融粘度が高くなりすぎて、押出機内の樹脂圧力が上がり、また、モーター負荷が大きくなって、フィルムの安定製膜が困難となるおそれがある。
　上記亜鉛イオンの濃度が上記範囲内であると、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の連続層において、不飽和カルボン酸由来の酸基のカルボキシラートイオンと亜鉛イオンのイオン結合の集合体により形成されるイオン凝集体（クラスター）の発達が十分かつ適切となるため、その架橋効果により、基材フィルム１がエキスパンドされてもイオン凝集体（クラスター）が破壊されにくくなり、エキスパンドとともにイオン凝集体間の分子鎖の緊張数が増加し適度な引張応力が発現する。一方、エキスパンド後の加熱収縮工程においては、エントロピー弾性が強く働き、延伸・配向された分子が元の状態に戻りやすくなる。すなわち、基材フィルム１の伸張時の引張応力および伸張後の歪に対する加熱時の復元力が十分なものとなり、ウエハ加工用粘着テープ１０のエキスパンド時における適度な引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程における収縮性を両立することができる。その結果、接着剤層３の割断が良好になされ、さらに個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保でき、良好なピックアップ性が得られる。
　さらに、上記特定のアイオノマー樹脂は、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化温度が、５０℃を下限値、７９℃を上限値とする範囲内の値を有する。上記ビカット軟化温度の下限値は、５４℃が好ましく、５７℃がより好ましい。一方、その上限値は、７４℃が好ましく、６４℃がより好ましい。上記特定のアイオノマー樹脂のビカット軟化温度が５０℃未満である場合、フィルム製膜時や粘着テープ製造時にブロッキングを起こすおそれがある。また、加熱収縮工程において、例えば弛み部分の表面温度が約８０℃となるように温風を吹きかけた場合、加熱収縮の際に樹脂が過剰に軟化し、流動化してしまうため、ウエハ加工用粘着テープ１０が必要以上に変形あるいは溶断してしまうおそれがある。一方、上記特定のアイオノマー樹脂のビカット軟化温度が８０℃以上である場合、例えば弛み部分の表面温度が約８０℃となるように熱風を吹きかけた際の熱収縮性が不十分となり、その結果、個々の半導体チップ間のカーフ幅を十分に確保できず、良好なピックアップ性が得られないおそれがある。上記特定のアイオノマー樹脂のビカット軟化温度が上記範囲内であると、上記亜鉛イオンによる適切な架橋効果と相まって、ウエハ加工用粘着テープ１０において、エキスパンドによって接着剤層を分断する工程（エキスパンド工程）に適した引張応力と均一拡張性、ならびにエキスパンド時に生じたテープの弛みを解消・除去する工程（加熱収縮工程）に適した高い収縮性（復元性）とを両立させることができる。
　以上、上記基材フィルム１が有する第１樹脂層および第２樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれる特定のアイオノマー樹脂について説明したが、上記基材フィルム１が、上記第１樹脂層および第２樹脂層以外に該第１樹脂層、第２樹脂層と同等構成の他の樹脂層を有する３層以上の積層構成から成る場合（例えば、図２に示した態様）、当然のことながら、該他の樹脂層に８０質量％以上の含有比率で含まれるアイオノマー樹脂として、上述の特定のアイオノマー樹脂を用いることができる。
＜その他樹脂＞
　上記基材フィルム１が有する第１樹脂層、第２樹脂層は、本発明の効果を妨げない範囲で、すなわち、上記第１樹脂層および第２樹脂層における樹脂全体の質量をそれぞれ基準の１００質量％とした場合に、上記特定のアイオノマー樹脂以外のその他樹脂を２０質量％以下の含有割合で含むことができる。また、上記第１樹脂層および第２樹脂層に積層される第３、第４等の樹脂層が、上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む場合も、同様に上記特定のアイオノマー樹脂以外のその他樹脂を２０質量％以下の含有割合で含むことができる。さらに、上記第１樹脂層、第２樹脂層に他の樹脂層が積層される場合においては、他の樹脂層は、第１樹脂層および第２樹脂層を構成する上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂以外のその他樹脂から構成することもできる。
　上記その他樹脂としては、特に限定されないが、熱可塑性樹脂が好ましい。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、上記特定のアイオノマー樹脂以外のアイオノマー樹脂、熱可塑性オレフィン系共重合体、熱可塑性ポリウレタン、熱可塑性ポリアミド、熱可塑性スチレン系樹脂、熱可塑性ポリエステル、熱可塑性アクリル系樹脂、熱可塑性ポリオレフィン、熱可塑性ポリジエン、熱可塑性ポリエーテル、熱可塑性ポリエーテル・ポリオレフィン系共重合体、熱可塑性ポリエーテル・ポリアミド系共重合体等の熱可塑性樹脂（熱可塑性エラストマーも含む）が挙げられる。また、熱可塑性オレフィン系共重合体や熱可塑性ポリオレフィンに電子線を照射して架橋した樹脂も使用することができる。これらの中でも、上記熱可塑性樹脂としては、エチレン・プロピレン系共重合体エラストマーやエチレン・１－ブテン系共重合体エラストマー等の熱可塑性オレフィン系共重合体、ナイロン６やナイロン６／１２等の熱可塑性ポリアミド、および熱可塑性ポリエーテル・ポリオレフィン系共重合体が好ましく、接着剤層３の分断性の観点から、熱可塑性ポリアミドがより好ましい。これら熱可塑性樹脂は、一種単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。
　上記第１樹脂層、第２樹脂層および他の樹脂層が上記特定のアイオノマー樹脂以外のその他樹脂を２０質量％以下の含有割合で含む混合樹脂から構成される場合、その他樹脂のビカット軟化温度としては、特に限定はされないが、該混合樹脂のビカット軟化温度が５０℃以上８０℃未満の範囲となるように適宜選択されることが好ましい。また、第１樹脂層、第２樹脂層に積層される他の樹脂層が、上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂以外のその他樹脂から構成される場合、その他樹脂のビカット軟化温度は５０℃以上８０℃未満の範囲であることが好ましい。
＜その他の成分＞
　本実施の形態の基材フィルム１を構成する各樹脂層に使用する樹脂には、本発明の効果を損なわない範囲で、本実施の形態に係る樹脂以外のその他の成分を含有させることができる。その他の成分としては、特に限定されないが、例えば、カップリング剤、無機フィラー、有機フィラー、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定化剤、老化防止剤、光拡散剤、可塑剤、有機色素、染料、顔料、滑剤、耐衝撃改良剤、金属不活性剤、難燃剤、難燃助剤、スリップ剤、強化剤、離型剤等を挙げることができる。その他の成分は一種単独で用いてもよく、二種以上を併用してもよい。これらその他の成分の含有量は特に限定されないが、基材フィルム１が所望の機能を発揮し、エキスパンド（拡張）性、熱収縮性を失わない範囲に留めるべきである。
＜基材フィルムの総厚さおよび各樹脂層の厚さ＞
　本実施の形態の基材フィルム１の総厚さは、特に限定されないが、その下限値としては、６０μｍが好ましく、７０μｍがより好ましい。一方、その上限値としては、１５０μｍが好ましく、１２０μｍがより好ましい。上記基材フィルム１の総厚さが６０μｍ未満である場合、例えばダイシング時のリングフレームの保持に対して強度が不十分となるおそれがある。一方、上記基材フィルム１の総厚さが１５０μｍを超える場合、例えばエキスパンド（拡張）性が劣るおそれがある。また、基材フィルム１やウエハ加工用粘着テープ１０としてロール状に長尺巻き取った際に、巻き芯部に段差痕が生じるおそれがある。
　また、上記基材フィルム１における上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の各々の厚さは、特に限定されないが、その下限値としては、１０μｍが好ましく、２０μｍがより好ましい。一方、その上限値としては、５０μｍが好ましく、４０μｍがより好ましい。上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層すべての合計厚さは、特に限定されないが、その下限値としては、上記基材フィルム１の総厚さの６５％であることが好ましく、８０％であることがより好ましく、９０％であることが更に好ましく、その上限値は１００％である。このように調整された基材フィルム１においては、上記特定のアイオノマー樹脂の適切かつ高度な架橋構造によって発現される機械的特性が十分に反映されるため、基材フィルム１の伸張時の引張応力、均一拡張性および伸張後の歪に対する加熱時の復元力が十分なものとなる。その結果、ダイボンドフィルム（接着剤層）３が良好に割断され、個々の半導体チップ間のカーフ幅も十分に確保されるので、良好なピックアップ性が得られる。
　また、本実施の形態の基材フィルム１は、上記基材フィルム１における上記特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の各々の厚さを、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲とし、基材フィルム１の総厚さが６０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲となるように積層して製膜・製造することが好ましいが、この場合、単層構成で同じ厚さの基材フィルム１を製膜・製造する場合と比較して、押出機内の樹脂圧力やモーター負荷を過度に増大させることなく押出流量を制御できるので、製膜精度や安定成膜の観点から好適である。
　上記基材フィルム１が、上記第１樹脂層および第２樹脂層に対して、さらに他の樹脂層が積層されて成る場合、他の樹脂層の合計厚さは、上記基材フィルム１の総厚さが６０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲となるように適宜調整するのが好ましい。上記他の樹脂層の合計厚さは、例えば、０．６μｍ以上５２μｍ以下の範囲で調整するのが好ましい。
＜基材フィルムの製造方法＞
　本実施の形態の基材フィルム１の製造方法は、特に限定されないが、例えば、上述した第１樹脂層を形成するための樹脂組成物と、第２樹脂層を形成するための樹脂組成物を別々の押出機に供給、溶融させ、それぞれの溶融樹脂組成物を１つのダイスから押出すＴダイ共押出法やインフレーション共押出法を用いることができる。３層以上の構成の基材フィルム１を製造する場合も、層数に見合う別々の押出機を使用すればよい。また、予め製膜された第１樹脂層上に第２樹脂層を押出ラミネートする方法、予め製膜された２つの第１樹脂層間に第２樹脂層を押出ラミネートする方法等も用いることができる。これらの中でも、基材フィルム１の均一拡張性と生産効率の観点からは、Ｔダイ共押出法が好適である。インフレーション共押出法は、樹脂が配向し易いため、均一拡張性が低下するおそれがある。また、押出ラミネート法は予め一方の層をフィルム状に製膜する必要があるため、生産効率が悪くなる。
　また、上記Ｔダイ共押出法においては、表面に微細な凹凸を有するニップロールを用いた、Ｔダイ共押出－ニップロール成形法を採用することが望ましい。樹脂組成物をＴダイから押出し、冷却ロールと微細な凹凸を有するニップロールとにより挟持する（ニップロール成形する）と、例えば、基材フィルム１の最外層としてビカット軟化点の低い上記特定のアイオノマー樹脂を含む樹脂層が配置されたとしても、基材フィルム１の表面に形成される凹凸により、基材フィルム１の製膜時およびウエハ加工用粘着テープの製造時における該樹脂層のロールからの剥離性や、製膜後の基材フィルム１や加工後のウエハ加工用粘着テープのロール状原反のブロッキング防止性を担保することができる。
<<粘着剤層>>
　本発明のウエハ加工用粘着テープ１０は、上述した基材フィルム１の片方の面に、半導体ウエハを保持（仮固定）するための粘着剤層２を備えた構成を有している。また、ウエハ加工用粘着テープ１０の粘着剤層２の表面（基材フィルム１に対向する面とは反対側の面）には、離型性を有する基材シート（剥離ライナー）を備えていてもよい。上記粘着剤層２を形成する粘着剤としては、例えば、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリ酢酸ビニル系、ポリウレタン系やゴム系等の従来公知の粘着剤組成物を使用することができる。これらの中でも、汎用性および実用信頼性の観点から、紫外線（ＵＶ）等の活性エネルギー線を照射することにより硬化・収縮して被着体に対する粘着力が低下する活性エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤組成物が好適に使用される。
＜活性エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤組成物＞
　活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物としては、典型的には、光感応性の炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー（以下、「活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマー」と称する場合がある）、光重合開始剤、ならびに、該官能基と反応する架橋剤を含んでなる粘着剤組成物（Ａ）、あるいは、官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー、活性エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、ならびに、該官能基と反応する架橋剤を含んでなる粘着剤組成物（Ｂ）等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。中でも、接着剤層３からの剥離性の向上や接着剤層３への糊残り抑制の観点からは、前者の態様の活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマー、光重合開始剤、ならびに、該官能基と反応する架橋剤を含んでなる粘着剤組成物（Ａ）が好ましい。なお、ここでいう官能基とは、炭素－炭素二重結合と共存可能な熱反応性官能基をいう。かかる官能基の例は、ヒドロキシル基、カルボキシル基およびアミノ基等の活性水素基、およびグリシジル基等の活性水素基と熱反応する官能基である。活性水素基とは、炭素以外の窒素、酸素又は硫黄などの元素とそれに直接結合した水素とを有する官能基をいう。
＜粘着剤組成物（Ａ）＞
［炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー］
　上記粘着剤組成物（Ａ）は、光感応性の炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー、光重合開始剤、ならびに、該官能基と反応する架橋剤を含む。上記粘着剤組成物（Ａ）の炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーとしては、分子側鎖に炭素－炭素二重結合が導入されたものを使用する。炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーを製造する方法としては、特に限定されるものではないが、通常、（メタ）アクリル酸エステルと官能基含有不飽和化合物とを共重合して共重合体を得、その共重合体が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基および炭素－炭素二重結合を有する化合物を付加反応させる方法が挙げられる。
　上記の官能基および炭素－炭素二重結合を有する化合物を付加反応させる前の上記共重合体（以下、「官能基を有する共重合体」と称する場合がある）としては、具体的には、（メタ）アクリル酸アルキルエステル単量体と、活性水素基含有単量体およびまたはグリシジル基含有単量体とを含む共重合体が挙げられる。
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステル単量体としては、炭素数６～１８のヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ヘプタデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、上記活性水素基含有単量体としては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６－ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート等の水酸基含有単量体、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等のカルボキシル基含有単量体、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物基含有単量体、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドなどのアミド系モノマー；（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルなどのアミノ基含有単量体等が挙げられる。これら活性水素基含有単量体成分は、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、グリシジル基含有単量体としては、（メタ）アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
　上記熱反応性官能基の含有量は、特に限定はされないが、共重合単量体成分全量に対して０．５質量％以上５０質量％以下の範囲であることが好ましい。
　上記の単量体を共重合した好適な官能基を有する共重合体としては、具体的には、アクリル酸２－エチルヘキシルとアクリル酸との二元共重合体、アクリル酸２－エチルヘキシルとアクリル酸２－ヒドロキシエチルとの二元共重合体、アクリル酸２－エチルヘキシルとメタクリル酸とアクリル酸２－ヒドロキシエチルとの三元共重合体、アクリル酸ｎ－ブチルとアクリル酸との二元共重合体、アクリル酸ｎ－ブチルとアクリル酸２－ヒドロキシエチルとの二元共重合体、アクリル酸ｎ－ブチルとメタクリル酸とアクリル酸２－ヒドロキシエチルとの三元共重合体、アクリル酸２－エチルヘキシルとメタクリル酸メチルとアクリル酸２－ヒドロキシエチルとの三元共重合体、アクリル酸２－エチルヘキシルとアクリル酸ｎ－ブチルとアクリル酸２－ヒドロキシエチルとメタクリル酸との四元共重合体、アクリル酸２－エチルヘキシルとメタクリル酸メチルとアクリル酸２－ヒドロキシエチルとメタクリル酸との四元共重合体等が挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
　上記官能基を有する共重合体は、凝集力、および耐熱性等を目的として、必要に応じて他の共重合単量体成分を含有してもよい。このような他の共重合単量体成分としては、具体的には、例えば、（メタ）アクリロニトリル等のシアノ基含有単量体、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレン等のオレフィン系単量体、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン等のスチレン系単量体、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル系単量体、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル等のビニルエーテル系単量体、塩化ビニル、塩化ビニリデン等のハロゲン原子含有単量体、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチル等のアルコキシ基含有単量体、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有する単量体が挙げられる。これらの他の共重合単量体成分は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が－７０℃以上１５℃以下の範囲であることが好ましく、－６０℃以上－１０℃以下の範囲であることがより好ましい。
　上記炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーは、上述した官能基を有する共重合体を用い、該共重合体が有する官能基に対して付加反応することが可能な官能基および炭素－炭素二重結合を有する化合物を付加反応させて得ることができる。このような官能基および炭素－炭素二重結合を有する化合物としては、例えば、上記共重合体の側鎖にあるヒドロキシル基に対して付加反応を行う場合には、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、４－メタクリロイルオキシ－ｎ－ブチルイソシアネート、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α,α－ジメチルベンジルイソシアネート等の（メタ）アクリロイルオキシ基を有するイソシアネート化合物を使用することができる。また、上記共重合体の側鎖にあるカルボキシル基に対して付加反応を行う場合には、（メタ）アクリル酸グリシジルや２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート等を該化合物として使用することができる。さらに、上記共重合体の側鎖にあるグリシジル基に対して付加反応を行う場合には、（メタ）アクリル酸等を該化合物として使用することができる。
　上記付加反応としては、その反応追跡の容易さ（制御の安定性）や技術的難易度の観点から、共重合体が側鎖に有する水酸基に対して付加反応することが可能なイソシアネート基および炭素－炭素二重結合を有する化合物（（メタ）アクリロイルオキシ基を有するイソシアネート化合物）を付加反応させる方法が最も好適である。
　なお、上記付加反応を行う際には、後述するポリイソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤等の架橋剤により上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーを架橋させて、さらに高分子量化するために、ヒドロキシル基、カルボキシル基やグリシジル基等の官能基が残存するようにしておくことが好ましい。例えば、ヒドロキシル基を側鎖に有する共重合体に対して、（メタ）アクリロイルオキシ基を有するイソシアネート化合物を反応させる場合、上記共重合体の側鎖にあるヒドロキシル基（－ＯＨ）に対する（メタ）アクリロイルオキシ基を有するイソシアネート化合物のイソシアネート基（－ＮＣＯ）の当量比［（ＮＣＯ）／（ＯＨ）］が１．０未満となるように両者の配合比を調整すれば良い。このようにして、（メタ）アクリロイルオキシ基などの炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー、すなわち活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーを得ることができる。
　上記付加反応においては、炭素－炭素二重結合の活性エネルギー線反応性が維持されるよう、重合禁止剤を使用することが好ましい。このような重合禁止剤としては、ヒドロキノン・モノメチルエーテルなどのキノン系の重合禁止剤が好ましい。重合禁止剤の量は、特に制限されないが、官能基を有する共重合体と活性エネルギー線反応性化合物の合計量に対して、通常、０．０１質量部以上０．１質量部以下の範囲であることが好ましい。
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーは、好ましくは１０万以上２００万以下の範囲の重量平均分子量Ｍｗを有する。活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーの重量平均分子量Ｍｗが１０万未満である場合には、塗工性などを考慮して、数千ｃＰ以上数万ｃＰ以下の高粘度の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の溶液を得ることが難しく好ましくない。また、活性エネルギー線照射前の粘着剤層２の凝集力が小さくなって、例えば、活性エネルギー線照射後に粘着剤層２からダイボンドフィルム３付半導体チップを脱離する際、ダイボンドフィルム３付半導体ウエハを汚染するおそれがある。一方、重量平均分子量Ｍｗが２００万を超える場合には、粘着剤としての特性上、特に問題はないが、活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーを量産的に製造することが難しく、例えば、合成時に活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーがゲル化する場合があり、好ましくない。活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーの重量平均分子量Ｍｗは、より好ましくは３０万以上１５０万以下である。ここで、重量平均分子量Ｍｗは、ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレン換算値を意味する。
　上記炭素－炭素二重結合および官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーの炭素－炭素二重結合含有量は、活性エネルギー線照射後に粘着剤層２において十分な粘着力の低減効果が得られる量であればよく、活性エネルギー線の照射量等の使用条件等により異なり一義的ではないが、該炭素－炭素二重結合含有量としては、例えば、０．８５ｍｅｑ／ｇ以上１．６０ｍｅｑ／ｇ以下の範囲であることが好ましい。炭素－炭素二重結合含有量が０．８５ｍｅｑ／ｇ未満である場合は活性エネルギー線照射後の粘着剤層２における粘着力低減効果が小さくなり、接着剤層３付き半導体チップのピックアップ不良が増大するおそれがある。一方、炭素－炭素二重結合含有量が１．６０ｍｅｑ／ｇを超える場合は、活性エネルギー線照射後の粘着剤層２において粘着剤の流動性が不十分となり、ダイシングダイボンドフィルム２０のエキスパンド後の半導体チップ間隙が十分に広がらず、ピックアップ時に各半導体チップの画像認識が困難になるという問題が発生するおそれがある。また、アクリル系粘着性ポリマーの共重合組成によっては合成する際の重合または反応時にゲル化しやすくなり、合成が困難となる場合がある。なお、活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーの炭素－炭素二重結合含有量を確認する場合、活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーのヨウ素価を測定することで、炭素－炭素二重結合含有量を算出することができる。
［光重合開始剤］
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ａ））は、上述したように、活性エネルギー線の照射によりラジカルを発生する光重合開始剤を含む。光重合開始剤は、被着物脱着時の粘着剤層に対する活性エネルギー線の照射を感受して、ラジカルを発生させ、粘着剤層２中の上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーが有する炭素－炭素二重結合の架橋反応を開始させる。その結果、活性エネルギー線の照射下において粘着剤層が、さらに硬化・収縮することにより被着物に対する接着力が低減される。光重合開始剤としては、紫外線等によりラジカル活性種を発生させる化合物が好ましく、例えば、アルキルフェノン系ラジカル重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系ラジカル重合開始剤、オキシムエステル系ラジカル重合開始剤等が挙げられる。これら光重合開始剤は、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記アルキルフェノン系ラジカル重合開始剤としては、ベンジルメチルケタール系ラジカル重合開始剤、α－ヒドロキシアルキルフェノン系ラジカル重合開始剤、α－アミノアルキルフェノン系ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
　上記ベンジルメチルケタール系ラジカル重合開始剤としては、具体的には、例えば、２，２’－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン（例えば、商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ６５１、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）等が挙げられる。上記α－ヒドロキシアルキルフェノン系ラジカル重合開始剤としては、具体的には、例えば、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ１１７３、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ１８４、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、１－ [４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル] －２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ２９５９、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、２－ヒドロキシ－１－{４－ [４－ (２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル)ベンジル]フェニル}－２－メチルプロパン－１－オン（商品名Ｏｍｎｉｒａｄ１２７、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）等が挙げられる。上記α－アミノアルキルフェノン系ラジカル重合開始剤としては、具体的には、例えば、２－メチル－１－（４－メチルチオフェニル）－２－モルフォリノプロパン－１－オン（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ９０７、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、２－ベンジル－２－（ジメチルアミノ）－４’－モルフォリノブチロフェノン（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ３６９、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリン－４－イル－フェニル）－ブタン－１－オン（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ３７９ＥＧ、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）等が挙げられる。
　上記アシルフォスフィンオキサイド系ラジカル重合開始剤としては、具体的には、例えば、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニルフォスフィンオキサイド（商品名：ＯｍｎｉｒａｄＴＰＯ、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ８１９、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）等が挙げられる。
　上記オキシムエステル系ラジカル重合開始剤としては、１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－，２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）（商品名：ＯｍｎｉｒａｄＯＸＥ－０１、ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）等が挙げられる。
　上記光重合開始剤の添加量としては、上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーの固形分１００質量部に対して、０．１質量部以上１０．０質量部以下の範囲であることが好ましい。光重合開始剤の添加量が０．１質量部未満の場合には、活性エネルギー線に対する光反応性が十分ではないために活性エネルギー線を照射してもアクリル系粘着性ポリマーの光ラジカル架橋反応が十分に起こらず、粘着剤の硬化・収縮が不十分となり、その結果、活性エネルギー線照射後の粘着剤層２における粘着力低減効果が小さくなり、半導体チップのピックアップ不良が増大するおそれがある。一方、光重合開始剤の添加量が１０．０質量部を超える場合には、その効果は飽和し、経済性の観点からも好ましくない。また、光重合開始剤の種類によっては、粘着剤層２が黄変し外観不良となる場合がある。
　また、このような光重合開始剤の増感剤として、ジメチルアミノエチルメタクリレート、４－ジメチルアミノ安息香酸イソアミル等の化合物を粘着剤に添加してもよい。
［架橋剤］
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ａ））は、上述したように、活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーの高分子量化のためにさらに架橋剤を含有する。このような架橋剤としては、特に制限されず、上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーが有する官能基であるヒドロキシル基、カルボキシル基及びグリシジル基等と反応可能な官能基を有する公知の架橋剤を使用することができる。具体的には、例えば、ポリイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン樹脂系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、酸無水化合物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でも、反応性、汎用性の観点からポリイソシアネート系架橋剤またはエポキシ系架橋剤を用いることが好ましい。これらの架橋剤は、単独でまたは２種以上併用してもよい。架橋剤の配合量は、活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーの固形分１００質量部に対して、０．０１質量部以上１５質量部以下の範囲であることが好ましい。
　上記ポリイソシアネート系架橋剤としては、例えば、イソシアヌレート環を有するポリイソシアネート化合物、トリメチロールプロパンとヘキサメチレンジイソシアネートとを反応させたアダクトポリイソシアネート化合物、トリメチロールプロパンとトリレンジイソシアネートとを反応させたアダクトポリイソシアネート化合物、トリメチロールプロパンとキシリレンジイソシアネートとを反応させたアダクトポリイソシアネート化合物、トリメチロールプロパンとイソホロンジイソシアネートとを反応させたアダクトポリイソシアネート化合物等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用することができる。
　上記エポキシ系架橋剤としては、例えば、ビスフェノールＡ・エピクロルヒドリン型のエポキシ樹脂、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエリスリトール、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、１，３′－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′,Ｎ′－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミン等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用することができる。
　上記活性エネルギー線硬化性樹脂組成物（粘着剤組成物（Ａ））により粘着剤層２を形成した後に、上記架橋剤と上記官能基を有する活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着性ポリマーとを反応させるためのエージングの条件としては、特に限定はされないが、例えば、温度は２３℃以上８０℃以下の範囲、時間は２４時間以上１６８時間以下の範囲で適宜設定すれば良い。
［その他]
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ａ））は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて、その他に、多官能アクリルモノマー、多官能アクリルオリゴマー、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、界面活性剤、シランカップリング剤、レベリング剤等の添加剤を添加してもよい。
＜粘着剤組成物（Ｂ）＞
［官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー］
　上記粘着剤組成物（Ｂ）は、官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー、活性エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤、ならびに、該官能基と反応する架橋剤を含む。上記粘着剤組成物（Ｂ）の官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーとしては、上述の活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ａ））の説明において官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーとして例示したものと同じものを用いることができる。
［活性エネルギー線硬化性化合物］
　上記粘着剤組成物（Ｂ）の活性エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、活性エネルギー線の照射によって三次元網状化しうる、分子内に炭素－炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。このような低分子量化合物としては、具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１ ，６－へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；２－プロペニル－ジ－３－ブテニルシアヌレート、２－ヒドロキシエチルビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物等が挙げられる。これら活性エネルギー線硬化性の低分子量化合物は、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　また、活性エネルギー線硬化性化合物として、上記のような低分子量化合物の他に、エポキシアクリレート系オリゴマー、ウレタンアクリレート系オリゴマー、ポリエステルアクリレート系オリゴマー等の活性エネルギー線硬化性オリゴマーを用いることもできる。エポキシアクリレートは、エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸との付加反応により合成される。ウレタンアクリレートは、例えば、ポリオールとポリイソシアネートとの付加反応物に、末端に残るイソシアネート基をヒドロキシ基含有（メタ）アクリレートと反応させて（メタ）アクリル基を分子末端に導入して合成される。ポリエステルアクリレートは、ポリエステルポリオールと（メタ）アクリル酸との反応によって合成される。上記活性エネルギー線硬化性オリゴマーは、活性エネルギー線照射後の粘着剤層２の粘着力の低減効果の観点から、分子中に炭素-炭素二重結合を３個以上有するものが好ましい。これら活性エネルギー線硬化性オリゴマーは、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記活性エネルギー線硬化性オリゴマーの重量平均分子量Ｍｗは、特に限定されないが、１００以上３０，０００以下の範囲であることが好ましく、半導体チップの汚染抑制および活性エネルギー線照射後の粘着剤層２の粘着力の低減効果の両観点から、５００以上６，０００以下の範囲であることがより好ましい。
　上記活性エネルギー線硬化性化合物の含有量は、官能基を有するアクリル系粘着性ポリマー１００質量部に対して、５質量部以上５００質量部以下、好ましくは５０質量部以上１８０質量部以下の範囲であることが好ましい。上記活性エネルギー線硬化性化合物の含有量が上記範囲内である場合、活性エネルギー線照射後に粘着剤層２の粘着力を適正に低下させ、半導体チップを破損させることなく、ピックアップを容易とすることができる。
［光重合開始剤］
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ｂ））は、活性エネルギー線の照射によりラジカルを発生する光重合開始剤を含む。上記光重合開始剤としては、上述の活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ａ））の説明において例示したものと同じものを用いることができる。また、光重合開始剤の添加量についても同様とすればよい。
［架橋剤］
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ｂ））は、上述した官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーの高分子量化のためにさらに架橋剤を含有する。上記架橋剤としては、上述の活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ａ））の説明において架橋剤として例示したものと同じものを用いることができる。また、架橋剤の配合量および架橋剤と官能基を有するアクリル系粘着性ポリマーとを反応させるためのエージングの条件についても同様とすればよい。
［その他］
　上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（粘着剤組成物（Ｂ））は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて、その他に、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、界面活性剤、シランカップリング剤、レベリング剤等の添加剤を添加してもよい。
＜粘着剤層の厚さ＞
　本発明のウエハ加工用粘着テープ１０の粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上５０μｍ以下の範囲であることが好ましく、６μｍ以上２０μｍ以下の範囲がより好ましく、７μｍ以上１５μｍ以下の範囲が特に好ましい。粘着剤層２の厚さが５μｍ未満の場合には、ウエハ加工用粘着テープ１０の粘着力が過度に低下するおそれがある。この場合、クールエキスパンド工程において、ダイボンドフィルム３の粘着剤層２からの浮きが生じやすくなり、半導体チップの良品歩留まりが低下する。また、ダイシングダイボンドフィルムとして使用する時に、粘着剤層２とダイボンドフィルム３との密着不良が生じる場合がある。一方、粘着剤層２の厚さが５０μｍを超える場合には、ウエハ加工用粘着テープ１０をクールエキスパンドした際に生じる内部応力が、ダイボンドフィルム３付き半導体ウエハに外部応力として伝達し辛くなるおそれがあり、その場合、ダイシング工程において、ダイボンドフィルム３付き半導体チップの割断歩留りが低下するおそれがある。また、ダイボンドフィルム３との密着性が高くなり、活性エネルギー線照射後のまた、経済性の観点からも、実用上あまり好ましくない。
<<アンカーコート層>>
　本実施の形態のウエハ加工用粘着テープ１０では、本発明の効果を損なわない範囲において、ウエハ加工用粘着テープ１０の製造条件や製造後のウエハ加工用粘着テープ１０の使用条件等に応じて、基材フィルム１と粘着剤層２との間に、基材フィルム１の組成に合わせたアンカーコート層を設けてもよい。アンカーコート層を設けることにより、基材フィルム１と粘着剤層２との密着力が向上する。
<<剥離ライナー>>
　また、粘着剤層２の基材フィルム１とは逆の表面側（一方の表面側）には、必要に応じて剥離ライナーを設けてもよい。剥離ライナーとして使用できるものは、特に制限されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂や、紙類等が挙げられる。また、剥離ライナーの表面には、粘着剤層２の剥離性を高めるために、シリコーン系剥離処理剤、長鎖アルキル系剥離処理剤、フッ素系剥離処理剤等による剥離処理を施してもよい。剥離ライナーの厚さは、特に限定されないが、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲であるものを好適に使用することができる。
（ウエハ加工用粘着テープの製造方法）
　図６は、ウエハ加工用粘着テープ１０の製造方法について説明したフローチャートである。まず、剥離ライナーを準備する（ステップＳ１０１：剥離ライナー準備工程）。次に、粘着剤層２の形成材料である粘着剤層２用の塗布溶液（粘着剤層形成用塗布溶液）を作製する（ステップＳ１０２：塗布溶液作製工程）。塗布溶液は、例えば、粘着剤層２の構成成分であるアクリル系粘着性ポリマーと架橋剤と希釈溶媒とを均一に混合撹拌することにより作製することができる。溶媒としては、例えば、トルエンや酢酸エチル等の汎用の有機溶剤を使用することができる。
　そして、ステップＳ１０２で作製した粘着剤層２用の塗布溶液を用いて、剥離ライナーの剥離処理面上に該塗布溶液を塗布して乾燥し、所定厚さの粘着剤層２を形成する（ステップＳ１０３：粘着剤層形成工程）。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ダイコーター、コンマコーター（登録商標）、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター等を用いて塗布することができる。また、乾燥条件としては、特に限定されないが、例えば、乾燥温度は８０℃以上１５０℃以下の範囲内、乾燥時間は０．５分間以上５分間以下の範囲内で行うことが好ましい。続いて、基材フィルム１を準備する（ステップＳ１０４：基材フィルム準備工程）。そして、剥離ライナーの上に形成された粘着剤層２の上に、基材フィルム１を貼り合わせる（ステップＳ１０５：基材フィルム貼合工程）。最後に、形成した粘着剤層２を例えば４０℃の環境下で７２時間エージングしてアクリル系粘着性ポリマーと架橋剤とを反応させることにより架橋・硬化させる（ステップＳ１０６：熱硬化工程）。以上の工程により基材フィルム１の上に基材フィルム側から順に粘着剤層２、剥離ライナーを備えたウエハ加工用粘着テープ１０を製造することができる。なお、本発明では、粘着剤層２の上に剥離ライナーを備えている積層体もウエハ加工用粘着テープ１０と称する場合がある。
　なお、上記基材フィルム１上に粘着剤層２を形成する方法として、剥離ライナーの上に粘着剤層２用の塗布溶液を塗布して乾燥し、その後、粘着剤層２の上に基材フィルム１を貼り合わせる方法を例示したが、基材フィルム１上に粘着剤層２用の塗布溶液を直接塗布して乾燥する方法を用いてもよい。安定生産の観点からは、前者の方法が好適に用いられる。
　本実施の形態のウエハ加工用粘着テープ１０は、ロール状に巻かれた形態や、幅が広いシートが積層している形態であってもよい。また、これらの形態のウエハ加工用粘着テープ１０を予め定められた大きさに切断して形成されたシート状またはテープ状の形態であってもよい。
（ダイシングダイボンドフィルム）
　本発明の第２の側面によると、本実施の形態のウエハ加工用粘着テープ１０は、半導体製造工程において、ウエハ加工用粘着テープ１０の粘着剤層２の上にダイボンドフィルム（接着剤層）３が剥離可能に密着・積層された、いわゆるダイシングダイボンドフィルム２０の形として使用することもできる。ダイボンドフィルム（接着剤層）３は、クールエキスパンドにより割断、個片化された半導体チップをリードフレームや配線基板（支持基板）に接着・接続するためのものである。また、半導体チップを積層する場合は、半導体チップ同士の接着剤層の役割もする。この場合、一段目の半導体チップはダイボンドフィルム（接着剤層）３により、端子が形成された半導体チップ搭載用配線基板に接着され、一段目の半導体チップの上に、さらにダイボンドフィルム（接着剤層）３により二段目の半導体チップが接着されている。一段目の半導体チップおよび二段目の半導体チップの接続端子は、ワイヤを介して外部接続端子と電気的に接続されるが、一段目の半導体チップ用のワイヤは、圧着（ダイボンディング）時にダイボンドフィルム（接着剤層）３、すなわち、前述したワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム（接着剤層）３の中に埋め込まれる。以下、本実施の形態のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０をダイシングダイボンドフィルム２０の形として使用する場合のダイボンドフィルム（接着剤層）３について一例を示すが、特にこの例に限定されるものではない。
<<ダイボンドフィルム（接着剤層）>>
　上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３は、熱により硬化する熱硬化型の接着剤組成物からなる層である。上記接着剤組成物としては、特に限定されるものでなく、従来公知の材料を使用することができる。上記接着剤組成物の好ましい態様の一例としては、例えば、熱可塑性樹脂としてグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂、および該エポキシ樹脂に対する硬化剤としてフェノール樹脂を含む樹脂組成物に、硬化促進剤、無機フィラー、シランカップリング剤等が添加されてなる熱硬化性接着剤組成物が挙げられる。このような熱硬化性接着剤組成物からなるダイボンドフィルム（接着剤層）３は、半導体チップ／支持基板間、半導体チップ／半導体チップ間の接着性に優れ、また電極埋め込み性及び／又はワイヤ埋め込み性等も付与可能で、且つダイボンディング工程では低温で接着でき、短時間で優れた硬化が得られる、封止剤によりモールドされた後は優れた信頼性を有する等の特徴があり好ましい。
　ワイヤが接着剤層中に埋め込まれない形態で使用される汎用ダイボンドフィルムとワイヤが接着剤層中に埋め込まれる形態で使用されるワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムは、その接着剤組成物を構成する材料の種類については、ほぼ同じであることが多いが、使用する材料の配合割合、個々の材料の物性・特性等を、それぞれの目的に応じて変更することにより、汎用ダイボンドフィルム用あるいはワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用としてカスタマイズされる。また、最終的な半導体装置としての信頼性に問題がない場合には、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムが汎用ダイボンドフィルムとして使用されることもある。すなわち、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムは、ワイヤ埋込用途に限定されず、配線等に起因する凹凸を有する基板、リードフレームなどの金属基板等へ半導体チップを接着する用途でも同様に使用可能である。
＜汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物＞
　まず、汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物の一例について説明するが、特にこの例に限定されるものではない。接着剤組成物から形成されるダイボンドフィルム３のダイボンディング時の流動性の指標として、例えば、８０℃でのずり粘度特性が挙げられるが、汎用ダイボンドフィルムの場合、一般に、８０℃でのずり粘度は、２０，０００Ｐａ・ｓ以上４０，０００Ｐａ・ｓ以下の範囲、好ましくは２５，０００Ｐａ・ｓ以上３５，０００Ｐａ・ｓ以下の範囲の値を示す。上記の８０℃でのずり粘度は以下の方法で測定される値である。ダイボンドフィルム（接着剤層）３を総厚さが２００～２１０μｍとなるように７０℃で複数枚貼り合わせて積層体を作製する。次いで、その積層体を、厚み方向に１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに打ち抜いて測定サンプルとする。続いて、動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー社製）を用いて、直径８ｍｍの円形アルミプレート治具を装着した後、測定サンプルをセットする。測定サンプルに３５℃で５％の歪みを与えながら、昇温速度５℃／分の条件で測定サンプルを昇温しながらずり粘度を測定し、８０℃でのずり粘度の値を求める。
　上記汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物の好ましい態様の一例としては、接着剤組成物の樹脂成分である上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、（ａ）上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体を５２質量部以上９０質量部以下の範囲、上記エポキシ樹脂を５質量部以上２５質量部以下の範囲、上記フェノール樹脂の５質量部以上２３質量部以下の範囲で、樹脂成分全量が１００質量部となるように調整されて含み、（ｂ）硬化促進剤を上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して０．１質量部以上０．３質量部以下の範囲で含み、（ｃ）無機フィラーを上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して５質量部以上２０質量部以下の範囲で含む接着剤組成物が挙げられる。
［グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体］
　上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、共重合体ユニットとして、少なくとも、炭素数１～８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルおよび（メタ）アクリル酸グリシジルを含むことが好ましい。上記（メタ）アクリル酸グリシジルの共重合体ユニットは、適正な接着力確保の観点から、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体全量中に、０．５質量％以上６．０質量％以下の範囲で含むことが好ましく、２．０質量％以上４．０質量％以下の範囲で含むことがより好ましい。また、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、必要に応じ、ガラス転移温度（Ｔｇ）の調整の観点から、スチレンやアクリロニトリル等の他の単量体を共重合体ユニットとして含んでいてもよい。
　上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）としては、－５０℃以上３０℃以下の範囲であることが好ましく、ダイボンドフィルムとしての取扱性の向上（タック性の抑制）の観点から、－１０℃以上３０℃以下の範囲であることがより好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体をこのようなガラス転移温度とするには、上記炭素数１～８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして、エチル（メタ）アクリレートおよび／またはブチル（メタ）アクリレートを用いることが好適である。
　上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量Ｍｗは、５０万以上２００万以下の範囲であることが好ましく、７０万以上１００万以下の範囲であることがより好ましい。重量平均分子量Ｍｗが上記範囲内であると、接着力、耐熱性、フロー性を適切なものとしやすい。ここで、重量平均分子量Ｍｗは、ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレン換算値を意味する。
　上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３における上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体の含有割合は、接着剤組成物中の樹脂成分である該グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と後述するエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、５２質量％以上９０質量％以下の範囲であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下の範囲であることがより好ましい。
［エポキシ樹脂］
　エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、およびこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂及び複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているその他のエポキシ樹脂を使用してもよい。これらは、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記エポキシ樹脂の軟化点は、接着力、耐熱性の観点からは、７０℃以上１３０℃以下の範囲であることが好ましい。また、上記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、後述するフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、１００以上３００以下の範囲であることが好ましい。
　上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３における上記エポキシ樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム（接着剤層）３において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、接着剤組成物中の樹脂成分である上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と該エポキシ樹脂と後述するフェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、５質量％以上２５質量％以下の範囲であることが好ましく、１０質量％以上２０質量％以下の範囲であることがより好ましい。
［フェノール樹脂：エポキシ樹脂に対する硬化剤］
　エポキシ樹脂に対する硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂が挙げられる。上記フェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂等が挙げられる。これらフェノール樹脂は、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのフェノール樹脂の中でも、フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の接続信頼性を向上させうる傾向にあるので、好適に用いられる。
　上記フェノール樹脂の軟化点は、接着力、耐熱性の観点からは、７０℃以上９０℃以下の範囲であることが好ましい。また、上記フェノール樹脂の水酸基当量は、エポキシ樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、１００以上２００以下の範囲であることが好ましい。
　上記熱硬化性樹脂組成物におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、全エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該全フェノール樹脂成分中の水酸基が好ましくは０.５当量以上２.０当量以下、より好ましくは０.８当量以上１.２当量以下の範囲となる量で、配合するのが好ましい。それぞれの樹脂の官能基当量に依るので、一概には言えないが、例えば、フェノール樹脂の含有割合は、接着剤組成物中の樹脂成分である上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と上記エポキシ樹脂と該フェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、５質量％以上２３質量％以下の範囲であることが好ましい。
［硬化促進剤］
　また、上記熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤を添加することができる。このような硬化促進剤としては、具体的には、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよい。上記硬化促進剤の添加量は、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂の合計１００質量部に対して、０．１質量部以上０．３質量部以下の範囲であることが好ましい。
［無機フィラー］
　またさらに、上記熱硬化性樹脂組成物には、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の流動性を制御し、弾性率を向上させる観点から、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。これらの中でも、汎用性の観点からは、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が好適に用いられる。具体的には、例えば、平均粒子径がナノサイズであるアエロジル（登録商標：超微粒子乾式シリカ）が好適に用いられる。上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３における上記無機フィラーの含有割合は、上述した樹脂成分であるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体とエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、５質量％以上２０質量％以下の範囲であることが好ましい。
［シランカップリング剤］
　またさらに、上記熱硬化性樹脂組成物には、被着体に対する接着力を向上させる観点から、必要に応じて、シランカップリング剤を添加することができる。シランカップリング剤としては、例えば、β－(３,４-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。上記シランカップリング剤の添加量は、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂の合計１００質量部に対して、１．０質量部以上７．０質量部以下の範囲であることが好ましい。
［その他］
　またさらに、上記熱硬化性樹脂組成物には、ダイボンドフィルムとしての機能を損なわない範囲で、難燃剤やイオントラップ剤等を添加してもよい。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン、特定構造のリン酸ジルコニウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸アルミニウム、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物等が挙げられる。
＜ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用接着剤組成物＞
　続いて、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用接着剤組成物の一例について説明するが、特にこの例に限定されるものではない。接着剤組成物から形成されるダイボンドフィルム３のダイボンディング時の流動性の指標として、例えば、８０℃でのずり粘度特性が挙げられるが、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムの場合、一般に、８０℃でのずり粘度は、２００Ｐａ・ｓ以上１１，０００Ｐａ・ｓ以下の範囲、好ましくは２，０００Ｐａ・ｓ以上７，０００Ｐａ・ｓ以下の範囲の値を示す。
　上記ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用接着剤組成物の好ましい態様の一例としては、接着剤組成物の樹脂成分である上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、（ａ）上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体を１７質量部以上５１質量部以下の範囲、上記エポキシ樹脂を３０質量部以上６４質量部以下の範囲、上記フェノール樹脂を１９質量部以上５３質量部以下の範囲で、樹脂成分全量が１００質量部となるように調整されて含み、（ｂ）硬化促進剤を上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して０．０１質量部以上０．０７質量部以下の範囲で含み、（ｃ）無機フィラーを上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して１０質量部以上８０質量部以下の範囲で含む接着剤組成物が挙げられる。
［グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体］
　上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、共重合体ユニットとして、少なくとも、炭素数１～８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルおよび（メタ）アクリル酸グリシジルを含むことが好ましい。ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムの場合、ダイボンディング時の流動性向上と硬化後の接着強度確保の両立を図る必要があるため、（メタ）アクリル酸グリシジルの共重合体ユニット比率が高く、分子量が低いグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と、（メタ）アクリル酸グリシジルの共重合体ユニット比率が低く、分子量が高いグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ｂ）との併用が好ましく、併用のうち前者の（Ａ）成分が一定量以上含まれることが好ましい。
　すなわち、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用接着剤組成物における上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、具体的には、「（メタ）アクリル酸グリシジルの共重合体ユニットを、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体全量中に、５．０質量％以上１５．０質量％以下の範囲で含み、ガラス転移温度（Ｔｇ）が－５０℃以上３０℃以下の範囲であり、重量平均分子量Ｍｗが１０万以上４０万以下の範囲であるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）」と、「（メタ）アクリル酸グリシジルの共重合体ユニットを、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体全量中に、１．０質量％以上７．０質量％以下の範囲で含み、ガラス転移温度（Ｔｇ）が－５０℃以上３０℃以下の範囲であり、重量平均分子量Ｍｗが５０万以上９０万以下の範囲であるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ｂ）」との混合物からなることが好ましい。ここで、重量平均分子量Ｍｗは、ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレン換算値を意味する。
　上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）の含有割合は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体全量（（Ａ）と（Ｂ）の合計）中の６０質量％以上９０質量％以下の範囲であることが好ましい。また、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、必要に応じ、ガラス転移温度（Ｔｇ）の調整の観点から、スチレンやアクリロニトリル等の他の単量体を共重合体ユニットとして含んでいてもよい。
　上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体全体のガラス転移温度（Ｔｇ）としては、－５０℃以上３０℃以下の範囲であることが好ましく、ダイボンドフィルムとしての取扱性の向上（タック性の抑制）の観点から、－１０℃以上３０℃以下の範囲であることがより好ましい。グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体をこのようなガラス転移温度とするには、上記炭素数１～８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、 エチル（メタ）アクリレートおよび／またはブチル（メタ）アクリレートを用いることが好適である。
　上記ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム（接着剤層）３における上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体全量（（Ａ）と（Ｂ）の合計）の含有割合は、ダイボンディング時の流動性および硬化後の接着強度の観点から、接着剤組成物中の樹脂成分である該グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と後述するエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、１７質量％以上５１質量％以下の範囲であることが好ましく、２０質量％以上４５質量％以下の範囲であることがより好ましい。
［エポキシ樹脂］
　エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、上述の汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物用のエポキシ樹脂として例示したものと同じものを使用することができる。これらは、単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いてもよいが、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムの場合、接着強度の確保とともに、接着面における空隙の発生を抑制しつつ、ワイヤの良好な埋め込み性を付与する必要があるため、その流動性や弾性率を制御する上で、２種類以上のエポキシ樹脂を組み合わせて使用することが好ましい。
　ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム（接着剤層）３に用いるエポキシ樹脂の好ましい態様としては、常温で液状であるエポキシ樹脂（Ｃ）と軟化点が９８℃以下、好ましくは８５℃以下であるエポキシ樹脂（Ｄ）との混合物から成るものが挙げられる。上記の常温で液状であるエポキシ樹脂（Ｃ）の含有割合は、エポキシ樹脂全量（（Ｃ）と（Ｄ）の合計）中の１５質量％以上７５質量％以下の範囲であることが好ましく、３０質量％以上５０質量％以下の範囲であることがより好ましい。上記エポキシ樹脂のエポキシ当量は、後述するフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、１００以上３００以下の範囲であることが好ましい。
　上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３における上記エポキシ樹脂の含有割合は、ダイボンドフィルム（接着剤層）３において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、接着剤組成物中の樹脂成分である上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と該エポキシ樹脂と後述するフェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、３０質量％以上６４質量％以下の範囲であることが好ましく、３５質量％以上５０質量％以下の範囲であることがより好ましい。
［フェノール樹脂：エポキシ樹脂に対する硬化剤］
　エポキシ樹脂に対する硬化剤としては、特に限定されないが、上述の汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物用のフェノール樹脂として例示したものと同じものを同様に使用することができる。上記フェノール樹脂の軟化点は、接着力、流動性の観点からは、７０℃以上１１５℃以下の範囲であることが好ましい。また、上記フェノール樹脂の水酸基当量は、エポキシ樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、１００以上２００以下の範囲であることが好ましい。
　上記熱硬化性樹脂組成物におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を十分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、全エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該全フェノール樹脂成分中の水酸基が好ましくは０.５当量以上２.０当量以下、ダイボンディング時の流動性との両立という観点から、より好ましくは０．６当量以上１.０当量以下の範囲となる量で、配合するのが好ましい。それぞれの樹脂の官能基当量に依るので、一概には言えないが、例えば、フェノール樹脂の含有割合は、接着剤組成物中の樹脂成分である上記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と上記エポキシ樹脂と該フェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、１９質量％以上５３質量％以下の範囲であることが好ましい。
［硬化促進剤］
　また、上記熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等の硬化促進剤を添加することができる。このような硬化促進剤としては、上述の汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物用の硬化促進剤として例示したものと同じものを同様に使用することができる。上記硬化促進剤の添加量は、接着面における空隙の発生を抑制する観点から、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂の合計１００質量部に対して、０．０１質量部以上０．０７質量部以下の範囲であることが好ましい。
［無機フィラー］
　またさらに、上記熱硬化性樹脂組成物には、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の取扱い性の向上、ダイボンディング時の流動性の調整、チクソトロピック性の付与、接着強度の向上等の観点から、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、上述の汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物用の無機フィラーとして例示したものと同じものを同様に使用することができるが、これらの中でも、汎用性の観点からは、シリカフィラーが好適に用いられる。上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３における上記無機フィラーの含有割合は、ダイボンディング時の流動性、クールエキスパンド時の割断性および接着強度の観点から、上述した樹脂成分であるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体とエポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、１０質量％以上８０質量％以下の範囲であることが好ましく、１５質量％以上５０質量％以下の範囲がより好ましい。
　上記無機フィラーは、ダイボンドフィルム（接着剤層）３のクールエキスパンド時の割断性を向上し、硬化後の接着力を十分に発現させる目的で、平均粒子径の異なる２種類以上の無機フィラーを混合することが好ましい。具体的には、平均粒子径が０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲である無機フィラーを、無機フィラーの全質量を基準として８０質量％以上の割合を占める主たる無機フィラー成分として使用することが好ましい。ダイボンドフィルム（接着剤層）３の流動性が過度に高くなることによる半導体チップ製造工程での接着剤層３の発泡の抑制や硬化後の接着強度の向上が必要な場合には、平均粒子径が０．１μｍ未満である無機フィラーを、無機フィラーの全質量を基準として２０質量％以下の配合量で上記の主たる無機フィラー成分と併用してもよい。
［シランカップリング剤］
　またさらに、上記熱硬化性樹脂組成物には、被着体に対する接着力を向上させる観点から、必要に応じて、シランカップリング剤を添加することができる。シランカップリング剤としては、上述の汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物用のシランカップリング剤として例示したものと同じものを同様に使用することができる。上記シランカップリング剤の添加量は、接着面における空隙の発生を抑制する観点から、上記エポキシ樹脂と上記フェノール樹脂の合計１００質量部に対して、０．５質量部以上２．０質量部以下の範囲であることが好ましい。
［その他］
　またさらに、上記熱硬化性樹脂組成物には、ダイボンドフィルム３としての機能を損なわない範囲で、難燃剤やイオントラップ剤等を添加してもよい。これら難燃剤やイオントラップ剤としては、上述の汎用ダイボンドフィルム用接着剤組成物用の難燃剤やイオントラップ剤として例示したものと同じものを同様に使用することができる。
＜ダイボンドフィルムの厚さ＞
　上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３の厚さは、特に限定されないが、接着強度の確保、半導体チップ接続用のワイヤを適切に埋め込むため、あるいは基板の配線回路等の凹凸を十分に充填するため、５μｍ以上２００μｍ以下の範囲であることが好ましい。ダイボンドフィルム（接着剤層）３の厚さが５μｍ未満であると、半導体チップとリードフレームや配線基板等との接着力が不十分となるおそれがある。一方、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の厚さが２００μｍを超えると経済的でなくなる上に、半導体装置の小型薄膜化への対応が不十分となりやすい。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で、フィルム状接着剤の膜厚は１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲がより好ましく、２０μｍ以上７５μｍ以下の範囲が特に好ましい。
　より具体的には、汎用ダイボンドフィルム（接着剤層）として使用する場合の厚さとしては、例えば、５μｍ以上３０μｍ未満の範囲、特に１０μｍ以上２５μｍ以下の範囲が好ましく、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム（接着剤層）として使用する場合の厚さとしては、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下の範囲、特に４０μｍ以上８０μｍ以下の範囲であることが好ましい。
（ダイボンドフィルムの製造方法）
　上記ダイボンドフィルム（接着剤層）３は、例えば、次の通りにして製造される。まず、剥離ライナーを準備する。なお、該剥離ライナーとしては、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２の上に配置する剥離ライナーと同じものを使用することができる。次に、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の形成材料であるダイボンドフィルム（接着剤層）３用の塗布溶液を作製する。塗布溶液は、例えば、上述したようなダイボンドフィルム（接着剤層）３の構成成分であるグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂に対する硬化剤、無機フィラー、硬化促進剤、およびシランカップリング等を含む熱硬化性樹脂組成物と希釈溶媒とを均一に混合分散することにより作製することができる。溶媒としては、例えば、メチルエチルケトンやシクロヘキサノン等の汎用の有機溶剤を使用することができる。
　次に、ダイボンドフィルム（接着剤層）３用の塗布溶液を仮支持体となる上記剥離ライナーの剥離処理面上に該塗布溶液を塗布して乾燥し、所定厚さのダイボンドフィルム（接着剤層）３を形成する。その後、別の剥離ライナーの剥離処理面をダイボンドフィルム（接着剤層）３の上に貼り合わせる。塗布方法としては、特に限定されず、例えば、ダイコーター、コンマコーター（登録商標）、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター等を用いて塗布することができる。また、乾燥条件としては、例えば、乾燥温度は６０℃以上２００℃以下の範囲内、乾燥時間は１分間以上９０分間以下の範囲内で行うことが好ましい。なお、本発明では、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の両面あるいは片面に剥離ライナーを備えている積層体もダイボンドフィルム（接着剤層）３と称する場合がある。
（ダイシングダイボンドフィルムの製造方法）
　上記ダイシングダイボンドフィルム２０の製造方法としては、特に限定されないが、従来公知の方法により製造することができる。例えば、上記ダイシングダイボンドフィルム２０は、先ずウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０およびダイボンドフィルム２０を個別にそれぞれ準備し、次に、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２およびダイボンドフィルム（接着剤層）３の剥離ライナーをそれぞれ剥離し、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２とダイボンドフィルム（接着剤層）３を、例えば、ホットロールラミネーター等の圧着ロールにより圧着して貼り合わせればよい。
　貼り合わせ温度としては、特に限定されず、例えば１０℃以上１００℃以下の範囲であることが好ましく、貼り合わせ圧力（線圧）としては、例えば０.１ｋｇｆ／ｃｍ以上１００ｋｇｆ／ｃｍ以下の範囲であることが好ましい。なお、本発明では、ダイシングダイボンドフィルム２０は、粘着剤層２およびダイボンドフィルム（接着剤層）３の上に剥離ライナーが備えられた積層体もダイシングダイボンドフィルム２０と称する場合がある。ダイシングダイボンドフィルム２０において、粘着剤層２およびダイボンドフィルム（接着剤層）３の上に備えられた剥離ライナーは、ダイシングダイボンドフィルム２０をワークに供する際に、剥離すればよい。
　上記ダイシングダイボンドフィルム２０は、ロール状に巻かれた形態や、幅が広いシートが積層している形態であってもよい。また、これらの形態のウエハ加工用粘着テープ１０やダイボンドフィルム３を予め定められた大きさに切断して形成されたシート状またはテープ状の積層形態であってもよい。
　例えば、特開２０１１－１５９９２９号公報に開示されるように、剥離基材（剥離ライナー）上に半導体素子を構成するウエハの形状にプリカット加工した接着剤層（ダイボンドフィルム３）および粘着フィルム（ダイシングテープ１０）を多数、島状に形成させたフィルムロール状の形態として製造することもできる。この場合、ダイシングテープ１０は、ダイボンドフィルム（接着剤層）３よりも大径の円形に形成され、ダイボンドフィルム（接着剤層）３は、半導体ウエハ３０よりも大径の円形に形成されている。このようなフィルムロール状の形態としてプリカット加工が施される際に、余分なダイシングテープ１０は剥離除去される。
（半導体チップの製造方法）
　図７は、本実施の形態のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２の上にダイボンドフィルム（接着剤層）３が積層されたダイシングダイボンドフィルム２０を使用した半導体チップの製造方法について説明したフローチャートである。また、図８は、ダイシングダイボンドフィルム２０のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の外縁部（粘着剤層２露出部）にリングフレーム（ウエハリング）４０が、中心部のダイボンドフィルム（接着剤層）３上に個片化可能に加工された半導体ウエハが貼り付けられた状態を示した概略図である。またさらに、図９（ａ）～（ｆ）は、レーザー光照射により複数の改質領域が形成された半導体ウエハの研削工程および該半導体ウエハのダイシングダイボンドフィルムへの貼合工程の一例を示した断面図である。図１０（ａ）～（ｆ）は、ダイシングダイボンドフィルムが貼合された複数の改質領域を有する薄膜半導体ウエハを用いた半導体チップの製造例を示した断面図である。
（ダイシングダイボンドフィルム２０を使用した半導体チップの製造方法）
　ダイシングダイボンドフィルム２０を使用した半導体チップの製造方法は、特に限定されず、前述した方法のいずれかの方法に依ればよいが、ここでは、ＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ　Ｄｉｃｉｎｇ　Ｂｅｆｏｒｅ　Ｇｒｉｄｉｎｇ）による製造方法を例に挙げて説明する。
　まず、図９（ａ）に示すように、例えばシリコンを主成分とする半導体ウエハＷの第１面Ｗａ上に複数の集積回路（図示はしない）を搭載した半導体ウエハＷを準備する（図７　のステップＳ２０１：準備工程）。そして、粘着面Ｔａを有するバックグラインドテープＴが半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わされる。
　次いで、図９（ｂ）に示すように、バックグラインドテープＴに半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がバックグラインドテープＴとは反対側、つまり半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側から半導体ウエハＷに対して、その格子状の分割予定ラインＸに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂが形成される（図７のステップＳ２０２：改質領域形成工程）。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷをクールエキスパンド工程により半導体チップ単位に割断・分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハＷにおいてレーザー光照射によって分割予定ラインに沿って改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば、特許第３４０８８０５号公報、特開２００２－１９２３７０号公報、特開２００３－３３８５６７号公報等に開示されている方法を参照することができる。
　次いで、図９（ｃ）に示すように、バックグラインドテープＴに半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが予め定められた厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄膜化される。ここで、半導体ウエハ３０の厚さは、半導体装置の薄型化の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下の厚さに調節される。これによって、後工程のクールエキスパンドにより、複数の半導体チップ３０ａへの個片化を容易にする改質領域３０ｂをその内部に有する薄膜の半導体ウエハ３０が得られる（図７のステップＳ２０３：研削・薄膜化工程）。なお、本研削・薄膜化工程において、半導体ウエハ３０の研削後の最終厚さ、レーザー光照射の走査回数（投入パワー）、バックグラインドテープＴの物性等の違いによって、研削ホイールの研削負荷が加えられた際に、半導体ウエハ３０が、改質領域３０ｂを起点として垂直方向に亀裂が成長し、この段階で既に個々の半導体チップ３０ａへと割断される場合と、亀裂が成長せずに割断されない場合がある。
　次いで、図９（ｄ）、（ｅ）に示すように、バックグラインドテープＴに保持された複数の改質領域３０ｂをその内部に有する薄膜の半導体ウエハ３０（半導体ウエハ３０が既に半導体チップ３０ａに割断されている場合は複数の半導体チップ３０ａ）が別途準備したダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンドフィルム３に対して貼り合わせられる（図７のステップＳ２０４：貼合工程）。本工程においては、円形にカットしたダイシングダイボンドフィルム２０の粘着剤層２およびダイボンドフィルム（接着剤層）３から剥離ライナーを剥離した後、図８に示すように、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０の外縁部（粘着剤層２露出部）にリングフレーム（ウエハリング）４０を貼り付けるとともに、ダイシングテープ１０の粘着剤層２の***部に積層されたダイボンドフィルム（接着剤層）３の上に個片化可能に加工された薄膜の半導体ウエハ３０（半導体ウエハ３０が既に半導体チップ３０ａに割断されている場合は複数の半導体チップ３０ａ）を貼り付ける。
　この後、図９（ｆ）に示すように、薄膜の半導体ウエハ３０（半導体ウエハ３０が既に半導体チップ３０ａに割断されている場合は複数の半導体チップ３０ａ）からバックグラインドテープＴが剥がされる。貼り付けは、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。貼り付け温度は、特に限定されず、例えば、２０℃以上１３０℃以下の範囲であることが好ましく、半導体ウエハ３０の反りを小さくする観点からは、４０℃以上１００℃以下の範囲内であることがより好ましい。貼り付け圧力は、特に限定されず、０．１ＭＰａ以上１０．０ＭＰａ以下の範囲であることが好ましい。本発明のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０は、一定の耐熱性を有するため、貼り付け温度が高温であっても、その取扱いにおいて特に問題となることはない。
　続いて、ダイシングダイボンドフィルム２０におけるウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２上にリングフレーム４０が貼り付けられた後、図１０（ａ）に示すように、個片化可能に加工された薄膜の半導体ウエハ３０（半導体ウエハ３０が既に半導体チップ３０ａに割断されている場合は複数の半導体チップ３０ａ）を伴う当該ダイシングダイボンドフィルム２０がエキスパンド装置の保持具４１に固定される。図１０（ｂ）に示すように、薄膜の半導体ウエハ３０は、複数の半導体チップ３０ａに個片化可能なように、ダイシング予定ラインＸに沿って、その内部に複数の改質領域３０ｂが形成されている。
　次いで、相対的に低温（例えば、－３０℃以上０℃以下）の条件下での第１のエキスパンド工程、すなわち、クールエキスパンド工程が、図１０（ｃ）に示すように行われ、半導体ウエハ３０が複数の半導体チップ３０ａへと個片化されるとともに、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンドフィルム（接着剤層）３が半導体チップ３０ａの大きさに対応した小片のダイボンドフィルム（接着剤層）３ａに割断されて、ダイボンドフィルム３ａ付き半導体チップ３０ａが得られる（図７のステップＳ２０５：クールエキスパンド工程）。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材（図示しない）が、ダイシングダイボンドフィルム２０の下側においてウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０に当接して上昇され、個片化可能に加工された半導体ウエハ３０が貼り合わされたダイシングダイボンドフィルム２０のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０が、半導体ウエハ３０の径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。
　クールエキスパンドによりウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の全方向への引張により生じた内部応力は、個片化可能に加工された半導体ウエハ３０および該半導体ウエハ３０に貼り付けられたダイボンドフィルム３に外部応力として伝達される。この外部応力により、半導体ウエハ３０は、その内部に形成された格子状の複数の改質領域３０ｂを起点として垂直方向に亀裂が成長し、個々の半導体チップ３０ａへと割断されるとともに、低温で脆性化されたダイボンドフィルム３も半導体チップ３０ａと同じサイズの小片のダイボンドフィルム３ａへと割断される。なお、半導体ウエハ３０が研削・薄膜化工程で既に個々の半導体チップ３０ａに割断されている場合は、半導体チップ３０ａに密着している低温で脆性化されたダイボンドフィルム３のみが、クールエキスパンドにより半導体チップ３０ａの大きさに対応した小片のダイボンドフィルム３ａに割断されて、ダイボンドフィルム３ａ付き半導体チップ３０ａが得られる。
　上記クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば、－３０℃以上０℃以下であり、好ましくは－２０℃以上－５℃以下の範囲であり、より好ましくは－１５℃以上－５℃以下の範囲であり、特に好ましくは－１５℃である。上記クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（中空円柱状の突き上げ部材が上昇する速度）は、好ましくは０.１ｍｍ／秒以上１０００ｍｍ／秒以下の範囲であり、より好ましくは１０ｍｍ／秒以上３００ｍｍ／秒以下の範囲である。また、上記クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量（中空円柱状の突き上げ部材の突き上げ高さ）は、好ましくは３ｍｍ以上１６ｍｍ以下の範囲である。
　ここで、本発明のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０は、その基材フィルム１が、前述したように、不飽和カルボン酸に由来する構成単位を特定の含有比率で含むエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を特定の濃度の亜鉛イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含む樹脂層が積層された構成から成るので、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の連続層においてイオン凝集体（クラスター）の発達が十分かつ適切となるため、その架橋効果により、基材フィルム１がエキスパンドされてもイオン凝集体（クラスター）が破壊されにくくなり、エキスパンドとともにイオン凝集体間の分子鎖の緊張数が増加する。これにより、クールエキスパンドによりダイシングテープ１０の全方向への引張により生じた内部応力は、例えば、半導体ウエハ３０に貼り付けられたダイボンドフィルム３に外部応力として効率的に伝達され、その結果、ダイボンドフィルム３が半導体チップ３０ａの大きさに対応した小片のダイボンドフィルム３ａに歩留まり良く割断されて、ダイボンドフィルム３ａ付き半導体チップ３０ａが歩留まり良く得られる。そして、ダイボンドフィルム３として、厚さが厚く、流動性が高い（高温下での溶融粘度が低い）ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムを用いたとしても、歩留り良く割断することができる。
　上記クールエキスパンド工程の後、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材が下降されて、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０におけるエキスパンド状態が解除される。
　次いで、相対的に高温（例えば、１０℃以上３０℃以下）の条件下での第２のエキスパンド工程、すなわち、常温エキスパンド工程が、図１０（ｄ）に示すように行われ、ダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａ間の距離（カーフ幅）が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備える円柱状のテーブル（図示しない）が、ダイシングダイボンドフィルム２０の下側においてウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０に当接して上昇され、ダイシングダイボンドフィルム２０のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０がエキスパンドされる（図７のステップＳ２０６：常温エキスパンド工程）。常温エキスパンド工程によりダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａ間の距離（カーフ幅）を十分に確保することにより、ＣＣＤカメラ等による半導体チップ３０ａの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップ３０ａ同士が接触することによって生じるダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａ同士の再接着を防止することができる。その結果、後述するピックアップ工程において、ダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａのピックアップ性が向上する。
　上記常温エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５℃以上３０℃以下の範囲である。常温エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（円柱状のテーブルが上昇する速度）は、例えば０.１ｍｍ／秒以上５０ｍｍ／秒以下の範囲であり、好ましくは０.３ｍｍ／秒以上３０ｍｍ／秒以下の範囲である。また、常温エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３ｍｍ以上２０ｍｍ以下の範囲である。
　テーブルの上昇によってウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０が常温エキスパンドされた後、テーブルはウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０を真空吸着する。そして、テーブルによるその吸着を維持した状態で、テーブルがワークを伴って下降されて、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０におけるエキスパンド状態が解除される。エキスパンド状態解除後にウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０上のダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａのカーフ幅が狭まることを抑制するうえでは、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０がテーブルに真空吸着された状態で、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０における半導体チップ３０ａ保持領域より外側の円周部分を熱風吹付により加熱収縮（ヒ－トシュリンク）させて、エキスパンドで生じたウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の弛みを解消することで緊張状態を保つことが好ましい。上記加熱収縮後、テーブルによる真空吸着状態が解除される。
　上記熱風の温度は、基材フィルム１の物性と、熱風吹き出し口とダイシングテープとの距離、および風量等に応じて調整すれば良いが、例えば２００℃以上２５０℃以下の範囲が好ましい。また、熱風吹き出し口とウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０との距離は、例えば１５ｍｍ以上２５ｍｍ以下の範囲であることが好ましい。また、風量は、例えば３５Ｌ／分以上４５Ｌ／分以下の範囲が好ましい。なお、ヒートシュリンク工程を行う際、エキスパンド装置のステージを、例えば３°／秒以上１０°／秒以下の範囲の回転速度で回転させながら、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の半導体チップ３０ａ保持領域より外側の円周部分に沿って熱風吹付を行う。このような熱風吹付により、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の表面の温度は、例えば８０℃前後に調整される。
　本発明のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０は、その基材フィルム１として、不飽和カルボン酸に由来する構成単位を特定の含有比率で含むエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が特定の濃度の亜鉛イオンで架橋され、かつ適切なビカット軟化温度を有するアイオノマー樹脂を含む積層樹脂層を用いているので、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体の連続層において、不飽和カルボン酸由来の酸基のカルボキシラートイオンと亜鉛イオンのイオン結合の集合体により形成されるイオン凝集体（クラスター）の発達が十分かつ適切となるため、その架橋効果により、基材フィルム１が加熱されてもイオン凝集体（クラスター）が完全には破壊されずに適度に維持されるため、エキスパンド後の加熱収縮工程においては、エントロピー弾性が強く働き、延伸・配向された分子が元の状態に戻りやすくなる。すなわち、基材フィルム１の伸張後の歪に対する加熱時の復元力が十分なものとなり、ウエハ加工用粘着テープ１０の加熱収縮工程において、熱シワ等が発生することなく、ダイシングテープ１０の円周部分を問題なく加熱収縮させ、弛みを解消することができる。その結果、個々の半導体チップ間のカーフ幅が十分に確保され、後述のピックアップ工程において、良好なピックアップ性が得られる。
　続いて、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０に対して、基材フィルム１側から活性エネルギー線を照射することにより、粘着剤層２を硬化・収縮させ、粘着剤層２のダイボンドフィルム３ａに対する粘着力を低下させる（図７のステップＳ２０７：活性エネルギー線照射工程）。ここで、上記後照射に用いる活性エネルギー線としては、紫外線、可視光線、赤外線、電子線、β線、γ線等が挙げられる。これらの活性エネルギー線の中でも、紫外線（ＵＶ）および電子線（ＥＢ）が好ましく、特に紫外線（ＵＶ）が好ましく用いられる。上記紫外線（ＵＶ）を照射するための光源としては、特に限定されないが、例えば、ブラックライト、紫外線蛍光灯、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。また、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、エキシマランプ又はシンクロトロン放射光等も用いることができる。上記紫外線（ＵＶ）の照射光量は、特に限定されず、例えば１００ｍＪ／ｃｍ２以上２，０００ｍＪ／ｃｍ２以下の範囲であることが好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ２以上１，０００ｍＪ／ｃｍ２以下の範囲であることがより好ましい。
　ここで、本発明のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０は、粘着剤層２を構成する活性エネルギー線硬化性粘着剤組成物において、活性エネルギー線反応性炭素－炭素二重結合濃度を、例えば、活性エネルギー線硬化性粘着剤組成物１ｇ当たり０．８５ｍｍｏｌ以上１．６０ｍｍｏｌ以下の範囲に制御しているので、紫外線（ＵＶ）照射後の粘着剤層２は、炭素－炭素二重結合の三次元架橋反応により架橋密度が大きくなり、すなわち、貯蔵弾性率が大きく上昇するとともにガラス転移温度も上昇し、体積収縮も大きくなるので、ダイボンドフィルム３ａに対する粘着力を十分に低下させることができる。その結果、後述のピックアップ工程において、ダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａのピックアップ性が良好となる。
　続いて、上述のエキスパンド工程により割断、個片化されたそれぞれのダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａを、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の紫外線（ＵＶ）照射後の粘着剤層２から剥がし取る所謂ピックアップを行う（図７のステップＳ２０８：剥離（ピックアップ）工程）。
　上記ピックアップの方法としては、例えば、図１０（ｅ）に示すように、ダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａをウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の基材フィルム１の第２面を突き上げピン（ニードル）６０によって突き上げるとともに、図１０（ｆ）に示すように、突き上げられたダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａを、ピックアップ装置（図示しない）の吸着コレット５０により吸引してウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２から剥がし取る方法等が挙げられる。これにより、ダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａが得られる。
　ピックアップ条件としては、実用上、許容できる範囲であれば特に限定されず、通常は、突き上げピン（ニードル）６０の突き上げ速度は、１ｍｍ／秒以上１００ｍｍ／秒以下の範囲内で設定されることが多いが、半導体チップ３０ａの厚さ（半導体ウエハの厚さ）が１００μｍ以下と薄い場合には、薄膜の半導体チップ３０ａの損傷抑制の観点から、１ｍｍ／秒以上２０ｍｍ／秒以下の範囲内で設定することが好ましい。生産性を加味した観点からは、５ｍｍ／秒以上２０ｍｍ／秒以下の範囲内で設定できることがより好ましい。
　また、半導体チップ３０ａが損傷せずにピックアップが可能となる突き上げピンの突き上げ高さは、例えば、上記と同様の観点から、１００μｍ以上６００μｍ以下の範囲内で設定できることが好ましく、半導体薄膜チップに対する応力軽減の観点から、１００μｍ以上４５０μｍ以下の範囲内で設定できることがより好ましい。生産性を加味した観点からは、１００μｍ以上３５０μｍ以下の範囲内で設定できることがとりわけ好ましい。このような突き上げ高さをより小さくできるウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）はピックアップ性に優れていると言える。
　以上、説明したように、不飽和カルボン酸に由来する構成単位を特定の含有比率で含むエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が特定の濃度の亜鉛イオンで架橋され、かつ適切なビカット軟化温度を有するアイオノマー樹脂を含む積層樹脂層から成る基材フィルム１と活性性エネルギー線硬化性粘着剤組成物からなる粘着剤層２とから構成される本発明のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０は、半導体製造工程において、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２の上にダイボンドフィルム（接着剤層）３が剥離可能に密着、積層されたダイシングダイボンドフィルム２０の形として使用した場合、例えば、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムのような流動性が高く、厚さが厚いダイボンドフィルムを貼合して適用する場合であっても、クールエキスパンドによりダイボンドフィルム３付き半導体ウエハ３０が良好に割断されると共に、常温エキスパンドおよびヒートシュリンクによりカーフ幅を十分に確保することができ、割断後のダイボンドフィルム３ａにおいて、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０の粘着剤層２から、割断された個々のダイボンドフィルム３ａ付き半導体チップ３０ａを良好にピックアップすることできる。
　なお、図１０（ａ）～（ｆ）で説明した製造方法は、ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体チップ３０ａの製造方法の一例（ＳＤＢＧ）であり、ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０をダイシングダイボンドフィルム２０の形として使用する方法は、上記の方法に限定されない。例えば、図９（ｂ）で説明した半導体ウエハＷにおいてレーザー光照射によって分割予定ラインに沿って改質領域３０ｂを形成する方法に代えて、回転ブレードによって半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定の深さの分割溝を形成する方法を採用してもよい。この場合、図示はしないが、粘着面Ｔ２ａを有するバックグラインドテープＴ２が半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わされた後、バックグラインドテープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝がダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。次いで、粘着面Ｔａを有するバックグラインドテープＴの、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのバックグラインドテープＴ２の剥離とが、行われ、図９（ｂ）の状態となる。図９（ｃ）に示す研削・薄化工程では、分割溝それ自体が第２面Ｗｂ側に露出するまで半導体ウエハＷを研削する手法を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝に至るより前まで半導体ウエハＷを研削し、その後、研削ホイールから半導体ウエハへＷの研削負荷圧力の作用により分割溝と第２面の間にクラックを生じさせて半導体ウエハＷの分割体（複数の半導体チップ３０ａ）を形成する手法を採用してもよい。採用される手法に応じて、形成される分割溝の第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。
　このように、本実施の形態のダイシングダイボンドフィルム２０は、ダイシングに際して、半導体ウエハ３０に貼り付けられるものであれば、上記の方法に限定されることなく使用することができる。
　中でも、本発明のウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０は、ＤＢＧ、ステルスダイシング、ＳＤＢＧ等といった薄膜半導体チップを得るための製造方法において、特に、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムと一体化してダイシングダイボンドフィルムとして用いるためのダイシングテープとして好適である。もちろん、汎用ダイボンドフィルムと一体化して用いることも可能である。
（半導体装置の製造方法）
　本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０とダイボンドフィルム３とを一体化したダイシングダイボンドフィルム２０を用いて製造された半導体チップが搭載された半導体装置について、以下、具体的に説明する。
　半導体装置（半導体パッケージ）は、例えば、上述のダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａを半導体チップ搭載用支持部材または半導体チップに加熱圧着して接着させ、その後、ワイヤボンディング工程と封止材による封止工程等の工程を経ることにより得ることができる。
　図１１は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０とワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム３とを一体化したダイシングダイボンドフィルム２０を用いて製造された半導体チップが搭載された積層構成の半導体装置の一態様の模式断面図である。図１１に示す半導体装置７０は、半導体チップ搭載用支持基板４と、硬化されたダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ１、３ａ２と、一段目の半導体チップ３０ａ１と、二段目の半導体チップ３０ａ２と、封止材８とを備えている。半導体チップ搭載用支持基板４、硬化されたダイボンドフィルム３ａ１および半導体チップ３０ａ１は、半導体チップ３０ａ２の支持部材９を構成している。
　半導体チップ搭載用支持基板４の一方の面には、外部接続端子５が複数配置されており、半導体チップ搭載用支持基板４の他方の面には、端子６が複数配置されている。半導体チップ搭載用支持基板４は、半導体チップ３０ａ１および半導体チップ３０ａ２の接続端子（図示せず）と、外部接続端子５とを電気的に接続するためのワイヤ７を有している。半導体チップ３０ａ１は、硬化されたダイボンドフィルム３ａ１により半導体チップ搭載用支持基板４に外部接続端子５に由来する凹凸を埋め込むような形で接着されている。半導体チップ３０ａ２は、硬化されたダイボンドフィルム３ａ２により半導体チップ３０ａ１に接着されている。半導体チップ３０ａ１、半導体チップ３０ａ２およびワイヤ７は、封止材８によって封止されている。このようにワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム３ａは、半導体チップ３０ａを複数重ねる積層構成の半導体装置に好適に使用される。
　また、図１２は、本実施の形態が適用されるウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０と汎用ダイボンドフィルム３とを一体化したダイシングダイボンドフィルム２０を用いて製造された半導体チップが搭載された他の半導体装置の一態様の模式断面図である。図１２に示す半導体装置８０は、半導体チップ搭載用支持基板４と、硬化されたダイボンドフィルム３ａと、半導体チップ３０ａと、封止材８とを備えている。半導体チップ搭載用支持基板４は、半導体チップ３０ａの支持部材であり、半導体チップ３０ａの接続端子（図示せず）と半導体素チップ搭載用支持基板４の主面に配置された外部接続端子（図示せず）とを電気的に接続するためのワイヤ７を有している。半導体チップ３０ａは、硬化されたダイボンドフィルム３ａにより半導体チップ搭載用支持基板４に接着されている。半導体チップ３０ａおよびワイヤ７は、封止材８によって封止されている。
　以下の実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
１．基材フィルム１の作製
　基材フィルム１（ａ）～（ｚ）を作製するための材料として下記の樹脂をそれぞれ準備した。なお、アイオノマー樹脂の亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン供給源としては、酸化亜鉛／ステアリン酸亜鉛＝９９／１の質量比率からなる混合物を使用した。
（エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体のアイオノマーからなる樹脂）
（１）樹脂（ＩＯ－１）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３８ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５６℃
（２）樹脂（ＩＯ－２）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．４１ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５７℃
（３）樹脂（ＩＯ－３）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．４６ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５７℃
（４）樹脂（ＩＯ－４）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．５２ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５７℃
（５）樹脂（ＩＯ－５）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．５５ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５７℃
（６）樹脂（ＩＯ－６）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／８／１２の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．４１ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５５℃
（７）樹脂（ＩＯ－７）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１２／８の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．４１ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５８℃
（８）樹脂（ＩＯ－８）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１５／５の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．４１ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５６℃
（９）樹脂（ＩＯ－９）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝９１．６／６．９／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３８ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：６４℃
（１０）樹脂（ＩＯ－１０）
エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝７７．１／６．９／１６の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３８ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５０℃
（１１）樹脂（ＩＯ－１２）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８８．１／６．９／５の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３８ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：７４℃
（１２）樹脂（ＩＯ－１３）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０．５／１８／１．５の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．４１ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５１℃
（１３）樹脂（ＩＯ－１４）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０．５／１８／１．５の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．６０ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５１℃
（１４）樹脂（ＩＯ－１５）
　エチレン／メタクリル酸＝８２／１８の質量比率からなる二元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３８ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５４℃
（１５）樹脂（ＩＯ－１６）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３５ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５６℃
（１６）樹脂（ＩＯ－１７）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８５／５／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．２９ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：７０℃
（１７）樹脂（ＩＯ－１８）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝７８／１９／３の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．３５ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：４４℃
（１８）樹脂（ＩＯ－１９）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝９３／４／３の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．２２ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：８７℃
（１９）樹脂（ＩＯ－２０）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝７５／１５／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂、共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度：０．８３ｍｍｏｌ、ビカット軟化温度：５７℃
（エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体のアイオノマーからなる樹脂とその他樹脂との混合樹脂）
（２０）混合樹脂（ＩＯ－２／ＰＡ）
　エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂（ＩＯ－２）と、東レ株式会社製のポリアミド樹脂“アミラン（登録商標）ＣＭ１０１７”（ＰＡ）とを９０：１０の質量比でドライブレンドした混合樹脂、単軸押出機ダイス温度２３０℃で溶融混錬した混合樹脂のビカット軟化温度：６１℃
（２１）混合樹脂（ＩＯ－２／ＴＰＯ－１）
エチレン／メタクリル酸／アクリル酸イソブチル＝８０／１０／１０の質量比率からなる三元共重合体の亜鉛アイオノマー樹脂（ＩＯ－２）と、三菱化学株式会社製のポリプロピレン系エラストマー“ゼラス（登録商標）５０５３”（ＴＰＯ－１）とを８０：２０の質量比でドライブレンドした混合樹脂、単軸押出機ダイス温度２３０℃で溶融混錬した混合樹脂のビカット軟化温度：５５℃
（エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体樹脂）
（２２）樹脂（ＥＭＡＡ）
エチレン／メタクリル酸＝９６／４の質量比からなる二元共重合体、ビカット軟化温度：９２℃
（オレフィン系熱可塑性エラストマー)
（２３）樹脂（ＴＰＯ－１）
　三菱化学株式会社製のポリプロピレン系エラストマー“ゼラス（登録商標）５０５３"、プロピレン／エチレン＝７９／２１の質量比率、ビカット軟化温度：５０℃
（２４）樹脂（ＴＰＯ－２）
　リオンデールバゼル社製の多段重合プロピレン／エチレン系共重合体［リアクターＴＰＯ］“キャタロイ（登録商標）”、ビカット軟化温度：５９℃
＜基材フィルム１（ａ）＞
　アイオノマー樹脂（ＩＯ－１）を、１種（同一樹脂）３層Ｔダイフィルム成形機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、同一樹脂の３層構成の厚さ９０μｍの基材フィルム１（ａ）を作製した。なお、第３樹脂層側（第２樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層／第３樹脂層＝３０μｍ／３０μｍ／３０μｍとした。各樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ａ）の総厚さの１００％である。
＜基材フィルム１（ｂ）～１（ｊ）、１（ｌ）～１（ｎ）＞
　アイオノマー樹脂（ＩＯ－１）を、アイオノマー樹脂（ＩＯ－２）～（ＩＯ－１０）、（ＩＯ－１２）～（ＩＯ－１４）にそれぞれ変更した以外は、基材フィルム１（ａ）と同様にして、基材フィルム１（ｂ）～１（ｊ）、１（ｌ）～１（ｎ）をそれぞれ作製した。基材フィルム１（ｂ）～１（ｊ）、１（ｌ）～１（ｎ）の各樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さは、いずれも基材フィルム１の総厚さの１００％である。
＜基材フィルム１（ｏ）＞
　第１樹脂層および第３樹脂層の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－１５）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－１）を準備し、２種（樹脂）３層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、２種樹脂の３層構成の厚さ９０μｍの基材フィルム１（ｏ）を作製した。なお、第３樹脂層側（第２樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層／第３樹脂層＝２０μｍ／５０μｍ／２０μｍとした。各樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ｏ）の総厚さの１００％である。
＜基材フィルム１（ｐ）＞
　第１樹脂層の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－３）を、第３樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－４）を準備し、３種（樹脂）３層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、３種樹脂の３層構成の厚さ９０μｍの基材フィルム１（ｐ）を作製した。なお、第３樹脂層側（第２樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層／第３樹脂層＝３０μｍ／３０μｍ／３０μｍとした。各樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ｐ）の総厚さの１００％である。
＜基材フィルム１（ｑ）＞
　第１樹脂層および第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第３樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂とポリアミド樹脂の混合樹脂（ＩＯ－２／ＰＡ）を準備し、２種（樹脂）３層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、２種樹脂の３層構成の厚さ９０μｍの基材フィルム１（ｑ）を作製した。なお、第３樹脂層側（第２樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層／第３樹脂層＝３０μｍ／３０μｍ／３０μｍとした。第１樹脂層および第２樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％であり、第３樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は９０質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ｑ）の総厚さの１００％である。
＜基材フィルム１（ｒ）＞
　第１樹脂層の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂とオレフィン系熱可塑性エラストマー樹脂の混合樹脂（ＩＯ－２／ＴＰＯ－１）を準備し、２種（樹脂）２層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、２種樹脂の２層構成の厚さ７０μｍの基材フィルム１（ｒ）を作製した。なお、第２樹脂層側（第１樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層＝５０μｍ／２０μｍとした。第１樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％であり、第２樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は８０質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層および第２樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ｒ）の総厚さの１００％である。
＜基材フィルム１（ｓ）＞
　第１樹脂層および第３樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてオレフィン系熱可塑性エラストマー樹脂（ＴＰＯ－１）を準備し、２種（樹脂）３層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、２種樹脂の３層構成の厚さ９０μｍの基材フィルム１（ｓ）を作製した。なお、第３樹脂層側（第２樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層／第３樹脂層＝４０μｍ／１０μｍ／４０μｍとした。第１樹脂層および第３樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ｓ）の総厚さの８９％である。
＜基材フィルム１（ｔ）＞
　第１樹脂層および第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第３樹脂層用の樹脂組成物としてオレフィン系熱可塑性エラストマー樹脂（ＴＰＯ－２）を準備し、２種（樹脂）３層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、２種樹脂の３層構成の厚さ１２０μｍの基材フィルム１（ｔ）を作製した。なお、第３樹脂層側（第２樹脂層と接する面とは反対側の面）にはマット加工を施した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層／第３樹脂層＝４０μｍ／４０μｍ／４０μｍとした。第１樹脂層および第２樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率は１００質量％である。また、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層および第２樹脂層）の合計厚さは、基材フィルム１（ｔ）の総厚さの６７％である。
＜基材フィルム１（ｕ）～１（ｙ）＞
　アイオノマー樹脂（ＩＯ－１）を、アイオノマー樹脂（ＩＯ－１６）～（ＩＯ－２０）にそれぞれ変更した以外は、基材フィルム１（ａ）と同様にして、基材フィルム１（ｕ）～１（ｙ）をそれぞれ作製した。なお、アイオノマー樹脂（ＩＯ－２０）を用いた基材フィルム１（ｙ）については、メルトフローレート（ＭＦＲ）が小さく、安定製膜ができなかった。
＜基材フィルム１（ｚ）＞　
　第１樹脂層の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－１６）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体樹脂（ＥＭＡＡ）を準備し、２種（樹脂）２層Ｔダイフィルム成型機のそれぞれの押出機に投入し、加工温度２４０℃の条件で成形し、２種樹脂の２層構成の厚さ１００μｍの基材フィルム１（ｚ）を作製した。各樹脂層の厚さは、第１樹脂層（粘着剤層２に接する面側）／第２樹脂層＝４０μｍ／６０μｍとした。
２．粘着剤組成物の溶液の調整
　ダイシングテープ１０の粘着剤層２用の粘着剤組成物として、下記の活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物２（ａ）の溶液を調製した。
（活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物２（ａ）の溶液）
　共重合モノマー成分として、アクリル酸２－エチルヘキシル（２－ＥＨＡ）、アクリル酸－２ヒドロキシエチル（２－ＨＥＡ）、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）を準備した。これらの共重合モノマー成分を、２－ＥＨＡ／２－ＨＥＡ／ＭＭＡ＝７８．５質量部／２１．０質量部／０．５質量部（＝４２５．９４ｍｍｏｌ／１８０．８５ｍｍｏｌ／５．８１ｍｍｏｌ）の共重合比率となるように混合し、溶媒として酢酸エチル、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）を用い溶液ラジカル重合により、水酸基を有するベースポリマー（アクリル酸エステル共重合体）の溶液を合成した。得られたベースポリマーのＦｏｘの式より算出したＴｇは－６０℃である。
　次に、このベースポリマーの固形分１００質量部に対し、昭和電工株式会社製の活性エネルギー線反応性化合物として、昭和電工株式会社製のイソシアネート基と活性エネルギー線反応性炭素－炭素二重結合とを有する２－イソシアネートエチルメタクリレート（商品名：カレンズＭＯＩ、分子量：１５５．１５、イソシアネート基：１個／1分子、二重結合基：１個／１分子）２１．０質量部（１３５．３５ｍｍｏｌ：２－ＨＥＡに対して７４．８ｍｏｌ％）を配合し、２－ＨＥＡの水酸基の一部と反応させて、炭素－炭素二重結合を側鎖に有するアクリル系粘着性ポリマー（Ａ）の溶液（固形分濃度：５０質量％、重量平均分子量Ｍｗ：３８万、固形分水酸基価：２１．１ｍｇＫＯＨ／ｇ、固形分酸価：２．７ｍｇＫＯＨ／ｇ、炭素－炭素二重結合含有量：１．１２ｍｍｏｌ／ｇ）を合成した。なお、上記の反応にあたっては、炭素－炭素二重結合の反応性を維持するための重合禁止剤としてヒドロキノン・モノメチルエーテルを０．０５質量部用いた。
　続いて、上記で合成したアクリル系粘着性ポリマー（Ａ）の溶液２００質量部（固形分換算１００質量部）に対して、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製のα－ヒドロキシアルキルフェノン系光重合開始剤（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ１８４）を２．０質量部、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製のアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤（商品名：Ｏｍｎｉｒａｄ８１９）を０．４質量部、架橋剤として東ソー株式会社製のＴＤＩ系のポリイソシアネート系架橋剤（商品名：コロネートＬ－４５Ｅ、固形分濃度：４５質量％）を２．５６質量部（固形分換算１．１５質量部、１．７５ｍｍｏｌ）の比率で配合し、酢酸エチルにて希釈、撹拌して、固形分濃度２２質量％の活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物２（ａ）の溶液を調製した。
３．接着剤組成物の溶液の調製
　ダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンドフィルム（接着剤層）３用の接着剤組成物として、下記の接着剤組成物３（ａ）～３（ｄ）の溶液を調製した。
（接着剤組成物３（ａ）の溶液）
　ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用として、以下の接着剤組成物溶液３（ａ）の溶液を調製、準備した。まず、熱硬化性樹脂として株式会社プリンテック製のビスフェノール型エポキシ樹脂（商品名：Ｒ２７１０、エポキシ当量：１７０、分子量：３４０、常温で液状）２６質量部、東都化成株式会社製のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ－７００－１０、エポキシ当量２１０、軟化点８０℃）３６質量部、架橋剤として三井化学株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ミレックスＸＬＣ－ＬＬ、水酸基当量：１７５、軟化点：７７℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）１質量部、エア・ウォーター株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ＨＥ２００Ｃ－１０、水酸基当量：２００、軟化点：７１℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）２５質量部、エア・ウォーター株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ＨＥ９１０－１０、水酸基当量：１０１、軟化点：８３℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：３質量％）１２質量部、無機フィラーとしてアドマテックス株式会社製のシリカフィラー分散液（商品名：ＳＣ２０５０－ＨＬＧ、平均粒子径：０．５０μｍ）１５質量部、アドマテックス株式会社製のシリカフィラー分散液（商品名：ＳＣ１０３０－ＨＪＡ、平均粒子径：０．２５μｍ）１４質量部、日本アエロジル株式会社製のシリカ（商品名：アエロジルＲ９７２、平均粒子径：０．０１６μｍ）１質量部、からなる樹脂組成物に、溶媒としてシクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間分散した。
　次いで、上記樹脂組成物に、熱可塑性樹脂としてナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ－ＣＨＮ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：８質量％、重量平均分子量Ｍｗ：２３万、Ｔｇ：－７℃）３７質量部、ナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：３質量％、重量平均分子量Ｍｗ：８０万、Ｔｇ：－７℃）９質量部、シランカップリング剤としてＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１１６０）０．７質量部、ＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１８９）０．３質量部、および硬化促進剤として四国化成株式会社製の１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ）０．０３質量部加え、攪拌混合し、１００メッシュのフィルターでろ過した後、真空脱気し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物３（ａ）の溶液を調製した。樹脂成分全量（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および架橋剤の合計質量）における各樹脂成分の含有割合は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体：エポキシ樹脂：フェノール樹脂＝３１．５質量％：４２．５質量％：２６．０質量％であった。また、無機フィラーの含有量は樹脂成分全量に対して２０．５質量％であった。また、接着剤組成物３（ａ）の溶液から形成されたダイボンドフィルム（接着剤層）３の８０℃でのずり粘度は、３，８００Ｐａ・ｓであった。
（接着剤組成物３（ｂ）の溶液）
　ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用として、以下の接着剤組成物溶液３（ｂ）の溶液を調製、準備した。まず、熱硬化性樹脂として東都化成株式会社製のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＦ－８１７０Ｃ、エポキシ当量：１５９、分子量：３１０、常温で液状）２１量部、東都化成株式会社製のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ－７００－１０、エポキシ当量２１０、軟化点８０℃）３３質量部、架橋剤としてエア・ウォーター株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ＨＥ２００Ｃ－１０、水酸基当量：２００、軟化点：７１℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）４６質量部、無機フィラーとしてアドマテックス株式会社製のシリカフィラー分散液（商品名：ＳＣ１０３０－ＨＪＡ、平均粒子径：０．２５μｍ）１８質量部、からなる樹脂組成物に、溶媒としてシクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間分散した。
　次いで、上記樹脂組成物に、熱可塑性樹脂としてナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ－ＣＨＮ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：８質量％、重量平均分子量Ｍｗ：２３万、Ｔｇ：－７℃）１６質量部、ナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：３質量％、重量平均分子量Ｍｗ：８０万、Ｔｇ：－７℃）６４質量部、シランカップリング剤としてＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１１６０）１．３質量部、ＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１８９）０．６質量部、および硬化促進剤として四国化成株式会社製の１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ）０．０５質量部加え、攪拌混合し、１００メッシュのフィルターでろ過した後、真空脱気し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物３（ｂ）の溶液を調製した。樹脂成分全量（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および架橋剤の合計質量）における各樹脂成分の含有割合は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体：エポキシ樹脂：フェノール樹脂＝４４．４質量％：３０．０質量％：２５．６質量％であった。また、無機フィラーの含有量は樹脂成分全量に対して１０．０質量％であった。また、接着剤組成物３（ｂ）の溶液から形成されたダイボンドフィルム（接着剤層）３の８０℃でのずり粘度は、９，７００Ｐａ・ｓであった。
（接着剤組成物３（ｃ）の溶液）
　ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルム用として、以下の接着剤組成物溶液３（ｃ）の溶液を調製、準備した。まず、熱硬化性樹脂として株式会社プリンテック製のビスフェノール型エポキシ樹脂（商品名：Ｒ２７１０、エポキシ当量：１７０、分子量：３４０、常温で液状）１１質量部、ＤＩＣ株式会社製のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名：ＨＰ－７２００Ｈ、エポキシ当量：２８０、軟化点；８３℃）４０質量部、ＤＩＣ株式会社製のビスフェノールＳ型エポキシ樹脂（商品名：ＥＸＡ－１５１４、エポキシ当量：３００、軟化点：７５℃）１８質量部、架橋剤として三井化学株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ミレックスＸＬＣ－ＬＬ、水酸基当量：１７５、軟化点：７７℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）１質量部、エア・ウォーター株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ＨＥ２００Ｃ－１０、水酸基当量：２００、軟化点：７１℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：４質量％）２０質量部、エア・ウォーター株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ＨＥ９１０－１０、水酸基当量：１０１、軟化点：８３℃、吸水率：１質量％、加熱質量減少率：３質量％）１０質量部、無機フィラーとしてアドマテックス株式会社製のシリカフィラー分散液（商品名：ＳＣ１０３０－ＨＪＡ、平均粒子径：０．２５μｍ）２４質量部、日本アエロジル株式会社製のシリカ（商品名：アエロジルＲ９７２、平均粒子径：０．０１６μｍ）０．８質量部、からなる樹脂組成物に、溶媒としてシクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間分散した。
　次いで、上記樹脂組成物に、熱可塑性樹脂としてナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ－ＣＨＮ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：８質量％、重量平均分子量Ｍｗ：２３万、Ｔｇ：－７℃）３０質量部、ナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：３質量％、重量平均分子量Ｍｗ：８０万、Ｔｇ：－７℃）７．５質量部、シランカップリング剤としてＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１１６０）０．５７質量部、ＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１８９）０．２９質量部、および硬化促進剤として四国化成株式会社製の１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ）０．０２３質量部加え、攪拌混合し、１００メッシュのフィルターでろ過した後、真空脱気し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物３（ｃ）の溶液を調製した。樹脂成分全量（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および架橋剤の合計質量）における各樹脂成分の含有割合は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体：エポキシ樹脂：フェノール樹脂＝２７．３質量％：５０．２質量％：２２．５質量％であった。また、無機フィラーの含有量は樹脂成分全量に対して１８．０質量％であった。また、接着剤組成物３（ｃ）の溶液から形成されたダイボンドフィルム（接着剤層）３の８０℃でのずり粘度は、３，６００Ｐａ・ｓであった。
（接着剤組成物３（ｄ）の溶液）
　汎用ダイボンドフィルム用として、以下の接着剤組成物３（ｄ）の溶液を調製、準備した。まず、熱硬化性樹脂として東都化成株式会社製のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ－７００－１０、エポキシ当量：２１０、軟化点：８０℃）５４質量部、架橋剤として三井化学株式会社製のフェノール樹脂（商品名：ミレックスＸＬＣ－ＬＬ、水酸基当量：１７５、吸水率：１．８％）４６質量部、無機フィラーとして日本アエロジル株式会社製のシリカ（商品名：アエロジルＲ９７２、平均粒子径：０．０１６μｍ）３２質量部、からなる樹脂組成物に、溶媒としてシクロヘキサノンを加えて撹拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分間分散した。
　次いで、上記樹脂組成物に、熱可塑性樹脂としてナガセケムテックス株式会社製のグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、グリシジル（メタ）アクリレート含有量：３質量％、重量平均分子量Ｍｗ：８０万、Ｔｇ：－７℃）２７４質量部、シランカップリング剤としてＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１１６０）５．０質量部、ＧＥ東芝株式会社製のγ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＵＣ　Ａ－１８９）１．７質量部、および硬化促進剤として四国化成株式会社製の１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ）０．１質量部加え、攪拌混合し、１００メッシュのフィルターでろ過した後、真空脱気し、固形分濃度２０質量％の接着剤組成物３（ｄ）の溶液を調製した。樹脂成分全量（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および架橋剤の合計質量）における各樹脂成分の含有割合は、グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体：エポキシ樹脂：フェノール樹脂＝７３．３質量％：１４．４質量％：１２．３質量％であった。また、無機フィラーの含有量は樹脂成分全量に対して８．６質量％であった。また、接着剤組成物３（ｄ）の溶液から形成されたダイボンドフィルム（接着剤層）３の８０℃でのずり粘度は、３０，３００Ｐａ・ｓであった。
　４．ウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）１０およびダイシングダイボンドフィルム２０の作製
（実施例１）
　剥離ライナー（厚さ３８μｍ、ポリエチレンテレフタレートフィルム）の剥離処理面側に乾燥後の粘着剤層２の厚さが１０μｍとなるように、上記活性エネルギー線硬化性アクリル系粘着剤組成物（ａ）の溶液を塗布して１００℃の温度で３分間加熱することにより溶媒を乾燥させた後に、粘着剤層２上に基材フィルム１（ａ）の第１樹脂層側の表面を貼り合わせ、ダイシングテープ１０の原反を作製した。その後、ダイシングテープ１０の原反を４０℃の温度で４８時間保存して粘着剤層２を架橋、硬化させた。
　次いで、ダイボンドフィルム（接着剤層）３形成用の接着剤組成物３（ａ）の溶液を準備し、剥離ライナー（厚さ３８μｍ、ポリエチレンテレフタレートフィルム）の剥離処理面側に乾燥後のダイボンドフィルム（接着剤層）３の厚さが３０μｍとなるように、上記接着剤組成物３（ａ）の溶液を塗布して、まず９０℃の温度で５分間、続いて１４０℃の温度で５分間の２段階で加熱することにより溶媒を乾燥させ、剥離ライナーを備えたダイボンドフィルム（接着剤層）３を作製した。なお、必要に応じ、ダイボンドフィルム（接着剤層）３の乾燥面側には保護フィルム（例えばポリエチレンフィルム等）を貼り合わせても良い。
　続いて、上記で作製した剥離ライナーを備えたダイボンドフィルム（接着剤層）３を、剥離ライナーごと直径３３５ｍｍの円形にカットし、該ダイボンドフィルム（接着剤層）３の接着剤層露出面（剥離ライナーの無い面）を、剥離ライナーを剥離した上記ダイシングテープ１０の粘着剤層２面に貼り合わせた。貼り合わせ条件は、２３℃、１０ｍｍ／秒、線圧３０ｋｇｆ／ｃｍとした。
　最後に、直径３７０ｍｍの円形にダイシングテープ１０をカットすることにより、直径３７０ｍｍの円形のダイシングシート１０の粘着剤層２の上中心部に直径３３５ｍｍの円形のダイボンドフィルム（接着剤層）３が積層されたダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ａ））を作製した。
（実施例２～１９）
　基材フィルム１(ａ)を、それぞれ表１～３に示した基材フィルム１（ｂ）～１（ｊ）、１（ｌ）～１（ｔ）に変更したこと以外はすべて実施例1と同様にしてダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ｂ）～ＤＤＦ（ｊ）、ＤＤＦ（ｌ）～ＤＤＦ（ｔ））を作製した。
（実施例２０）
　接着剤樹脂組成物３（ａ）の溶液を接着剤組成物３（ｂ）の溶液に変更したこと以外はすべて実施例２と同様にしてダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ｕ））を作製した。
（実施例２１）
　接着剤樹脂組成物３（ａ）の溶液を接着剤組成物３（ｃ）の溶液に変更したこと以外はすべて実施例２と同様にしてダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ｖ））を作製した。
（実施例２２）
　接着剤樹脂組成物３（ａ）の溶液を接着剤組成物３（ｄ）の溶液に変更し、乾燥後のダイボンドフィルム（接着剤層）３の厚さを２０μｍに変更したこと以外はすべて実施例２と同様にしてダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ｗ））を作製した。
（実施例２３）
　乾燥後のダイボンドフィルム（接着剤層）３の厚さを５０μｍに変更したこと以外はすべて実施例３と同様にしてダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ｘ））を作製した。
（比較例１～６）
　基材フィルム１(ａ)を、それぞれ表４に示した基材フィルム１（ｕ）～１（ｚ）に変更したこと以外はすべて実施例1と同様にしてダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ｙ）～ＤＤＦ（ｄｄ）を作製した。なお、比較例５については、基材フィルム１（ｙ）が安定製膜できなかったため、ダイシングダイボンドフィルム（ＤＤＦ（ｃｃ））の作製は行わなかった。
５．ダイシングダイボンドフィルムの評価方法
　実施例１～２３および比較例１～６で作製したダイシングテープ１０およびダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ａ）～ＤＤＦ（ｊ）、ＤＤＦ（ｌ）～ＤＤＦ（ｄｄ））について、以下に示す方法で各種測定および評価を行った。
５．１　ダイボンドフィルム（接着剤層）３の８０℃でのずり粘度の測定
　接着剤組成物３（ａ）～３（ｄ）の溶液から形成した各ダイボンドフィルム（接着剤層）３フィルムについて、下記の方法により、８０℃でのずり粘度を測定した。剥離ライナーを除去したダイボンドフィルム（接着剤層）３を総厚さが２００～２１０μｍとなるように７０℃で複数枚貼り合わせて積層体を作製した。次いで、その積層体を、厚み方向に１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに打ち抜いて測定サンプルとした。続いて、動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー社製）を用いて、直径８ｍｍの円形アルミプレート治具を装着した後、測定サンプルをセットした。測定サンプルに３５℃で５％の歪みを与えながら、昇温速度５℃／分の条件で測定サンプルを昇温しながらずり粘度を測定し、８０℃でのずり粘度の値を求めた。
５．２　ダイシングダイボンドフィルム２０のステルスダイシング性の評価
５．２．１　ダイボンドフィルム（接着剤層）３の割断性
　まず、半導体ウエハ（シリコンミラーウエハ、厚さ７５０μｍ、外径１２インチ）Ｗを準備し、一方の面に市販のバックグラインドテープを貼り付けた。次いで、半導体ウエハＷのバックグラインドテープを貼り付けた側と反対面から、株式会社ディスコ製のステルスダイシングレーザソー（装置名：ＤＦＬ７３６１）を使用し、割断後の半導体チップ３０ａの大きさが４．５ｍｍ×７．０ｍｍのサイズとなるように、格子状の分割予定ラインに沿って、以下の条件にて、レーザー光を照射することにより、半導体ウエハＷの所定の深さの位置に改質領域３０ｂを形成した。
・レーザー照射条件
（１）レーザー発振器型式：半導体レーザー励起Ｑスイッチ固体レーザー
（２）波長：１３４２ｎｍ
（３）発振形式：パルス
（４）周波数：９０ｋＨｚ
（５）出力：１．７Ｗ
（６）半導体ウエハの載置台の移動速度：７００ｍｍ／秒
　次いで、株式会社ディスコ製のバックグラインド装置（装置名：ＤＧＰ８７６１）を使用し、バックグラインドテープに保持された当該改質領域３０ｂが形成された厚さ７５０μｍの半導体ウエハＷを研削、薄膜化することにより、厚さ３０μｍの半導体ウエハ３０を得た。なお、バックグラインド（研削）工程の段階において、半導体ウエハ３０は、バックグラインドテープ上で、分割予定ライン上に形成された改質領域３０ｂを起点に垂直方向に亀裂が進展したことにより、所定のサイズの半導体チップ３０ａにそれぞれ分割されていた。続いて、以下の方法によりクールエキスパンド工程を実施することで、ステルスダイシング性の指標項目の一つである接着剤層３の割断性を評価した。具体的には、上記方法により得られた厚さ３０μｍの複数の半導体チップ３０ａのバックグラインドテープが貼り付けられた側とは反対面に、各実施例および比較例で作製したダイシングダイボンドフィルム２０から剥離ライナーを剥離することによって露出させた接着剤層３が密着するように、株式会社ディスコ製のラミネート装置（装置名：ＤＦＭ２８００）を使用し、複数の半導体チップ３０ａに対してダイシングダイボンドフィルム２０をラミネート温度７０℃、ラミネート速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせるとともに、ダイシングテープ１０の外縁部の粘着剤層２露出部にリングフレーム（ウエハリング）４０を貼り付けた。そして、バックグラインドテープを剥離して、複数の半導体チップ３０ａをダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンドフィルム３上に転写固定した。なお、ここで、ダイシングダイボンドフィルム２０は、その基材フィルム１のＭＤ方向と半導体ウエハ３０の格子状の分割予定ラインの縦ライン方向（基材フィルム１のＴＤ方向と半導体ウエハ３０の格子状の分割予定ラインの横ライン方向）とが一致するように、半導体ウエハ３０の分割体である複数の半導体チップ３０ａに貼り付けられている。
　上記リングフレーム（ウエハリング）４０に保持された複数の半導体チップ３０ａを含む積層体（複数の半導体チップ３０ａ／接着剤層３／粘着剤層２／基材フィルム１）を株式会社ディスコ製のエキスパンド装置（装置名：ＤＤＳ２３００　Ｆｕｌｌｙ　Ａｕｔｏｍａｔｉｃ　Ｄｉｅ　Ｓｅｐａｒａｔｏｒ）に固定した。次いで、以下の条件にて、半導体ウエハ３０を伴うダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０（粘着剤層２／基材フィルム１）をクールエキスパンドすることによって、接着剤層３を割断した。これにより、ダイボンドフィルム（接着剤層）３付き半導体チップ３０ａを得た。なお、本実施例では、下記の条件にてクールエキスパンド工程を実施したが、基材フィルム１の物性および温度条件等によってエキスパンド条件（「エキスパンド速度」および「エキスパンド量」等）を適宜調整した上でクールエキスパンド工程を実施すればよい。
・クールエキスパンド工程の条件
（１）温度：－１５℃、冷却時間：８０秒
（２）エキスパンド速度：２００ｍｍ／秒
（３）エキスパンド量：１１ｍｍ
（４）待機時間：０秒
　クールエキスパンド後の接着剤層３について、半導体チップ３０ａの表面側から、株式会社キーエンス製の光学顕微鏡（形式：ＶＨＸ－１０００）を用い、倍率２００倍にて観察することによって、割断予定の辺のうち、割断されていない辺の数を計測した。そして、接着剤層３のそれぞれについて、割断予定の辺の総数と未割断の辺の総数とから、割断予定の辺の総数に占める、割断された辺の数の割合を、割断率（％）として算出した。前記光学顕微鏡による観察は、半導体チップ３０ａの全数に対して行った。以下の基準に従って、接着剤層３のそれぞれについて割断性を評価し、Ｂ以上の評価を割断性が良好と判断した。
　Ａ：割断率が９５％以上１００％以下であった。
　Ｂ：割断率が９０％以上９５％未満であった。
　Ｃ：割断率が９０％未満であった。
５．２．２　ヒートシュリンク工程後におけるダイシングテープ１０の弛み解消の確認
　上記クールエキスパンド状態を解除した後、再度、株式会社ディスコ製のエキスパンド装置（装置名：ＤＤＳ２３００　Ｆｕｌｌｙ　Ａｕｔｏｍａｔｉｃ　Ｄｉｅ　Ｓｅｐａｒａｔｏｒ）を用い、そのヒートエキスパンダーユニットにて、以下の条件にて、常温エキスパンド工程を実施した。
・常温エキスパンド工程の条件
（１）温度：２３℃
（２）エキスパンド速度：３０ｍｍ／秒
（３）エキスパンド量：９ｍｍ
（４）待機時間：１５秒
　次いで、エキスパンド状態を維持したまま、ダイシングテープ１０を吸着テーブルで吸着させ、吸着テーブルによるその吸着を維持した状態で吸着テーブルをワークとともに下降させた。そして、以下の条件にて、ヒートシュリンク工程を実施し、ダイシングテープ１０における半導体チップ３０ａ保持領域より外側の円周部分を加熱収縮（ヒ－トシュリンク）させた。ダイシングテープ１０の加熱部分の表面温度は８０℃であった。
・ヒートシュリンク工程の条件
（１）熱風温度：２２０℃
（２）風量：４０Ｌ／ｍｉｎ
（３）熱風吹き出し口とダイシングテープ１０との距離：２０ｍｍ
（４）ステージの回転速度：７°／秒
　続いて、吸着テーブルによる吸着からダイシングテープ１０を解放した後、ワークをエキスパンド装置から取り外し、平面状のゴムマットの上に置いて、加熱収縮（ヒートシュリンク）後のダイシングテープ１０における半導体チップ３０ａ保持領域より外側の円周部分における弛みの解消の度合いを、三波長蛍光灯の下、目視にて確認した。以下の基準に従って、ダイシングテープ１０のそれぞれについて弛みの解消の度合いを評価し、Ｂ以上の評価を熱収縮性が良好と判断した。
　Ａ：弛みが確認されなかった。
　Ｂ：シワ状の弛みがごく一部に確認されたが軽微であった。
　Ｃ：シワ状の弛み、あるいは変形シワが明確に確認された。
５．２．３　ヒートシュリンク工程後におけるカーフ幅の確認
　上記のヒートシュリンク工程後に、ワークをエキスパンド装置から取り外し、隣り合う半導体チップ３０ａ間の距離（カーフ幅）を、半導体ウエハ３０の表面側から、株式会社キーエンス製の光学顕微鏡(形式：ＶＨＸ－１０００）を用い、倍率２００倍にて観察、測定することにより、ダイシングダイボンドフィルム２０におけるダイシングテープ１０の拡張性および熱収縮性について評価した。
　具体的には、図１３に示す半導体ウエハ３０の中心部３１における隣接する４つの半導体チップ３０ａで形成される一つの割断十字ライン部の４ヶ所（基材フィルム１のＭＤ方向：カーフＭＤ１とカーフＭＤ２の２ヶ所、基材フィルム１のＴＤ方向：カーフＴＤ１とカーフＴＤ２の２ヶ所、図１４参照）、左部３２における隣接する６つの半導体チップ３０ａで形成される二つの割断十字ライン部の７ヶ所（ＭＤ方向：カーフＭＤ３～カーフＭＤ５の３ヶ所、ＴＤ方向：カーフＴＤ３～カーフＴＤ６の４ヶ所、図示せず）、右部３３における隣接する６つの半導体チップ３０ａで形成される二つの割断十字ライン部の７ヶ所（ＭＤ方向：カーフＭＤ６～カーフＭＤ８の３ヶ所、ＴＤ方向：カーフＴＤ７～カーフＴＤ１０の４ヶ所、図示せず）、上部３４における隣接する６つの半導体チップ３０ａで形成される二つの割断十字ライン部の７ヶ所（ＭＤ方向：カーフＭＤ９～カーフＭＤ１２の４ヶ所、ＴＤ方向：カーフＴＤ１１～カーフＴＤ１３の３ヶ所、図示せず）、および下部３５における隣接する６つの半導体チップ３０ａで形成される二つの割断十字ライン部の７ヶ所（ＭＤ方向：カーフＭＤ１３～カーフＭＤ１６の４ヶ所、ＴＤ方向：カーフＴＤ１４～カーフＴＤ１６の３ヶ所、図示せず）の計３２ヶ所（ＭＤ方向において１６ヶ所、ＴＤ方向において１６ヶ所）について、隣り合う半導体チップ３０ａ間の離間距離をそれぞれ測定し、ＭＤ方向１６ヶ所の平均値をＭＤ方向カーフ幅、ＴＤ方向１６ヶ所の平均値をＴＤ方向カーフ幅としてそれぞれ算出した。以下の基準に従って、ダイシングダイボンドフィルム２０におけるダイシングテープ１０の拡張性および熱収縮性を評価し、Ｂ以上の評価を拡張性と熱収縮性が良好、すなわちピックアップ工程で問題を生じにくいレベルでカーフ幅が確保されていると判断した。
　Ａ：ＭＤ方向カーフ幅、ＴＤ方向カーフ幅のいずれの値も３０μｍ以上であった。
　Ｂ：ＭＤ方向カーフ幅の値が３０μｍ以上、ＴＤ方向カーフ幅の値が２５μｍ以上３０μｍ未満であるか、あるいは、ＴＤ方向カーフ幅の値が３０μｍ以上、ＭＤ方向カーフ幅の値が２５μｍ以上３０μｍ未満であるか、あるいは、ＭＤ方向カーフ幅、ＴＤ方向カーフ幅のいずれの値も２５μｍ以上３０μｍ未満である、のいずれかであった。
　Ｃ：ＭＤ方向カーフ幅、ＴＤ方向カーフ幅の値の少なくとも一方の値が２５μｍ未満であった。
５．２．４　ダイシングダイボンドフィルム２０におけるダイシングテープ１０のピック
アップ性の評価
　上記エキスパンド工程により割断、個片化されたダイボンドフィルム（接着剤層）３ａ付き半導体チップ３０ａを保持しているダイシングテープ１０の基材フィルム１側から、照射強度７０ｍＷ／ｃｍ２にて積算光量が１５０ｍＪ／ｃｍ２となるように中心波長３６５ｎｍの紫外線（ＵＶ）を照射し粘着剤層２を硬化させることにより、ピックアップ性の評価試料とした。
　続いて、ファスフォードテクノロジ株式会社製（旧株式会社日立ハイテクノロジーズ製）のピックアップ機構を有する装置（装置名：ダイボンダＤＢ－８３０Ｐ）を用いて、ピックアップ試験を行った。ピックアップ用コレットのサイズは４．４×６．９ｍｍ、突上げピンのピン本数は１２本とし、ピックアップの条件については、突き上げピンの突き上げ速度を１０ｍｍ／秒、突き上げピンの突き上げ高さを１００μｍとした。ピックアップのトライのサンプル数を所定の位置の２０個（チップ）とし、以下の基準に従って、ダイシングダイボンドフィルム２０におけるダイシングテープ１０のピックアップ性を評価し、Ｂ以上の評価をピックアップ性が良好と判断した。
　Ａ：２０チップを連続的にピックアップし、チップ割れ又はピックアップミスが発生しなかった個数（ピックアップ成功個数）が２０個であった。ピックアップ成功率１００％。
　Ｂ：２０チップを連続的にピックアップし、チップ割れ又はピックアップミスが発生しなかった個数（ピックアップ成功個数）が１９個であった。ピックアップ成功率９５％。
　Ｃ：２０チップを連続的にピックアップし、チップ割れ又はピックアップミスが発生しなかった個数（ピックアップ成功個数）が１８個以下であった。ピックアップ成功率９０％以下。
６．評価結果
　実施例１～２３および比較例１～６で作製したダイシングダイボンドフィルム２０（ＤＤＦ（ａ）～ＤＤＦ（ｊ）、ＤＤＦ（ｌ）～ＤＤＦ（ｄｄ））に対する各評価結果について、ダイシングダイボンドフィルム２０の構成（粘着剤組成物の種類、接着剤組成物の種類、ずり粘度および粘着剤層と接着剤層の厚さ）および使用した基材フィルム１の構成（各樹脂層に使用したアイオノマー樹脂のメタクリル酸およびアクリル酸イソブチルの含有比率ならびに亜鉛イオン濃度、各樹脂層に使用した樹脂全体のビカット軟化温度、厚さ）と合わせて表１～５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　まず、表１～４に示すように、本発明の要件を満たすウエハ加工用粘着テープを用いた実施例１～２３のダイシングダイボンドフィルム（ＤＤＦ（ａ）～ＤＤＦ（ｊ）、ＤＤＦ（ｌ）～ＤＤＦ（ｘ））は、接着剤層が分断された後、該接着剤層付き半導体チップをウエハ加工用粘着テープ（ダイシングテープ）の粘着剤層上にカーフ幅が十分に確保された状態で固定することができ、その結果、ピックアップ性が良好であることが確認された。すなわち、本発明のウエハ加工用粘着テープを用いたダイシングダイボンドフィルムは、基材フィルムとして、不飽和カルボン酸に由来する構成単位を特定の含有比率で含むエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体が特定の濃度の亜鉛イオンで架橋され、かつ適切なビカット軟化温度を有するアイオノマー樹脂を含む樹脂層が積層された樹脂フィルムを用いているので、エキスパンド時における適度な引張応力と均一拡張性、ならびに加熱収縮工程における収縮性を兼ね添えており、エキスパンドにより接着剤層を良好に分断でき、熱収縮によりエキスパンド時にテープに生じた弛みを除去することができる。その結果、エキスパンドにより確保された接着剤層付き半導体チップ間のカーフ幅が適切に維持され、チップ間接触に起因する損傷や接着剤層同士の接触に起因する再癒着が発生しにくくなるので、接着剤層付き半導体チップを良好にピックアップできることが分かった。そして、接着剤層として、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムに代表されるような厚さが厚く、流動性が高い接着剤層を用いたとしても、該接着剤層を通常の汎用ダイボンドフィルムと同様に良好に分断でき、接着剤層付き半導体チップを良好にピックアップできることが分かった。
　実施例について詳細に比較すると、まず、各樹脂層における特定のアイオノマー樹脂の含有比率が１００質量％であり、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層（第１樹脂層、第２樹脂層および第３樹脂層）の合計厚さが、基材フィルムの総厚さの１００％である実施例１～１５のダイシングダイボンドフィルムを比較した場合、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．４１ｍｍｏｌ以上０．６０ｍｍｏｌ以下の範囲である実施例２～８、実施例１２、１３、実施例１５のダイシングダイボンドフィルムは、接着剤層の分断性、ヒートシュリンク後のカーフ幅、およびピックアップ性の評価において、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．３８ｍｍｏｌである実施例１、実施例９～１１、実施例１４のダイボンドフィルムよりも優れていることが分かった。また、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．４１ｍｍｏｌ以上０．６０ｍｍｏｌ以下の範囲ではあるが、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体における不飽和カルボン酸エステルに由来する構成単位（アクリル酸イソブチル）の含有比率が１．５質量％と低い実施例１２、１３のダイシングダイボンドフィルムは、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体におけるアクリル酸イソブチルの含有比率５質量％以上である実施例２～８、実施例１５のダイシングダイフィルムと比較してやや劣る結果であった。
　また、ダイシングテープ１０の構成が同じで、８０℃でのずり粘度特性が異なるダイボンドフィルムを用いた実施例２、実施例２０～２２のダイシングダイボンドフィルムおよびダイボンドフィルムの厚さを実施例３の３０μｍに対して５０μｍと厚くした実施例２３のダイシングダイボンドフィルムの評価結果より、本実施の形態のウエハ加工用粘着テープは、ワイヤ埋め込み型ダイボンドフィルムおよび汎用ダイボンドフィルムのいずれのダイボンドフィルム（接着剤層）を用いても、接着剤層の分断性は総じて良好であり、ヒートシュリンク後のカーフ幅は十分に確保され、ピックアップ性も良好であることが分かった。
　さらに、第1樹脂層および第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第３樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂とポリアミド樹脂を９０：１の質量比で混合した樹脂（ＩＯ－２／ＰＡ）を用いた２種樹脂３層構成の基材フィルムを有する実施例１６のダイシングダイボンドフィルムは、アイオノマー樹脂（ＩＯ－２）のみを用いた１種樹脂３層構成の基材フィルムを有する実施例２のダイシングダイボンドフィルムと同様に優れていることが分かったが、第１樹脂層の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂とオレフィン系熱可塑性エラストマー樹脂を８０：２０の質量比で混合した樹脂（ＩＯ－２／ＴＰＯ－１）を用いた２種樹脂２層構成の基材フィルムを有する実施例１７のダイシングダイボンドフィルムは、実用上問題ないレベルであるものの、実施例２のダイシングダイボンドフィルムと比較してやや劣る結果であった。
　またさらに、第１樹脂層および第３樹脂層用の樹脂組成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第２樹脂層用の樹脂組成物としてオレフィン系熱可塑性エラストマー樹脂（ＴＰＯ－１）を用いた２種樹脂３層構成の基材フィルムを有し、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の合計厚さが基材フィルムの総厚さの８９％である実施例１８のダイシングダイボンドフィルム、第１樹脂層および第２樹脂層用の樹脂成物としてアイオノマー樹脂（ＩＯ－２）を、第３樹脂層用の樹脂組成物としてオレフィン系熱可塑性エラストマー樹脂（ＴＰＯ－２）を用いた２種樹脂３層構成の基材フィルムを有し、特定のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の合計厚さが基材フィルムの総厚さの６７％である実施例１９のダイシングダイボンドフィルムは、それぞれ実用上問題ないレベルであるものの、実施例２のダイシングダイボンドフィルムと比較してやや劣る結果であった。
　これに対し、表５に示すように、本発明の要件を満たさないウエハ加工用粘着テープを用いた比較例１～６のダイシングダイボンドフィルム（ＤＤＦ（ｙ）～ＤＤＦ（ｄｄ））は、いずれも接着剤層の分断性、ヒートシュリンク後のカーフ幅、およびピックアップ性の評価において、実施例１～２３のダイシングダイボンドフィルムより劣る結果であることが確認された。
　具体的には、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．３８ｍｍｏｌ未満であるアイオノマー樹脂（ＩＯ－１６）のみを用いた１種樹脂３層構成の基材フィルムを有する比較例１のダイシングダイボンドフィルムは、引張応力が小さく接着剤層の分断性が不十分であり、またヒートシュリンク時の収縮性も不十分でカーフ幅を十分に確保できなかったため、実施例１～１５のダイシングダイボンドフィルムと比較して、ピックアップ性が劣っていた。
　また、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体における不飽和カルボン酸に由来する構成単位（メタクリル酸）の含有比率が６．９質量％未満であり、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．３８ｍｍｏｌ未満であるアイオノマー樹脂（ＩＯ－１７）のみを用いた１種樹脂３層構成の基材フィルムを有する比較例２のダイシングダイボンドフィルムも、比較例１のダイシングダイボンドフィルムと同様に、実施例１～１５のダイシングダイボンドフィルムと比較して、ピックアップ性が劣っていた。
　さらに、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体における不飽和カルボン酸に由来する構成単位（メタクリル酸）の含有比率が１８．０質量％を超え、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．３８ｍｍｏｌ未満であり、ビカット軟化温度が５０℃未満であるアイオノマー樹脂（ＩＯ－１８）のみを用いた１種樹脂３層構成の基材フィルムを有する比較例３のダイシングダイボンドフィルムも、比較例１のダイシングダイボンドフィルムと同様に、実施例１～１５のダイシングダイボンドフィルムと比較して、ピックアップ性が劣っていた。ダイシングテープ加工中において、原反ロールの巻き芯部側で一部ブロッキングが発生したので、評価はブロッキングのない部分で行った。
　またさらに、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体における不飽和カルボン酸に由来する構成単位（メタクリル酸）の含有比率が６．９質量％未満であり、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．３８ｍｍｏｌ未満であり、ビカット軟化温度が８０℃を超えるアイオノマー樹脂（ＩＯ－１９）のみを用いた１種樹脂３層構成の基材フィルムを有する比較例４のダイシングダイボンドフィルムは、エキスパンド時にネッキング現象が発生したものと推定されるが、拡張性が不十分であり、接着剤層の分断性とカーフ幅の確保が不十分となり、また、ヒートシュリンク時の収縮性も不十分でカーフ幅を十分に確保できなかったため、実施例１～１５のダイシングダイボンドフィルムと比較して、ピックアップ性が劣っていた。
　またさらに、ビカット軟化温度が８０℃以上であるエチレン・メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ）から成る樹脂層に、エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たりの亜鉛（Ｚｎ２＋）イオン濃度が０．３８ｍｍｏｌ未満であるアイオノマー樹脂（ＩＯ－１６）から成る樹脂層を積層した２種樹脂２層構成の基材フィルムを有する比較例６のダイシングダイボンドフィルムも、比較例１のダイシングダイボンドフィルムと同様に、実施例１～２３のダイシングダイボンドフィルムと比較して、ピックアップ性が劣っていた。
　なお、比較例５については、基材フィルム１（ｙ）の安定製膜ができなかったため、ダイシングダイボンドフィルムとして評価することはできなかった。
１…基材フィルム、
２…粘着剤層、
３、３ａ１、３ａ２…ダイボンドフィルム（接着剤層、接着フィルム）、
４…半導体チップ搭載用支持基板、
５…外部接続端子、
６…端子、
７…ワイヤ、
８…封止材、
９…支持部材、
１０…ダイシングテープ、
１１…ＯＰＰフィルム基材片面粘着テープ（裏打ちテープ）、
１２…紙両面粘着テープ（固定テープ）、
１３…平板クロスステージ、
１４…ＰＥＴフィルム基材片面粘着テープ（裏打ちテープ、固定テープ）、
１５…ＳＵＳ板、
２０…ダイシングダイボンドフィルム、
Ｗ、３０…半導体ウエハ、
３０ａ、３０ａ１、３０ａ２…半導体チップ、
３０ｂ…改質領域、
３１…半導体ウエハ中心部、
３２…半導体ウエハ左部、
３３…半導体ウエハ右部、
３４…半導体ウエハ上部、
３５…半導体ウエハ下部、
４０…リングフレーム（ウエハリング）、
４１…保持具、
５０…吸着コレット、
６０…突き上げピン（ニードル）、
７０、８０…半導体装置。

Claims (10)

  1. 　エキスパンドにより接着剤層をチップに沿って分断する際に用いる、エキスパンド可能なウエハ加工用粘着テープであって、基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層を有し、
    　前記基材フィルムは、少なくとも、アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第１樹脂層と、前記アイオノマー樹脂と同一もしくは異なる種類のアイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む第２樹脂層と、を有する２層以上の積層構成から成り、
    　前記アイオノマー樹脂は、いずれも該樹脂のベースポリマーであるエチレン・不飽和カルボン酸系共重合体と亜鉛イオンを含み、ＪＩＳ Ｋ７２０６で規定されるビカット軟化温度が、５０℃を下限値、７９℃を上限値とする範囲内の値を有する樹脂から成り、
    　前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、６．９質量％を下限値、１８．０質量％を上限値とする範囲内の値を有し、
    　前記亜鉛イオンの濃度は、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．３８ｍｍｏｌを下限値、０．６０ｍｍｏｌを上限値とする範囲内の値を有する、ウエハ加工用粘着テープ。
  2. 　前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する構成単位の含有比率が、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体を構成する構成単位の全量を基準の１００質量％としたときに、８．０質量％以上１５．０質量％以下の範囲である、請求項１に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  3. 　前記亜鉛イオンの濃度は、前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体１ｇ当たり０．４１ｍｍｏｌ以上０．５５ｍｍｏｌ以下の範囲である、請求項１又は請求項２に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  4. 　前記基材フィルムの総厚さは、６０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲であり、前記基材フィルムにおける前記アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層の各々の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲であり、前記アイオノマー樹脂を８０質量％以上の含有比率で含む樹脂層すべての合計厚さは、前記基材フィルムの総厚さの６５％以上である請求項１～３のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  5. 　前記エチレン・不飽和カルボン酸系共重合体は、エチレン・（メタ）アクリル酸の二元共重合体及びエチレン・（メタ）アクリル酸・（メタ）アクリル酸アルキルエステルの三元共重合体から成る群から選択される少なくとも一つの共重合体から成る、請求項１～４のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープの粘着剤層上に剥離可能に設けられた接着剤層を有するウエハ加工用粘着テ－プ。
  7. 　前記接着剤層は、樹脂成分としてグリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂を含む請求項６に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  8. 　前記接着剤層は、８０℃でのずり粘度が、２００Ｐａ・ｓ以上１１，０００Ｐａ・ｓ以下の範囲である、請求項６又は７に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  9. 　前記接着剤層は、樹脂成分である前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計量を基準の１００質量部とした場合、
    （ａ）前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体を１７質量部以上５１質量％以下の範囲、前記エポキシ樹脂を３０質量部以上６４質量部の範囲、前記フェノール樹脂を１９質量部以上５３質量部以下の範囲で、樹脂成分全量が１００質量部となるように調整されて含み、
    （ｂ）硬化促進剤を前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して０．０１質量部以上０．０７質量部以下の範囲で含み、
    （ｃ）無機フィラーを前記グリシジル基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体と前記エポキシ樹脂と前記フェノール樹脂との合計量１００質量部に対して１０質量部以上８０質量部以下の範囲で含む、請求項８に記載のウエハ加工用粘着テープ。
  10. 　請求項１～９のいずれか一項に記載のウエハ加工用粘着テープを使用する、半導体チップ又は半導体装置の製造方法。
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