JP5481854B2 - 電子部品 - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品に関する。
電子機器に使用される配線基板として、ガラス成分とフィラー成分とを含む組成物を焼成することによって得られる低温焼成磁器を用いた基板が知られている。このような基板を用いた多層セラミックス基板の強度を高めることを目的として、表層部と内層部との熱膨張係数が所定の関係を満たすとともに、内層部に針状結晶が析出した構造とすることが試みられている(特許文献1参照)。
特開2007−73728号公報
上記のような基板は、電子機器に搭載する電子部品として使用する場合、優れた強度を有するのに加え、高い絶縁抵抗を有していることが望ましい。しかしながら、上述した特許文献1に記載されているような表層部と内層部との熱膨張係数が異なるだけの多層セラミックス基板は、電子部品として適用しようとした場合、絶縁抵抗の点で未だ不十分な傾向にあることが判明した。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の電子部品は、内層部と、この内層部の表面を覆うように設けられた外層部とを備え、内層部及び外層部は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有しており、内層部のフィラーは、板状のアルミナであり、内層部の抗折強度が330MPa以上であり、且つ、内層部は、外層部よりも熱膨張係数が大きく、内層部は、外層部よりもヤング率が大きいことを特徴とする。
上記本発明の電子部品は、上記のように、ガラス成分中にフィラー成分が分散した内層部及び外層部を備えた構造を有し、外層部よりも内層部の熱膨張係数を大きくするとともに、内層部が一定以上の抗折強度を有するという条件を組み合わせて具備することによって、優れた強度に加え、意外なことに、高い絶縁抵抗をも有するものとなる。
また、本発明の電子部品において、内層部と外層部との熱膨張係数の差は、0.5〜3の範囲であることが好ましい。内層部と外層部とがこのような範囲の熱膨張係数の差を有することで、一層優れた絶縁抵抗が得られるようになる。
さらに、内層部は、その靭性値が2.0MPa√m以上であると好ましく、さらにまた、内層部は、外層部よりもヤング率が大きいと一層好ましい。これらの条件を満たす構成とすることによって、さらに優れた絶縁抵抗が得られるようになる。
本発明によれば、優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明については省略することとする。
図1は、好適な実施形態に係る電子部品の断面構成を模式的に示す図である。図1に示すように、電子部品1は、内層部10と、この内層部10の両表面を覆うように設けられた一対の外層部20とを備えた構成を有している。
内層部10及び外層部20は、それぞれ、ガラス成分中にフィラー成分が分散した材料によって構成される。かかる材料におけるフィラー成分の含有量は、ガラス成分とフィラー成分との合計量に対して、22〜35体積%であると好ましい。
まず、ガラス成分について説明する。
ガラス成分としては、例えば、(1)非晶質ガラス系材料及び(2)結晶化ガラス系材料の2種が挙げられる。(2)結晶化ガラス系材料は、加熱焼成時に多数の微細な結晶がガラス成分中に析出した材料であり、ガラスセラミックスともいう。
ガラス成分としては、上記(1)非晶質ガラス系材料及び(2)結晶化ガラス系材料のうち、(2)結晶化ガラス系材料がより好ましい。(2)結晶化ガラス系材料としては、例えば、(i)SiO、B、Al及びアルカリ土類金属酸化物を含有するガラス成分、並びに(ii)SiO、CaO、MgO、Al及びCuOを含有するディオプサイド結晶ガラス成分を用いることができる。
(i)SiO、B、Al及びアルカリ土類金属酸化物を含有するガラス成分において、SiOの含有量は、ガラス成分全量を基準として46〜60質量%であることが好ましく、47〜55質量%であることがより好ましい。この含有量が46質量%未満であるとガラス化が困難になる傾向にあり、60質量%を超えると融点が高くなって低温焼結が困難になる傾向にある。
の含有量は、ガラス成分全量を基準として0.5〜5質量%であることが好ましく、1〜3質量%であることがより好ましい。この含有量が5質量%を超えると耐湿性が低下する傾向にあり、0.5質量%未満であるとガラス化温度が高くなるとともに密度が低くなる傾向にある。
Alの含有量は、ガラス成分全量を基準として6〜17.5質量%であることが好ましく、7〜16.5質量%であることがより好ましい。この含有量が6質量%未満であると強度が若干低下する傾向にあり、17.5質量%を超えるとガラス化が困難になる傾向にある。アルカリ土類金属酸化物の含有量は、ガラス成分全量を基準として25〜45質量%であることが好ましく、30〜40質量%であることがより好ましい。
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、MgO、CaO、BaO及びSrOが挙げられる。これらのアルカリ土類金属酸化物は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、SrOとその他のアルカリ土類金属酸化物とを組み合わせて用いることが好ましい。CaO、MgO及びBaOからなる群より選ばれる少なくとも一種と、SrOとを組み合わせて用いることにより溶解ガラスの粘性を低下させ、焼結温度幅を拡大することができることから、製造を容易にすることができる。
アルカリ土類金属酸化物の全量に対するSrOの含有量は60質量%以上であることが好ましく、80質量%以上であることがより好ましい。この含有量が60質量%未満であると、ガラス成分と後述するフィラーとの熱膨張係数の差が大きくなり、電子部品の強度が低下する傾向にある。
なお、アルカリ土類金属酸化物の全量に対して、CaO、MgO及びBaOの合計量は、1質量%以上であることが好ましい。また、アルカリ土類金属酸化物の全量に対してCaO及びMgOを、それぞれ0.2質量%以上含有することが好ましく、0.5質量%以上含有することがより好ましい。さらに、アルカリ土類金属酸化物の全量に対して、CaOの含有量は10質量%未満であることが好ましく、MgOの含有量は4質量%以下であることが好ましい。CaO及びMgOの含有量がこれよりも多くなると、熱膨張係数が小さくなりすぎて、電子部品の強度が低下する傾向にあるうえ、ガラスの結晶化度の制御が困難になる傾向にある。製造の容易性と電子部品の強度とを両立させる観点からは、アルカリ土類金属酸化物全量に対するCaOとMgOとの合計量は、10質量%未満であることが好ましく、CaOの含有量は5質量%以下であることがより好ましい。
また、アルカリ土類金属酸化物全量に対するBaOの含有量は5質量%以下であることが好ましい。この含有量が5質量%を超えると誘電率が高くなる傾向にある。
一方、(ii)SiO、CaO、MgO、Al及びCuOを含有するディオプサイド結晶ガラス成分は主結晶としてディオプサイドを析出するものである。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、SiOはガラスのネットワークフォーマーであるとともに、ディオプサイド結晶の構成成分である。ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対する、SiOの含有量は40〜65質量%であることが好ましく、45〜65質量%であることがより好ましい。この含有量が40質量%より少ないとガラス化が困難になる傾向にあり、65質量%より多いと密度が低くなる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、CaOはディオプサイド結晶の構成成分であり、その含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して20〜35質量%であることが好ましく、25〜30質量%であることがより好ましい。この含有量が20質量%より少ないと誘電損失が高くなる傾向にあり、35質量%より多いとガラス化が困難になる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分においては、MgOもディオプサイド結晶の構成成分である。MgOの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して11〜30質量%であることが好ましく、12〜25質量%であることがより好ましい。この含有量が11質量%より少ないと結晶が析出し難くなる傾向にあり、30質量%より多いとガラス化が困難になる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、Alはガラス成分の結晶性を調節する成分であり、その含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して0.5〜10質量%であることが好ましく、1〜5質量%であることがより好ましい。この含有量が0.5質量%より少ないと結晶性が強くなりすぎてガラス成形が困難になる傾向にあり、10質量%より多くなるとディオプサイド結晶が析出し難くなる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、CuOはAgに電子を与え、ガラス成分中への拡散を抑える成分である。CuOの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して、0.01〜1.0質量%であることが好ましい。この含有量が0.01質量%より少ないと上述の効果が十分に発揮されない傾向にあり、1.0質量%よりも多いと誘電損失が大きくなりすぎる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、SrO、ZnO、TiOはガラス化を容易にするために添加する成分である。ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対する含有量は、各成分とも0〜10質量%であることが好ましく、0〜5%であることがより好ましい。これらの成分が各々10質量%より多くなると結晶性が弱くなり、ディオプサイドの析出量が少なくなることで誘電損失が大きくなる傾向にある。
また、ディオプサイド結晶ガラス成分としては、誘電損失等の特性を損なわない範囲で上記成分以外の成分を含んでいてもよい。
(i)及び(ii)のガラス成分のうち、より優れた強度を得る観点からは、(ii)のディオプサイト結晶ガラス成分が好ましい。
次に、フィラー成分について説明する。
フィラー成分は、セラミック材料からなる粉状物であり、内層部10及び外層部20においては、上述したガラス成分中に分散される。フィラー成分を構成する粒子の形状は、球状、針状、板状等、特に制限されないが、強度、特に抗折強度を向上させる観点からは、板状のフィラー成分が好ましい。また、フィラー成分の平均粒径は、1〜8μm程度であると好ましい。
フィラー成分としては、例えば、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、ムライト、フォルステライト、ステアタイト、コージェライト、ストロンチウム長石、石英、ケイ酸亜鉛、ジルコニア、チタニア等が挙げられる。なかでも、強度、特に抗折強度を向上させる観点からは、アルミナが好ましい。これらのフィラーは、内層部10及び外層部20が有するべき特性に併せて適宜選択して用いることができ、複数種を組み合わせてもよい。
フィラー成分としては、板状のアルミナが好ましい。フィラー成分として板状のアルミナを用いることで、これを含む内層部10や外層部20の抗折強度が極めて高められる。これにより、電子部品1の強度及び絶縁抵抗を一層向上できるほか、電子部品1の製造時や製造後のクラックの発生を大幅に低減することが可能となる。このような効果を良好に得る観点からは、板状のアルミナとしては、平均粒径が0.5〜10μmの範囲であり、平均厚みが0.04〜0.5μmの範囲であり、さらに、平均アスペクト比が10〜100の範囲であるものが好適である。板状のアルミナをフィラー成分として用いた場合の上記効果は、更に、ガラス成分としてディオプサイド結晶化ガラス又はSiO−B−Al−SrOガラスと組み合わせた場合に顕著に得られる傾向にある。
以上のように、電子部品1における内層部10及び外層部20は、上述したようなガラス成分及びフィラー成分を含むが、内層部10と外層部20とは、下記の特性が異なるものである。
すなわち、まず、内層部10は、その抗折強度が330MPa以上であり、350MPa以上であるとより好ましく、400Pa以上であると更に好ましい。このような好ましい抗折強度を有することにより、良好な強度及び絶縁抵抗が得られるようになる。なお、内層部10の抗折強度は高いほど好ましいが、その上限値は、ガラス成分とフィラー成分との組み合わせによって異なり、最大でも550MPa程度である。
一方、外層部20の抗折強度については特に制限されず、内層部10よりも小さくても大きくてもよいが、できるだけ大きいことが好ましい。これにより、電子部品10の強度及び絶縁特性が更に向上する傾向にある。
ここで、抗折強度とは、試料に加える荷重を徐々に大きくしていき、折れが生じた時点での荷重(破壊荷重)によって表される強度である。本明細書では、支点間距離を15mmとし、クロスヘッド速度0.5mm/minとした場合の3点曲げ試験により得られる値であると定義する。
また、電子部品1において、内層部10は、外層部20よりも熱膨張係数が大きく、その差は、0.5〜3ppm/℃であると好ましく、1〜2ppm/℃であるとより好ましく、1.5〜2ppm/℃であるとさらに好ましい。熱膨張係数の差が好ましい範囲であるほど、優れた絶縁抵抗が得られるようになる。ここで、熱膨張係数とは、50〜350℃における寸法変化をTMAによって測定することにより得られた値である。
さらに、内層部10は、その靭性値が2.0MPa√m以上であると好ましく、2.5MPa√m以上であるとより好ましい。このような靭性値であると、更なる強度及び絶縁抵抗の向上が見られるようになる。この靭性値も高いほど好ましいが、その上限値は、概ね3.5MPa√m程度である。ここで、靭性値とは、JIS R1607のIF法により求められる値のことをいう。
さらにまた、電子部品1においては、内層部10が、外層部20よりも大きいヤング率を有していると好適である。具体的には、内層部10は、外層部20と比べて、1.2倍程度以上ヤング率が大きいと好ましく、1.4倍程度以上ヤング率が大きいとより好ましい。
電子部品1においては、内層部10と外層部20とが上述したような所定の特性及び関係を有しているが、上記の特性は、内層部10及び外層部20を構成しているガラス成分やフィラー成分の種類、或いは、フィラー成分の含有量を適宜変更することによって調整することができる。すなわち、内層部10及び外層部20の構成材料としては、電子部品1において上述したような特性及び関係が満たされるように、ガラス成分及びフィラー成分の種類やフィラー成分の含有量が異なる各種の材料から適宜選択して用いればよい。
なお、内層部10及び外層部20の上述したような各種特性は、電子部品1の状態で測定してもよいが、実際には困難である場合も多い。その場合、内層部10又は外層部20の特性は、これらの構成材料を用いて別の試料(評価用試料)を作成し、得られた試料を用いて測定することによって得てもよい。このような評価用試料で得られた特性に基づいて、電子部品1における内層部10及び外層部20に適用する構成材料を決定することができる。
電子部品1において、内層部10は、電子部品1の全体厚さ(内層部10と外層部20との合計厚さ)に対して1/2以上の厚さを有していることが好ましく、2/3以上の厚さを有していることがより好ましく、4/5以上の厚さを有していることが更に好ましい。内層部10がこのような厚さを有することで、優れた強度や絶縁抵抗が更に良好に得られるようになる。なお、外層部20は、内層部10を挟むように設けられているが、安定した特性を得るため、そりや変形を低減する観点から、内層部を挟んでいる一対の外層部20はほぼ同じ厚さであると好ましい。
上述した構成を有する電子部品1によれば、まず、内層部10が、外層部20によって覆われた構成を有していることから、破壊等に対して優れた強度が得られるようになる。また特に、内層部10が330MPa以上という特定の抗折強度を有するとともに、内層部10が外層部20よりも熱膨張係数が大きいことによって、電子部品1は、高い絶縁抵抗を発揮し得るものとなる。
さらに、上述した特性に加え、電子部品1は、その製造時におけるクラックの発生も極めて少ないものとなる。これは、内層部10が、外層部20よりも熱膨張係数が大きいため、電子部品1の製造時において、焼結等の熱処理後、冷却される際に、外層部20が、熱収縮の程度が小さいにもかかわらず内層部10の大きな熱収縮に引っ張られて本来よりも収縮し、これによって外層部20に圧縮応力が加わった状態となるためと考えられる。さらに、内層部10のヤング率が相対的に大きい場合は、外層部20を収縮させる力が更に大きくなり、これにより外層部20により効率的に圧縮応力が加えられることになる。そして、このように外層部20が圧縮応力を有していることによって、電子部品1の製造時に切断等を行う際でも外層部20のひび割れ等が進行し難くなり、結果として電子部品1にクラックが発生し難くなる。さらに、内層部10と外層部20とが所定の熱膨張係数差を有しているのに加えて、内層部10が一定以上の抗折強度及び靭性を有していると、切断時等の外力に対して望ましくない箇所での破断等も生じ難くなり、電子部品1は、さらにクラックの発生が抑制されたものとなる。
上述したような構成を有する電子部品1は、例えば、次のような製造方法によって得ることができる。
まず、内層部10及び外層部20を形成するためのガラス成分及びフィラー成分の原料をそれぞれ準備する。これらを、内層部10や外層部20においてそれぞれ所定の体積比が得られるように秤量し、さらに必要に応じて分散剤、可塑剤、溶剤等を加えてボールミル等により混合することにより、内層部10形成用のペースト及び外層部20形成用のペーストをそれぞれ準備する。次いで、これらのペーストを、PETフィルム等の基材上にドクターブレード法等により塗布することにより、各ペーストからなる内層部10形成用のシート及び外層部20形成用のシートを得る。シート形成後、基材は除去してもよい。
それから、内層部10形成用のシートを、外層部20形成用のシートで挟むようにしてこれらを重ね、熱プレス等を行うことにより積層体を得る。この際、内層部10形成用及び外層部20形成用の各シートは、電子部品1においてそれぞれ所定の厚さが得られるように、複数枚重ねて用いることができる。
その後、積層体に対し、必要に応じて各シートに含まれていた溶剤等を除去する脱バインダ処理を行った後、積層体を焼成する。脱バインダ処理は、積層体を少なくとも溶剤の分解温度程度に加熱することによって行うことができる。また、焼成は、積層体を好ましくは1000℃以下、より好ましくは800〜1000℃、更に好ましくは850〜900℃で約5〜500分間保持することにより行うことができる。焼成雰囲気は、酸化性雰囲気や中性雰囲気とすることができ、具体的には、空気、酸素、窒素やこれらの混合ガス雰囲気下とすることができる。
そして、焼成後の積層体に対し、必要に応じて切断等の加工を施すことにより、上記構成を有する電子部品1を得ることができる。このようにして得られた電子部品1は、上述の如く、特定の特性及び関係を有する内層部10及び外層部20を備えることから、優れた強度及び絶縁抵抗を有するほか、切断等の加工によるクラックの発生も極めて少ないものとなる。
なお、電子部品1の製造においては、必ずしも上記のように、いったんシートを形成した後にそれらを積層して積層体を得るのではなく、例えば、所定の基材上に各ペーストを順次塗布する方法により積層体を得てもよい。また、電子部品として、表面に回路等を構成するための導体パターンを有するものを形成する場合は、あらかじめ積層体の状態で導体パターンを形成しておき、全体を焼成するようにしてもよい。さらに、このような導体パターンを有する積層体を複数重ねて焼成することにより、多層電子部品(多層基板)を製造することもできる。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[内層部及び外層部形成用のシートの形成]
まず、ガラス成分の原料として、ディオプサイド系結晶化ガラス、及びSiO−B−Al−SrO系結晶化ガラス、フィラー成分の原料として、フォルステライト、アルミナ、板状アルミナ1〜4、ムライト及びコージェライトをそれぞれ準備した。なお、板状アルミナ1〜4は、それぞれ表1に示す特性を有するものである。
Figure 0005481854
これらを、ガラス成分とフィラー成分とが表2に示す組み合わせ及び体積比となるように秤量し、さらに分散剤、可塑剤、ラッカー及び溶剤を添加して、ボールミルにより混合して、各種のペーストを調製した。これらのペーストを、脱泡した後、PETフィルム上にドクターブレード法によりそれぞれ塗布し、PETフィルムから剥離することにより、各ペーストからなるシートA〜Mをそれぞれ得た。
[シートA〜Mをそれぞれ単独で用いて得られた焼結体の特性評価]
得られたシートA〜Mを、それぞれ所定の枚数積層した後、プレスし、更にダイシング切断した後に900℃で焼成して、一定の厚さを有する評価用のサンプルを形成した。なお、シートF及びGを用いた場合のみ、積層時に、最外層にトリジマイトからなる層(拘束層)を設け、焼成後にこの拘束層を除去するようにした。シートの積層枚数は、各サンプルの厚さが同じとなるように適宜調整した。
得られたサンプルについて、各種の特性を次のように測定した。こうして測定された特性が、後述する電子部品において各シートから形成された内層部又は外層部としての特性に該当する。得られた結果を表2中に合わせて示す。
(1)線膨張係数:各サンプルの50〜350℃における寸法変化をTMAにより測定した。
(2)抗折強度及びヤング率:およそ長さ25mm×幅3.3mm×高さ0.5mmの大きさを有する各サンプルに対し、支点間距離15mm、クロスヘッド速度0.5mm/分の条件で荷重を加え、破壊が生じた時点での荷重とサンプルの寸法から抗折強度、変位に対する荷重の傾きとサンプルの寸法からヤング率をそれぞれ算出した。なお、表2中の値は、それぞれ30個のサンプルについて測定を行い、得られた結果を平均した値である。
(3)靭性値:JIS R1607のIF法により求めた。すなわち、鏡面に仕上げた0.5mm厚みのサンプルに対し、測定荷重14.7Nで5箇所測定を行い、その平均値を靭性値とした。
Figure 0005481854
[電子部品の作製]
上述したシートA〜Mを、内層用又は外層用にそれぞれ選択し、内層用のシートの上下に外層用のシートを重ねて積層体を得た。内層用及び外層用シートの組み合わせは、表3に示す通りとした。この際、内層用及び外層用のシートは、焼成後の所定の厚さが得られるようにそれぞれ所定の枚数を重ねて用いた。また、外層用のシートは、上下面で同じ厚さとなるようにした。
そして、得られた各積層体をプレスし、更にダイシング切断した後に900℃で焼成して、およそ長さ25mm×幅3.3mm×高さ0.5mmの大きさを有する各種の電子部品のサンプル(サンプル1〜29)を形成した。
また、各電子部品の電気抵抗(IR)を測定するために、サンプル1〜29とそれぞれ同様のシートを組み合わせて用い、単層コンデンサチップとして機能する電子部品を別途作製した。すなわち、まず、内層用のシートに、Agペーストを用いてコンデンサ電極を印刷して電極付き内層用シートを作製した。それから、2つの電極付き内層用シートと、電極が形成されていない内層用シートとを組み合わせて積層し、更にその上下に外層用シートを積層した。この際、一対のコンデンサ電極間に挟まれる部分が、積層方向のほぼ中央に位置するようにした。このコンデンサ電極間の距離は、焼成後に約40μmとなるようにした。さらに、内層用及び外層用のシートは、焼成後の全体の厚みが約0.5mmとなり、且つ、内層部と外層部との厚み比率が表3に示す比率となるように、それぞれ厚み及び使用枚数を調整した。次いで、得られた積層体の上下に、トリジマイトからなる拘束層を更に設けた。
このようにして得られた各積層体を900℃で焼成し、拘束層を除去した後、ダイシング切断を行った。その後、コンデンサ電極の引き出し部分が露出した切断面に、Agペーストを塗布した後、焼付けを行うことで端子電極を形成した。そして、この端子電極上に、電気めっきによりNi層及びSn層を順次形成して、単層コンデンサチップを得た。
[電子部品の評価]
上記で得られた電子部品のサンプル1〜29について、抗折強度及び絶縁抵抗(IR)を測定した。得られた結果を表3に示す。なお、表3中には、電子部品全体の厚さを1とした場合の内層部の厚さの比率(内層比率)、内層部及び外層部に用いたシートのみを用いた場合に得られた特性、及び、内層部と外層部との熱膨張係数の差(α差)をあわせて示した。
(1)抗折強度:サンプル1〜29について、上述した方法と同様にして抗折強度の測定を行った。
(2)絶縁抵抗(IR):サンプル1〜29に対応する各単層コンデンサチップについて、デジタル超絶縁/微小電流計を用いて50V、15秒の抵抗値を測定した。各コンデンサチップについては、それぞれ21個ずつ作製して測定を行い、抵抗値が10Ω未満であったものを不良とし、21個のサンプルのうちの不良と判断されたものの数を数えた。不良数が少ないほど、優れた絶縁抵抗を有することを意味する。
Figure 0005481854
サンプル1〜29中、サンプル3〜7、16〜23及び26〜29は、いずれも本発明の条件を具備していることから実施例に該当し、その他のサンプルは、内層部の抗折強度が330MPa未満であるか、外層部が内層部よりも熱膨張係数が大きいため、比較例に該当する。そして、実施例に該当するサンプルは、優れた強度と絶縁抵抗の両方を有するのに対し、比較例に該当するサンプルは、絶縁抵抗及び強度の少なくともいずれかが不十分であった。
好適な実施形態に係る電子部品の断面構成を模式的に示す図である。
符号の説明
1…電子部品、10…内層部、20…外層部。

Claims (3)

  1. 内層部と、該内層部の表面を覆うように設けられた外層部と、を備え、
    前記内層部及び前記外層部は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有しており、
    前記内層部のフィラーは、板状のアルミナであり、
    前記内層部の抗折強度が330MPa以上であり、
    前記内層部は、前記外層部よりも熱膨張係数が大きく、
    前記内層部は、前記外層部よりもヤング率が大きい
    ことを特徴とする、電子部品。
  2. 前記内層部と前記外層部との熱膨張係数の差は、0.5〜3ppm/℃の範囲である、ことを特徴とする請求項1記載の電子部品。
  3. 前記内層部の靭性値が2.0MPa√m以上である、ことを特徴とする請求項1又は2記載の電子部品。
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