JP5449994B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
102,201,502,702,704,1102,1104 導体フォーカスリング
103,202,403,504,707,708,801,802 等電位面
402,503,703,1103 誘電体フォーカスリング
601,1001 真空容器
602,701,1002 下部電極
603,1003 上部電極
604,1004 プラズマ生成用高周波電源
605,1005 ガス系
606,1006 下部電極温調系
607,1007 高周波電源
608,706,1008,1105 ウエハ吸着膜
609,1009 ウエハ吸着用直流電源
610 ウエハ冷却用ガス系
611,1011 排気系
705 載置面
1010 冷却ガス系
1106 ガス流路
W ウエハ
Claims (6)
- 真空排気可能な真空容器と、前記真空容器内に設けられ被処理基板を載置する被処理基板載置用電極と、前記被処理基板載置用電極と対向するように配置された対向電極と、前記被処理基板載置用電極上であって前記被処理基板の外周を取り囲むように配置されたフォーカスリングと、前記被処理基板載置用電極と前記対向電極間にプラズマを生成するための高周波を印加するプラズマ生成用高周波電源と、前記被処理基板載置用電極に接続されたイオン引き込み用高周波電源と、前記真空容器内に処理ガスを供給するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、
前記フォーカスリングは、前記被処理基板載置用電極上面に配置された誘電体製の膜上に載せられて配置され導体により構成された第一のフォーカスリングと、前記第一のフォーカスリングの上に配置され誘電体により構成された第二のフォーカスリングと、前記第二のフォーカスリングの上でその内周縁を含む上面を覆って配置された第三のフォーカスリングであって導体により構成された第三のフォーカスリングからなり、前記第一のフォーカスリングは、上面の高さを前記被処理基板の上面高さと略等しくされ、かつ、前記プラズマに接することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のフォーカスリングの厚みは、前記プラズマ処理中に前記被処理基板上に形成されるシース厚さと略同じ厚さを有し、かつ、前記被処理基板側の側面は誘電体が露出していることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記第三のフォーカスリングは、単体で交換できる構造であることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のフォーカスリングの下に前記第一のフォーカスリングを冷却するためのガス流路を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項4記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のフォーカスリングと前記第二のフォーカスリングが接合され、二つのフォーカスリングが冷却されることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項4記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のフォーカスリングと前記第二のフォーカスリングと前記第三のフォーカスリングが接合され、三つのフォーカスリングが冷却されることを特徴とするプラズマ処理装置。
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JP2009260563A JP5449994B2 (ja) | 2009-11-16 | 2009-11-16 | プラズマ処理装置 |
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