JP5499517B2 - 金属表面処理方法 - Google Patents

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本発明は、銅または銅合金の金属表面処理方法に関する。
電子工業分野においては、エッチング量が0.1μm〜30μmの範囲内での銅または銅合金の表面粗さRz値として0.5μm以下にする要求がある。エッチング量が0.1〜5μmは微細配線の平滑化やフォトレジストラミネート、メッキ等各種前処理、5〜30μmはハーフエッチング用途、特に極薄銅張積層板を製造する工程においては、表層の電解銅箔を2μm以下までハーフエッチングし、厚み公差が小さく処理面内のバラツキが優れているほうが好ましい(特許文献1)。この要求に対して、従来のエッチング方法では、金属の結晶粒界に沿ってエッチングが進むため、表面粗さRz値はエッチング量が0.1〜30μmの範囲内で平滑に仕上げることは極めて困難とされて来た。特に、1μm以下のエッチング量で電解銅箔の表面粗さRz値を0.5μm以下にすることは困難であったため、本発明の処理方法は、電子部品や装飾品の製造過程において非常に有用である。
化学研磨により、銅および銅合金の表面を平滑化処理する方法としては、一般的に、硫酸等の無機酸と過酸化水素により、一度銅および銅合金の表面に酸化皮膜を形成させてから希硫酸で酸化皮膜を溶解除去する方法がある。この方法は2段階での処理であり作業工程が煩雑となる事から、更にこれを改良する方法として、硫酸と過酸化水素とリン酸により、酸化皮膜を形成する事なく1回の処理で表面を平滑化する方法が提案されている(特許文献2)。
しかしながら、この方法においても得られる銅および銅合金の光沢化表面状態は、表面処理液の含有成分の濃度変動の影響を特に受けやすいため、濃度変動によっては、表面粗さRz値の平均値のばらつきが大きくなるなどの問題があった。また、エッチング液で過酸化水素−硫酸−脂肪族アミン類−アゾール類−塩素イオンの組成のエッチング液が提案されているが、1μm以下の低エッチング量では平滑化処理が十分でない(特許文献3)。
特開2004−165411号公報 特開平8−199376号公報 特開2005−15860号公報
本発明では、エッチング量が0.1〜30μm、好ましくは0.1〜20μm、更に好ましくは0.1〜10μm、特に好ましくは、0.2〜8μmの範囲内で銅または銅合金を表面粗さRz値として0.5μm以下、好ましくは0.4μm以下に平滑化し、かつ連続使用に際して研磨液中の成分濃度変動による表面状態への影響が少なく、経時的に安定な平滑化表面が得られる処理方法の提供を目的とする。
本発明者らは、上記の課題について鋭意研究を重ねた結果、(a)過酸化水素、(b)無機酸または有機酸、(c)アゾール類、(d)ハロゲンイオンおよび(e)銀イオンを配合した水溶液にて浸漬処理もしくはスプレー処理を行なった。スプレー処理の場合には、スプレー圧力を0.01〜0.2MPaの範囲内に設定することで、0.1μm〜30μmエッチング量で銅または銅合金の平滑化出来ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、以下のとおりである。
1.(a)過酸化水素1g/L〜300g/L、(b)無機酸または有機酸、1g/L〜100g/L、(c)アゾール類0.001g/L〜30g/L、(d)ハロゲンイオン0.001ppm〜3ppm、および(e)銀イオン0.001ppm〜3ppmからなる処理液を用いて銅金属表面処理を行なう金属表面処理方法。
2.(a)過酸化水素1g/L〜300g/L、(b)無機酸または有機酸1g/L〜100g/L、(c)アゾール類0.001g/L〜30g/L、(d)ハロゲンイオン0.001ppm〜3ppmおよび(e)銀イオン0.001ppm〜3ppmからなる処理液を用いて銅金属表面処理をスプレー処理する方法であって、スプレー圧力0.01〜0.5MPaの範囲内、ポンプ吐出量2L〜500L/分で、銅金属表面のエッチング量0.1μm〜30μm、表面粗さ(Rz値)0.5μm以下、表面粗さ(Rz値)/エッチング量が0.01〜1にすることを特徴とするスプレー処理による金属表面処理方法。
3.(b)無機酸が硫酸、燐酸、および硝酸から選択される1種以上であり、有機酸がリンゴ酸、クエン酸、およびグリコール酸から選択される1種以上であり、(c)アゾール類が1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、およびピラゾールから選択される1種以上であり、(d)ハロゲンイオンが塩素イオン、臭素イオンまたはヨウ素イオンであり、(e)銀イオンが塩化銀または硝酸銀であることを特徴とする第1項記載の銅または銅合金の金属表面処理方法。
4.(b)無機酸が硫酸、燐酸、および硝酸から選択される1種以上であり、有機酸がリンゴ酸、クエン酸、およびグリコール酸から選択される1種以上であり、(c)アゾール類が1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、およびピラゾールから選択される1種以上であり、(d)ハロゲンイオンが塩素イオン、臭素イオンまたはヨウ素イオンであり、(e)銀イオンが塩化銀または硝酸銀であることを特徴とする第2項記載のスプレー処理による金属表面処理方法。
本発明の表面処理剤によって、従来困難であった少ないエッチング量での平滑化を可能としており、微細な銅配線の外観自動検査の精度を格段に向上させることができる。また少ないエッチング量の前処理でレジストの密着性を向上させ得る。更に少ないエッチング量の前処理で金メッキ等のメッキ後の外観を向上させる。ハーフエッチングにおいても表面粗さRz値0.5μm以下を可能とした技術である。
実施例1の銅回路基板を0.5μmエッチングしたSEM画像を示す。 比較例1の銅回路基板を0.5μmエッチングしたSEM画像を示す。 比較例2の銅回路基板を0.5μmエッチングしたSEM画像を示す。 比較例3の銅回路基板を0.5μmエッチングしたSEM画像を示す。 比較例4の銅回路基板を0.5μmエッチングしたSEM画像を示す。 銅回路基板の未処理のSEM画像を示す。
以下、本発明をより詳しく説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
本発明にかかる銅及び銅合金の金属表面処理による金属表面の平滑化処理は、(a)過酸化水素、(b)無機酸、または有機酸、(c)アゾール類、(d)ハロゲンイオンおよび(e)銀イオンを含有するエッチング液を用いて処理する。
(a)過酸化水素は、通常31〜60質量%濃度の市販品が使用され、例えば三菱ガス化学株式会社製工業用過酸化水素又は高純度過酸化水素が有効に使用される。
(b)無機酸は、硫酸、燐酸、硝酸が使用でき、特に硫酸が好ましく使用される。有機酸は、リンゴ酸、クエン酸、グリコール酸、酒石酸、コハク酸であり、好ましくは、クエン酸、グリコール酸であり、特に好ましくは、リンゴ酸である。
(c)アゾール類は、1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、ピラゾールであり、好ましくは、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾールであり、特に好ましくは、5−アミノ−1H−テトラゾールである。
(d)ハロゲンイオンは、塩素イオン、臭素イオンおよびヨウ素イオンであるが、好ましくは塩素イオン、臭素イオンであり、特に塩素イオンが好ましい。
(e)銀イオンは、塩化銀、硝酸銀などの水溶液中に銀イオンを解離する化合物が好ましい。
(a)過酸化水素の添加量は、1g/L〜300g/Lであり、好ましくは10g/L〜200g/Lであり、特に15g/L〜100g/Lが好ましい。
(b)無機酸または有機酸の濃度は、1g/L〜100g/Lであり、好ましくは、10g/L〜50g/Lであり、特に20g/L〜30g/Lが好ましい。
(c)アゾール類の濃度は、0.001g/L〜30g/Lであり、好ましくは、0.005g/L〜1g/Lであり、特に0.01g/L〜0.1g/Lが好ましい。
(d)ハロゲンイオンの濃度は、0.001ppm〜3ppmであり、好ましくは、0.01ppm〜2ppmであり、特に0.03ppm〜1ppmが好ましい。
(e)銀イオンの濃度は、0.001ppm〜3ppmであり、好ましくは、0.01ppm〜2ppmであり、特に0.03ppm〜1ppmが好ましい。
本発明の化学研磨液を用いて、銅および銅合金を化学研磨する方法には、特に制限はないが、スプレーエッチングマシンを使用したスプレー法やエッチング槽での揺動、ポンプ循環による浸漬法などの任意の方法で処理できる。化学研磨液の温度にも特に制限はないが、10〜50℃の範囲から要望する溶解速度に合わせて任意に温度設定することが出来るが、15〜45℃がより好ましく、特に20〜40℃が好ましい。
スプレーエッチングマシンを使用したエッチング操作の場合、ノズル出口でのスプレー圧力が0.01〜0.5MPaの範囲であり、好ましくは0.05〜0.4MPaであり、更に好ましくは0.1〜0.3MPaである。エッチング液のポンプ吐出量は、2〜500L/分であり、好ましくは4〜400L/分であり、更に好ましくは、10〜350L/分である。
試薬(入手先);
・過酸化水素;工業用60%過酸化水素(三菱ガス化学)
・硫酸;試薬特級47%硫酸(和光純薬)
・リン酸;試薬特級85%硫酸(和光純薬)
・硝酸;試薬特級60%硫酸(和光純薬)
・5−アミノ−1H−テトラゾール;試薬一級(和光純薬)
・銀イオン;試薬特級硝酸銀(和光純薬)
・塩素イオン;試薬特級塩化ナトリウム(和光純薬)
・銅;試薬特級硫酸銅五水和物(和光純薬)
表面粗さ(Rz値)評価法;
レーザー顕微鏡(OLS4000:オリンパス製)にて測定。断面曲線を基準長さだけ抜き取った部分で、最高から5番目までの高さの平均と、最深から5番目までの谷底の深さの平均値の差をRz値で示した。
銅表面のSEM観察;
キーエンス社製の電子顕微鏡VE―8800Sにて2千倍で撮影した。
銅エッチング量測定方法;
以下の式により質量法にて算出した。
エッチング量=(処理前質量−処理後質量)/(処理面積×8.92)
スプレーエッチング装置;
量産を想定した実機マシンを使用し、スプレー圧力0.2MPa、ポンプ吐出量350L/分、処理液温度30℃にて銅配線形成基板と全面銅箔基板を処理した。
スプレーノズルは、いけうち社製1/4 MISJJX030 PP−FRPPを使用した。
以下に実施例及び比較例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例1〜実施例4
水溶液組成は実液を想定して成分を配合し、本発明にかかるエッチング液を調製した。
配合量は、表1にまとめた。処理は、エッチング液の液温を30℃に保ち試験基板として銅回路を形成した基板を使用し、スプレー圧力0.05MPa、液量200Lによる処理を行った。エッチング量0.5μmの処理サンプルを作成し、表面粗さ(Rz)を測定した。
実施例5
銅張積層板を使用し上記の処理条件で5μmのエッチングサンプルを作成し、表面粗さ(Rz)を測定した。配合量は、表1に記した。
比較例1〜比較例4
実施例1〜実施例4と同じ処理条件にて銅回路を形成した基板を処理した。配合量は、表1に記した。
比較例5〜比較例7
銅張積層板を使用し実施例1〜実施例4の処理条件で5μmのエッチングサンプルを作成し、表面粗さ(Rz)を測定した。配合量は、表1に記した。
表2に実施例1〜実施例5および比較例1〜比較例7の表面粗さ(Rz値)、表面粗さ(Rz値)/エッチング量の測定結果を示す。
表2と図1〜図6に示されるように、本発明の処理方法は、優れた平滑化された銅回路版および銅張積層板が得られた。
Figure 0005499517
Figure 0005499517
本発明の処理方法、(a)、(b)、(c)、(d)および(e)化合物を含む表面処理液および表面処理方法に対して(a)、(b)および(c)化合物を含む表面処理液および表面処理方法(比較例1)、(a)、(b)、(c)、および(d)化合物を含む表面処理液および表面処理方法(比較例2)、(a)、(b)、(c)および(e)化合物を含む表面処理液および表面処理方法(比較例3)、(a)、(b)、およびリン酸を含む表面処理方法(比較例4)では得られた表面処理は、外観自動検査での表面粗さRz値が大きくなった。
本発明の好ましい態様によれば、本発明の金属表面処理液および金属表面処理方法により銅および銅合金の従来困難であった少ないエッチング量での平滑化が可能となり、産業上有用である。

Claims (4)

  1. (a)過酸化水素1g/L〜100g/L、(b)無機酸または有機酸、1g/L〜30g/L、(c)アゾール類0.001g/L〜0.1g/L、(d)ハロゲンイオン0.001ppm〜ppm、および(e)銀イオン0.001ppm〜1ppmからなる処理液を用いて銅金属表面処理を行ない、且つ銅金属表面粗さ(Rz値)が0.5μm以下にすることを特徴とする金属表面を平滑化する処理方法。
  2. (a)過酸化水素1g/L〜100g/L、(b)無機酸または有機酸1g/L〜30g/L、(c)アゾール類0.001g/L〜0.1g/L、(d)ハロゲンイオン0.001ppm〜ppmおよび(e)銀イオン0.001ppm〜0.05ppmからなる処理液を用いて銅金属表面処理をスプレー処理する方法であって、スプレー圧力0.01〜0.2MPaの範囲内、ポンプ吐出量2L〜350L/分で、銅金属表面のエッチング量0.1μm〜μm、表面粗さ(Rz値)0.5μm以下、表面粗さ(Rz値)/エッチング量が0.01〜1にすることを特徴とするスプレー処理による金属表面を平滑化する処理方法。
  3. (b)無機酸が硫酸、燐酸、および硝酸から選択される1種以上であり、有機酸がリンゴ酸、クエン酸、およびグリコール酸から選択される1種以上であり、(c)アゾール類が1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、およびピラゾールから選択される1種以上であり、(d)ハロゲンイオンが塩素イオン、臭素イオンまたはヨウ素イオンであり、(e)銀イオンが塩化銀または硝酸銀であることを特徴とする請求項1記載の銅または銅合金の金属表面を平滑化する処理方法。
  4. (b)無機酸が硫酸、燐酸、および硝酸から選択される1種以上であり、有機酸がリンゴ酸、クエン酸、およびグリコール酸から選択される1種以上であり、(c)アゾール類が1H−テトラゾール、5−メチル−1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5−アミノ−1H−テトラゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3−メチルベンゾトリアゾール、1H−1,2,3,4−テトラゾール、1H−5−アミノ−1,2,3,4−テトラゾール、1H−1,2,3−トリアゾール、1H−1,2,3−ベンゾトリアゾール、1H−5−メチル−1,2,3,4−テトラゾール、イミダゾール、およびピラゾールから選択される1種以上であり、(d)ハロゲンイオンが塩素イオン、臭素イオンまたはヨウ素イオンであり、(e)銀イオンが塩化銀または硝酸銀であることを特徴とする請求項2記載のスプレー処理による金属表面を平滑化する処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101366938B1 (ko) * 2012-01-06 2014-02-25 삼성전기주식회사 에칭액 및 이를 이용한 인쇄 배선 기판의 제조방법
JP6353193B2 (ja) * 2013-04-02 2018-07-04 Jx金属株式会社 キャリア付き銅箔、当該キャリア付き銅箔を用いて銅張積層板を製造する方法、当該キャリア付き銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法、及びプリント配線板の製造方法
EP3159432B1 (en) 2015-10-23 2020-08-05 ATOTECH Deutschland GmbH Surface treatment agent for copper and copper alloy surfaces
KR102568740B1 (ko) 2017-03-31 2023-08-21 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 압연동박의 표면처리액 및 표면처리방법 그리고 압연동박의 제조방법
WO2019208461A1 (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 銅箔用エッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法ならびに電解銅層用エッチング液およびそれを用いた銅ピラーの製造方法
CN109161898A (zh) * 2018-11-22 2019-01-08 福泉市发隆钢构有限公司 一种不锈钢化学抛光液及制备方法
JP7261567B2 (ja) * 2018-11-26 2023-04-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN116120936B (zh) * 2022-10-27 2024-06-25 上海天承化学有限公司 一种蚀刻药水及其制备方法和应用

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3930885B2 (ja) * 2000-12-27 2007-06-13 荏原ユージライト株式会社 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤
JP4687852B2 (ja) * 2001-06-25 2011-05-25 三菱瓦斯化学株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
JP4431860B2 (ja) * 2003-10-30 2010-03-17 三菱瓦斯化学株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
JP2010196119A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Mitsubishi Gas Chemical Co Inc 金属表面処理剤

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