JP5474401B2 - Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper - Google Patents
Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper Download PDFInfo
- Publication number
- JP5474401B2 JP5474401B2 JP2009106969A JP2009106969A JP5474401B2 JP 5474401 B2 JP5474401 B2 JP 5474401B2 JP 2009106969 A JP2009106969 A JP 2009106969A JP 2009106969 A JP2009106969 A JP 2009106969A JP 5474401 B2 JP5474401 B2 JP 5474401B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamper
- less
- base material
- aluminum base
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims description 107
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 53
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 60
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 58
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000010273 cold forging Methods 0.000 claims description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 64
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 34
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 28
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 5
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920013730 reactive polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSROEZYGRKHVMN-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;oxirane Chemical compound C1CO1.CCC(CO)(CO)CO RSROEZYGRKHVMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- HZRPIZSSEMKEEW-UHFFFAOYSA-N C1CO1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 Chemical compound C1CO1.O=C1NC(=O)NC(=O)N1 HZRPIZSSEMKEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N methyl phenylglyoxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical group C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N (2-methylpropan-2-yl)oxy benzenecarboperoxoate Chemical compound CC(C)(C)OOOC(=O)C1=CC=CC=C1 QEQBMZQFDDDTPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWFHGTMLYIBPPA-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 SWFHGTMLYIBPPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 1-prop-2-enoyloxyhexyl prop-2-enoate Chemical compound CCCCCC(OC(=O)C=C)OC(=O)C=C VOBUAPTXJKMNCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 1-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)C YIKSHDNOAYSSPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJQNPIOBWKQAW-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C(C)(C)C BGJQNPIOBWKQAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 2,4-dichlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC(Cl)=C3SC2=C1 UXCIJKOCUAQMKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNZYOYGFWBZAQY-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;2-methyloxirane Chemical compound CC1CO1.CCC(CO)(CO)CO SNZYOYGFWBZAQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 2-hydroperoxy-2-(2-hydroperoxybutan-2-ylperoxy)butane Chemical compound CCC(C)(OO)OOC(C)(CC)OO WFUGQJXVXHBTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-trien-2-yl)-2-phenylethanone Chemical compound OC(C(=O)c1cccc2Oc12)c1ccccc1 NLGDWWCZQDIASO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanoic acid Chemical compound OCC(C)(C)C(O)=O RDFQSFOGKVZWKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004864 4-thiomethylphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N Lauroyl peroxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OOC(=O)CCCCCCCCCCC YIVJZNGAASQVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N Methyl 2-benzoylbenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N [(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl)phosphoryl]-(2,6-dimethoxyphenyl)methanone Chemical compound COC1=CC=CC(OC)=C1C(=O)P(=O)(CC(C)CC(C)(C)C)C(=O)C1=C(OC)C=CC=C1OC LFOXEOLGJPJZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N [2-[2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)butoxymethyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)butyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CC)COCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C XRMBQHTWUBGQDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N bis[4-(diethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N butoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C)C YTJUXOIAXOQWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004113 cell culture Methods 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl peroxide Chemical compound CC(C)(C)OOC(C)(C)C LSXWFXONGKSEMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HXPUZRNILBXETK-UHFFFAOYSA-N dibutoxyphosphoryl(phenyl)methanone Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 HXPUZRNILBXETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- QKLCQKPAECHXCQ-UHFFFAOYSA-N ethyl phenylglyoxylate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 QKLCQKPAECHXCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 210000003746 feather Anatomy 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N n,n'-methylenebisacrylamide Chemical compound C=CC(=O)NCNC(=O)C=C ZIUHHBKFKCYYJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- HPAFOABSQZMTHE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HPAFOABSQZMTHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(4-phenylphenyl)methanone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N propan-1-one Chemical compound CC[C]=O UFUASNAHBMBJIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007717 redox polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012748 slip agent Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutan-2-yl silicate Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCLLLHFGVQKVKL-UHFFFAOYSA-N tetratert-butyl silicate Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C BCLLLHFGVQKVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002447 thiram Drugs 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHPGKIATZDCVHL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(propoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(C)C PHPGKIATZDCVHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Description
本発明は、反射防止物品等の製造に用いられる、微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造方法および該スタンパの製造に用いられるアルミニウム基材に関する。 The present invention relates to a method for producing a stamper having a fine concavo-convex structure on the surface, which is used for producing antireflection articles and the like, and an aluminum substrate used for producing the stamper.
近年、可視光波長以下の周期の微細凹凸構造を表面に有する物品は、反射防止機能、ロータス（Ｌｏｔｕｓ）効果等を発現することから、その有用性が注目されている。特に、モスアイ（Ｍｏｔｈ−Ｅｙｅ）構造と呼ばれる微細凹凸構造は、空気の屈折率から材料の屈折率に連続的に増大していくことで有効な反射防止機能を発現することが知られている。 In recent years, articles having a fine concavo-convex structure with a period of less than or equal to the wavelength of visible light on the surface exhibit an antireflection function, a Lotus effect, and the like, and thus have been attracting attention for their usefulness. In particular, it is known that a fine concavo-convex structure called a moth-eye structure exhibits an effective antireflection function by continuously increasing from a refractive index of air to a refractive index of a material.
微細凹凸構造を表面に有する物品の製造方法としては、下記の方法が知られており、生産性、経済性の点から、（ii）の方法が優れている。
（ｉ）透明基材等の表面を直接加工して微細凹凸構造を表面に有する物品を製造する方法。
（ii）微細凹凸構造に対応した反転構造を有するスタンパを用いて、透明基材等の表面に反転構造を転写する方法。
As a method for producing an article having a fine concavo-convex structure on the surface, the following method is known, and the method (ii) is excellent from the viewpoint of productivity and economy.
(I) A method for producing an article having a fine concavo-convex structure on its surface by directly processing the surface of a transparent substrate or the like.
(Ii) A method of transferring the inverted structure onto the surface of a transparent substrate or the like using a stamper having an inverted structure corresponding to the fine concavo-convex structure.
スタンパに反転構造を形成する方法としては、電子線描画法、レーザー光干渉法等が知られている。近年、より簡便に反転構造を形成できる方法として、アルミニウム基材の表面を陽極酸化する方法が注目されている（例えば、特許文献１参照）。
アルミニウム基材の表面を陽極酸化することによって形成される陽極酸化アルミナは、アルミニウムの酸化皮膜（アルマイト）であり、周期が可視光の波長以下である複数の細孔からなる微細凹凸構造を有する。
As a method for forming an inversion structure in a stamper, an electron beam drawing method, a laser beam interference method, and the like are known. In recent years, a method of anodizing the surface of an aluminum substrate has attracted attention as a method for forming an inverted structure more easily (see, for example, Patent Document 1).
Anodized alumina formed by anodizing the surface of an aluminum substrate is an aluminum oxide film (alumite) and has a fine concavo-convex structure consisting of a plurality of pores whose period is equal to or less than the wavelength of visible light.
しかし、陽極酸化アルミナが表面に形成されたスタンパを用いて、例えば反射防止膜（反射防止フィルム、反射防止シートを含む。）等の反射防止物品をはじめとする光学用途の物品を（ii）の方法で製造した場合、下記の問題が生じるため、光学用途に適したものが得られない場合がある。
（１）微細凹凸構造（モスアイ構造）を構成する細孔以外のマクロな凹部がスタンパの表面に形成され、該凹部も転写されてマクロな凸部となるため、光の散乱の原因となり透明性が低下する。
（２）アルミニウム基材が圧延品である場合、その圧延痕が物品に転写される。
（３）細孔の配列規則性を高める処理により結晶粒界の段差が大きくなり、その段差が物品に転写されて、視認できるほどのマクロな凹凸が形成され、外観が悪くなる。
（４）結晶粒界の段差が小さく、マクロな凹凸が視認できないレベルであっても、結晶面ごとに陽極酸化のされやすさが異なるため、物品に色ムラが生じる。
However, by using a stamper having anodized alumina formed on the surface, optical articles such as antireflection articles such as antireflection films (including antireflection films and antireflection sheets) can be used as described in (ii). When manufactured by the method, the following problems occur, and a product suitable for optical use may not be obtained.
(1) Since a macro concave portion other than the pores constituting the fine concavo-convex structure (moth eye structure) is formed on the surface of the stamper, the concave portion is also transferred to become a macro convex portion, which causes light scattering and transparency. Decreases.
(2) When the aluminum substrate is a rolled product, the rolling trace is transferred to the article.
(3) The step of increasing the arrangement regularity of the pores increases the step of the crystal grain boundary, and the step is transferred to the article to form a macro unevenness that can be visually recognized, resulting in a poor appearance.
(4) Even if the level difference of the crystal grain boundary is small and macro unevenness is not visible, color unevenness occurs in the article because the anodic oxidation is different for each crystal plane.
本発明は、光の散乱の原因となるマクロな凸部、結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラを転写面に生じさせにくい、表面に微細凹凸構造を有するスタンパを得ることができるアルミニウム基材、光の散乱の原因となるマクロな凸部、結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラを転写面に生じさせにくいスタンパの製造方法を提供する。 The present invention provides an aluminum substrate that can obtain a stamper having a fine concavo-convex structure on the surface, which does not easily cause macro unevenness and color unevenness derived from crystal grains to cause scattering of light on the transfer surface. The present invention provides a stamper manufacturing method in which macro protrusions that cause light scattering, macro unevenness and color unevenness derived from crystal grains are less likely to occur on a transfer surface.
本発明者らは鋭意検討した結果、アルミニウム基材の表面には金属間化合物が存在しており、この金属間化合物が前処理や陽極酸化によって脱落してマクロな凹部となり、これが転写された物品の透明性を低下させること、および１段階目の陽極酸化の酸化皮膜の厚さを制御して、結晶粒界によるマクロな凹凸を視認できないレベルにしても、転写面に色ムラが生じてしまうことを見出した。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that an intermetallic compound is present on the surface of the aluminum base material, and this intermetallic compound is dropped off by pretreatment or anodization to form a macro concave portion, and an article on which this is transferred. Even when the thickness of the oxide film of the first stage anodization is controlled by reducing the transparency of the film and making the macro unevenness due to the crystal grain boundary invisible, color unevenness occurs on the transfer surface. I found out.
そこで、本発明者らは、例えば鍛造処理等の方法によって被加工面における平均結晶粒径が１ｍｍ以下とされ、被加工面に露出した金属間化合物の合計の面積が被加工面の面積（１００％）に対して０．１４％以下であり、被加工面の算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以下であるアルミニウム基材の被加工面を陽極酸化することによって周期が可視光の波長以下である複数の細孔からなる微細凹凸構造が表面に形成されたスタンパを用いることによって、転写面にマクロな凹凸や色ムラが少なく、透明性の高い、微細凹凸構造を表面に有する物品を提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。 Therefore, the inventors set the average crystal grain size on the work surface to 1 mm or less by a method such as forging, and the total area of the intermetallic compounds exposed on the work surface is the area of the work surface (100 %) And the arithmetic mean roughness Ra of the processed surface is 0.05 μm or less, and the period is less than the wavelength of visible light by anodizing the processed surface of the aluminum substrate. By using a stamper with a fine concavo-convex structure consisting of a plurality of pores formed on the surface, there is little macro unevenness or color unevenness on the transfer surface, and a highly transparent article with a fine concavo-convex structure on the surface is provided. The present inventors have found that this can be done and have completed the present invention.
すなわち、本発明のスタンパ製造用アルミニウム基材は、微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられる、前記微細凹凸構造が形成される被加工面を有するアルミニウム基材（ただし、Ｔｉ含有率を１５０〜５００ｐｐｍ及びＢ含有率を３〜５０ｐｐｍとし、その他の不可避的不純物元素の合計が５００ｐｐｍ以下であり、残部がアルミニウムからなる成分組成を有するものを除く。）であって、前記被加工面に露出した金属間化合物の合計の面積が、前記被加工面の面積（１００％）に対して、０．１４％以下であり、前記被加工面における平均結晶粒径が、１ｍｍ以下であり、前記被加工面の算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以下であることを特徴とする。 That is, the aluminum base material for manufacturing a stamper according to the present invention is an aluminum base material having a processed surface on which the fine concavo-convex structure is formed (however, the Ti content is used). 150 to 500 ppm and the B content is 3 to 50 ppm, the total of other inevitable impurity elements is 500 ppm or less, and the remainder has a component composition made of aluminum.) The total area of the exposed intermetallic compound is 0.14% or less with respect to the area (100%) of the work surface, and the average crystal grain size on the work surface is 1 mm or less, The arithmetic average roughness Ra of the surface to be processed is 0.05 μm or less.
前記被加工面に露出した金属間化合物の平均径は、３．０μｍ以下であることが好ましい。
アルミニウム基材（１００質量％）中、ケイ素の含有量が０．０３質量％以下であり、鉄の含有量が０．０５質量％以下であり、銅の含有量が０．０２質量％以下であることが好ましい。
The average diameter of the intermetallic compound exposed on the work surface is preferably 3.0 μm or less.
In the aluminum substrate (100% by mass), the silicon content is 0.03% by mass or less, the iron content is 0.05% by mass or less, and the copper content is 0.02% by mass or less. Preferably there is.
前記被加工面における平均結晶粒径は、１ｍｍ以下であることが好ましい。
本発明のスタンパ製造用アルミニウム基材は、鍛造処理されたものであることが好ましい。
前記鍛造処理は、熱間鍛造、または熱間鍛造と冷間鍛造との組み合わせであることが好ましい。
The average crystal grain size on the surface to be processed is preferably 1 mm or less.
It is preferable that the aluminum base material for stamper production of the present invention is forged.
The forging process is preferably hot forging or a combination of hot forging and cold forging.
本発明のスタンパの製造方法は、本発明のスタンパ製造用アルミニウム基材の被加工面を陽極酸化することによって、周期が４００ｎｍ以下である複数の細孔からなる微細凹凸構造を前記被加工面に形成することを特徴とする。
前記細孔のアスペクト比（深さ／周期）は、１．０以上であることが好ましい。
前記微細凹凸構造が形成されたスタンパの表面における結晶粒界による凹凸の高さは、６００ｎｍ以下であることが好ましい。
In the stamper manufacturing method of the present invention, the processed surface of the aluminum substrate for manufacturing a stamper of the present invention is anodized so that a fine concavo-convex structure having a plurality of pores having a period of 400 nm or less is formed on the processed surface. It is characterized by forming.
The aspect ratio (depth / cycle) of the pores is preferably 1.0 or more.
The height of the unevenness due to the grain boundaries on the surface of the stamper on which the fine uneven structure is formed is preferably 600 nm or less.
本発明のスタンパの製造方法は、前記アルミニウム基材の被加工面を電解液中、定電圧下で陽極酸化して、前記被加工面に酸化皮膜を形成する第１の酸化皮膜形成工程（ａ）と、前記酸化皮膜を除去し、陽極酸化の細孔発生点を前記被加工面に形成する酸化皮膜除去工程（ｂ）と、前記細孔発生点が形成されたアルミニウム基材の被加工面を電解液中、定電圧下で再度陽極酸化して、前記細孔発生点に対応した細孔を有する酸化皮膜を前記被加工面に形成する第２の酸化皮膜形成工程（ｃ）と、前記細孔の径を拡大させる孔径拡大処理工程（ｄ）とを有することが好ましい。 The stamper manufacturing method of the present invention includes a first oxide film forming step (a) in which an object surface to be processed of the aluminum base is anodized in an electrolytic solution under a constant voltage to form an oxide film on the surface to be processed (a ), An oxide film removing step (b) in which the oxide film is removed and pore generation points for anodic oxidation are formed on the processed surface, and a processed surface of the aluminum substrate on which the pore generation points are formed A second oxide film forming step (c) in which an oxide film having a pore corresponding to the pore generation point is formed on the surface to be processed by anodizing again in an electrolytic solution under a constant voltage; It is preferable to have a pore diameter expansion treatment step (d) for expanding the diameter of the pores.
本発明のアルミニウム基材によれば、光の散乱の原因となるマクロな凸部、結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラを転写面に生じさせにくい、表面に微細凹凸構造を有するスタンパを得ることができる。
本発明のスタンパの製造方法によれば、光の散乱の原因となるマクロな凸部、結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラを転写面に生じさせにくいスタンパを製造できる。
According to the aluminum substrate of the present invention, there is provided a stamper having a micro uneven structure on the surface, which is difficult to cause macro uneven portions and color unevenness derived from crystal grains, which cause light scattering, on the transfer surface. Can be obtained.
According to the stamper manufacturing method of the present invention, it is possible to manufacture a stamper that is unlikely to cause macro-convex parts that cause light scattering, macro-unevenness or color unevenness derived from crystal grains on the transfer surface.
＜アルミニウム基材＞
本発明のスタンパ製造用アルミニウム基材（以下、単に「アルミニウム基材」と記す。）は、微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられる、微細凹凸構造が形成される被加工面を有するアルミニウム基材である。
被加工面とは、スタンパの表面を材料に転写する際に材料に接触する面であり、その一部または全面に微細凹凸構造が形成される面である。
凹凸構造とは、複数の凹部および／または凸部から構成される構造である。
周期とは、凹凸構造の凹部（または凸部）の中心からこれに隣接する凹部（または凸部）の中心までの距離である。
<Aluminum substrate>
The aluminum substrate for manufacturing a stamper of the present invention (hereinafter simply referred to as “aluminum substrate”) has a work surface on which a fine concavo-convex structure is formed, which is used for manufacturing a stamper having a fine concavo-convex structure on the surface. It is an aluminum substrate.
The surface to be processed is a surface that comes into contact with the material when the surface of the stamper is transferred to the material, and is a surface on which a fine concavo-convex structure is formed partially or entirely.
The concavo-convex structure is a structure composed of a plurality of concave portions and / or convex portions.
The period is a distance from the center of the concave portion (or convex portion) of the concavo-convex structure to the center of the concave portion (or convex portion) adjacent thereto.
被加工面には、通常、該被加工面に露出した複数の金属間化合物が存在する。金属間化合物は、主にＦｅ−Ａｌ系等の鉄系化合物である。 In general, a plurality of intermetallic compounds exposed on the surface to be processed exist on the surface to be processed. The intermetallic compound is mainly an iron-based compound such as an Fe—Al-based compound.
被加工面に露出した金属間化合物の合計の面積は、被加工面の面積（１００％）に対して、０．１４％以下であり、０．０８％以下が好ましい。
金属間化合物の面積が０．１４％以下であれば、可視光を散乱する大きさのマクロな凹部の形成が抑えられ、物品の透明性の低下が抑えられる。
金属間化合物の面積は、走査電子顕微鏡の反射電子画像より画像解析にて求められる。具体的には、自動画像処理解析システム（ニレコ社製、ＬＵＺＥＸ−ＡＰ）により画像解析にて視野内の金属間化合物の面積を求め、これを視野の面積で除して被加工面の面積（１００％）に対する金属間化合物の合計の面積の割合を算出する。
The total area of the intermetallic compounds exposed on the work surface is 0.14% or less and preferably 0.08% or less with respect to the work surface area (100%).
If the area of the intermetallic compound is 0.14% or less, the formation of a macro concave portion that scatters visible light can be suppressed, and a decrease in transparency of the article can be suppressed.
The area of the intermetallic compound can be determined by image analysis from the reflected electron image of the scanning electron microscope. Specifically, the area of the intermetallic compound in the visual field is obtained by image analysis by an automatic image processing analysis system (manufactured by Nireco Corporation, LUZEX-AP), and this is divided by the area of the visual field to obtain the area of the work surface ( 100%) is calculated as a ratio of the total area of the intermetallic compound.
被加工面に露出した金属間化合物の平均径は、３．０μｍ以下が好ましい。平均径が３．０μｍ以下であれば、スタンパの表面を透明基材等に転写する際の剥離性の低下が抑えられる。
金属間化合物の平均径は、アルミニウム基材の被加工面における任意に選ばれた１００個以上の金属間化合物について算出された円相当径の平均値である。被加工面の金属間化合物の観察は走査電子顕微鏡等で行うことができる。円相当径の平均値は、例えば、ニレコ社製、ＬＵＺＥＸ−ＡＰ等の画像解析ソフトウエアを用いることで求められる。なお、走査電子顕微鏡等でアルミニウム基材の被加工面を観察するに先立っては、アルミニウム基材の被加工面を鏡面研磨しておくことが好ましい。
The average diameter of the intermetallic compound exposed on the work surface is preferably 3.0 μm or less. When the average diameter is 3.0 μm or less, a decrease in peelability when the stamper surface is transferred to a transparent substrate or the like can be suppressed.
The average diameter of the intermetallic compound is an average value of equivalent circle diameters calculated for 100 or more arbitrarily selected intermetallic compounds on the processed surface of the aluminum substrate. Observation of the intermetallic compound on the work surface can be performed with a scanning electron microscope or the like. The average value of the equivalent circle diameter can be obtained by using image analysis software such as LUZEX-AP manufactured by Nireco Corporation. In addition, before observing the processed surface of an aluminum base material with a scanning electron microscope etc., it is preferable to mirror-polish the processed surface of an aluminum base material.
被加工面の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍ以下である。算術平均粗さＲａが０．０５μｍ以下であれば、スタンパの表面を転写した物品のヘイズが高くなりすぎない。
算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に定義される。
The arithmetic average roughness Ra of the work surface is 0.05 μm or less. When the arithmetic average roughness Ra is 0.05 μm or less, the haze of the article to which the surface of the stamper is transferred does not become too high.
The arithmetic average roughness Ra is defined in JIS B0601-2001.
アルミニウム基材の平均結晶粒径は、１ｍｍ以下であり、３００μｍ以下が好ましく、０．０５〜２００μｍがより好ましく、１〜１５０μｍがさらに好ましい。平均結晶粒径が１ｍｍ以下であれば、スタンパにおける結晶粒界が、視認可能なほどのマクロな凹凸となって現れにくく、その結果、転写面にマクロな凹凸や色ムラが生じにくくなる。このようなスタンパは、例えば反射防止物品等の光学用途の物品の製造に適している。平均結晶粒径が０．０５μｍ以上であれば、アルミニウム基材の製造が容易であり、また、結晶粒界をまたいで細孔が形成されにくくなるため、微細凹凸構造の乱れも抑えられる。
平均結晶粒径は、アルミニウム基材の被加工面における任意に選ばれた１００個以上の結晶粒について算出された円相当径の平均値である。被加工面の結晶粒の観察は光学顕微鏡などで行うことができ、円相当径の平均値は、例えば、日本ローパー社製のＩｍａｇｅ−Ｐｒｏ ＰＬＵＳ等の画像解析ソフトウエアを用いることで求められる。なお、光学顕微鏡等でアルミニウム基材の被加工面を観察するに先立っては、アルミニウム基材の被加工面を研磨し、さらにエッチング処理しておくことが好ましい。
The average crystal grain size of the aluminum substrate is 1 mm or less, preferably 300 μm or less, more preferably 0.05 to 200 μm, and still more preferably 1 to 150 μm. When the average crystal grain size is 1 mm or less, the crystal grain boundary in the stamper is unlikely to appear as macro irregularities that are visible, and as a result, macro irregularities and color unevenness are unlikely to occur on the transfer surface. Such a stamper is suitable for manufacturing an article for optical use such as an antireflection article. If the average crystal grain size is 0.05 μm or more, it is easy to produce an aluminum base material, and it is difficult to form pores across the crystal grain boundary, so that the disturbance of the fine uneven structure can be suppressed.
The average crystal grain size is an average value of equivalent circle diameters calculated for 100 or more arbitrarily selected crystal grains on the processed surface of the aluminum base. Observation of crystal grains on the surface to be processed can be performed with an optical microscope or the like, and the average value of equivalent circle diameters can be obtained by using image analysis software such as Image-Pro PLUS manufactured by Nippon Roper. In addition, before observing the processed surface of an aluminum base material with an optical microscope etc., it is preferable to grind the processed surface of an aluminum base material and to carry out an etching process.
アルミニウム基材のアルミニウム純度は、９９．９２質量％超が好ましく、９９．９５質量％以上がより好ましく、９９．９７質量％以上がさらに好ましい。アルミニウム純度が９９．９２質量％超であれば、金属間化合物が十分に少なくなり、可視光を散乱する大きさのマクロな凹部の形成が抑えられ、物品の透明性の低下が抑えられるため、反射防止物品等の光学用途に適した物品が得られる。高純度とすることで、微細凹凸構造もより規則的になり、かつ金属間化合物の脱落によるマクロな凹部の形成が抑えられることにより、物品の透明性の向上およびスタンパの離型性の向上が期待できる。 The aluminum purity of the aluminum substrate is preferably more than 99.92% by mass, more preferably 99.95% by mass or more, and further preferably 99.97% by mass or more. If the aluminum purity exceeds 99.92% by mass, the amount of intermetallic compounds is sufficiently reduced, the formation of macroscopic recesses that scatter visible light can be suppressed, and the decrease in transparency of the article can be suppressed. Articles suitable for optical applications such as antireflection articles can be obtained. By making it highly pure, the fine uneven structure becomes more regular, and the formation of macro recesses due to the dropping of intermetallic compounds is suppressed, thereby improving the transparency of the article and the release property of the stamper. I can expect.
アルミニウム基材（１００質量％）中に含まれる、製造上不可避的微量成分の含有量としては、ケイ素の含有量が０．０３質量％以下であり、鉄の含有量が０．０５質量％以下であり、銅の含有量が０．０２質量％以下であることが好ましい。製造上不可避的微量成分の含有量が多すぎると、陽極酸化によって細孔が形成されない部分ができ、スタンパの表面を転写した物品の反射率が十分に低くならない、透明性が低下する等、性能上の問題が発生する場合がある。 The content of trace components inevitable in production contained in the aluminum substrate (100% by mass) is that the silicon content is 0.03% by mass or less and the iron content is 0.05% by mass or less. It is preferable that the copper content is 0.02% by mass or less. If there is too much content of inevitable trace components in production, there will be a part where pores are not formed by anodic oxidation, the reflectivity of the article with the stamper surface transferred will not be sufficiently low, transparency will be reduced, etc. The above problem may occur.
アルミニウム基材の製造方法としては、アルミニウムのインゴット（鋳塊）に鍛造処理等を施して、アルミニウムの結晶粒を微細均一化し、ついで板状、円柱状、円筒状等の所望の形状に切断または切削した後、研磨等によって表面を鏡面化する方法が挙げられる。
表面を鏡面化する方法としては、機械研磨、羽布研磨、化学的研磨、電気化学的研磨（電解研磨等）等の方法が挙げられる。
アルミニウム基材の平均結晶粒径を１ｍｍ以下とし、被加工面の算術平均粗さＲａを０．０５μｍ以下とするには、後述するように、アルミニウムのインゴットに鍛造処理を施して、アルミニウムの平均結晶粒径が１ｍｍ以下になるように微細均一化し、所望の形状に加工した後、研磨により被加工面の算術平均粗さＲａを０．０５μｍ以下とすることが好ましい。
As a method for producing an aluminum substrate, a forging process or the like is performed on an aluminum ingot (ingot) to finely uniform aluminum crystal grains, and then cut into a desired shape such as a plate shape, a columnar shape, a cylindrical shape, or the like. After cutting, there is a method in which the surface is mirrored by polishing or the like.
Examples of the method for mirror-finishing the surface include methods such as mechanical polishing, bedding polishing, chemical polishing, and electrochemical polishing (such as electrolytic polishing).
In order to set the average crystal grain size of the aluminum base material to 1 mm or less and the arithmetic average roughness Ra of the work surface to 0.05 μm or less, as described later, the aluminum ingot is subjected to a forging process, and the average of the aluminum It is preferable that the arithmetic average roughness Ra of the surface to be processed is 0.05 μm or less by polishing after making the crystal grain size fine and uniform so as to be 1 mm or less and processing into a desired shape.
微細均一化の方法としては、より大きな加工度を素材に与えられる加工方法が採用される。加工方法としては、圧延処理又は鍛造処理が好ましい。ただし、圧延処理の場合、加工方向が一方向に限られるため、インゴットサイズと基材サイズにより加工度に制限がある場合がある。また、加工方向が一方向に限られるために圧延方向に筋状に伸びた不均一な組織が形成されてしまう場合がある。
このような不均一な組織を有するアルミニウム基材を用いてスタンパを製造すると、不均一な組織がマクロな模様として現れ、このようなスタンパから形成された転写面にも不均一なマクロな模様が生じてしまう。その結果、さらに不均一な組織を除去するためのさらなる処理が必要となる。
鍛造処理の場合、加工方向を自由に変えることが可能なため、圧延処理よりも大きな加工度を素材に与えることが可能である。
よって、より簡便な方法で微細均一組織を得ることができる点で鍛造処理がより好ましい。
また上述と同様の理由から、被加工面の算術平均粗さＲａを０．０５μｍ以下とするためには、圧延処理がされていない非圧延処理アルミニウム基材、または、圧延処理された後、圧延処理に起因した不均一な組織が除去されたアルミニウム基材を用いることが好ましい。
以下、鍛造処理に関して詳細に説明する。
As a method for fine uniformization, a processing method that gives a greater degree of processing to the material is adopted. As a processing method, a rolling process or a forging process is preferable. However, in the case of a rolling process, since the processing direction is limited to one direction, the degree of processing may be limited depending on the ingot size and the substrate size. Further, since the processing direction is limited to one direction, a non-uniform structure extending in a streak shape in the rolling direction may be formed.
When a stamper is manufactured using an aluminum base material having such a non-uniform structure, the non-uniform structure appears as a macro pattern, and the non-uniform macro pattern also appears on the transfer surface formed from such a stamper. It will occur. As a result, further processing is required to remove more uneven tissue.
In the case of the forging process, the processing direction can be freely changed, so that it is possible to give the material a greater degree of processing than the rolling process.
Therefore, the forging process is more preferable in that a fine uniform structure can be obtained by a simpler method.
In addition, for the same reason as described above, in order to set the arithmetic average roughness Ra of the work surface to 0.05 μm or less, the non-rolled aluminum base material that has not been subjected to the rolling treatment, or after the rolling treatment, It is preferable to use an aluminum substrate from which a non-uniform structure resulting from the treatment has been removed.
Hereinafter, the forging process will be described in detail.
（鍛造処理）
鍛造処理としては、熱間鍛造が好ましく、熱間鍛造と冷間鍛造との組み合わせがより好ましい。また、鍛造処理後にさらに熱処理を行うことが好ましい。
(Forging process)
As the forging process, hot forging is preferable, and a combination of hot forging and cold forging is more preferable. Further, it is preferable to further perform a heat treatment after the forging process.
熱間鍛造：
純度の高いアルミニウムのインゴットは、粗大不均一な組織になりやすく、このインゴットの粗大不均一な組織を破壊し、再結晶により微細均一組織を得るために熱間鍛造を行う。鍛造に供する前に、切断された鋳造素材を加熱炉に装入し、鍛造前に４００〜５００℃に加熱する。このときの加熱温度は、組織を微細均一にする上で重要である。
次に４００〜５００℃に加熱された素材を自由鍛造によって鍛造品を製造する。このときの加熱温度が５００℃を超えると、熱間鍛造時の再結晶粒が粗大化しやくなり、逆に４００℃に達しない加熱温度ではインゴットの粗大な組織の痕跡が不均一に残りやすくなるとともに、鍛造時の変形抵抗が大きくなり、鍛造品またはスタンパに割れが発生しやすくなる。加熱保持は、温度の均一化を図るために１時間程度行われる。鍛錬成型比は大きくとった方がインゴットの粗大不均一組織が残りにくく、（１／２Ｕ−２Ｓ）または（２Ｓ−１／２Ｕ）を１サイクルとした場合、２サイクル以上が好ましく、３サイクル以上がより好ましく、４サイクル以上がさらに好ましい。ただし、この鍛造サイクル数が多い場合、鍛造品の温度低下が大きくなるため、再結晶温度を下回りやすくなる。熱間鍛造中に３５０℃を下回った場合、４００℃以上に再加熱することが必要である。
Hot forging:
High-purity aluminum ingots tend to be coarse and non-uniform structures, and hot forging is performed to destroy the coarse and non-uniform structures of the ingot and obtain a fine uniform structure by recrystallization. Before being subjected to forging, the cut casting material is charged into a heating furnace and heated to 400 to 500 ° C. before forging. The heating temperature at this time is important for making the structure fine and uniform.
Next, a forged product is manufactured by free forging of the material heated to 400 to 500 ° C. If the heating temperature at this time exceeds 500 ° C., the recrystallized grains at the time of hot forging tend to be coarsened. Conversely, at a heating temperature that does not reach 400 ° C., traces of the coarse structure of the ingot tend to remain unevenly. At the same time, deformation resistance during forging increases, and cracks are likely to occur in the forged product or stamper. The heating and holding is performed for about 1 hour in order to make the temperature uniform. When the forging molding ratio is large, the coarse inhomogeneous structure of the ingot is less likely to remain, and when (1 / 2U-2S) or (2S-1 / 2U) is 1 cycle, 2 cycles or more are preferable, and 3 cycles or more. Is more preferable, and 4 cycles or more are more preferable. However, when the number of forging cycles is large, the temperature drop of the forged product becomes large, so that it easily falls below the recrystallization temperature. When it falls below 350 ° C. during hot forging, it is necessary to reheat to 400 ° C. or higher.
冷間鍛造：
冷間鍛造は、熱間鍛造で得られた微細均一組織をさらに微細化するために行う。素材は室温またはそれ以下の温度まで冷却しておく。素材を型鍛造によって上下方向に潰し、鍛造品を製造する。または、自由鍛造によって鍛造品を製造することもできる。冷間鍛造による歪の蓄積は、後の熱処理後に微細組織を得ることを目的としており、鍛錬成型比を割れ等の不具合が発生しない範囲で大きくとった方がより微細組織を得やすい。（１／２Ｕ−２Ｓ）または（２Ｓ−１／２Ｕ）を１サイクルとした場合、１サイクル以上３サイクル以下が好ましく、２サイクル以上３サイクル以下がより好ましい。３サイクルを超える鍛錬成型比は、割れが顕著になりやすい。３サイクル以下の鍛錬成型比の場合でも、鍛造により素材が発熱し温度が２００℃を超えると、その時点で歪が徐々に解放され熱処理後に微細組織を得られにくくなる。そのため２００℃を超えそうになった場合は一時鍛造を中断し空冷や水冷などを行い、歪の解放を制限する必要がある。
Cold forging:
Cold forging is performed to further refine the fine uniform structure obtained by hot forging. Allow the material to cool to room temperature or below. The material is crushed in the vertical direction by die forging to produce a forged product. Alternatively, a forged product can be manufactured by free forging. Accumulation of strain by cold forging is aimed at obtaining a fine structure after the subsequent heat treatment, and it is easier to obtain a fine structure if the forging ratio is increased within a range in which defects such as cracks do not occur. When (1 / 2U-2S) or (2S-1 / 2U) is 1 cycle, it is preferably 1 cycle or more and 3 cycles or less, and more preferably 2 cycles or more and 3 cycles or less. Forging ratios exceeding 3 cycles are prone to cracking. Even in the case of a wrought molding ratio of 3 cycles or less, if the material heats up due to forging and the temperature exceeds 200 ° C., the strain is gradually released at that time, making it difficult to obtain a microstructure after heat treatment. For this reason, when it is likely to exceed 200 ° C., it is necessary to interrupt the temporary forging, perform air cooling or water cooling, and limit the release of strain.
熱処理：
熱処理は、鍛造品に蓄積された歪みによる再結晶を起こさせ、均一微細な結晶粒を得るために行う。鍛造品は、加工中に導入された歪みが蓄積している。この歪みを駆動力とし一斉に多数の微細な再結晶粒を発生させ、均一で微細な結晶粒を得ることができる。
熱処理温度としては３００〜５００℃が好ましく、３００〜４００℃がより好ましい。
３００℃よりも低い温度の場合、鍛造組織が一部残ったままとなる可能性がある。逆に５００℃よりも高い温度の場合、再結晶粒の成長が顕著となり結晶粒が大きくなってしまう。熱処理時間は、３０分以上が好ましく、１時間以上がより好ましい。処理時間が３０分未満では再結晶が完了せず鍛造組織が残るという問題がある。
Heat treatment:
The heat treatment is performed in order to cause recrystallization due to the strain accumulated in the forged product and obtain uniform fine crystal grains. Forged products have accumulated strain introduced during processing. Using this strain as a driving force, a large number of fine recrystallized grains can be generated all at once, and uniform and fine crystal grains can be obtained.
As heat processing temperature, 300-500 degreeC is preferable and 300-400 degreeC is more preferable.
When the temperature is lower than 300 ° C., a part of the forged structure may remain. On the other hand, when the temperature is higher than 500 ° C., the growth of recrystallized grains becomes remarkable and the crystal grains become large. The heat treatment time is preferably 30 minutes or longer, and more preferably 1 hour or longer. If the treatment time is less than 30 minutes, there is a problem that recrystallization is not completed and a forged structure remains.
以上説明した本発明のアルミニウム基材にあっては、被加工面に露出した金属間化合物の合計の面積が０．１４％以下であり、被加工面における平均結晶粒径が１ｍｍ以下であり、被加工面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍ以下であるため、金属間化合物の脱落によるマクロな凹部や結晶粒に由来する凹凸の形成が抑えられたスタンパを得ることができる。そして、このようなスタンパを用いることによって、光の散乱の原因となるマクロな凸部、結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラを転写面に生じさせにくくなり、透明性が高く、転写面の外観が良好で、色ムラが少ない物品を得ることができる。 In the aluminum substrate of the present invention described above, the total area of intermetallic compounds exposed on the work surface is 0.14% or less, and the average crystal grain size on the work surface is 1 mm or less, Since the arithmetic average roughness Ra of the surface to be processed is 0.05 μm or less, it is possible to obtain a stamper in which formation of macro concave portions and irregularities due to crystal grains due to dropping of intermetallic compounds is suppressed. And, by using such a stamper, it becomes difficult to produce macro unevenness and color unevenness derived from crystal grains, which cause light scattering, on the transfer surface, and it has high transparency and transfer surface. An article having a good appearance and little color unevenness can be obtained.
＜スタンパの製造方法＞
本発明のスタンパの製造方法は、本発明のアルミニウム基材の被加工面を陽極酸化することによって周期が可視光の波長以下である複数の細孔からなる微細凹凸構造を被加工面に形成する方法である。
<Stamper manufacturing method>
In the stamper manufacturing method of the present invention, the processed surface of the aluminum substrate of the present invention is anodized to form a fine concavo-convex structure consisting of a plurality of pores having a period equal to or less than the wavelength of visible light on the processed surface. Is the method.
スタンパの製造方法としては、下記の工程を順に行う方法が好ましい。
第１の酸化皮膜形成工程（ａ）；
鏡面化されたアルミニウム基材の被加工面を電解液中、定電圧下で陽極酸化して、前記被加工面に酸化皮膜を形成する（以下、工程（ａ）とも記す。）。
酸化皮膜除去工程（ｂ）；
酸化皮膜を除去し、陽極酸化の細孔発生点を被加工面に形成する（以下、工程（ｂ）とも記す。）。
第２の酸化皮膜形成工程（ｃ）；
細孔発生点が形成されたアルミニウム基材の被加工面を電解液中、定電圧下で再度陽極酸化して、細孔発生点に対応した細孔を有する酸化皮膜を被加工面に形成する（以下、工程（ｃ）とも記す。）。
孔径拡大処理工程（ｄ）；
細孔の径を拡大させる（以下、工程（ｄ）とも記す。）。
繰り返し工程（ｅ）；
必要に応じて、第２の酸化皮膜形成工程（ｃ）と孔径拡大処理工程（ｄ）とを繰り返し行う（以下、工程（ｅ）とも記す。）。
As a stamper manufacturing method, a method of sequentially performing the following steps is preferable.
First oxide film forming step (a);
The processed surface of the mirror-finished aluminum substrate is anodized in an electrolytic solution under a constant voltage to form an oxide film on the processed surface (hereinafter also referred to as step (a)).
Oxide film removal step (b);
The oxide film is removed, and pore generation points for anodic oxidation are formed on the work surface (hereinafter also referred to as step (b)).
Second oxide film forming step (c);
The processed surface of the aluminum base material in which the pore generation point is formed is anodized again under a constant voltage in the electrolytic solution, and an oxide film having pores corresponding to the pore generation point is formed on the processed surface. (Hereinafter also referred to as step (c)).
Pore diameter expansion treatment step (d);
The diameter of the pores is enlarged (hereinafter also referred to as step (d)).
Repeating step (e);
If necessary, the second oxide film forming step (c) and the pore diameter expansion treatment step (d) are repeated (hereinafter also referred to as step (e)).
工程（ａ）〜（ｅ）を有する方法によれば、鏡面化されたアルミニウム基材の被加工面に、開口部から深さ方向に徐々に径が縮小するテーパ形状の細孔が周期的に形成され、その結果、微細凹凸構造を有する陽極酸化アルミナが表面に形成されたスタンパを得ることができる。 According to the method including the steps (a) to (e), tapered pores whose diameter gradually decreases in the depth direction from the opening are periodically formed on the processed surface of the mirror-finished aluminum base material. As a result, it is possible to obtain a stamper in which anodized alumina having a fine relief structure is formed on the surface.
工程（ａ）の前に、アルミニウム基材の被加工面の酸化皮膜を除去する前処理を行ってもよい。酸化皮膜を除去する方法としてはクロム酸／リン酸混合液に浸漬する方法等が挙げられる。
また、細孔の配列の規則性はやや低下するが、スタンパの表面を転写した材料の用途によっては工程（ａ）を行わず、工程（ｃ）から行ってもよい。
以下、各工程を詳細に説明する。
Before the step (a), a pretreatment for removing the oxide film on the processed surface of the aluminum base material may be performed. Examples of the method for removing the oxide film include a method of dipping in a chromic acid / phosphoric acid mixed solution.
Further, although the regularity of the arrangement of the pores is slightly lowered, the step (a) may be omitted from the step (c) depending on the use of the material to which the surface of the stamper is transferred.
Hereinafter, each process will be described in detail.
（工程（ａ））
第１の酸化皮膜形成工程（ａ）では、鏡面化されたアルミニウム基材の被加工面を電解液中、定電圧下で陽極酸化し、図１（ａ）に示すように、アルミニウム基材１０の被加工面に、細孔１１を有する酸化皮膜１２を形成する。
電解液としては、酸性電解液、アルカリ性電解液が挙げられ、酸性電解液が好ましい。
酸性電解液としては、シュウ酸、硫酸、これらの混合物等が挙げられる。
(Process (a))
In the first oxide film forming step (a), the processed surface of the mirror-finished aluminum base material is anodized under a constant voltage in an electrolytic solution, and as shown in FIG. An
Examples of the electrolytic solution include an acidic electrolytic solution and an alkaline electrolytic solution, and an acidic electrolytic solution is preferable.
Examples of the acidic electrolyte include oxalic acid, sulfuric acid, and a mixture thereof.
シュウ酸を電解液として用いる場合、シュウ酸の濃度は、０．７Ｍ以下が好ましい。シュウ酸の濃度が０．７Ｍを超えると、陽極酸化時の電流値が高くなりすぎて酸化皮膜の表面が粗くなることがある。
また、陽極酸化時の電圧を３０〜６０Ｖとすることにより、周期が１００ｎｍ程度の規則性の高い細孔を有する陽極酸化アルミナが表面に形成されたスタンパを得ることができる。陽極酸化時の電圧がこの範囲より高くても低くても規則性が低下する傾向にあり、周期が可視光の波長より大きくなることがある。
電解液の温度は、６０℃以下が好ましく、４５℃以下がより好ましい。電解液の温度が６０℃を超えると、いわゆる「ヤケ」といわれる現象が起こる傾向にあり、細孔が壊れたり、表面が溶けて細孔の規則性が乱れたりすることがある。
When oxalic acid is used as the electrolytic solution, the concentration of oxalic acid is preferably 0.7 M or less. If the concentration of oxalic acid exceeds 0.7M, the current value during anodic oxidation becomes too high, and the surface of the oxide film may become rough.
Further, by setting the voltage during anodic oxidation to 30 to 60 V, it is possible to obtain a stamper having anodic oxidized alumina having highly regular pores with a period of about 100 nm formed on the surface. Regardless of whether the voltage during anodization is higher or lower than this range, the regularity tends to decrease, and the period may be longer than the wavelength of visible light.
The temperature of the electrolytic solution is preferably 60 ° C. or lower, and more preferably 45 ° C. or lower. When the temperature of the electrolytic solution exceeds 60 ° C., a phenomenon called “burning” tends to occur, and the pores may be broken or the surface may melt and the regularity of the pores may be disturbed.
硫酸を電解液として用いる場合、硫酸の濃度は０．７Ｍ以下が好ましい。硫酸の濃度が０．７Ｍを超えると、陽極酸化時の電流値が高くなりすぎて定電圧を維持できなくなることがある。
また、陽極酸化時の電圧を２５〜３０Ｖとすることにより、周期が６３ｎｍ程度の規則性の高い細孔を有する陽極酸化アルミナが表面に形成されたスタンパを得ることができる。陽極酸化時の電圧がこの範囲より高くても低くても規則性が低下する傾向があり、周期が可視光の波長より大きくなることがある。
電解液の温度は、３０℃以下が好ましく、２０℃以下がより好ましい。電解液の温度が３０℃を超えると、いわゆる「ヤケ」といわれる現象が起こる傾向にあり、細孔が壊れたり、表面が溶けて細孔の規則性が乱れたりすることがある。
When sulfuric acid is used as the electrolytic solution, the concentration of sulfuric acid is preferably 0.7 M or less. If the concentration of sulfuric acid exceeds 0.7M, the current value at the time of anodization may become too high to maintain a constant voltage.
Further, by setting the voltage during anodization to 25 to 30 V, it is possible to obtain a stamper on which anodized alumina having highly regular pores with a period of about 63 nm is formed on the surface. Regardless of whether the voltage during anodization is higher or lower than this range, the regularity tends to decrease, and the period may be longer than the wavelength of visible light.
The temperature of the electrolytic solution is preferably 30 ° C. or less, and more preferably 20 ° C. or less. When the temperature of the electrolytic solution exceeds 30 ° C., a phenomenon called “burning” tends to occur, and the pores may be broken or the surface may melt and the regularity of the pores may be disturbed.
工程（ａ）では、陽極酸化を長時間施すことで形成される酸化皮膜が厚くなり、細孔の配列の規則性を向上させることができるが、その際、酸化皮膜の厚さを３０μｍ以下とすることにより、結晶粒界によるマクロな凹凸がより抑制され、光学用途の物品の製造により適したスタンパを得ることができる。酸化皮膜の厚さは、１〜１０μｍがより好ましく、１〜３μｍがさらに好ましい。酸化皮膜の厚さは、電界放出形走査電子顕微鏡等で観察できる。 In the step (a), the oxide film formed by anodizing for a long time becomes thick and the regularity of the arrangement of the pores can be improved. At that time, the thickness of the oxide film is 30 μm or less. By doing so, the macro unevenness | corrugation by a crystal grain boundary is suppressed more, and the stamper more suitable for manufacture of the articles | goods for optical uses can be obtained. As for the thickness of an oxide film, 1-10 micrometers is more preferable, and 1-3 micrometers is still more preferable. The thickness of the oxide film can be observed with a field emission scanning electron microscope or the like.
（工程（ｂ））
工程（ａ）の後、工程（ａ）により形成された酸化皮膜１２を除去することにより、図１（ｂ）に示すように、除去された酸化皮膜１２の底部（バリア層と呼ばれる）に対応する周期的な窪み、すなわち、細孔発生点１３を形成する（酸化皮膜除去工程（ｂ））。
形成された酸化皮膜１２を一旦除去し、陽極酸化の細孔発生点１３を形成することで、最終的に形成される細孔の規則性を向上させることができる（例えば、益田、「応用物理」、２０００年、第６９巻、第５号、ｐ．５５８参照。）。
(Process (b))
After the step (a), the
By removing the formed
酸化皮膜１２を除去する方法としては、アルミニウムを溶解せず、アルミナを選択的に溶解する溶液によって除去する方法が挙げられる。このような溶液としては、例えば、クロム酸／リン酸混合液等が挙げられる。
Examples of the method for removing the
（工程（ｃ））
細孔発生点１３が形成されたアルミニウム基材１０を電解液中、定電圧下で再度陽極酸化し、再び酸化皮膜を形成する（第２の酸化皮膜形成工程（ｃ））。
工程（ｃ）では、工程（ａ）と同様の条件（電解液濃度、電解液温度、化成電圧等）下で陽極酸化すればよい。
これにより、図１（ｃ）に示すように、円柱状の細孔１４が形成された酸化皮膜１５を形成できる。工程（ｃ）においても、陽極酸化を長時間施すほど、深い細孔を得ることができるが、例えば反射防止物品などの光学用の物品を製造するためのスタンパを製造する場合には、ここでは０．０１〜０．５μｍ程度の酸化皮膜を形成すればよく、工程（ａ）で形成するほどの厚さの酸化皮膜を形成する必要はない。
(Process (c))
The
In step (c), anodization may be performed under the same conditions (electrolyte concentration, electrolyte temperature, chemical conversion voltage, etc.) as in step (a).
Thereby, as shown in FIG.1 (c), the
（工程（ｄ））
工程（ｃ）の後、工程（ｃ）で形成された細孔１４の径を拡大させる孔径拡大処理を行って、図１（ｄ）に示すように、細孔１４の径を図１（ｃ）の場合よりも拡径する（孔径拡大処理工程（ｄ））。
孔径拡大処理の具体的方法としては、アルミナを溶解する溶液に浸漬して、工程（ｃ）で形成された細孔の径をエッチングにより拡大させる方法が挙げられる。このような溶液としては、例えば、５質量％程度のリン酸水溶液等が挙げられる。工程（ｄ）の時間を長くするほど、細孔の径は大きくなる。
(Process (d))
After the step (c), a pore diameter enlargement process for enlarging the diameter of the
As a specific method of the pore diameter expansion treatment, a method of immersing in a solution dissolving alumina and expanding the diameter of the pores formed in the step (c) by etching can be mentioned. Examples of such a solution include a phosphoric acid aqueous solution of about 5% by mass. The longer the time of step (d), the larger the pore diameter.
（工程（ｅ））
再度、工程（ｃ）を行って、図１（ｅ）に示すように、細孔１４の形状を径の異なる２段の円柱状とし、その後、再度、工程（ｄ）を行う。このように工程（ｃ）と工程（ｄ）を繰り返す、繰り返し工程（ｅ）により、図１（ｆ）に示すように、細孔１４の形状を開口部から深さ方向に徐々に径が縮小するテーパ形状にでき、その結果、周期的な複数の細孔からなる微細凹凸構造が形成された陽極酸化アルミナが表面に形成されたスタンパ２０を得ることができる。
(Process (e))
Step (c) is performed again, and as shown in FIG. 1 (e), the shape of the
工程（ｃ）および工程（ｄ）の条件、例えば、陽極酸化の時間および孔径拡大処理の時間を適宜設定することにより、様々な形状の細孔を形成することができる。よって、スタンパから製造しようとする物品の用途等に応じて、これら条件を適宜設定すればよい。また、このスタンパが反射防止膜等の反射防止物品を製造するものである場合には、このように条件を適宜設定することにより、細孔の周期や深さを任意に変更できるため、最適な屈折率変化を設計することも可能となる。 By appropriately setting the conditions of the step (c) and the step (d), for example, the time for anodization and the time for the pore size expansion treatment, pores having various shapes can be formed. Therefore, these conditions may be set as appropriate according to the use of the article to be manufactured from the stamper. In addition, when this stamper is for manufacturing an antireflection article such as an antireflection film, the period and depth of the pores can be arbitrarily changed by appropriately setting the conditions in this way, so that the optimum It is also possible to design a refractive index change.
具体的には、同じ条件で工程（ｃ）と工程（ｄ）とを繰り返せば、図２に示すような略円錐形状の細孔１４が形成され、工程（ｃ）と工程（ｄ）の処理時間を適宜変化させることで、図３に示すような逆釣鐘形状の細孔１４や、図４に示すような先鋭形状の細孔１４等を適宜形成できる。
Specifically, if step (c) and step (d) are repeated under the same conditions, a substantially
工程（ｅ）における繰り返し回数は、回数が多いほどより滑らかなテーパ形状の細孔を形成でき、工程（ｃ）と工程（ｄ）との合計で３回以上が好ましく、５回以上がより好ましい。繰り返し回数が２回以下では、非連続的に細孔の径が減少する傾向にあり、このようなスタンパから反射防止膜等の反射防止物品を製造した場合、その反射率低減効果が劣る可能性がある。 As the number of repetitions in the step (e), the larger the number, the smoother the tapered pores can be formed, and the total of the step (c) and the step (d) is preferably 3 times or more, more preferably 5 times or more. . If the number of repetitions is 2 times or less, the diameter of the pores tends to decrease discontinuously, and when an antireflection article such as an antireflection film is manufactured from such a stamper, the reflectance reduction effect may be inferior. There is.
こうして製造されたスタンパは、多数の周期的な細孔が形成された結果、表面に微細凹凸構造を有するものとなる。そして、この微細凹凸構造における細孔の周期が可視光の波長以下、すなわち４００ｎｍ以下であると、いわゆるＭｏｔｈ−Ｅｙｅ構造となり、有効な反射防止機能を発現する。
周期は、図２に示すように、微細凹凸構造の凹部（細孔）の中心からこれに隣接する凹部（細孔）の中心までの距離（図中のｐ）である。
周期が４００ｎｍより大きいと可視光の散乱が起こるため、十分な反射防止機能は発現せず、反射防止膜等の反射防止物品の製造には適さない。
The stamper thus manufactured has a fine concavo-convex structure on the surface as a result of the formation of a large number of periodic pores. If the period of the pores in the fine concavo-convex structure is less than or equal to the wavelength of visible light, that is, 400 nm or less, a so-called Moth-Eye structure is obtained, and an effective antireflection function is exhibited.
As shown in FIG. 2, the period is the distance (p in the figure) from the center of the recess (pore) of the fine concavo-convex structure to the center of the recess (pore) adjacent thereto.
When the period is larger than 400 nm, visible light scattering occurs, so that a sufficient antireflection function is not exhibited, and it is not suitable for manufacturing an antireflection article such as an antireflection film.
スタンパが反射防止膜等の反射防止物品を製造するものである場合には、細孔の周期が可視光の波長以下であるとともに、細孔の深さは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。
深さは、図２に示すように、微細凹凸構造の凹部（細孔）の開口部から最深部までの距離（図中のＤｅｐ）である。
細孔の深さが５０ｎｍ以上であれば、スタンパの表面の転写により形成された光学用途の物品の表面、すなわち転写面の反射率が低下する。
When the stamper is for producing an antireflection article such as an antireflection film, the period of the pores is preferably not more than the wavelength of visible light, and the depth of the pores is preferably 50 nm or more, and 100 nm. More preferably.
As shown in FIG. 2, the depth is a distance (Dep in the figure) from the opening of the concave portion (pore) of the fine concavo-convex structure to the deepest portion.
If the depth of the pore is 50 nm or more, the reflectance of the surface of the article for optical use formed by the transfer of the stamper surface, that is, the transfer surface is lowered.
また、スタンパの細孔のアスペクト比（深さ／周期）は１．０〜４．０が好ましく、１．３〜３．５が好ましく、１．８〜３．５がさらに好ましく、２．０〜３．０が最も好ましい。アスペクト比が１．０以上であれば、反射率が低い転写面を形成でき、その入射角依存性や波長依存性も十分に小さくなる。同じ結晶粒径ならばアスペクト比が高いと転写面の反射率の波長依存性が小さくなり、結晶粒による色ムラも低減される傾向にある。アスペクト比が１．８以上でその傾向が顕著になる。アスペクト比が４．０より大きいと転写面の機械的強度が低下する傾向がある。 The aspect ratio (depth / cycle) of the pores of the stamper is preferably 1.0 to 4.0, preferably 1.3 to 3.5, more preferably 1.8 to 3.5, 2.0 -3.0 is most preferred. When the aspect ratio is 1.0 or more, a transfer surface with low reflectance can be formed, and the incident angle dependency and wavelength dependency thereof are sufficiently reduced. If the crystal grain size is the same, if the aspect ratio is high, the wavelength dependency of the reflectance of the transfer surface is reduced, and color unevenness due to the crystal grains tends to be reduced. The tendency becomes remarkable when the aspect ratio is 1.8 or more. If the aspect ratio is greater than 4.0, the mechanical strength of the transfer surface tends to decrease.
微細凹凸構造が形成されたスタンパの表面における結晶粒界による凹凸の高さは、６００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましい。結晶粒界による凹凸の高さが６００ｎｍ以上であると、スタンパの表面を転写した際に、転写面にスタンパの原料であるアルミニウムの結晶粒界の段差に由来するマクロな凹凸も転写され、外観が低下する傾向にある。結晶粒界による凹凸の高さの下限は、特に限定されないが、低すぎるとスタンパの製造時における第１の酸化皮膜形成工程（ａ）での陽極酸化が短時間になり、細孔の配列の規則性が低下し、目的の微細凹凸構造が得られない場合がある。結晶粒界により凹凸の高さを上記範囲にするためには、工程（ａ）での酸化皮膜の厚さを上述の範囲にすることが好ましい。 The height of the unevenness due to the crystal grain boundary on the surface of the stamper on which the fine uneven structure is formed is preferably 600 nm or less, and more preferably 500 nm or less. When the height of the unevenness due to the crystal grain boundary is 600 nm or more, when the stamper surface is transferred, macro unevenness derived from the level difference of the crystal grain boundary of aluminum, which is the stamper material, is also transferred to the transfer surface. Tend to decrease. The lower limit of the height of the unevenness due to the crystal grain boundary is not particularly limited, but if it is too low, the anodic oxidation in the first oxide film forming step (a) at the time of manufacturing the stamper becomes a short time, and the arrangement of the pores The regularity is lowered, and the desired fine uneven structure may not be obtained. In order to make the height of the unevenness within the above range due to the crystal grain boundary, it is preferable that the thickness of the oxide film in the step (a) is within the above range.
結晶粒界による凹凸の高さは、下記の方法で求められる。
まず、スタンパの表面を走査型白色干渉計３次元プロファイラーシステム（Ｚｙｇｏ社製、Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ６３００）を用いて観察し、視野をつなぎ合わせて１０ｍｍ角の観察結果を得る。該１０ｍｍ角における任意の１０点の結晶粒界の段差の高さを測定し、それらの平均値を「結晶粒界による凹凸の高さ」とする。また、本発明において、結晶粒界による凹凸の「高さ」と「深さ」は同じ意味をなすものとする。
The height of the unevenness due to the crystal grain boundary is obtained by the following method.
First, the surface of the stamper is observed using a scanning white light interferometer three-dimensional profiler system (manufactured by Zygo, New View 6300), and the visual field is joined to obtain an observation result of 10 mm square. The height of the step of the crystal grain boundary at any 10 points in the 10 mm square is measured, and the average value thereof is defined as “the height of the unevenness due to the crystal grain boundary”. Further, in the present invention, the “height” and “depth” of the unevenness caused by the crystal grain boundaries have the same meaning.
スタンパの形状は、平板でもあってもよく、ロール状であってもよい。
スタンパの微細凹凸構造が形成された表面は、離型が容易になるように、離型処理が施されていてもよい。離型処理の方法としては、例えば、シリコーン系ポリマーやフッ素ポリマーをコーティングする方法、フッ素化合物を蒸着する方法、フッ素系またはフッ素シリコーン系のシランカップリング剤をコーティングする方法等が挙げられる。
The shape of the stamper may be a flat plate or a roll.
The surface on which the fine uneven structure of the stamper is formed may be subjected to a release treatment so that the release is easy. Examples of the release treatment method include a method of coating a silicone-based polymer or a fluorine polymer, a method of depositing a fluorine compound, a method of coating a fluorine-based or fluorine-silicone-based silane coupling agent, and the like.
また、以上の説明では、第２の酸化皮膜形成工程（ｃ）の後に孔径拡大処理工程（ｄ）を実施することで、開口部から深さ方向に径が縮小する細孔を形成する場合について例示したが、工程（ｃ）の後に必ずしも工程（ｄ）を行わなくてもよい。その場合には、形成される細孔は円柱状となるが、このようなスタンパにより製造された微細凹凸構造を備える光学用途の物品であっても、この構造からなる層が低屈折率層として作用し、反射を低減する効果は期待できる。 Moreover, in the above description, a case where pores whose diameter is reduced from the opening in the depth direction is formed by performing the pore diameter enlargement process step (d) after the second oxide film formation step (c). Although illustrated, the step (d) is not necessarily performed after the step (c). In that case, although the formed pores are cylindrical, even in an article for optical applications having a fine concavo-convex structure manufactured by such a stamper, the layer having this structure is used as a low refractive index layer. The effect of acting and reducing reflection can be expected.
また、本発明の製造方法で得られたスタンパからは、直接、光学用途の物品等の製品を製造できるが、スタンパを原型として、まずレプリカを作製し、このレプリカから光学用途の物品を製造してもよい。また、このレプリカを原型として再度レプリカを作製してそのレプリカから光学用途の物品を製造してもよい。レプリカの作製方法としては、例えば、原型上にニッケル、銀等による薄膜を無電界めっき、スパッタ法等により形成し、ついでこの薄膜を電極として電気めっき（電鋳法）を行って、例えばニッケルを堆積させた後、このニッケル層を原型から剥離して、レプリカとする方法等が挙げられる。 In addition, from the stamper obtained by the production method of the present invention, products such as optical articles can be directly manufactured. First, a replica is prepared using the stamper as a prototype, and an optical article is manufactured from the replica. May be. Alternatively, a replica may be produced again using this replica as a prototype, and an article for optical use may be produced from the replica. As a method for producing a replica, for example, a thin film made of nickel, silver, or the like is formed on a master by electroless plating, sputtering, or the like, and then electroplating (electroforming) is performed using the thin film as an electrode. Examples of the method include a method in which the nickel layer is peeled off from the original mold after being deposited to form a replica.
以上説明した本発明のスタンパの製造方法にあっては、本発明のアルミニウム基材の被加工面を用いているため、上述したように、金属間化合物の脱落によるマクロな凹部や結晶粒に由来する凹凸の形成が抑えられたスタンパを得ることができる。このようなスタンパは、光の散乱の原因となるマクロな凸部、結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラを転写面に生じさせにくいため、透明性が高く、転写面の外観が良好で、色ムラが少ない、光学用途の物品の製造に有用である。 In the stamper manufacturing method of the present invention described above, since the work surface of the aluminum base material of the present invention is used, as described above, it originates from macroscopic recesses and crystal grains due to the dropping of intermetallic compounds. Thus, it is possible to obtain a stamper in which the formation of unevenness is suppressed. Such a stamper is highly transparent and has a good appearance on the transfer surface because it does not easily cause macro projections that cause light scattering, macro unevenness or color unevenness derived from crystal grains on the transfer surface. It is useful for producing articles for optical use with little color unevenness.
＜物品の製造方法＞
本発明の製造方法によって得られたスタンパを用いることによって、スタンパの表面の微細凹凸構造が転写された転写面を有する物品を製造できる。
物品の製造方法としては、例えば、下記の方法が挙げられる。
（１）スタンパと透明基材との間に活性エネルギー線硬化性組成物を配し、活性エネルギー線硬化性組成物がスタンパに接触した状態で、該活性エネルギー線硬化性組成物に活性エネルギー線を照射して、該活性エネルギー線硬化性組成物を硬化した後、スタンパを剥離し、透明基材の表面に活性エネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる微細凹凸構造が形成された物品を得る方法。
（２）スタンパと透明基材との間に活性エネルギー線硬化性組成物を配し、活性エネルギー線硬化性組成物にスタンパの表面の微細凹凸構造を転写し、スタンパを剥離した後、該活性エネルギー線硬化性組成物に活性エネルギー線を照射して、該活性エネルギー線硬化性組成物を硬化し、透明基材の表面に活性エネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる微細凹凸構造が形成された物品を得る方法。
<Production method>
By using the stamper obtained by the manufacturing method of the present invention, an article having a transfer surface onto which the fine uneven structure on the surface of the stamper is transferred can be manufactured.
Examples of the manufacturing method of the article include the following methods.
(1) An active energy ray curable composition is disposed between a stamper and a transparent substrate, and the active energy ray curable composition is in contact with the active energy ray curable composition in a state where the active energy ray curable composition is in contact with the stamper. After the active energy ray-curable composition is cured by irradiating, an article having a fine concavo-convex structure formed of a cured product of the active energy ray-curable composition is formed on the surface of the transparent substrate by peeling the stamper. How to get.
(2) An active energy ray-curable composition is disposed between the stamper and the transparent substrate, the fine uneven structure on the surface of the stamper is transferred to the active energy ray-curable composition, the stamper is peeled off, and then the activity The active energy ray curable composition is irradiated with the active energy ray to cure the active energy ray curable composition, and a fine uneven structure comprising a cured product of the active energy ray curable composition is formed on the surface of the transparent substrate. To obtain a finished article.
以下、（１）の方法について詳細に説明する。
スタンパと透明基材とを対向させ、これらの間に活性エネルギー線硬化性組成物を充填、配置する。この際、スタンパの微細凹凸構造が形成された側の面（スタンパの表面）が、透明基材と対向するようにする。ついで、充填された活性エネルギー線硬化性組成物に、透明基材を介して活性エネルギー線（可視光線、紫外線、電子線、プラズマ、赤外線等の熱線）を例えば高圧水銀ランプやメタルハライドランプから照射して、活性エネルギー線硬化性組成物を硬化する。その後、スタンパを剥離する。その結果、透明基材の表面に、活性エネルギー線硬化性組成物の硬化物からなる微細凹凸構造が形成された物品が得られる。この際、必要に応じて、スタンパの剥離後に再度活性エネルギー線を照射してもよい。
活性エネルギー線の照射量は、硬化が進行するエネルギー量であればよく、通常、１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２である。
Hereinafter, the method (1) will be described in detail.
The stamper and the transparent substrate are opposed to each other, and the active energy ray-curable composition is filled and disposed between them. At this time, the surface of the stamper on which the fine concavo-convex structure is formed (the surface of the stamper) is made to face the transparent substrate. Next, the filled active energy ray-curable composition is irradiated with active energy rays (heat rays such as visible rays, ultraviolet rays, electron beams, plasma, infrared rays) from a high-pressure mercury lamp or metal halide lamp through a transparent substrate. Then, the active energy ray-curable composition is cured. Thereafter, the stamper is peeled off. As a result, an article is obtained in which a fine concavo-convex structure made of a cured product of the active energy ray-curable composition is formed on the surface of the transparent substrate. At this time, if necessary, the active energy ray may be irradiated again after the stamper is peeled off.
The irradiation amount of an active energy ray should just be the energy amount which hardening progresses, and is 100-10000mJ / cm < 2 > normally.
透明基材の材料としては、活性エネルギー線の照射を著しく阻害しないものであればよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルメタクリレート（共）重合体、ポリカーボネート、スチレン（共）重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリエーテルケトン、ポリウレタン、シクロオレフィンポリマー、ガラス、石英、水晶等が挙げられる。
透明基材の形状は、製造する物品に応じて適宜選択でき、例えば、反射防止膜等の反射防止物品の場合には、シート状またはフィルム状が好ましい。
透明基材の表面は、活性エネルギー線硬化性組成物との密着性、帯電防止性、耐擦傷性、耐候性等の改良のために、例えば各種コーティング、コロナ放電処理等が施されていてもよい。
The material of the transparent substrate may be any material that does not significantly inhibit the irradiation of active energy rays. For example, polyethylene terephthalate (PET), methyl methacrylate (co) polymer, polycarbonate, styrene (co) polymer, methyl methacrylate -Styrene copolymer, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, polyester, polyamide, polyimide, polyether sulfone, polysulfone, polypropylene, polymethylpentene, polyvinyl chloride, polyvinyl acetal, polyether ketone, polyurethane, Examples thereof include cycloolefin polymer, glass, quartz, and quartz.
The shape of the transparent substrate can be appropriately selected depending on the article to be produced. For example, in the case of an antireflection article such as an antireflection film, a sheet form or a film form is preferable.
The surface of the transparent substrate may be subjected to, for example, various coatings, corona discharge treatment, etc. in order to improve adhesion to the active energy ray-curable composition, antistatic properties, scratch resistance, weather resistance, etc. Good.
活性エネルギー線硬化性組成物は、分子中にラジカル重合性結合および／またはカチオン重合性結合を有するモノマー、オリゴマー、反応性ポリマーを適宜含むものであり、非反応性のポリマーを含むものでもよい。また、活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物であってもよい。 The active energy ray-curable composition appropriately includes a monomer, oligomer, or reactive polymer having a radical polymerizable bond and / or a cationic polymerizable bond in the molecule, and may include a non-reactive polymer. Moreover, an active energy ray sol-gel reactive composition may be sufficient.
ラジカル重合性結合を有するモノマーとしては、例えば、下記のものが挙げられる。
単官能モノマー：（メタ）アクリレート誘導体（メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート等）、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリロニトリル、スチレン誘導体（スチレン、α−メチルスチレン等）、（メタ）アクリルアミド誘導体（（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等）等。
Examples of the monomer having a radical polymerizable bond include the following.
Monofunctional monomer: (meth) acrylate derivative (methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, iso-butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) Acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl ( (Meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, allyl (meth) acrylate Relate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, etc.), (meth) acrylic acid, (meth) acrylonitrile, styrene Derivatives (styrene, α-methylstyrene, etc.), (meth) acrylamide derivatives ((meth) acrylamide, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-diethyl (meth) acrylamide, dimethylaminopropyl (meth) acrylamide, etc.) and the like.
二官能性モノマー：エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性ジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル）プロパン、１，２−ビス（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）エタン、１，４−ビス（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）ブタン、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物ジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、メチレンビスアクリルアミド等。 Bifunctional monomer: ethylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, isocyanuric acid ethylene oxide modified di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, Neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,5-pentanediol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, polybutylene glycol di ( (Meth) acrylate, 2,2-bis (4- (meth) acryloxypolyethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4- (meth) acryloxyethoxyphenyl) propane, 2,2-bis (4- ( 3- (meta) Acryloxy-2-hydroxypropoxy) phenyl) propane, 1,2-bis (3- (meth) acryloxy-2-hydroxypropoxy) ethane, 1,4-bis (3- (meth) acryloxy-2-hydroxypropoxy) butane , Dimethylol tricyclodecane di (meth) acrylate, ethylene oxide adduct di (meth) acrylate of bisphenol A, propylene oxide adduct di (meth) acrylate of bisphenol A, neopentyl glycol di (meth) acrylate of hydroxypivalate, Divinylbenzene, methylenebisacrylamide, etc.
三官能モノマー：ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリアクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート等。
多官能のモノマー：コハク酸／トリメチロールエタン／アクリル酸の縮合反応混合物、ジペンタエリストールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート等。
二官能以上のウレタンアクリレート、二官能以上のポリエステルアクリレート等。
ラジカル重合性結合を有するモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
Trifunctional monomer: pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified tri (meth) acrylate, trimethylolpropane propylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate , Isocyanuric acid ethylene oxide modified tri (meth) acrylate and the like.
Multifunctional monomer: Succinic acid / trimethylolethane / acrylic acid condensation reaction mixture, dipentaerystol hexa (meth) acrylate, dipentaerystol penta (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, tetramethylolmethanetetra ( (Meth) acrylate and the like.
Bifunctional or higher urethane acrylate, bifunctional or higher polyester acrylate, etc.
As the monomer having a radical polymerizable bond, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
カチオン重合性結合を有するモノマーとしては、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリル基、ビニルオキシ基等を有するモノマーが挙げられ、これらの中でもエポキシ基を有するモノマーが特に好ましい。
オリゴマーおよび反応性ポリマーとしては、不飽和ポリエステル類（不飽和ジカルボン酸と多価アルコールとの縮合物等）、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、カチオン重合型エポキシ化合物、側鎖にラジカル重合性結合を有する上述のモノマーの単独または共重合ポリマー等が挙げられる。
非反応性のポリマーとしては、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
Examples of the monomer having a cationic polymerizable bond include monomers having an epoxy group, an oxetanyl group, an oxazolyl group, a vinyloxy group, and the like. Among these, a monomer having an epoxy group is particularly preferable.
Examples of oligomers and reactive polymers include unsaturated polyesters (condensates of unsaturated dicarboxylic acids and polyhydric alcohols), polyester (meth) acrylates, polyether (meth) acrylates, polyol (meth) acrylates, and epoxy (meth) ) Acrylate, urethane (meth) acrylate, cationic polymerization type epoxy compound, homopolymer or copolymer of the above-mentioned monomers having a radical polymerizable bond in the side chain.
Non-reactive polymers include acrylic resins, styrene resins, polyurethane resins, cellulose resins, polyvinyl butyral resins, polyester resins, thermoplastic elastomers, and the like.
活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物としては、例えば、アルコキシシラン化合物、アルキルシリケート化合物等が挙げられる。 Examples of the active energy ray sol-gel reactive composition include alkoxysilane compounds and alkylsilicate compounds.
アルコキシシラン化合物としては、ＲｘＳｉ（ＯＲ’）ｙで表されるものが挙げられる。ＲおよびＲ’は炭素数１〜１０のアルキル基を表し、ｘおよびｙはｘ＋ｙ＝４の関係を満たす整数である。
具体的には、テトラメトキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリメチルブトキシシランなどが挙げられる。
Examples of the alkoxysilane compound include those represented by R x Si (OR ′) y . R and R ′ represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and x and y are integers satisfying the relationship of x + y = 4.
Specifically, tetramethoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-sec-butoxysilane, tetra-tert-butoxysilane, methyltriethoxysilane, methyl Examples include tripropoxysilane, methyltributoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, trimethylethoxysilane, trimethylmethoxysilane, trimethylpropoxysilane, and trimethylbutoxysilane.
アルキルシリケート化合物としては、Ｒ１Ｏ［Ｓｉ（ＯＲ３）（ＯＲ４）Ｏ］ｚＲ２で表されるものが挙げられる。Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｚは３〜２０の整数を表す。
具体的にはメチルシリケート、エチルシリケート、イソプロピルシリケート、ｎ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケート、ｎ−ペンチルシリケート、アセチルシリケートなどが挙げられる。
Examples of the alkyl silicate compound include those represented by R 1 O [Si (OR 3 ) (OR 4 ) O] z R 2 . R 1 to R 4 each represent an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and z represents an integer of 3 to 20.
Specific examples include methyl silicate, ethyl silicate, isopropyl silicate, n-propyl silicate, n-butyl silicate, n-pentyl silicate, acetyl silicate and the like.
活性エネルギー線硬化性組成物は、通常、硬化のための重合開始剤を含む。重合開始剤としては、公知のものを用いることができる。 The active energy ray-curable composition usually contains a polymerization initiator for curing. A well-known thing can be used as a polymerization initiator.
光反応を利用する場合、光開始剤としては、例えば、カルボニル化合物（ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾフェノン、ｐ−メトキシベンゾフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、メチルフェニルグリオキシレート、エチルフェニルグリオキシレート、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等）、硫黄化合物（テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド等）、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ベンゾイルジエトキシフォスフィンオキサイド等が挙げられる。光開始剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 When utilizing photoreaction, photoinitiators include, for example, carbonyl compounds (benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl, benzophenone, p-methoxybenzophenone, 2,2-di- Ethoxyacetophenone, α, α-dimethoxy-α-phenylacetophenone, methylphenylglyoxylate, ethylphenylglyoxylate, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane -1-one), sulfur compounds (tetramethylthiuram monosulfide, tetramethylthiuram disulfide, etc.), 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, benzoyldi Butoxy phosphine oxide and the like. A photoinitiator may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
電子線硬化反応を利用する場合、重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェノン、メチルオルソベンゾイルベンゾエート、４−フェニルベンゾフェノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、チオキサントン（２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン等）、アセトフェノン（ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン等）、ベンゾインエーテル（ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等）、アシルホスフィンオキサイド（２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド等）、メチルベンゾイルホルメート、１，７−ビスアクリジニルヘプタン、９−フェニルアクリジン等が挙げられる。重合開始剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。 When using an electron beam curing reaction, examples of the polymerization initiator include benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone, methyl orthobenzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, t- Butylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, thioxanthone (2,4-diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, etc.), acetophenone (diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-1- ON, benzyldimethyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl-phenylketone, 2-methyl-2-morpholino (4-thiomethylphenyl) propan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino- -(4-morpholinophenyl) -butanone, etc.), benzoin ether (benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, etc.), acylphosphine oxide (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, etc.), methylbenzoylformate, 1,7-bisacridini Examples include luheptane and 9-phenylacridine. A polymerization initiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
熱反応を利用する場合、熱重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物（メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクトエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ラウロイルパーオキサイド等）、アゾ系化合物（アゾビスイソブチロニトリル等）、前記有機過酸化物にＮ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−トルイジン等のアミンを組み合わせたレドックス重合開始剤等が挙げられる。 When a thermal reaction is used, examples of the thermal polymerization initiator include organic peroxides (methyl ethyl ketone peroxide, benzoyl peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, tert-butyl peroxide). Oxyoctoate, t-butylperoxybenzoate, lauroyl peroxide, etc.), azo compounds (azobisisobutyronitrile, etc.), N, N-dimethylaniline, N, N-dimethyl-p -The redox polymerization initiator etc. which combined amines, such as toluidine, are mentioned.
重合開始剤の添加量は、活性エネルギー線硬化性組成物１００質量部に対して０．１〜１０質量部が好ましい。添加量が０．１質量部以上であれば、重合が進行しやすくなる。添加量が１０質量部以下であれば、得られる硬化物が着色したり、機械的強度が低下したりすることがない。 The addition amount of the polymerization initiator is preferably 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the active energy ray-curable composition. If the addition amount is 0.1 parts by mass or more, the polymerization tends to proceed. If the addition amount is 10 parts by mass or less, the obtained cured product will not be colored or the mechanical strength will not be reduced.
活性エネルギー線硬化性組成物には、上述したもの以外に、帯電防止剤、離型剤、レベリング剤、スリップ剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、安定剤、防汚性を向上させるためのフッ素化合物等の添加剤、微粒子、少量の溶剤等が添加されていてもよい。 In addition to those described above, the active energy ray-curable composition includes an antistatic agent, a release agent, a leveling agent, a slip agent, an ultraviolet absorber, an antioxidant, a stabilizer, and fluorine for improving antifouling properties. Additives such as compounds, fine particles, a small amount of solvent, and the like may be added.
このようにして製造された物品は、スタンパの表面に形成された複数の細孔からなる微細凹凸構造が、鍵穴と鍵の関係で転写された転写面を備えている。そして、この転写面には、金属間化合物の脱落によるマクロな凹部が転写されたマクロな凸部やスタンパの結晶粒に由来するマクロな凹凸や色ムラが生じにくい。
このような物品は、光学用途の物品、特に反射防止膜や立体形状の反射防止体等の反射防止物品として好適である。特にディスプレイの前面板や保護板等、像面から距離がある部材の表面に設ける反射防止物品には透明性が高いことが必要とされる。
The article thus manufactured has a transfer surface on which a fine concavo-convex structure composed of a plurality of pores formed on the surface of a stamper is transferred in a relationship between a key hole and a key. The transfer surface is less likely to have macro unevenness or color unevenness derived from macro convex portions or stamper crystal grains to which macro concave portions due to the removal of intermetallic compounds are transferred.
Such an article is suitable as an article for optical use, particularly as an antireflection article such as an antireflection film or a three-dimensional antireflection body. In particular, the antireflection article provided on the surface of a member having a distance from the image plane, such as a front plate or a protective plate of a display, needs to have high transparency.
反射防止膜等の反射防止物品の場合、微細凹凸構造の凸部の周期が可視光の波長以下の周期であるとともに、凸部の高さは５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることが好ましい。また、凸部のアスペクト比（高さ／周期）は１．０〜４．０が好ましく、１．３〜３．５が好ましく、１．８〜３．５がさらに好ましく、２．０〜３．０が最も好ましい。アスペクト比が１．０以上であれば、反射率が十分に低くなり、その入射角依存性や波長依存性も十分に小さくなる。同じ結晶粒径ならばアスペクト比が高いと転写面の反射率の波長依存性が小さくなり、結晶粒による色ムラも低減される傾向にある。アスペクト比が１．８以上でその傾向が顕著になる。アスペクト比が４．０より大きいと転写面の機械的強度が低下する傾向がある。 In the case of an antireflection article such as an antireflection film, the period of the convex part of the fine concavo-convex structure is a period equal to or less than the wavelength of visible light, and the height of the convex part is preferably 50 nm or more, preferably 100 nm or more. Is preferred. Further, the aspect ratio (height / cycle) of the convex portion is preferably 1.0 to 4.0, preferably 1.3 to 3.5, more preferably 1.8 to 3.5, and 2.0 to 3 0.0 is most preferred. If the aspect ratio is 1.0 or more, the reflectivity is sufficiently low, and the incident angle dependency and wavelength dependency are sufficiently small. If the crystal grain size is the same, if the aspect ratio is high, the wavelength dependency of the reflectance of the transfer surface is reduced, and color unevenness due to the crystal grains tends to be reduced. The tendency becomes remarkable when the aspect ratio is 1.8 or more. If the aspect ratio is greater than 4.0, the mechanical strength of the transfer surface tends to decrease.
物品の反射率は、２％以下が好ましく、１％以下がより好ましい。また、波長依存性（最大反射率と最小反射率との差）は、１．５％以下が好ましく１．０％以下がより好ましく、０．５％以下がさらに好ましい。
物品のヘイズは、０．８％以下が好ましく、０．７％以下がより好ましく、０．６５％以下がさらに好ましい。ヘイズが０．８％を超えると、例えば画像表示装置に用いた場合、画像の鮮明度が低下する。
The reflectance of the article is preferably 2% or less, and more preferably 1% or less. Further, the wavelength dependency (difference between the maximum reflectance and the minimum reflectance) is preferably 1.5% or less, more preferably 1.0% or less, and further preferably 0.5% or less.
The haze of the article is preferably 0.8% or less, more preferably 0.7% or less, and further preferably 0.65% or less. When the haze exceeds 0.8%, for example, when used in an image display device, the sharpness of the image is lowered.
物品が反射防止膜である場合、例えば、画像表示装置（液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、陰極管表示装置等）、レンズ、ショーウィンドウ、太陽電池、眼鏡レンズ、１／２波長板、ローパスフィルタ、自動車内装材（メーターカバー、カーナビの保護板等）等の対象物の表面に貼り付けての使用できる。
物品が立体形状の反射防止体である場合、あらかじめ用途に応じた形状の透明基材を用いて反射防止体を製造しておき、これを上記対象物の表面を構成する部材として使用することもできる。
また、対象物が画像表示装置である場合には、その表面に限らず、その前面板に対して反射防止膜を貼り付けてもよく、前面板そのものを反射防止体から構成してもよい。
When the article is an antireflection film, for example, an image display device (liquid crystal display device, plasma display panel, electroluminescence display, cathode tube display device, etc.), lens, show window, solar cell, spectacle lens, half-wave plate It can be used by being attached to the surface of an object such as a low-pass filter or an automobile interior material (meter cover, car navigation protection plate, etc.).
When the article is a three-dimensional antireflection body, an antireflection body is manufactured in advance using a transparent substrate having a shape according to the application, and this can be used as a member constituting the surface of the object. it can.
When the object is an image display device, an antireflection film may be attached to the front plate, not limited to the surface thereof, and the front plate itself may be made of an antireflection body.
物品の他の用途としては、光学用途（光導波路、レリーフホログラム、レンズ、偏光分離素子、水晶デバイス、照明前面板等）、細胞培養シート、超撥水性フィルム、超親水性フィルム等が挙げられる。超撥水性フィルムは、自動車や鉄道車両等の窓に貼り付けて使用したり、ヘッドランプ、照明等の着雪防止や着氷防止として使用したりできる。 Other uses of the article include optical uses (optical waveguides, relief holograms, lenses, polarization separation elements, crystal devices, illumination front plates, etc.), cell culture sheets, super water-repellent films, super hydrophilic films, and the like. The super water-repellent film can be used by being attached to windows of automobiles, railway vehicles, etc., and can be used for preventing snow and ice from headlamps and lighting.
以下、本発明について実施例を挙げて具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to these.
（金属間化合物の面積）
アルミニウム基材の被加工面を鏡面に研磨した後、走査電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＣＭ−５７００）を用いて１０視野以上の反射電子画像を撮影し、自動画像処理解析システム（ニレコ社製、ＬＵＺＥＸ−ＡＰ）により視野内の金属間化合物の面積を求め、これを視野の面積で除して被加工面の面積（１００％）に対する金属間化合物の合計の面積の割合を算出した。
(Area of intermetallic compound)
After polishing the processed surface of the aluminum base to a mirror surface, a reflected electron image of 10 or more fields of view is photographed using a scanning electron microscope (manufactured by JEOL Ltd., JCM-5700), and an automatic image processing analysis system (manufactured by Nireco Corp.). , LUZEX-AP), the area of the intermetallic compound in the field of view was determined, and this was divided by the area of the field of view to calculate the ratio of the total area of the intermetallic compound to the area of the work surface (100%).
（金属間化合物の平均径）
アルミニウム基材の被加工面を鏡面研磨した後、走査電子顕微鏡で観察し、自動画像処理解析システム（ニレコ社製、ＬＵＺＥＸ−ＡＰ）により１００個以上の金属間化合物の面積を求め、それぞれについて円相当径を算出し、平均値を求めた。
(Average diameter of intermetallic compound)
The surface to be machined of the aluminum substrate is mirror-polished, then observed with a scanning electron microscope, and the area of 100 or more intermetallic compounds is determined by an automatic image processing analysis system (manufactured by Nireco Corporation, LUZEX-AP). The equivalent diameter was calculated and the average value was determined.
（アルミ基材中の他元素の含有量）
アルミニウム基材を旋盤加工等により面出しを行い、固体発光分析装置（Ｔｈｅｒｍｏ ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製、ＡＲＬ３４６０）を用いてアルミニウム基材中に含有されている他元素の含有量を求めた。
(Content of other elements in the aluminum substrate)
The aluminum substrate was chamfered by lathe processing or the like, and the content of other elements contained in the aluminum substrate was determined using a solid state emission analyzer (ARL3460, manufactured by Thermo Scientific).
（算術平均粗さＲａ）
アルミニウム基材の被加工面の算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に準拠した表面粗さ測定器（ミツトヨ社製、サーフテストＳＪ−４０１）を用いて測定した。
(Arithmetic mean roughness Ra)
The arithmetic average roughness Ra of the processed surface of the aluminum substrate was measured using a surface roughness measuring instrument (Surf Test SJ-401, manufactured by Mitutoyo Corporation) in accordance with JIS B0601-2001.
（平均結晶粒径）
アルミニウム基材の被加工面を研磨し、エッチング処理した後、光学顕微鏡で観察し、画像解析ソフト（Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ ＰＬＵＳ）により１００個以上の結晶粒の面積を求め、それぞれについて円相当径を算出し、平均値を求めた。
(Average crystal grain size)
The surface to be processed of the aluminum substrate is polished and etched, and then observed with an optical microscope. The area of 100 or more crystal grains is obtained by image analysis software (Image-Pro PLUS), and the equivalent circle diameter is calculated for each. The average value was obtained.
（第１の酸化皮膜の厚さ）
第１の酸化皮膜形成工程（ａ）の直後のアルミニウム基材の縦断面または表面に白金を１分間蒸着し、電界放出形走査電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＳＭ−７４００Ｆ）を用いて加速電圧：３．００ｋＶの条件で酸化皮膜を観察し、酸化皮膜の厚さを１０箇所で測定し、平均値を求めた。
(Thickness of the first oxide film)
Platinum is vapor-deposited for 1 minute on the longitudinal section or surface of the aluminum substrate immediately after the first oxide film forming step (a), and the acceleration voltage is measured using a field emission scanning electron microscope (JSM-7400F, manufactured by JEOL Ltd.). : The oxide film was observed under the condition of 3.00 kV, the thickness of the oxide film was measured at 10 locations, and the average value was obtained.
（結晶粒界による凹凸の高さ）
スタンパの表面を走査型白色干渉計３次元プロファイラーシステム（Ｚｙｇｏ社製、Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ６３００）を用いて、２．５倍の対物レンズ、０．５倍のズームレンズで観察し、視野をつなぎ合わせて１０ｍｍ角の観察結果を得た。該１０ｍｍ角における任意の１０点の結晶粒界の段差の高さを測定し、それらの平均値を結晶粒界による凹凸の高さとした。
(Unevenness height due to grain boundaries)
The surface of the stamper is observed with a 2.5x objective lens and a 0.5x zoom lens using a scanning white light interferometer 3D profiler system (Zygo, New View 6300), and the field of view is connected to 10 mm. A corner observation was obtained. The heights of steps at arbitrary 10 crystal grain boundaries in the 10 mm square were measured, and the average value thereof was defined as the height of irregularities due to the crystal grain boundaries.
（スタンパの細孔の寸法）
陽極酸化アルミナが表面に形成されたスタンパの縦断面または表面に白金を１分間蒸着し、電界放出形走査電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＳＭ−７４００Ｆ）を用いて加速電圧：３．００ｋＶの条件で陽極酸化アルミナを観察し、細孔の周期、細孔の深さ、細孔の底部径（表面から９８％深さのところの径）を１０箇所で測定し、平均値を求めた。
(Dimensions of the pores of the stamper)
Platinum is vapor-deposited for 1 minute on the longitudinal section or surface of the stamper on which the anodized alumina is formed, and the acceleration voltage is set to 3.00 kV using a field emission scanning electron microscope (JSM-7400F, manufactured by JEOL Ltd.). Then, the anodized alumina was observed, and the period of the pores, the depth of the pores, and the bottom diameter of the pores (diameter at a depth of 98% from the surface) were measured at 10 locations, and the average value was obtained.
（物品の凸部の寸法）
転写面が形成された物品の縦断面または表面に白金を５分間蒸着し、電界放出形走査電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＳＭ−７４００Ｆ）を用いて加速電圧：３．００ｋＶの条件で転写面を観察し、凸部の周期、凸部の高さを１０箇所で測定し、平均値を求めた。
(Dimension of convex part of article)
Platinum is vapor-deposited for 5 minutes on the longitudinal section or surface of the article on which the transfer surface is formed, and the transfer surface is subjected to an acceleration voltage of 3.00 kV using a field emission scanning electron microscope (JSM-7400F, manufactured by JEOL Ltd.). Were observed, and the period of the convex part and the height of the convex part were measured at ten locations, and the average value was obtained.
（物品の反射率）
物品の裏面（転写面とは反対側の面）を紙やすりで粗面化した後、艶消し黒色スプレーで塗装した。分光光度計（日立製作所社製、Ｕ−４０００）を用いて入射角：５°、波長：３８０〜７８０ｎｍの範囲で、物品の転写面の相対反射率を測定した。
(Reflectance of articles)
The back surface (the surface opposite to the transfer surface) of the article was roughened with sandpaper and then painted with a matte black spray. Using a spectrophotometer (U-4000, manufactured by Hitachi, Ltd.), the relative reflectance of the transfer surface of the article was measured in the range of incident angle: 5 ° and wavelength: 380-780 nm.
（物品のヘイズ）
物品のヘイズは、ＪＩＳ Ｋ７３６１対応のヘイズメータを用いて測定した。
(Haze of goods)
The haze of the article was measured using a haze meter corresponding to JIS K7361.
（物品の外観）
物品を蛍光灯の下で持ち、視野角を１０゜〜９０゜に変化させながら物品の転写面を観察し、下記の基準にて評価した。
（マクロな凹凸）
○：目視で確認できない。
×：目視で段差が確認できる。
（色ムラ）
◎：目視で確認できない。
○：目視でほとんど確認できない、または注視すれば若干確認できる。
×：目視で色ムラが確認できる。
(Appearance of goods)
The article was held under a fluorescent lamp, and the transfer surface of the article was observed while changing the viewing angle from 10 ° to 90 °, and evaluated according to the following criteria.
(Macro unevenness)
○: Cannot be confirmed visually.
X: A level | step difference can be confirmed visually.
(Color unevenness)
A: Cannot be confirmed visually.
○: Can hardly be confirmed by visual observation, or can be confirmed slightly by gazing.
X: Color unevenness can be confirmed visually.
〔鍛造例１〕
熱間鍛造（１）：
アルミニウムのインゴットを４３０℃に加温した状態で１０００ｔプレス装置により１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓの熱間鍛造を行った。
[Forging example 1]
Hot forging (1):
In the state which heated the aluminum ingot to 430 degreeC, the hot forging of 1 / 2U, 2S, 1 / 2U, 2S was performed with the 1000t press apparatus.
〔鍛造例２〕
熱間鍛造（２）：
アルミニウムのインゴットを４３０℃に加温した状態で１０００ｔプレス装置により２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕの熱間鍛造を行い、４３０℃へ再加熱した状態で２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕの熱間鍛造を再度行った。
[Forging example 2]
Hot forging (2):
2S, 1 / 2U, 2S, 1 / 2U forged by 1000t press machine with aluminum ingot heated to 430 ° C, 2S, 1 / 2U, 2S, reheated to 430 ° C. 1/2 U hot forging was performed again.
〔鍛造例３〕
熱間鍛造（３）：
アルミニウムのインゴットを４３０℃に加温した状態で１０００ｔプレス装置により１．５Ｓ、０．６５Ｕ、１．５Ｓ、０．６５Ｕ、１．５Ｓ、０．６５Ｕの熱間鍛造を行い、４３０℃へ再加熱した状態で１．５Ｓ、０．６５Ｕ、１．５Ｓ、０．６５Ｕの熱間鍛造を再度行った。
[Forging example 3]
Hot forging (3):
With the aluminum ingot heated to 430 ° C, hot forging of 1.5S, 0.65U, 1.5S, 0.65U, 1.5S, 0.65U was performed with a 1000t press, and the temperature was returned to 430 ° C. In the heated state, hot forging at 1.5S, 0.65U, 1.5S, and 0.65U was performed again.
〔鍛造例４〕
冷間鍛造：
アルミニウムのインゴットについて、１０００ｔプレス装置により１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓの冷間鍛造を行った。冷間鍛造中に素材が２００℃を超えた場合は鍛造を中断し、冷却の後再び鍛造処理を行った。
[Forging example 4]
Cold forging:
About the aluminum ingot, the cold forging of 1 / 2U, 2S, 1 / 2U, 2S was performed with the 1000t press apparatus. When the material exceeded 200 ° C. during cold forging, forging was interrupted and forging was performed again after cooling.
〔鍛造例５〕
熱間鍛造＋冷間鍛造：
アルミニウムのインゴットを４３０℃に加温した状態で１０００ｔプレス装置により２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕの熱間鍛造を行い、４３０℃へ再加熱した状態で２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕの熱間鍛造を再度行い、室温まで徐冷し、さらに２Ｓ、１／２Ｕ、２Ｓ、１／２Ｕの冷間鍛造を行った。冷間鍛造中に素材が２００℃を超えた場合は鍛造を中断し、冷却の後再び鍛造処理を行った。
[Forging example 5]
Hot forging + cold forging:
2S, 1 / 2U, 2S, 1 / 2U forged by 1000t press machine with aluminum ingot heated to 430 ° C, 2S, 1 / 2U, 2S, reheated to 430 ° C. The 1 / 2U hot forging was performed again, gradually cooled to room temperature, and 2S, 1 / 2U, 2S, and 1 / 2U cold forging were further performed. When the material exceeded 200 ° C. during cold forging, forging was interrupted and forging was performed again after cooling.
〔実施例１〕
純度９９．９９％のアルミニウムのインゴットを鍛造例２に従って鍛造処理した後、３２５℃で２時間熱処理を行った。得られたアルミニウム基材を直径：７５ｍｍ、厚さ：２ｍｍに切断し、被加工面の算術平均粗さＲａが０．０２μｍであり、平均結晶粒径が１７０μｍである円板状のアルミニウム基材を得た。アルミニウム基材に羽布研磨処理を施した後、これを過塩素酸／エタノール混合溶液中（体積比＝１／４）で電解研磨した。アルミニウム基材の物性等は表１に示す。
ついで、アルミニウム基材を、０．３Ｍシュウ酸水溶液中で、浴温：１６℃、直流：４０Ｖの条件下で３０分間陽極酸化を行い、酸化皮膜（厚さ：３μｍ）を形成した（工程（ａ））。形成された酸化皮膜を、６質量％のリン酸と１．８質量％のクロム酸混合水溶液中で一旦溶解除去した（工程（ｂ））後、再び工程（ａ）と同一条件下において、３０秒間陽極酸化を行い、酸化皮膜を形成した（工程（ｃ））。その後、５質量％リン酸水溶液（３０℃）中に８分間浸漬して、酸化皮膜の細孔を拡径する孔径拡大処理（工程（ｄ））を施した。さらに工程（ｃ）と工程（ｄ）を繰り返し、これらを合計で５回行った（工程（ｅ））。得られたスタンパの形状等は表２に示す。
図２に示すように、周期ｐ：１００ｎｍ、深さＤｅｐ：１９０ｎｍ、細孔底部径：４０ｎｍの略円錐形状のテーパ状の細孔が形成され、微細凹凸構造を有するスタンパを得た。スタンパの表面の微細凹凸構造を目視確認したところ、結晶粒界のマクロな凹凸は確認できなかった。
[Example 1]
An aluminum ingot having a purity of 99.99% was forged according to Forging Example 2 and then heat treated at 325 ° C. for 2 hours. The obtained aluminum base material was cut into a diameter: 75 mm and a thickness: 2 mm, and the disk-shaped aluminum base material having an arithmetic average roughness Ra of the processed surface of 0.02 μm and an average crystal grain size of 170 μm. Got. The aluminum substrate was subjected to a feather polishing treatment and then electropolished in a perchloric acid / ethanol mixed solution (volume ratio = 1/4). The physical properties of the aluminum base are shown in Table 1.
Subsequently, the aluminum substrate was anodized in a 0.3 M oxalic acid aqueous solution under conditions of bath temperature: 16 ° C. and direct current: 40 V to form an oxide film (thickness: 3 μm) (step ( a)). The formed oxide film was once dissolved and removed in a 6% by mass phosphoric acid and 1.8% by mass chromic acid mixed aqueous solution (step (b)), and then again under the same conditions as in step (a). Anodized for 2 seconds to form an oxide film (step (c)). Thereafter, the substrate was immersed in a 5% by mass phosphoric acid aqueous solution (30 ° C.) for 8 minutes, and subjected to a pore diameter expansion treatment (step (d)) for expanding the pores of the oxide film. Further, the step (c) and the step (d) were repeated, and these were performed 5 times in total (step (e)). The shape and the like of the obtained stamper are shown in Table 2.
As shown in FIG. 2, tapered holes having a substantially conical shape with a period p: 100 nm, a depth Dep: 190 nm, and a pore bottom diameter: 40 nm were formed to obtain a stamper having a fine uneven structure. When the fine uneven structure on the surface of the stamper was visually confirmed, macro unevenness at the grain boundaries could not be confirmed.
ついで、離型剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ−７８０３（商品名））の０．５質量％メタノール溶液にスタンパを３０分間ディッピングし、１時間風乾した後、１２０℃で２時間熱処理した。
離型処理したスタンパの表面に、下記の組成の活性エネルギー線硬化組成物を配置し、さらにその上に透明基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡社製、Ａ４３００（商品名））を積層し、活性エネルギー線硬化性組成物がスタンパに接触した状態で、ＰＥＴフィルムを介して３２００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーで紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化組成物を硬化させた。
その後、前記透明基材および硬化物からなる物品を、スタンパから剥離した。物品の性質等は表３に示す。
Subsequently, the stamper was dipped in a 0.5 mass% methanol solution of a release agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-7803 (trade name)) for 30 minutes, air-dried for 1 hour, and then heat treated at 120 ° C. for 2 hours.
An active energy ray-curable composition having the following composition is placed on the surface of the stamper that has been subjected to the mold release treatment, and further a polyethylene terephthalate (PET) film (A4300 (trade name) manufactured by Toyobo Co., Ltd.), which is a transparent substrate, is further formed thereon. In a state where the active energy ray-curable composition was in contact with the stamper, the active energy ray-curable composition was cured by irradiating ultraviolet rays with an energy of 3200 mJ / cm 2 through a PET film.
Thereafter, the article made of the transparent substrate and the cured product was peeled from the stamper. The properties of the articles are shown in Table 3.
得られた物品の硬化物の表面には、周期：１００ｎｍ、高さ：１５０ｎｍの凸部が形成され、スタンパの表面の微細凹凸構造が良好に転写された微細凹凸構造が形成されていた。また、この物品の表面の微細凹凸構造を目視確認したところ、スタンパの結晶粒界に由来するマクロな凹凸は確認できなかった。
そして、この物品について反射率を測定したところ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲で０．１７〜０．８４％であり、反射防止物品として良好な性能を備えていた。
On the surface of the cured product obtained, convex portions having a period of 100 nm and a height of 150 nm were formed, and a fine concavo-convex structure in which the fine concavo-convex structure on the surface of the stamper was satisfactorily transferred was formed. Further, when the fine uneven structure on the surface of the article was visually confirmed, macro unevenness derived from the crystal grain boundary of the stamper could not be confirmed.
And when the reflectance was measured about this article | item, it was 0.17 to 0.84% in the wavelength range of 380-780 nm, and was equipped with the favorable performance as an antireflection article.
（活性エネルギー線硬化性組成物）
トリメチロールエタン・アクリル酸・無水コハク酸縮合エステル：４５質量部、
ヘキサンジオールジアクリレート：４５質量部、
信越化学工業社製ｘ−２２−１６０２（商品名）：１０質量部、
チバ・スペシャリティケミカルズ社製イルガキュア１８４（商品名）：２．７質量部、
チバ・スペシャリティケミカルズ社製イルガキュア８１９（商品名）：０．１８質量部。
(Active energy ray-curable composition)
Trimethylolethane / acrylic acid / succinic anhydride condensation ester: 45 parts by mass,
Hexanediol diacrylate: 45 parts by mass
X-22-21602 (trade name) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .: 10 parts by mass,
Irgacure 184 (trade name) manufactured by Ciba Specialty Chemicals: 2.7 parts by mass,
Irgacure 819 (trade name) manufactured by Ciba Specialty Chemicals: 0.18 parts by mass.
〔実施例２〕
純度９９．９９％のアルミニウムのインゴットを鍛造例５に従って鍛造処理した後、３２５℃で２時間熱処理を行った。得られたアルミニウム基材を外径：２００ｍｍ、内径：１５５ｍｍ、長さ：３５０ｍｍに切断し、被加工面の算術平均粗さＲａが０．０３μｍであり、平均結晶粒径が１００μｍである円筒状のアルミニウム基材を得た。アルミニウム基材について、実施例１と同様に鏡面化した。
ついで、工程（ａ）〜工程（ｅ）を行い、図２に示すように、周期ｐ：１００ｎｍ、深さＤｅｐ：１７０ｎｍの略円錐形状のテーパ状の細孔が形成され、微細凹凸構造を有するロール状のスタンパを得た。スタンパの表面の微細凹凸構造を目視確認したところ、結晶粒界のマクロな凹凸は確認できなかった。
ついで、離型剤（ダイキン工業社製、オプツールＤＳＸ（商品名））の０．１質量％溶液にスタンパを１０分間ディッピングし、２４時間風乾して離型処理を行った。これを図５に示す製造装置３０に設置し、以下のようにして物品を製造した。
[Example 2]
An aluminum ingot having a purity of 99.99% was forged according to Forging Example 5 and then heat treated at 325 ° C. for 2 hours. The obtained aluminum base material was cut into an outer diameter: 200 mm, an inner diameter: 155 mm, and a length: 350 mm, and the arithmetic average roughness Ra of the surface to be processed was 0.03 μm, and the average crystal grain size was 100 μm. An aluminum substrate was obtained. The aluminum substrate was mirror-finished in the same manner as in Example 1.
Next, steps (a) to (e) are performed, and as shown in FIG. 2, tapered holes having a substantially conical shape with a period p: 100 nm and a depth Dep: 170 nm are formed and have a fine uneven structure. A roll stamper was obtained. When the fine uneven structure on the surface of the stamper was visually confirmed, macro unevenness at the grain boundaries could not be confirmed.
Subsequently, the stamper was dipped in a 0.1% by mass solution of a mold release agent (manufactured by Daikin Industries, Ltd., OPTOOL DSX (trade name)) for 10 minutes, and air-dried for 24 hours for release treatment. This was installed in the
図５に示すように、ロール状のスタンパ３１を冷却水用の流路を内部に設けた機械構造用炭素鋼製の軸芯にはめ込んだ。ついで、実施例１の活性エネルギー線硬化性組成物３３を、タンク３５から室温で供給ノズルを介して、ニップロール３６とスタンパ３１の間にニップされている透明基材３２（ＰＥＴフィルム、東洋紡社製、Ａ４３００（商品名））上に供給した。この際、空気圧シリンダ３７によりニップ圧が調整されたニップロール３６によりニップされ、スタンパ３１の細孔（凹部）内にも活性エネルギー線硬化性組成物３３が充填された。
毎分７．０ｍの速度でスタンパ３１を回転させながら、活性エネルギー線硬化性組成物３３がスタンパ３１と透明基材３２の間に挟まれた状態で２４０Ｗ／ｃｍの紫外線照射装置３８から紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化性組成物３３を硬化、賦型した後、剥離ロール３９によりスタンパ３１から剥離して、微細凹凸構造を表面に有する物品３４（透明シート）を得た。得られた結果を表１〜３に示す。
As shown in FIG. 5, a roll-shaped
While the
〔実施例３〕
純度９９．９５％のアルミニウムのインゴットを鍛造例５に従って鍛造処理した後、３４０℃で２時間熱処理を行った。得られたアルミニウム基材をＡ４サイズ、厚さ１０ｍｍに切断し、被加工面の算術平均粗さＲａが０．０２μｍであり、平均結晶粒径が４０μｍである平板状のアルミニウム基材を得た。
工程（ｃ）の陽極酸化を３５秒とした以外は実施例１と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
Example 3
An aluminum ingot having a purity of 99.95% was forged according to Forging Example 5 and then heat treated at 340 ° C. for 2 hours. The obtained aluminum base material was cut into A4 size and
A stamper was manufactured and an article was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the anodic oxidation in step (c) was 35 seconds. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔実施例４〕
純度９９．９７％のアルミニウムのインゴットを鍛造例５に従って鍛造処理した後、３８０℃で２時間熱処理を行った。得られたアルミニウム基材をＡ４サイズ、厚さ１０ｍｍに切断し、平板状のアルミニウム基材を得た。
工程（ｃ）の陽極酸化を２７秒とした以外は実施例１と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
Example 4
An aluminum ingot having a purity of 99.97% was forged according to Forging Example 5 and then heat treated at 380 ° C. for 2 hours. The obtained aluminum substrate was cut into an A4 size and a thickness of 10 mm to obtain a flat aluminum substrate.
A stamper was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the anodic oxidation in the step (c) was 27 seconds, and an article was further manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔実施例５〕
純度９９．９８６％のアルミニウムのインゴットを用いた以外は実施例３と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
Example 5
A stamper was manufactured in the same manner as in Example 3 except that an aluminum ingot having a purity of 99.986% was used, and an article was further manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔実施例６〕
純度９９．９７％のアルミニウムのインゴットを用い、工程（ａ）の時間を９０分とした以外は実施例３と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
Example 6
A stamper was manufactured in the same manner as in Example 3 except that an aluminum ingot having a purity of 99.97% was used and the time of step (a) was set to 90 minutes. Further, an article was manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔実施例７〕
純度９９．９７％のアルミニウムのインゴットを鍛造例３に従って鍛造処理を施し、３８０℃で２時間熱処理を行った。得られたアルミニウム基材をＡ４サイズ、厚さ１０ｍｍに切断し、平板状のアルミニウム基材を得た。
工程（ｃ）の陽極酸化を３２秒とした以外は実施例１と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
Example 7
An ingot of aluminum having a purity of 99.97% was subjected to forging treatment according to forging example 3, and heat treatment was performed at 380 ° C. for 2 hours. The obtained aluminum substrate was cut into an A4 size and a thickness of 10 mm to obtain a flat aluminum substrate.
A stamper was manufactured and an article was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the anodic oxidation in the step (c) was 32 seconds. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔実施例８〕
工程（ｃ）の陽極酸化を２７秒とした以外は実施例３と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
Example 8
A stamper was manufactured in the same manner as in Example 3 except that the anodic oxidation in the step (c) was 27 seconds, and an article was further manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔比較例１〕
純度９９．３％のアルミニウム圧延板（厚さ：０．５ｍｍ）を５０ｍｍ角に切断し、これを過塩素酸／エタノール混合溶液中（体積比＝１／４）で電解研磨してアルミニウム基材を得た。
ついで、実施例１と同様にしてスタンパを製造し、実施例２と同様にして離型処理を行い、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
[Comparative Example 1]
A 99.3% purity aluminum rolled sheet (thickness: 0.5 mm) was cut into 50 mm square, and this was electropolished in a perchloric acid / ethanol mixed solution (volume ratio = 1/4) to obtain an aluminum substrate. Got.
Subsequently, a stamper was manufactured in the same manner as in Example 1, a mold release treatment was performed in the same manner as in Example 2, and an article was further manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3.
〔比較例２〕
純度９９．０％のアルミニウムのインゴットを用い、工程（ｃ）の陽極酸化を３５秒にした以外は実施例２と同様にしてスタンパを製造し、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。色ムラ、結晶粒界によるマクロな凹凸はなかったが、透明性が不十分であった。
[Comparative Example 2]
A stamper was manufactured in the same manner as in Example 2 except that an ingot of aluminum having a purity of 99.0% was used and the anodization in step (c) was performed for 35 seconds, and an article was further manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3. Although there were no color unevenness and macro unevenness due to crystal grain boundaries, the transparency was insufficient.
〔比較例３〕
純度９９．８％のアルミニウム圧延板（厚さ：０．５ｍｍ）を５０ｍｍ角に切断し、これを過塩素酸／エタノール混合溶液中（体積比＝１／４）で電解研磨してアルミニウム基材を得た。
ついで、実施例１と同様にしてスタンパを製造し、実施例２と同様にして離型処理を行い、さらに物品を製造した。得られた結果を表１〜３に示す。
[Comparative Example 3]
A 99.8% pure aluminum rolled sheet (thickness: 0.5 mm) was cut into 50 mm square, and this was electropolished in a perchloric acid / ethanol mixed solution (volume ratio = 1/4) to obtain an aluminum substrate. Got.
Subsequently, a stamper was manufactured in the same manner as in Example 1, a mold release treatment was performed in the same manner as in Example 2, and an article was further manufactured. The obtained results are shown in Tables 1-3.
本発明の製造方法で得られたスタンパは、反射防止物品等の光学用途の物品の製造に有用である。 The stamper obtained by the production method of the present invention is useful for producing an article for optical use such as an antireflection article.
１０ アルミニウム基材
１１ 細孔
１２ 酸化皮膜
１３ 細孔発生点
１４ 細孔
１５ 酸化皮膜
２０ スタンパ
３０ 製造装置
３１ スタンパ
３２ 透明基材
３３ 活性エネルギー線硬化性組成物
３４ 物品
３５ タンク
３６ ニップロール
３７ 空気圧シリンダ
３８ 紫外線照射装置
３９ 剥離ロール
DESCRIPTION OF
Claims (11)
前記被加工面に露出した金属間化合物の合計の面積が、前記被加工面の面積（１００％）に対して、０．１４％以下であり、
前記被加工面における平均結晶粒径が、１ｍｍ以下であり、
前記被加工面の算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以下である、スタンパ製造用アルミニウム基材。 Aluminum base material having a processed surface on which the fine concavo-convex structure is formed, used for manufacturing a stamper having a fine concavo-convex structure on the surface (provided that the Ti content is 150 to 500 ppm and the B content is 3 to 50 ppm, Except that the total of other inevitable impurity elements is 500 ppm or less and the balance is composed of aluminum.)
The total area of the intermetallic compounds exposed on the work surface is 0.14% or less with respect to the area (100%) of the work surface,
The average crystal grain size on the work surface is 1 mm or less,
The aluminum base material for stamper manufacture whose arithmetic average roughness Ra of the said to-be-processed surface is 0.05 micrometer or less.
前記酸化皮膜を除去し、陽極酸化の細孔発生点を前記被加工面に形成する酸化皮膜除去工程（ｂ）と、
前記細孔発生点が形成されたアルミニウム基材の被加工面を電解液中、定電圧下で再度陽極酸化して、前記細孔発生点に対応した細孔を有する酸化皮膜を前記被加工面に形成する第２の酸化皮膜形成工程（ｃ）と、
前記細孔の径を拡大させる孔径拡大処理工程（ｄ）と
を有する、請求項８または９に記載のスタンパの製造方法。 A first oxide film forming step (a) of anodizing the surface to be processed of the aluminum base material in an electrolyte under a constant voltage to form an oxide film on the surface to be processed;
Removing the oxide film, and forming an anodized pore generation point on the surface to be processed (b);
The processed surface of the aluminum base material on which the pore generation point is formed is anodized again under a constant voltage in an electrolytic solution, and an oxide film having pores corresponding to the pore generation point is formed on the processed surface. A second oxide film forming step (c) formed on
The method for manufacturing a stamper according to claim 8, further comprising: a pore diameter expansion processing step (d) for expanding the diameter of the pores.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009106969A JP5474401B2 (en) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009106969A JP5474401B2 (en) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010253820A JP2010253820A (en) | 2010-11-11 |
| JP5474401B2 true JP5474401B2 (en) | 2014-04-16 |
Family
ID=43315314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009106969A Active JP5474401B2 (en) | 2009-04-24 | 2009-04-24 | Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5474401B2 (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5425516B2 (en) * | 2009-04-24 | 2014-02-26 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper |
| CN103260841B (en) * | 2011-05-26 | 2015-12-23 | 三菱丽阳株式会社 | Surface has the manufacture method of the article of minute concave-convex structure |
| TW201302438A (en) | 2011-06-22 | 2013-01-16 | Mitsubishi Rayon Co | Method of manufacturing roll-shaped mold and method of manufacturing product having micro protrusion and recess face structure on surface thereof |
| US20130264744A1 (en) * | 2011-07-19 | 2013-10-10 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Production method of mold for nanoimprinting |
| JP2013112892A (en) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | Method and apparatus of manufacturing mold for manufacturing nanostructure, mold for manufacturing nanostructure and nanostructure |
| TWI564134B (en) * | 2012-08-06 | 2017-01-01 | 三菱麗陽股份有限公司 | Method of manufacturing mold, article having fine uneven structure on surface, and method of manufacturing the same |
| WO2015019960A1 (en) * | 2013-08-05 | 2015-02-12 | 東洋アルミニウム株式会社 | Aluminum foil for visible-light-reflecting material and method for producing said foil |
| JP6265125B2 (en) * | 2013-08-14 | 2018-01-24 | 三菱ケミカル株式会社 | Method for producing mold for nanoimprint, and method for producing antireflection article |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4406553B2 (en) * | 2003-11-21 | 2010-01-27 | 財団法人神奈川科学技術アカデミー | Method for manufacturing antireflection film |
| JP4603402B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-12-22 | 富士フイルム株式会社 | Fine structure and manufacturing method thereof |
| CN101484614B (en) * | 2006-06-30 | 2011-09-07 | 三菱丽阳株式会社 | Mold, process for manufacturing mold, and process for producing sheet |
| JP2008209867A (en) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Stamper, glare-proof antireflection article, and its manufacturing method |
| TWI504500B (en) * | 2007-10-25 | 2015-10-21 | Mitsubishi Rayon Co | Stamper,stamper production method,compact production method,and aluminum prototype of stamper |
| JP5433269B2 (en) * | 2009-03-23 | 2014-03-05 | 日本軽金属株式会社 | Aluminum stamper for stamper used for manufacturing antireflective article, stamper used for manufacturing antireflective article, and manufacturing method thereof |
| JP5271790B2 (en) * | 2009-04-24 | 2013-08-21 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | Aluminum base material for stamper manufacture, and method for manufacturing stamper |
-
2009
- 2009-04-24 JP JP2009106969A patent/JP5474401B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010253820A (en) | 2010-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5898719B2 (en) | Stamper manufacturing method, molded body manufacturing method | |
| JP4658129B2 (en) | Mold, mold manufacturing method and sheet manufacturing method | |
| JP5087705B2 (en) | Stamper aluminum prototype material, stamper aluminum prototype and stamper | |
| JP6032196B2 (en) | Stamper manufacturing method and molded body manufacturing method | |
| JP5474401B2 (en) | Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper | |
| JP6250392B2 (en) | Aluminum stamper for stamper and manufacturing method thereof, stamper and manufacturing method thereof, manufacturing method of article, and manufacturing method of antireflection article | |
| JP2009174007A (en) | Template and method of manufacturing the same and method of manufacturing formed body | |
| JP5271790B2 (en) | Aluminum base material for stamper manufacture, and method for manufacturing stamper | |
| JP5798490B2 (en) | Stamper, article and method for manufacturing the same | |
| JP2011026648A (en) | Method of manufacturing stamper and method of manufacturing formed product | |
| JP5425516B2 (en) | Aluminum base material for stamper manufacturing and method for manufacturing stamper | |
| JP2008189914A (en) | Formed body and method for manufacturing the same | |
| JP5626636B2 (en) | Method and apparatus for producing anodized porous alumina, anodized porous alumina produced by the method, molded article produced using anodized porous alumina as a mold, antireflection article and water-repellent article | |
| JP6308754B2 (en) | Aluminum prototype for stamper and manufacturing method thereof, stamper and manufacturing method thereof, and manufacturing method of transcript | |
| JP2014051710A (en) | Production method of anodic oxidation porous alumina, production method of mold, and compact with fine uneven structures on the surface | |
| JP2012140001A (en) | Mold and method for manufacturing the same, and method for manufacturing article which has minute unevenness structure in surface | |
| JP2015052724A (en) | Micro concavo-convex film | |
| JP5877006B2 (en) | MOLD MANUFACTURING METHOD, AND MOLDED BODY MANUFACTURING METHOD HAVING FINE RUSSION STRUCTURE | |
| JP2015101780A (en) | Mold-manufacturing method, and compact having fine uneven structure on surface and manufacturing method thereof | |
| JP6498942B2 (en) | Aluminum mold for mold production, mold, method for producing the same, and molded body |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120306 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130515 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130903 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131125 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20131202 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5474401 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |