JP5437662B2 - 反射防止膜及びその形成方法 - Google Patents
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Description
反射防止膜は光学基材(単に基材という)の表面に形成される。第一の反射防止膜はメソポーラスシリカ多孔質膜からなり、第二の反射防止膜は基材側から順に形成された緻密膜及びメソポーラスシリカ多孔質膜からなる。
図1は、基材1の表面に形成された第一の反射防止膜2を示す。第一の反射防止膜2はメソポーラスシリカ多孔質膜20からなる。図1に示す例では平板を基材1としているが、本発明はこれに限定されず、レンズ、プリズム、ライトガイド、フィルム又は回折素子でも良い。基材1の材料は、ガラス、結晶性材料及びプラスチックのいずれでも良い。基材1の材料の具体例として、BK7、LaSF01、LASF016、LAK14、SF5等の光学ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス、石英、青板ガラス、白板ガラスが挙げられる。これらの基材1の屈折率は1.45〜1.85の範囲内である。
図4は、第二の反射防止膜の一例を示す。第二の反射防止膜2は、基材1側から順に形成された緻密膜21及びメソポーラスシリカ多孔質膜20からなる。メソポーラスシリカ多孔質膜20は上記と同じでよい。
(1) メソポーラスシリカ多孔質膜の形成
メソポーラスシリカ多孔質膜は、(i) 溶媒、酸性触媒、アルコキシシラン、カチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤の混合溶液をエージングしてアルコキシシランを加水分解・重縮合させ、(ii) 得られたシリケートを含む酸性ゾルに塩基性触媒を添加することにより、非イオン性界面活性剤で被覆され、かつカチオン性界面活性剤を細孔内に有するメソポーラスシリカナノ粒子(以下「界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体」とよぶことがある)の溶液(ゾル)を調製し、(iii) ゾルを基材又は緻密膜表面にコーティングし、(iv) 乾燥して溶媒を除去し、(v) 焼成してカチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を除去することにより形成することができる。
(a-1) アルコキシシラン
アルコキシシランはモノマーでも、オリゴマーでも良い。アルコキシシランモノマーはアルコキシル基を3つ以上有するのが好ましい。アルコキシル基を3つ以上有するアルコキシシランを出発原料とすることにより、優れた均一性を有するメソポーラスシリカ多孔質膜が得られる。アルコキシシランモノマーの具体例としてはメチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、ジエトキシジメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等が挙げられる。アルコキシシランオリゴマーとしては、上述のモノマーの重縮合物が好ましい。アルコキシシランオリゴマーはアルコキシシランモノマーの加水分解・重縮合により得られる。アルコキシシランオリゴマーの具体例として、一般式RSiO1.5(ただしRは有機官能基を示す。)により表されるシルセスキオキサンが挙げられる。
(i) カチオン性界面活性剤
カチオン性界面活性剤としては、ハロゲン化アルキルトリメチルアンモニウム、ハロゲン化アルキルトリエチルアンモニウム、ハロゲン化ジアルキルジメチルアンモニウム、ハロゲン化アルキルメチルアンモニウム、ハロゲン化アルコキシトリメチルアンモニウム等が挙げられる。ハロゲン化アルキルトリメチルアンモニウムとして、塩化ラウリルトリメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、臭化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベヘニルトリメチルアンモニウム等が挙げられる。ハロゲン化アルキルトリメチルアンモニウムとして、塩化n-ヘキサデシルトリメチルアンモニウム等が挙げられる。ハロゲン化ジアルキルジメチルアンモニウムとして、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム等が挙げられる。ハロゲン化アルキルメチルアンモニウムとして、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム等が挙げられる。ハロゲン化アルコキシトリメチルアンモニウムとして、塩化オクタデシロキシプロピルトリメチルアンモニウム等が挙げられる。
非イオン性界面活性剤として、エチレンオキシドとプロピレンオキシドとのブロックコポリマー、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等が挙げられる。エチレンオキシドとプロピレンオキシドとのブロックコポリマーとして、例えば式:RO(C2H4O)a-(C3H6O)b-(C2H4O)cR(但し、a及びcはそれぞれ10〜120を表し、bは30〜80を表し、Rは水素原子又は炭素数1〜12のアルキル基を表す)で表されるものが挙げられる。このブロックコポリマーの市販品として、例えばPluronic(登録商標、BASF社)が挙げられる。ポリオキシエチレンアルキルエーテルとして、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等が挙げられる。
(i) 酸性触媒
酸性触媒の例として塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸やギ酸、酢酸等の有機酸が挙げられる。
塩基性触媒の例としてアンモニア、アミン、NaOH及びKOHが挙げられる。好ましいアミンの例としてアルコールアミン及びアルキルアミン(例えばメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、n-ブチルアミン、n-プロピルアミン等)が挙げられる。
溶媒としては純水を用いる。
(b-1) 酸性条件での加水分解・重縮合
純水に酸性触媒を添加して酸性溶液を調製し、カチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤の混合溶液を調製した後、アルコキシシランを添加し、加水分解・重縮合する。酸性溶液のpHは約2とするのが好ましい。アルコキシシランのシラノール基の等電点は約pH2であるので、pH2付近では酸性溶液中でシラノール基が安定的に存在する。溶媒/アルコキシシランのモル比は30〜300にするのが好ましい。このモル比を30未満とすると、アルコキシシランの重合度が高くなり過ぎる。一方300超とすると、アルコキシシランの重合度が低くなり過ぎる。
酸性ゾルに塩基性触媒を添加して溶液を塩基性にし、さらに加水分解・重縮合し、反応を完結させる。これにより平均粒径が200 nm以下のメソポーラスシリカナノ粒子が得られる。溶液のpHは9〜12となるように調整するのが好ましい。
界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体の溶液(ゾル)を基材の表面にコーティングする。ゾルのコーティング方法として、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、フローコート法、バーコート法、リバースコート法、フレキソ法、印刷法及びこれらを併用する方法等が挙げられる。得られる多孔質膜の厚さは、例えば、スピンコート法における基材回転速度やディッピング法における引き上げ速度の調整、塗布液の濃度の調整等により制御することができる。スピンコート法における基材回転速度は、例えば約500 rpm〜約10,000 rpmとするのが好ましい。
塗布したゾルから溶媒を揮発させる。塗布膜の乾燥条件は特に制限されず、基材の耐熱性等に応じて適宜選択すればよい。自然乾燥してもよいし、50〜200℃の温度で15分〜1時間熱処理して乾燥を促進してもよい。
乾燥した膜を焼成してカチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を除去することにより、メソポーラスシリカ多孔質膜を形成する。焼成温度は500℃超であり、550℃以上が好ましい。焼成温度を500℃以下とすると、屈折率が低くなり膜の機械的強度が低下する恐れがある。焼成温度の上限は基材のガラス転移温度が好ましく、基材のガラス転移温度−50℃がより好ましい。焼成温度を基材のガラス転移温度超とすると、基材が変形する。焼成時間は1〜6時間が好ましく、2〜4時間がより好ましい。焼成中にメソポーラスシリカ粒子同士の結合及びメソポーラスシリカ粒子と基材との結合が強くなるので、耐擦傷性、基材に対する密着性、及び機械的強度が向上する。
無機層は真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理蒸着法、熱CVD、プラズマCVD、光CVD等の化学蒸着法等により形成することができる。
pH2の塩酸(0.01N)40 gに、塩化n-ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(関東化学株式会社製)1.21 g(0.088 mol/L)、及びブロックコポリマーHO(C2H4O)106-(C3H6O)70-(C2H4O)106H(商品名「Pluronic F127」、Sigma-Aldrich社)1.10 g(0.002 mol/L)を添加し、23℃で1時間撹拌し、テトラエトキシシラン(関東化学株式会社製)4.00 g(0.45 mol/L)を添加し、23℃で3時間撹拌した後、28質量%アンモニア水3.94 g(1.51 mol/L)を添加してpHを11とし、23℃で0.5時間撹拌した。得られた界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体の溶液を、屈折率が1.518のBK7ガラスからなる平板(φ30 mm)の表面にスピンコート法により塗布し、80℃で0.5時間乾燥した後、600℃で3時間焼成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。屈折率及び物理膜厚の測定には、レンズ反射率測定機(型番:USPM-RU、オリンパス株式会社製)を使用した。
基材として屈折率が1.700のLAK14ガラスからなる平板(φ30 mm)を用いた以外実施例1と同様にして、メソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。
電子ビーム式の蒸着源を有する装置を用いて、真空蒸着法により上記LAK14ガラス平板(屈折率:1.700)の表面に、物理膜厚が95 nmの酸化ケイ素層(屈折率:1.469)を形成した(光学膜厚:130 nm)。上記ブロックコポリマーの配合割合を3.22 g(0.006 mol/L)とした以外実施例1と同様にして、界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体の溶液を調製した。この溶液を用いた以外実施例1と同様にして、上記酸化ケイ素緻密膜上にメソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の層構成及び特性を表1に示す。
上記LAK14ガラス平板(屈折率: 1.700)の表面に、表1に示す構成になるように、上記装置を用いて真空蒸着法により多層の緻密膜を形成した。得られた多層の緻密膜上に、実施例1と同様にしてメソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。
物理膜厚を77 nmとした以外実施例1と同様にして、上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)の表面にメソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。この膜を形成するメソポーラスシリカナノ粒子の平均粒径は29 nmであった。メソポーラスシリカナノ粒子の平均粒径は、動的光散乱法により測定することにより求めた[動的光散乱式粒径分布測定装置LB-550(株式会社堀場製作所製)を使用。]。
上記ブロックコポリマーの配合割合を3.22 g(0.006 mol/L)とした以外実施例1と同様にして、界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体の溶液を調製した。この溶液を用いた以外実施例1と同様にして、上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)の表面にメソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。この膜を形成するメソポーラスシリカナノ粒子の平均粒径は25 nmであった。
上記ブロックコポリマーの濃度を0.004 mol/Lとした以外実施例1と同様にして、界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体の溶液を調製した。この溶液を用いた以外実施例1と同様にして、上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)の表面にメソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。この膜を形成するメソポーラスシリカナノ粒子の平均粒径は28 nmであった。
上記ブロックコポリマーの濃度を0.008 mol/Lとした以外実施例1と同様にして、界面活性剤−メソポーラスシリカナノ粒子複合体の溶液を調製した。この溶液を用いた以外実施例1と同様にして、上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)の表面にメソポーラスシリカ多孔質膜を形成した。得られた反射防止膜の特性を表1に示す。この膜を形成するメソポーラスシリカナノ粒子の平均粒径は25 nmであった。
上記装置を用いて、真空蒸着法により上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)の表面に、物理膜厚が100 nm(光学膜厚:139 nm)のフッ化マグネシウム層(屈折率:1.388)を形成することにより反射防止膜を作製した。反射防止膜の特性を表1に示す。
上記装置を用いて、真空蒸着法により上記LAK14ガラス平板(屈折率:1.700)の表面に、物理膜厚が99 nm(光学膜厚:137 nm)のフッ化マグネシウム層(屈折率:1.388)を形成することにより反射防止膜を作製した。反射防止膜の特性を表1に示す。
上記BK7ガラス平板(屈折率:1.158)の表面に、表1に示す構成になるように、上記装置を用いて真空蒸着法により多層の緻密膜を形成することにより反射防止膜を作製した。反射防止膜の層構成及び特性を表1に示す。
上記LAK14ガラス平板(屈折率:1.700)の表面に、表1に示す構成になるように、上記装置を用いて真空蒸着法により多層の緻密膜を形成することにより反射防止膜を作製した。反射防止膜の層構成及び特性を表1に示す。
特開2006-215542号の実施例1と同様にして、上記BK7ガラス平板の表面にMgF2層及びシリカエアロゲル多孔質層からなる反射防止膜を形成した。反射防止膜の層構成及び特性を表1に示す。
実施例1〜4及び比較例1〜5の反射防止膜に対して、380〜780 nmの波長域の0°の入射角の光線の分光反射率を分光光度計(形式:U4000、日立製作所(株)製)を用いて測定した。また比較例6として上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)のみ、比較例7として上記LAK14ガラス平板(屈折率:1.700)のみに対しても同様にして分光反射率を測定した。結果を図7〜10に示す。実施例1〜4の反射防止膜は、0°の入射角の光線に対する分光反射率がほぼ2%以下であった。これに対して比較例1〜4では緻密質のみの反射防止膜を形成しているので、緻密質及びメソポーラスシリカ多孔質膜からなる実施例3及び4の反射防止膜に比較して分光反射率が劣っていた。比較例6,7では反射防止膜を形成していないので、反射防止膜を有する実施例1〜4に比較して明らかに分光反射率が劣っていた。
実施例1,2,4及び比較例1〜5の反射防止膜の耐擦傷性、密着性、耐溶剤性及び耐湿性を以下の方法で評価した。また比較例6として上記BK7ガラス平板(屈折率:1.518)のみに対しても同様にして上記物性を評価した。結果を表2に示す。
1kg/cm2の圧力及び120回/分の速度で不織布(商品名「スピックレンズワイパー」、小津産業株式会社製)により反射防止膜を10回擦る処理を施した後、表面の様子を観察することにより、耐擦傷性を評価した。評価基準は、○:「全く傷が付かなかった」、△:「少し傷が付いたが剥離しなかった」、及び×:「剥離した」である。
反射防止膜の1cm×1cmの領域にセロハンテープを貼付した後、セロハンテープを45度方向に引っ張りながら剥離することにより密着性を評価した。評価基準は、○:「全く剥離しなかった」、及び×:「一部又は全部剥離した」である。
エタノールを染み込ませた上記不織布を用いて、1kg/cm2の圧力及び120回/分の速度で反射防止膜を10回擦る処理を施した後、表面の様子を観察することにより、耐溶剤性を評価した。評価基準は、○:「全く傷が付かなかった」、△:「少し傷が付いたが剥離しなかった」、及び×:「剥離した」である。
60℃及び相対湿度95%の条件で72時間処理した後、上記と同様にして分光反射率を測定することにより、耐湿性を評価した。評価基準は、○:「外観変化が無く膜の反射分光特性が耐湿試験前後で変化無し」、△:「外観変化は無いが膜の反射分光特性が耐湿試験前後で変化」、及び×:「膜荒れが生じ膜の反射分光特性が耐湿試験前後で変化」である。
実施例5及び6の反射防止膜に対して、ISO14577-1:2002に従い、三角錐の圧子を具備する微小硬度計(株式会社エリオニクス社製 ENT-1100a)を用い、10、50、100 mgfの3種類の押込み加重におけるマルテンス硬さ(GPa)を測定した。結果を表3に示す。
実施例1、7及び8の反射防止膜について、自動比表面積・細孔分布測定装置「トライスター3000」(株式会社島津製作所)で窒素ガスの等温脱着曲線を求め、これをBJH法で解析して孔径分布曲線[log微分細孔容積分布]を求めた。結果を図11に示す。
2・・・反射防止膜
20・・・メソポーラスシリカ多孔質膜
200・・・メソポーラスシリカナノ粒子
200a・・・メソ孔
200b・・・シリカ骨格
21,210,211,212,213,214・・・緻密膜
Claims (16)
- 基材の表面に形成されたメソポーラスシリカナノ粒子が集合してなるメソポーラスシリカ多孔質膜からなり、窒素吸着法により求めた孔径分布曲線が、2〜10 nmの範囲内の粒子内細孔径によるピークと、5〜200 nmの範囲内の粒子間細孔径によるピークとを有する構造を有し、1.10超〜1.35以下の屈折率を有することを特徴とする反射防止膜。
- 基材の表面に順に形成された緻密膜及びメソポーラスシリカ多孔質膜からなる反射防止膜であって、前記メソポーラスシリカ多孔質膜がメソポーラスシリカナノ粒子の集合体からなり、窒素吸着法により求めた孔径分布曲線が、2〜10 nmの範囲内の粒子内細孔径によるピークと、5〜200 nmの範囲内の粒子間細孔径によるピークとを有する構造を有し、かつ1.10超〜1.35以下の屈折率を有することを特徴とする反射防止膜。
- 請求項2に記載の反射防止膜において、前記緻密膜は単層であり、屈折率が前記基材から前記メソポーラスシリカ多孔質膜まで順に小さくなっていることを特徴とする反射防止膜。
- 請求項2に記載の反射防止膜において、前記緻密膜は多層であり、屈折率の異なる複数の膜を組合せてなることを特徴とする反射防止膜。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の反射防止膜において、前記メソポーラスシリカナノ粒子の平均粒径が200 nm以下であることを特徴とする反射防止膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の反射防止膜において、前記メソポーラスシリカナノ粒子は、メソ孔がヘキサゴナル状に配列した多孔質構造を有することを特徴とする反射防止膜。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の反射防止膜において、前記粒子内細孔と前記粒子間細孔との細孔容積比が1/2〜1/1であることを特徴とする反射防止膜。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の反射防止膜において、前記メソポーラスシリカ多孔質膜の物理膜厚が15〜500 nmであることを特徴とする反射防止膜。
- 請求項1〜8のいずれかに記載の反射防止膜において、前記メソポーラスシリカ多孔質膜の空隙率が25%以上〜75%未満であることを特徴とする反射防止膜。
- 基材の表面に、メソポーラスシリカナノ粒子が集合してなるメソポーラスシリカ多孔質膜からなる反射防止膜を形成する方法であって、(i) 溶媒、酸性触媒、アルコキシシラン、カチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を含み、前記非イオン性界面活性剤/前記アルコキシシランのモル比が3.5×10-3以上〜2.5×10-2未満である混合溶液をエージングしてアルコキシシランを加水分解・重縮合させ、(ii) 得られたシリケートを含む酸性ゾルに塩基性触媒を添加することにより、前記非イオン性界面活性剤で被覆され、かつ前記カチオン性界面活性剤を細孔内に有するメソポーラスシリカナノ粒子の溶液を調製し、(iii) 前記溶液を前記基材の表面にコーティングし、(iv) 乾燥して前記溶媒を除去し、(v) 焼成して前記カチオン性界面活性剤及び前記非イオン性界面活性剤を除去することを特徴とする方法。
- 基材の表面に、単層又は多層の緻密膜と、メソポーラスシリカナノ粒子が集合してなるメソポーラスシリカ多孔質膜とからなる反射防止膜を形成する方法であって、(1) 蒸着法により無機材料からなる単層又は多層の緻密膜を前記基材の表面に形成した後、(2)(i) 溶媒、酸性触媒、アルコキシシラン、カチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を含み、前記非イオン性界面活性剤/前記アルコキシシランのモル比が3.5×10-3以上〜2.5×10-2未満である混合溶液をエージングしてアルコキシシランを加水分解・重縮合させ、(ii) 得られたシリケートを含む酸性ゾルに塩基性触媒を添加することにより、前記非イオン性界面活性剤で被覆され、かつ前記カチオン性界面活性剤を細孔内に有するメソポーラスシリカナノ粒子の溶液を調製し、(iii) 前記溶液を前記単層又は多層の緻密膜の表面にコーティングし、(iv) 乾燥して前記溶媒を除去し、(v) 焼成して前記カチオン性界面活性剤及び前記非イオン性界面活性剤を除去することを特徴とする方法。
- 請求項10又は11に記載の反射防止膜の形成方法において、前記カチオン性界面活性剤として塩化n-ヘキサデシルトリメチルアンモニウムを用い、前記非イオン性界面活性剤として式:RO(C2H4O)a-(C3H6O)b-(C2H4O)cR(但し、a及びcはそれぞれ10〜120を表し、bは30〜80を表し、Rは水素原子又は炭素数1〜12のアルキル基を表す)で表されるブロックコポリマーを用いることを特徴とする方法。
- 請求項10〜12のいずれかに記載の反射防止膜の形成方法において、前記酸性触媒として塩酸を用い、前記塩基性触媒としてアンモニアを用い、前記アルコキシシランとしてテトラエトキシシランを用いることを特徴とする方法。
- 請求項10〜13のいずれかに記載の反射防止膜の形成方法において、前記カチオン性界面活性剤/前記非イオン性界面活性剤のモル比を8超〜60以下とすることを特徴とする方法。
- 請求項10〜14のいずれかに記載の反射防止膜の形成方法において、前記塩基性触媒を添加することにより、前記メソポーラスシリカナノ粒子の溶液のpHを9〜12に調整することを特徴とする方法。
- 請求項10〜15のいずれかに記載の反射防止膜の形成方法において、前記焼成を500℃超の温度で行うことを特徴とする方法。
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---|---|---|---|---|
DE102006046308A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Transparente poröse SiO2-Beschichtung für ein transparentes Substratmaterial |
DE102007043653A1 (de) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Siemens Ag | Transparente poröse SiO2-Beschichtung für ein transparentes Substratmaterial mit verbesserten optischen Eigenschaften |
JP5313587B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-10-09 | 学校法人慶應義塾 | 反射防止膜及びこれを有する光学部品、交換レンズ及び撮像装置 |
JP2010132485A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Keio Gijuku | メソポーラスシリカ多孔質膜の形成方法、その多孔質膜、反射防止膜及び光学素子 |
WO2011044519A2 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Yazaki Corporation | Durable anti-reflection coatings |
KR101133695B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2012-04-06 | 주식회사 에이피엠 | 기계적 성질이 향상된 반사 방지 피막용 조성물 |
KR100967188B1 (ko) * | 2009-11-30 | 2010-07-05 | 주식회사 엔티쏠라글라스 | 반사방지막 제조방법 및 그로 인해 제조된 태양전지용 커버 기판 |
US20130052117A1 (en) * | 2010-03-04 | 2013-02-28 | Keio University | Process for producing porous silica, and porous silica |
JP5652270B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2015-01-14 | 三菱化学株式会社 | シリカ系多孔質膜の製造方法 |
GB201014024D0 (en) | 2010-08-20 | 2010-10-06 | Oxford Energy Technologies Ltd | Optical coating |
BR112013006753A2 (pt) * | 2010-10-06 | 2016-06-21 | 3M Innovative Properties Co | artigos antirreflexivos com revestimentos à base de nanossílica e camada de barreira |
WO2012076133A1 (en) | 2010-12-09 | 2012-06-14 | Lantiq Deutschland Gmbh | Mac cycle alignment method for neighboring network coordination |
CN102104085B (zh) * | 2010-12-14 | 2012-10-17 | 天津市津能电池科技有限公司 | 一种具有减反射膜的大面积硅基薄膜太阳电池及其制备方法 |
DE102010054858C5 (de) | 2010-12-17 | 2024-04-11 | Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer reflexionsmindernden Beschichtung |
BR112013013807A2 (pt) * | 2010-12-20 | 2016-09-13 | 3M Innovative Properties Co | filmes poliméricos anti-reflexo semelhante a vidro revestidos com nanopartículas de sílica, métodos de preparo e dispositivos de absorção de luz com o uso dos mesmos |
JP5881096B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-03-09 | 株式会社タムロン | 反射防止膜及び光学素子 |
JP6053275B2 (ja) * | 2011-11-16 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 色分解光学系及びそれを有する撮像装置 |
JP5976523B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2016-08-23 | 富士フイルム株式会社 | 光学部材セット及びこれを用いた固体撮像素子 |
JP2013152425A (ja) | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Tamron Co Ltd | 反射防止膜及び光学素子 |
US20150024191A1 (en) * | 2012-01-13 | 2015-01-22 | Corning Incorporated | Reflection-Resistant Glass Articles and Methods for Making and Using Same |
US20130196140A1 (en) * | 2012-01-30 | 2013-08-01 | Guardian Industries Corp. | Coated article with antireflection coating including porous nanoparticles, and/or method of making the same |
JP5992185B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-09-14 | グンゼ株式会社 | 反射防止シート |
US10059622B2 (en) | 2012-05-07 | 2018-08-28 | Guardian Glass, LLC | Anti-reflection glass with tin oxide nanoparticles |
WO2013174753A1 (en) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | Dsm Ip Assets B.V. | Hybrid organic-inorganic nano-particles |
JP6202785B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2017-09-27 | オリンパス株式会社 | 反射防止膜、光学系、光学機器、及び反射防止膜の成膜方法 |
JP2014006496A (ja) * | 2012-05-30 | 2014-01-16 | Canon Inc | 光学部材、撮像装置及び光学部材の製造方法 |
CN103094363B (zh) * | 2012-06-26 | 2016-06-29 | 中山大学 | 一种二氧化硅ar膜及其制备方法 |
CN102744935B (zh) * | 2012-07-25 | 2015-07-15 | 浙江大学 | 节能镀膜玻璃 |
JP6081736B2 (ja) * | 2012-08-21 | 2017-02-15 | 株式会社タムロン | 反射防止膜、光学素子及び反射防止膜の製造方法。 |
TWI615367B (zh) * | 2012-10-12 | 2018-02-21 | 康寧公司 | 具有保留強度之物品 |
JP2016001199A (ja) * | 2012-10-15 | 2016-01-07 | 旭硝子株式会社 | シリカ系多孔質膜、シリカ系多孔質膜付き物品およびその製造方法 |
JP2016001200A (ja) * | 2012-10-15 | 2016-01-07 | 旭硝子株式会社 | 防汚性反射防止膜、物品およびその製造方法 |
JP6137807B2 (ja) * | 2012-11-12 | 2017-05-31 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜を有する光学素子、光学系および光学機器 |
EP2752388A1 (en) * | 2012-12-13 | 2014-07-09 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article including anti-reflection coating and products containing the same |
EP2752386B1 (en) * | 2012-12-13 | 2019-08-28 | Guardian Glass, LLC | Method of making coated article including anti-reflection coating with porosity differences in two layers, and products containing the same |
EP2752387B1 (en) * | 2012-12-13 | 2018-06-27 | Guardian Glass, LLC | Method of making coated article including anti-reflection coating with double coating layers including mesoporous materials, and products containing the same |
US9581733B2 (en) * | 2013-08-23 | 2017-02-28 | Ricoh Imaging Company, Ltd. | Anti-reflection coating and optical member comprising same |
JP6153093B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2017-06-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 反射防止膜及びその製造方法 |
JP6323861B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2018-05-16 | リコーイメージング株式会社 | 表面修飾メソポーラスシリカナノ粒子の製造方法 |
CN104708882B (zh) * | 2013-12-16 | 2017-10-24 | 杜邦公司 | 二氧化硅涂布的防反射膜或板 |
JP6355077B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-07-11 | 学校法人慶應義塾 | メソポーラスシリカ多孔質膜用塗布液の製造方法及びメソポーラスシリカ多孔質膜の製造方法 |
JP6164120B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2017-07-19 | 旭硝子株式会社 | 反射防止膜付き基材および物品 |
JP6274924B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-02-07 | キヤノン株式会社 | 反射防止膜、光学部材及び光学部材の製造方法 |
JPWO2015163466A1 (ja) * | 2014-04-24 | 2017-04-20 | ホヤ レンズ タイランド リミテッドHOYA Lens Thailand Ltd | 眼鏡レンズ |
WO2017056405A1 (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | 日本板硝子株式会社 | コーティング膜付きガラス板及びその製造方法 |
EP3153550A1 (en) * | 2015-10-05 | 2017-04-12 | 3M Innovative Properties Company | Room temperature curing highly durable anti-reflective coating containing nanoparticles |
JP6932524B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2021-09-08 | キヤノン株式会社 | 光学部材及び光学部材の製造方法 |
MY195436A (en) | 2017-04-18 | 2023-01-20 | Covestro Netherlands Bv | Coating and Coating Formulation |
KR102267504B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2021-06-21 | 주식회사 엘지화학 | 메조포러스 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재 |
KR102267506B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2021-06-21 | 주식회사 엘지화학 | 저굴절 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재 |
FI129167B (en) | 2017-12-22 | 2021-08-31 | Dispelix Oy | Interference-free waveguide display |
KR102267503B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2021-06-21 | 주식회사 엘지화학 | 저반사 실리카 코팅층을 포함하는 광학 부재의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 광학 부재 |
CN108516697A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-09-11 | 仲恺农业工程学院 | 一种超亲水增透涂层、制备方法和玻璃 |
CN109581549B (zh) * | 2019-01-07 | 2020-10-09 | 杭州美迪凯光电科技股份有限公司 | 一种反射防止膜及包含该反射防止膜的光学部件 |
CN113311515A (zh) * | 2020-02-25 | 2021-08-27 | 华为技术有限公司 | 一种镜头、摄像模组和电子设备 |
KR102418903B1 (ko) * | 2020-03-26 | 2022-07-11 | 한국과학기술연구원 | 초 대형 기공을 가지는 메조포러스 실리카 필름 구조체 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2225973C2 (de) * | 1972-05-27 | 1974-07-04 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Verfahren zum Beschichten von nicht porösem Material mit einer porösen Siliciumdioxidschicht |
EP0897898B1 (de) * | 1997-08-16 | 2004-04-28 | MERCK PATENT GmbH | Verfahren zur Abscheidung optischer Schichten |
EP0974560B2 (en) * | 1997-12-09 | 2015-12-30 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Antireflection glass plate, process for producing the same, and antireflection coating composition |
US6592980B1 (en) | 1999-12-07 | 2003-07-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mesoporous films having reduced dielectric constants |
JP4107050B2 (ja) * | 2001-10-25 | 2008-06-25 | 松下電工株式会社 | コーティング材組成物及びそれにより形成された被膜を有する物品 |
KR20070011650A (ko) * | 2001-10-25 | 2007-01-24 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 코팅재 조성물 및 그것에 의해 형성된 피막을 가지는 물품 |
CA2467703A1 (en) * | 2001-11-21 | 2003-06-05 | University Of Massachusetts | Mesoporous materials and methods |
KR100709527B1 (ko) * | 2003-02-21 | 2007-04-20 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 실리카 함유 적층체, 및 다공성 실리카층 형성용 도포조성물 |
JP4443318B2 (ja) * | 2004-06-16 | 2010-03-31 | Hoya株式会社 | 反射防止膜及び反射防止膜を有する光学素子 |
JP4563776B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-10-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 透明無機多孔体被膜およびその製造方法 |
US20060154044A1 (en) | 2005-01-07 | 2006-07-13 | Pentax Corporation | Anti-reflection coating and optical element having such anti-reflection coating for image sensors |
JP2006215542A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-08-17 | Pentax Corp | 反射防止膜及びこれを有する撮像系光学素子 |
JP5002135B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2012-08-15 | 株式会社アルバック | 超低屈折率膜の作製方法 |
JP5179115B2 (ja) | 2007-08-10 | 2013-04-10 | パナソニック株式会社 | 低屈折率被膜形成用樹脂組成物、低屈折率被膜、反射防止基材 |
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