JP5470707B2 - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5470707B2 JP5470707B2 JP2008008541A JP2008008541A JP5470707B2 JP 5470707 B2 JP5470707 B2 JP 5470707B2 JP 2008008541 A JP2008008541 A JP 2008008541A JP 2008008541 A JP2008008541 A JP 2008008541A JP 5470707 B2 JP5470707 B2 JP 5470707B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- exposure
- moving
- illumination
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 130
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 74
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 16
- 101100479619 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ILS1 gene Proteins 0.000 description 11
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 101100208128 Arabidopsis thaliana TSA1 gene Proteins 0.000 description 2
- 102000003629 TRPC3 Human genes 0.000 description 2
- 101150037542 Trpc3 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101150026818 trp3 gene Proteins 0.000 description 2
- LKKMLIBUAXYLOY-UHFFFAOYSA-N 3-Amino-1-methyl-5H-pyrido[4,3-b]indole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C=C(N)N=C2C LKKMLIBUAXYLOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031413 L-dopachrome tautomerase Human genes 0.000 description 1
- 101710093778 L-dopachrome tautomerase Proteins 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Description
本発明はこのような事情に鑑み、転写用のパターンをいっそう小型化できる露光技術、及びその露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
さらに、その移動工程では、その露光光のパルス照射の各周期に、その物体がその移動方向へ、その照明工程によってその物体上に形成される転写パターンのその移動方向における周期の整数倍又は整数分の一倍に等しい移動量だけ移動するように、その物体はその移動方向へ連続的に移動される。
周期的にパルス照射して、そのパターンを介したその露光光によってその物体を露光する照明光学系と、その露光光のパルス照射の各周期に、その所定方向におけるそのパターンのパターン周期に応じて、その物体をその所定方向に対応する移動方向へ移動させるステージ機構と、を備えるものである。
さらに、そのステージ機構は、その露光光のパルス照射の各周期に、その物体がその移動方向へ、その照明光学系を用いてその物体上に形成される転写パターンのその移動方向における周期の整数倍又は整数分の一倍に等しい移動量だけ移動するように、その物体をその移動方向へ連続的に移動させるものである。
図2は、本実施形態の走査型の投影露光装置よりなる露光装置100の構成を示す斜視図、図1は、その露光装置100の照明装置及びマスクステージの構成を示す斜視図である。図1及び図2において、露光装置100は、光源からの露光用の照明光でマスクMAのパターンを照明する照明装置IUと、マスクMAを保持するマスクステージMSTと、そのマスクMAのパターンの拡大像をプレート(基板)PT上に投影する投影光学装置PLと、プレートPTを保持して移動する基板ステージPSTと、マスクステージMST及び基板ステージPSTを駆動するリニアモータ等を含む駆動機構(不図示)と、この駆動機構等の動作を統括的に制御する主制御系23等とを備えている。なお、本実施形態の露光装置100は、プレートPTの走査露光時にマスクMAをほぼ静止させている第1露光モード(マスク静止・プレート走査モード)と、マスクMAをプレートPTに同期して移動(走査)する第2露光モード(マスク及びプレートの同期走査モード)とを切り替え可能に使用する。照明装置IU、マスクステージMST及び基板ステージPSTのベース部材(不図示)、並びに投影光学装置PL等は不図示のフレーム機構に支持されている。
図3は、図1の光源部10の一部、部分照明光学系ILS1、及び投影光学系PL1の構成を示す。図3において、レーザ光をパルス発生するレーザ光源1と、そのレーザ光を集光するレンズ系2と、集光されたレーザ光を伝送する光ガイド3とが、図1の光源部10内に収納されている。そして、光ガイド3から射出されるレーザ光よりなる照明光が、部分照明光学系ILS1内のコリメータレンズ4、ミラー5、及びフライアイレンズ6からリレー光学系9までの光学部材を介してマスクMAを照明する。なお、図3のミラー5は図1では省略されている。
図4(A)は、図3の部分照明光学系ILS1中のブラインド8及び11をX方向に離して配置した状態を示す。図4(A)において、第1ブラインド8は、遮光板内にX方向に所定間隔でY方向に長い矩形の第1開口8B及びY方向に長い平行四辺形状の第1視野絞り8Aを形成したものである。また、第2ブラインド11は、遮光板内にX方向に所定間隔でY方向に長い台形状の第2視野絞り11A及びX方向に長い矩形の第2開口11Bを形成したものである。この場合、第2ブラインド11の第2開口11Bは、Y方向の幅が第1視野絞り8Aよりも広く、X方向の長さが第1視野絞り8Aよりもかなり広く形成されている。リレー光学系9による第1視野絞り8Aの像が図1の照明領域IF1である。第1露光モードでは、第1視野絞り8A及び第2開口11Bを通過した照明光でマスクMAが照明されるとともに、走査露光の開始時及び終了時にそれぞれ第2開口11Bの周囲の遮光板によって第1視野絞り8Aが次第に開放及び閉鎖される(詳細後述)。
一方、図1に示すように、マスクMAのパターン面には、第1露光モードで使用されるX方向に狭い幅の第1のデバイスパターン領域MA1と、第2露光モードで使用されるX方向に長い幅の第2のデバイスパターン領域MA2とが設けられている。第1デバイスパターン領域MA1には、Y方向に沿って所定間隔でY方向に長い小さい矩形のパターン領域A1,A2,A3,A4が形成されている。そして、第2デバイスパターン領域MA2には、Y方向にパターン領域A1〜A4と同じ配置で、X方向に長い矩形のパターン領域B1,B2,B3,B4が形成されている。なお、パターン領域A1〜A4,B1〜B4の個数は、投影光学系PL1〜PL4の個数に対応して設定される。
Wmy=(Wp×2)/M …(1)
Pm=Pp=Wp×2 …(2)
また、プレートPTの各転写領域PA1〜PA4の分割転写領域PA11〜PA41,PA12〜PA42のY方向の幅は、投影光学系PL1〜PL4の露光領域EF1〜EF4のY方向の幅(露光幅)と同じであり、プレートPTの各転写領域PB1〜PB4の分割転写領域PB11〜PB41,PB12〜PB42のY方向の幅は、図9(A)の投影光学系PL1〜PL4の露光領域EG1〜EG4のY方向の幅(露光幅)と同じである。
先ず、図1の部分照明光学系ILS1の第1ブラインド8の第1視野絞り8Aのマスク面の像の中心を、図7(A)に示すように、投影光学系PL1の視野の中心PL1aに合わせる。他の部分照明光学系ILS2〜ILS4のブラインド8も同様に配置される。露光中には第1視野絞り8Aは静止している。図7(A)では、第1視野絞り8Aは第2ブラインド11によって遮光されている。この状態で、図5(A)に示すように、照明領域IF1〜IF4(第1視野絞り8Aの像)がマスクMAのパターン領域A1〜A4の部分パターン領域A11〜A41上に設置されるように、マスクステージMSTの位置決めを行う。そして、図6(A)に示すように、プレートPT上で転写領域PA1〜PA4の第1の分割転写領域PA11〜PA41に対して相対的に−X方向の手前の位置C7Aに露光領域EF1〜EF4が配置されるように、基板ステージPSTを位置決めする。
この場合、基板ステージPSTを次第に加速して、基板ステージPSTがほぼ一定速度VでX方向に移動している状態では、レーザ光源1からのパルス光の発光間隔(パルス照射周期)を図3のTdとすると、プレートPTのステップ量ΔXはV×Tdとなる。従って、式(3)は次のようになる。また、発光間隔Tdの逆数をレーザ光源1の周波数f(Hz)とみなす場合には、式(4)は式(5)のようになる。
Ptp・f=V …(5)
次に、図7(A)の状態から第2ブラインド11を−X方向に駆動して、図7(B)のように第2開口11Bの−X方向のエッジ部が第1視野絞り8Aに接するときに、図6(A)において、露光領域EF1〜EF4が第1の分割転写領域PA11〜PA41に接する位置C7Bに到達し、プレートPTの走査速度は目標値である速度Vに達している。同様に、第1視野絞り8AからプレートPT上への投影倍率をβとすると、図7(B)の第2ブラインド11の移動速度も、目標値であるV/βに達している。従って、図7(A)における第1視野絞り8Aと第2開口11BとのX方向の間隔は、第2ブラインド11を速度V/βまで加速できるだけの距離だけあればよい。
次に、露光領域EF1〜EF4が図6(A)の位置C8Aに達すると、図8(A)に示すように、第2ブラインド11が再び−X方向への移動を開始し、露光領域EF1〜EF4が位置C8Bに達すると、図8(B)に示すように、第2ブラインド11の第2開口11Bの+X方向のエッジ部が第1視野絞り8Aに接して、第2ブラインド11の移動速度は目標速度V/βに達する。そして、第2ブラインド11がさらに−X方向に移動して露光領域EF1〜EF4が次第に遮蔽される。その後、図8(C)に示すように、第2ブラインド11の+X方向のエッジ部が第1視野絞り8Aを通り過ぎたときに、露光領域EF1〜EF4が図6(A)の位置C8Cに達してプレートPTの露光が終了する。そして、基板ステージPST(プレートPT)及び第2ブラインド11の減速が開始されて、第2ブラインド11が図8(D)の位置に達して、露光領域EF1〜EF4が図6(A)の位置C8Dに達したときに、基板ステージPST及び第2ブラインド11が停止する。このように第2ブラインド11を用いて露光領域EF1〜EF4を漸次開放または遮蔽することによって、プレートPT上のパターン転写領域EP2以外の領域の露光が防止できる。
次に、図9(A)に示すように、マスクステージMSTを介してマスクMAを−Y方向(STM方向)に距離Wp/M(Wpは図6(A)のプレートPT上の分割転写領域PA11〜PA41,PA12〜PA14の幅)だけステップ移動し、これとほぼ並行に基板ステージPSTを介してプレートPTを逆方向である+Y方向(図10(A)のSTP方向)に距離Wpだけステップ移動する。これによって、照明領域IF1〜IF4は、図9(A)のマスクMAの第2の部分パターン領域A12〜A42上に移動する。そして、露光領域EF1〜EF4は、相対的な軌跡TRP2に沿って、プレートPTの第2の分割転写領域PA12〜PA42に対して+X方向側の走査開始位置に移動する。
次に、マスクMAをほぼ静止させた状態で、1回目の露光とは逆方向にプレートPT及び図8(D)の第2ブラインド11の移動を行って、プレートPTの移動に同期して照明光をパルス照射させる。これによって、図10(A)に示すように、プレートPTの第2の分割転写領域PA12〜PA42に対して相対的に露光領域EF1〜EF4が−X方向に走査されて、分割転写領域PA12〜PA42にはそれぞれ図6(B)のパターン像35PがX方向に周期Ptpで繰り返されるパターン像が転写される。この際に、パターン転写領域EP2の継ぎ部33PA〜33PC,34PA〜34PDにはそれぞれ同じパターンの像が重ねて露光されて継ぎ誤差が殆ど生じない。
次に、図4(B)に示すように、第2ブラインド11の第2視野絞り11Aと第1ブラインド8の第1開口8Bとを重ねて、図9(A)に示すように、マスクMA上に台形状の照明領域IG1〜IG4(この段階では照明光は照射されていない)を設定する。そして、マスクステージMSTを駆動して、照明領域IG1〜IG4を第2のデバイスパターン領域の第1の部分パターン領域B11〜B41の+X方向の手前に移動した後、基板ステージPSTを駆動して図10(A)において、露光領域EG1〜EG4をパターン転写領域EP1の転写領域PB1〜PB4の第1の分割転写領域PB11〜PB41の+X方向の手前に移動する。
その後、照明領域IG1〜IG4が図9(A)の相対的な軌跡TRBに沿って第1の部分パターン領域B11〜B41を走査するのに同期して、露光領域EG1〜EG4が図10(A)の相対的な軌跡TRP3に沿って第1の分割転写領域PB11〜PB41を走査した後、照明光の照射を停止し、マスクMAを−Y方向にWp/M(Wpは図6(A)参照)だけステップ移動させて、プレートPTを+Y方向にWpだけステップ移動させる。
その後、マスクステージMST及び基板ステージPSTの−X方向への同期移動を開始して、マスクMAの移動速度がV/M、プレートPTの移動速度がVになったときに、照明光の照射を開始する。その後、照明領域IG1〜IG4が図9(A)の相対的な軌跡TRBに沿って第2の部分パターン領域B12〜B42を走査するのに同期して、露光領域EG1〜EG4が図10(A)の相対的な軌跡TRP3に沿って第2の分割転写領域PB12〜PB42を走査した後、照明光の照射を停止して、マスクMA及びプレートPTを停止する。これによって、パターン転写領域EP1に、図9(A)のパターン領域B1〜B4のパターンの拡大像を継ぎ合わせた像が露光される。
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
(1)露光装置100による露光方法は、マスクMA上のX方向に周期性を有するパターン領域A1〜A4のパターンに対して照明光ILを周期的にパルス照射し、そのパターンを介した照明光ILによってプレートPTを露光する第1工程(照明工程)と、照明光ILのパルス照射の各周期に、X方向におけるそのパターンの周期Ptに応じて、プレートPTをX方向に移動させる第2工程(移動工程)とを含むものである。
(2)また、その第2工程は、照明光ILのパルス照射の各周期にプレートPTをX方向へ、その第1工程によってプレートPT上に形成される転写パターン(マスクMAのパターンに基づいてプレートPT上に転写されるパターン)のX方向における周期Ptp(図6(B)のパターン像35Pの周期)に基づいて、式(3)によるステップ量ΔXに等しい移動量だけ移動させるものでもある。
なお、k及びjはそれぞれ2以上の整数である。式(8A)の場合には、プレートPT上に基本パターン像をX方向に繰り返すパターンをより高いスループットで転写できる。一方、式(8B)の場合には、プレートPT上に基本パターン像をX方向に周期Ptp/jで繰り返すパターン、つまり基本パターン像より周期が小さいパターンを転写できる。
(4)また、上記の実施形態では、基板ステージPSTを介してプレートPTをX方向に等速移動させ、基板ステージPSTが所定のステップ量移動する毎に照明光ILをパルス発光させている。従って、制御が容易である。
(5)また、上記の実施形態では、マスクMAのパターン領域A1〜A4の周期的なパターンの露光時には、マスクMAをほぼ静止している。その代わりに、例えば照明光ILのパルス照射の各周期にマスクMAをパターン領域A1〜A4のパターンの周期Pt(図5(B)参照)の整数分の一倍に等しい移動量だけX方向へ移動させる第3工程(パターン移動工程)を含むことができる。これによって、プレートPT上にパターン領域A1〜A4のパターンの像よりも周期の小さいパターンを露光できる。
(9)また、プレートPTのXY平面内の姿勢に対応して、Y方向におけるマスクMA(パターン領域A1〜A4)の位置と、X方向に対するマスクMA(パターン領域A1〜A4)の回転角との少なくとも一方を補正する第7工程(補正工程)を有する。従って、重ね合わせ誤差を低減できる。
なお、投影光学系PL1〜PL4の倍率は等倍でも、縮小倍率でもよい。
また、本発明は、投影光学系を使用しないプロキシミティ方式の露光装置で露光を行う場合にも適用可能である。
なお、上述した実施形態では、マスクMAおよびプレートPTの走査方向がXYZ座標系に対して同一方向(X方向)であるものとして説明したが、投影光学系を介して光学的に対応する方向(光学的に同じ方向)へ移動させるものであればよい。
次に、上記の露光装置100を用いて、感光基板(ガラスプレート)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、デバイスとしての液晶表示素子を製造する方法について、図12のフローチャートを参照して説明する。
このように上記の液晶表示素子の製造方法は、上記の露光装置100を用いて、マスクに設けられたパターンを感光基板に転写する露光工程と、そのパターンが転写された感光基板を現像し、そのパターンに対応する形状の転写パターン層をプレート上に形成する現像工程と、その転写パターン層を介してプレートPTを加工する加工工程と、を含む。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて、プラズマディスプレイ装置、薄膜磁気ヘッド、半導体素子等の他の電子デバイス(マイクロデバイス)も製造できる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
Claims (18)
- 所定方向に周期性を有するパターンに対して露光光を周期的にパルス照射し、前記パターンを介した前記露光光によって物体を露光する照明工程と、
前記露光光のパルス照射の各周期に、前記物体が前記所定方向に対応する移動方向へ、前記照明工程によって前記物体上に形成される転写パターンの前記移動方向における周期の整数倍または整数分の一倍に等しい移動量だけ移動するように、前記物体を前記移動方向へ連続的に移動させる移動工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記パターンは、前記所定方向に直交する方向に分離して配置されて前記所定方向に互いに同じ周期を持つ第1および第2の部分パターンを有し、
前記第1および第2の部分パターンのそれぞれの一部に互いに同一の継ぎ合わせ用パターンが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 前記移動工程は、前記物体を前記移動方向へ等速移動させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の露光方法。
- 前記物体の前記移動方向への移動の開始後または終了前に、それぞれ前記物体の前記移動方向への移動に同期して、前記露光光による前記パターン上の照明領域を前記所定方向に漸次開放または遮蔽する開閉工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記露光光による前記パターン上の照明領域を前記所定方向に直交する方向の両端部の形状が平行移動に関して対称な並進対称形状に成形する成形工程と、
前記移動方向へ移動された前記物体を、前記移動方向と直交する直交方向へ前記照明領域の該直交方向の幅に対応して移動させる補助移動工程と、を含み、
前記照明工程および前記移動工程は、前記補助移動工程を挟んで複数回行われることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記並進対称形状は、前記直交方向に対向する2辺が前記所定方向に対して等しく傾斜した四辺形状であることを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
- 複数の前記移動工程のうち、前記補助移動工程を挟む第1および第2の前記移動工程は、前記物体を前記移動方向へ互いに逆向きに移動させることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の露光方法。
- 前記物体の姿勢に対応して、前記所定方向と直交する方向における前記パターンの位置と、前記所定方向に対する前記パターンの回転角との少なくとも一方を補正する補正工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の露光方法。
- 前記照明工程は、前記パターンと投影光学系とを介した前記露光光によって前記物体を露光することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の露光方法。
- 請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の露光方法によって前記物体を露光する第1モードと、
前記パターンに対して前記露光光を照射するとともに、前記パターンおよび前記物体を同期して移動させながら、前記パターンを介した前記露光光によって前記物体を露光する第2モードと、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 所定方向に周期性を有するパターンに対して露光光を周期的にパルス照射して、前記パターンを介した前記露光光によって前記物体を露光する照明光学系と、
前記露光光のパルス照射の各周期に、前記物体が前記所定方向に対応する移動方向へ、前記照明光学系を用いて前記物体上に形成される転写パターンの前記移動方向における周期の整数倍または整数分の一倍に等しい移動量だけ移動するように、前記物体を前記移動方向へ連続的に移動させるステージ機構と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記パターンは、前記所定方向に直交する方向に分離して配置されて前記所定方向に互いに同じ周期を持つ第1および第2の部分パターンを有し、
前記照明光学系は、互いに独立に前記第1および第2の部分パターンを前記露光光でパルス照射する第1及び第2の部分照明光学系を有することを特徴とする請求項11に記載の露光装置。 - 前記物体の前記移動方向への移動に同期して、前記露光光による前記パターン上の照明領域を前記所定方向に漸次開放または遮蔽するブラインド機構を備えることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の露光装置。
- 前記ブラインド機構は、前記露光光による前記パターン上の照明領域を前記所定方向に直交する方向の両端部の形状が平行移動に関して対称な並進対称形状に成形し、
前記ステージ機構は、前記物体を前記移動方向と直交する直交方向に、前記照明領域の該直交方向の幅に対応して移動させることを特徴とする請求項13に記載の露光装置。 - 前記物体の姿勢に対応して、前記所定方向における前記パターンの位置と、前記所定方向に対する前記パターンの回転角との少なくとも一方を補正する補正機構を備えることを特徴とする請求項11から請求項14のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記パターンの投影像を前記物体上に形成する投影光学系を備え、
前記照明光学系は、前記パターンと前記投影光学系とを介した前記露光光によって前記物体を露光することを特徴とする請求項11から請求項15のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記ステージ機構による前記物体の移動方向に対応する方向に前記パターンを移動するパターン駆動機構と、
前記照明光学系によって前記パターンに前記露光光を照射しながら、前記パターン駆動機構および前記ステージ機構を介して前記パターンと前記物体とを同期して移動する制御装置と、
を備えることを特徴とする請求項11から請求項16にいずれか一項に記載の露光装置。 - 請求項11から請求項17のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記パターンを感光基板に転写する露光工程と、
前記パターンが転写された前記感光基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記感光基板上に形成する現像工程と、
前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008008541A JP5470707B2 (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
PCT/JP2009/050272 WO2009090928A1 (ja) | 2008-01-17 | 2009-01-13 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
TW098101045A TWI463267B (zh) | 2008-01-17 | 2009-01-13 | 曝光方法與裝置以及元件製造方法 |
KR1020107008584A KR101581477B1 (ko) | 2008-01-17 | 2009-01-13 | 노광방법 및 장치 및 디바이스 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008008541A JP5470707B2 (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009169189A JP2009169189A (ja) | 2009-07-30 |
JP5470707B2 true JP5470707B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=40885317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008008541A Active JP5470707B2 (ja) | 2008-01-17 | 2008-01-17 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5470707B2 (ja) |
KR (1) | KR101581477B1 (ja) |
TW (1) | TWI463267B (ja) |
WO (1) | WO2009090928A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013195442A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | V Technology Co Ltd | 露光装置、露光方法及び露光済み材製造方法 |
KR101634449B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2016-06-28 | 임세도 | 노광장치 |
DE102015209645A1 (de) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage sowie Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Beleuchtungssystem |
JPWO2023282210A1 (ja) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3766165B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2006-04-12 | 株式会社ニコン | 画像形成方法及び感光材料 |
DE19757074A1 (de) | 1997-12-20 | 1999-06-24 | Zeiss Carl Fa | Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren |
JP2000133563A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2001305745A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 走査露光方法および走査型露光装置 |
JP2007219535A (ja) * | 2001-02-08 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 露光装置 |
JP4250052B2 (ja) * | 2003-10-14 | 2009-04-08 | 財団法人国際科学振興財団 | パターン描画方法、及びパターン描画装置 |
JP2004335864A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4521539B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2010-08-11 | 学校法人東京電機大学 | 露光方法 |
JP2006339600A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びに電子デバイス製造方法 |
-
2008
- 2008-01-17 JP JP2008008541A patent/JP5470707B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-13 TW TW098101045A patent/TWI463267B/zh active
- 2009-01-13 KR KR1020107008584A patent/KR101581477B1/ko active IP Right Grant
- 2009-01-13 WO PCT/JP2009/050272 patent/WO2009090928A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009090928A1 (ja) | 2009-07-23 |
KR101581477B1 (ko) | 2015-12-30 |
KR20100106302A (ko) | 2010-10-01 |
TW200937139A (en) | 2009-09-01 |
JP2009169189A (ja) | 2009-07-30 |
TWI463267B (zh) | 2014-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW561523B (en) | Exposure device, exposure method, and manufacturing method of devices | |
JP5412814B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP5487981B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JPWO2009078434A1 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
JP2010217877A (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
JP5470707B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4760019B2 (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP2010087513A (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 | |
JP5392549B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
KR100978303B1 (ko) | 노광 방법 및 노광 장치 | |
JP4144059B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
KR100845761B1 (ko) | 주사노광방법 및 주사형 노광장치 | |
KR102549056B1 (ko) | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 노광 방법 | |
JP5360379B2 (ja) | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2001215717A (ja) | 走査露光方法および走査型露光装置 | |
JP5245506B2 (ja) | ステージ装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP4110606B2 (ja) | 走査型露光装置および露光方法 | |
JP5515323B2 (ja) | 投影光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP5353456B2 (ja) | 投影光学装置、露光装置、露光方法およびデバイス製造方法 | |
JP6008165B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
KR20240014514A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
WO2017150388A1 (ja) | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 | |
JP2011022532A (ja) | アライメント装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2009302460A (ja) | 露光方法、露光装置、および電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101229 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140120 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5470707 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |