JP5459224B2 - ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 58
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims 29
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 135
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 40
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 23
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 201
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 34
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Description
Claims (58)
- 第1のウエハを第1の保持部材に保持するとともに、第2のウエハを第2の保持部材に保持する保持工程と、
前記第1の保持部材に保持された前記第1のウエハと、前記第1のウエハに対向した位置に保持された前記第2のウエハとを互いに重ね合せて接合する接合工程と、
前記第1の保持部材を識別する識別情報と、前記第2の保持部材を識別する識別情報と、前記第1のウエハの識別情報および前記第2のウエハの識別情報の少なくとも一方とを関連付けて格納する格納工程と、
それぞれ複数の保持部材から取り出して組み合わされた前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の組を用いて、前記接合工程において接合された前記第1のウエハおよび前記第2のウエハを検査する接合後検査工程と、
前記接合後検査工程で得られた接合後検査結果に基づいて、前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の組を継続して使用するか否かを判定する保持部材判定工程と
を備えるウエハ処理方法。 - 前記格納工程は、前記接合工程の前に、前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第1のウエハの前記識別情報とを関連付け、前記第2の保持部材の前記識別情報と前記第2のウエハの前記識別情報とを関連付けて、格納する工程を含む請求項1に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記保持部材判定工程により得られた判定結果と、前記第1の保持部材の前記識別情報および前記第2の保持部材の前記識別情報とを関連付けて格納する工程を含む請求項1または請求項2に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記第1の保持部材の前記識別情報および前記第2の保持部材の前記識別情報と、前記接合後検査結果とを関連付けて格納する工程を含む請求項1に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記第1のウエハの前記識別情報および前記第2のウエハの前記識別情報と、前記接合後検査結果とを関連付けて格納する工程を含む請求項1に記載のウエハ処理方法。
- 前記接合工程の前に、前記第1のウエハの検査および前記第2のウエハの検査を含む接合前検査工程を更に備え、
前記保持部材判定工程は、前記接合前検査工程で得られた接合前検査結果と、前記接合後検査結果とに基づいて前記組を判定する工程を含む
請求項1から5のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。 - 前記保持部材判定工程は、前記接合前検査結果と前記接合後検査結果との変動量に基づいて前記組を判定する工程を含む請求項6に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第1のウエハの前記接合前検査結果とを関連付け、前記第2の保持部材の前記識別情報と前記第2のウエハの前記接合前検査結果とを関連付けて、格納する工程を含む請求項7に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記第1のウエハの前記識別情報および前記第2のウエハの前記識別情報と、前記接合前検査結果とを関連付けて格納する工程を含む請求項8に記載のウエハ処理方法。
- 前記第1の保持部材に保持された前記第1のウエハと、前記第2のウエハとを互いに位置合わせする位置合わせ工程を、前記接合前検査工程と前記接合工程との間に更に有する請求項6から9のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。
- 前記第1の保持部材および前記第2の保持部材に設けられた識別表示から前記第1の保持部材の前記識別情報および前記第2の保持部材の前記識別情報を読み取る読取工程を更に備える請求項1から10のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。
- 前記接合前検査工程よりも前と、前記接合工程よりも後であって前記接合後検査よりも前とに、前記第1の保持部材に設けられた識別表示から前記識別情報を読み取る読取工程を更に備える請求項6から10のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。
- 前記読取工程は、前記識別表示としてバーコードを読み取る工程を含む請求項11または請求項12に記載のウエハ処理方法。
- 前記接合後検査工程は、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハにより形成された複数のダイのそれぞれについて良否を判定するダイ判定工程を含み、
前記接合後検査結果は、前記第1の保持部材の前記識別情報と、前記第2の保持部材の前記識別情報と、前記ダイ判定工程において良と判定されたダイの数とをそれぞれ含む請求項1から13のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。 - 前記保持部材判定工程は、前記ダイ判定工程におけるダイの検査数の積算値に対する前記良と判定されたダイの数の割合が予め定めた閾値以下であるか否かに基づいて前記第1の保持部材を判定する請求項14に記載のウエハ処理方法。
- 前記保持部材判定工程は、前記割合が前記閾値以下である場合に、その旨を通知する通知工程を含む請求項15に記載のウエハ処理方法。
- 前記保持部材判定工程は、前記割合が前記閾値以下である場合に、前記割合に関連付けられた識別情報を有する前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の使用を中止させる信号を出力する出力工程を含む請求項15または16に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記ダイ判定工程において良と判定されたダイの数と前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第2の保持部材の前記識別情報とを関連付けて格納する工程を含む請求項15に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記割合と前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第2の保持部材の前記識別情報とを関連付けて格納する工程を含む請求項15または16に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記第1のウエハの前記識別情報および前記第2のウエハの前記識別情報と、前記ダイ判定工程において良と判定されたダイの数および前記割合の少なくとも一方とを関連付けて格納する工程を含む請求項19に記載のウエハ処理方法。
- 前記格納工程は、前記第1の保持部材に保持された前記第1のウエハにおける複数の領域を個別に識別する領域識別情報と、前記領域識別情報により識別される領域から得られた前記接合後検査結果とを関連付けて格納し、
前記保持部材判定工程は、前記領域識別情報により識別される領域毎の前記接合後検査結果に基づいて前記組を判定する
請求項1に記載のウエハ処理方法。 - 前記保持部材判定工程は、継続して使用することが否と判定された前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の使用を、前記接合工程において中止する工程を含む請求項1に記載のウエハ処理方法。
- 前記接合後検査工程は、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハにより形成された複数のダイのそれぞれについて良否を判定するダイ判定工程を含み、
前記保持部材判定工程は、前記ダイ判定工程におけるダイの検査数の積算値に対する前記良と判定されたダイの数の割合が、予め定めた閾値を超えた場合に前記組を良と判定し、前記割合が前記閾値を超えない場合に前記組を否と判定する工程を含む請求項1から22のいずれか1項に記載のウエハ処理方法。 - 前記保持部材判定工程は、前記組を否と判定した場合に、前記組を形成する前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の両方について継続使用を許容しないと判断する工程を含む請求項23に記載のウエハ処理方法。
- 前記保持部材判定工程は、否と判定した複数の組に共通に含まれる前記第1の保持部材および前記第2の保持部材のいずれか一方を抽出する工程を含む請求項23に記載のウエハ処理方法。
- 前記保持工程は、前記複数の保持部材から取り出された前記第1の保持部材の各々に対する、前記複数の保持部材から取り出された前記第2の保持部材の各々の組み合わせを変化させて、前記複数の保持部材の各々に対する検査総数を均一化する工程を含む請求項1から25のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。
- 前記接合後検査工程は、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハにより形成された複数のダイのそれぞれについて良否を判定するダイ判定工程を含み、
前記保持部材判定工程は、前記ダイ判定工程におけるダイの検査数の積算値に対する前記良と判定されたダイの数の割合の一定時間当りの変化量を算出する算出工程を含む請求項2から4および8のいずれか一項に記載のウエハ処理方法。 - 前記保持部材判定工程は、前記変化量が予め定めた閾値を超えた場合に否と判定し、前記変化量が前記閾値を超えない場合に良と判定する工程を含む請求項27に記載のウエハ処理方法。
- 前記保持部材判定工程は、前記変化量の単位時間当たりの低下率が予め定めた閾値を超えた場合に否と判定し、前記低下率が前記閾値を超えない場合に良と判定する工程を含む請求項27に記載のウエハ処理方法。
- 第1のウエハを第1の保持部材に保持するとともに、第2のウエハを第2の保持部材に保持する部材保持部と、
前記第1の保持部材に保持された前記第1のウエハと、前記第1のウエハに対向した位置に保持された前記第2のウエハとを互いに接合する接合部と、
前記第1の保持部材を識別する識別情報と、前記第1の保持部材と組み合わせて使用される前記第2の保持部材を識別する識別情報と、前記第1のウエハの識別情報および前記第2のウエハの識別情報の少なくとも一方とを関連付けて格納する格納部と、
それぞれ複数の保持部材から取り出して組み合わされた前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の組を用いて、前記接合部において接合された前記第1のウエハおよび前記第2のウエハを検査する接合後検査部と、
前記接合後検査部における接合後検査結果に基づいて、前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の組を継続して使用するか否かを判定する保持部材判定部と
を備えるウエハ処理装置。 - 前記格納部は、前記接合部による接合の前に、前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第1のウエハの前記識別情報とを関連付け、前記第2の保持部材の前記識別情報と前記第2のウエハの前記識別情報とを関連付けて、格納する請求項30に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記保持部材判定部による判定結果と、前記第1の保持部材の前記識別情報および前記第2の保持部材の前記識別情報とを関連付けて格納する請求項30または請求項31に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記第1の保持部材の前記識別情報および前記第2の保持部材の前記識別情報と前記接合後検査結果とを関連付けて格納する請求項30に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記第1のウエハの前記識別情報および前記第2のウエハの前記識別情報と、前記接合後検査結果とを関連付けて格納する請求項30に記載のウエハ処理装置。
- 前記接合部による接合の前に、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハをそれぞれ検査する接合前検査部を更に備え、
前記保持部材判定部は、前記接合前検査部による接合前検査結果と、前記接合後検査部による前記接合後検査結果とに基づいて、前記組を判定する請求項30から34のいずれか一項に記載のウエハ処理装置。 - 前記保持部材判定部は、前記接合前検査結果と前記接合後検査結果との変動量に基づいて前記組を判定する請求項35に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第1のウエハの前記接合前検査結果とを関連付け、前記第2の保持部材の前記識別情報と前記第2のウエハの前記接合前検査結果とを関連付けて、格納する請求項36に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記第1のウエハの前記識別情報および前記第2のウエハの前記識別情報と、前記接合前検査結果とを関連付けて格納する請求項37に記載のウエハ処理装置。
- 前記接合前検査部による接合前検査と、前記接合後検査部による接合後検査との間に、前記第1の保持部材に保持された前記第1のウエハと、前記第2のウエハとを互いに位置合わせする位置合わせ部を更に備える請求項35に記載のウエハ処理装置。
- 前記第1の保持部材および前記第2の保持部材に設けられた識別表示から前記第1の保持部材の前記識別情報および前記第2の保持部材の前記識別情報を読み取る読取部を更に備える請求項35から39のいずれか一項に記載のウエハ処理装置。
- 前記接合前検査部による接合前検査の前、および、前記接合後検査部による接合後検査の前に、前記第1の保持部材に設けられた識別表示から前記識別情報を読み取る読取部を更に備える請求項35から40のいずれか一項に記載のウエハ処理装置。
- 前記読取部は、識別表示としてバーコードを読み取る請求項40または請求項41に記載のウエハ処理装置。
- 前記接合後検査部は、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハにより形成された複数のダイのそれぞれについて良否を判断するダイ判定部を含み、
前記接合後検査結果は、前記第1の保持部材の前記識別情報と、前記第2の保持部材の前記識別情報と、前記ダイ判定部において良と判定されたダイの数とをそれぞれ含む請求項30から42のいずれか一項に記載のウエハ処理装置。 - 前記保持部材判定部は、前記ダイ判定部によるダイの検査数の積算値に対する前記良と判断されたダイの数の割合が予め定めた閾値以下である否かに基づいて前記第1の保持部材の使用を判定する請求項43に記載のウエハ処理装置。
- 前記保持部材判定部は、前記割合が前記閾値以下である場合に、その旨を通知する通知部を更に備える請求項44に記載のウエハ処理装置。
- 前記保持部材判定部は、前記割合が前記閾値以下である場合に、前記割合に関連付けられた前記識別情報を有する前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の使用を中止させる信号を出力する出力部を備える請求項44または45に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記ダイ判定部において良と判断されたダイの数と前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第2の保持部材の前記識別情報とを関連付けて格納する請求項44に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記割合と前記第1の保持部材の前記識別情報と前記第2の保持部材の前記識別情報とを関連付けて格納する請求項44または45に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記第1のウエハの前記識別情報および前記第2のウエハの前記識別情報と、前記ダイ判定部により良と判定されたダイの数および前記割合の少なくとも一方とを関連付けて格納する請求項48に記載のウエハ処理装置。
- 前記格納部は、前記第1の保持部材に保持された前記第1のウエハにおける複数の領域を個別に識別する領域識別情報と、前記領域識別情報により識別される領域から得られた前記接合後検査結果とを関連付けて格納し、
前記保持部材判定部は、前記領域識別情報により識別される領域毎の前記接合後検査結果に基づいて前記組を判定する請求項30に記載のウエハ処理装置。 - 前記保持部材判定部は、継続して使用することが否と判定された前記第1の保持部材および前記第2の保持部材について、前記接合部における使用を中止する請求項30に記載のウエハ処理装置。
- 前記接合後検査部は、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハにより形成された複数のダイのそれぞれについて良否を判定するダイ判定部を含み、
前記保持部材判定部は、前記ダイ判定部におけるダイの検査数の積算値に対する前記良と判定されたダイの数の割合が、予め定めた閾値を超えた場合に前記組を良と判定し、前記割合が前記閾値を超えない場合に前記組を否と判定する請求項30から51のいずれか1項に記載のウエハ処理装置。 - 前記保持部材判定部は、前記組を否と判定した場合に、前記組を形成する前記第1の保持部材および前記第2の保持部材の両方について継続使用を許容しないと判断する請求項52に記載のウエハ処理装置。
- 前記保持部材判定部は、否と判定した複数の組に共通に含まれる前記第1の保持部材および前記第2の保持部材のいずれか一方を抽出する請求項52に記載のウエハ処理装置。
- 前記保持部は、前記複数の保持部材から取り出された前記第1の保持部材の各々に対する、前記複数の保持部材から取り出された前記第2の保持部材の各々の組み合わせを変化させて、前記複数の保持部材の各々に対する検査総数を均一化する請求項30から54のいずれか一項に記載のウエハ処理装置。
- 前記接合後検査部は、前記第1のウエハおよび前記第2のウエハにより形成された複数のダイのそれぞれについて良否を判定するダイ判定部を含み、
前記保持部材判定部は、前記ダイ判定部におけるダイの検査数の積算値に対する前記良と判定されたダイの数の割合の一定時間当りの変化量を算出する算出部を含む請求項31から33および37のいずれか一項に記載のウエハ処理装置。 - 前記保持部材判定部は、前記変化量が予め定めた閾値を超えた場合に否と判定し、前記割合が前記変化量を超えない場合に良と判定する請求項56に記載のウエハ処理装置。
- 前記保持部材判定部は、前記変化量の単位時間当たりの低下率が予め定めた閾値を超えた場合に否と判定し、前記低下率が前記閾値を超えない場合に良と判定する請求項56に記載のウエハ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010543784A JP5459224B2 (ja) | 2008-12-22 | 2009-11-27 | ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008325989 | 2008-12-22 | ||
JP2008325989 | 2008-12-22 | ||
JP2010543784A JP5459224B2 (ja) | 2008-12-22 | 2009-11-27 | ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 |
PCT/JP2009/006428 WO2010073487A1 (ja) | 2008-12-22 | 2009-11-27 | 保持部材管理装置、半導体製造装置、保持部材管理方法、及び、半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014005946A Division JP5812121B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-01-16 | ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010073487A1 JPWO2010073487A1 (ja) | 2012-06-07 |
JP5459224B2 true JP5459224B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=42287146
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010543784A Active JP5459224B2 (ja) | 2008-12-22 | 2009-11-27 | ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 |
JP2014005946A Active JP5812121B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-01-16 | ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014005946A Active JP5812121B2 (ja) | 2008-12-22 | 2014-01-16 | ウエハ処理方法およびウエハ処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5459224B2 (ja) |
TW (1) | TWI497245B (ja) |
WO (1) | WO2010073487A1 (ja) |
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WO2010073487A1 (ja) | 2010-07-01 |
TW201024946A (en) | 2010-07-01 |
JPWO2010073487A1 (ja) | 2012-06-07 |
JP2014131050A (ja) | 2014-07-10 |
TWI497245B (zh) | 2015-08-21 |
JP5812121B2 (ja) | 2015-11-11 |
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