JP5422121B2 - 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 - Google Patents
発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5422121B2 JP5422121B2 JP2007529235A JP2007529235A JP5422121B2 JP 5422121 B2 JP5422121 B2 JP 5422121B2 JP 2007529235 A JP2007529235 A JP 2007529235A JP 2007529235 A JP2007529235 A JP 2007529235A JP 5422121 B2 JP5422121 B2 JP 5422121B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- emitting device
- light emitting
- light
- acid anhydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 189
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 186
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 73
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 claims description 50
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 45
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 41
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 36
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 36
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 30
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 17
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 15
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 14
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012265 solid product Substances 0.000 claims 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 12
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 10
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 8
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 6
- HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N triphenyl phosphite Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 HVLLSGMXQDNUAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- LSDYBCGXPCFFNM-UHFFFAOYSA-M dimethyl phosphate;tributyl(methyl)phosphanium Chemical compound COP([O-])(=O)OC.CCCC[P+](C)(CCCC)CCCC LSDYBCGXPCFFNM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical compound OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N (3ar,4s,7r,7as)-3a-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-4,7-methano-2-benzofuran-1,3-dione Chemical class C([C@H]1C=C2)[C@H]2[C@H]2[C@]1(C)C(=O)OC2=O LTVUCOSIZFEASK-MPXCPUAZSA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- 150000000182 1,3,5-triazines Chemical class 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVUXDWXKPROUDO-UHFFFAOYSA-N 2,6-di-tert-butyl-4-ethylphenol Chemical compound CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 BVUXDWXKPROUDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPFORYMJHCRRY-UHFFFAOYSA-N 2-(isocyanatomethyl)oxirane Chemical compound O=C=NCC1CO1 WCPFORYMJHCRRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIBRSVLEQRWAEG-UHFFFAOYSA-N 3,9-bis(2,4-ditert-butylphenoxy)-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP1OCC2(COP(OC=3C(=CC(=CC=3)C(C)(C)C)C(C)(C)C)OC2)CO1 AIBRSVLEQRWAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLUZWKKWWSCRSR-UHFFFAOYSA-N 3,9-bis(8-methylnonoxy)-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane Chemical compound C1OP(OCCCCCCCC(C)C)OCC21COP(OCCCCCCCC(C)C)OC2 YLUZWKKWWSCRSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZRWFKGUFWPFID-UHFFFAOYSA-N 3,9-dioctadecoxy-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro[5.5]undecane Chemical compound C1OP(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)OCC21COP(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)OC2 PZRWFKGUFWPFID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTITJMSUGCZDH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-hydroxy-2,6-dimethylphenyl)-3,5-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C)=C1C1=C(C)C=C(O)C=C1C XSTITJMSUGCZDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRWJPWSKLXYEPD-UHFFFAOYSA-N 4-[4,4-bis(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butan-2-yl]-2-tert-butyl-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(C)CC(C=1C(=CC(O)=C(C=1)C(C)(C)C)C)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PRWJPWSKLXYEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 4-[[3,5-bis[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-2,4,6-trimethylphenyl]methyl]-2,6-ditert-butylphenol Chemical compound CC1=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C(CC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C(C)=C1CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 VSAWBBYYMBQKIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010893 Bischofia javanica Nutrition 0.000 description 1
- 240000005220 Bischofia javanica Species 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004255 Butylated hydroxyanisole Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- GHKOFFNLGXMVNJ-UHFFFAOYSA-N Didodecyl thiobispropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCC GHKOFFNLGXMVNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- JYOGYPBYFYEDPE-UHFFFAOYSA-N P(=O)(O)OP(=O)O.C(C)(C)(C)C1=C(C=CC(=C1)C(C)(C)C)C=1C(=C(C(=C(C1)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical compound P(=O)(O)OP(=O)O.C(C)(C)(C)C1=C(C=CC(=C1)C(C)(C)C)C=1C(=C(C(=C(C1)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C1=C(C=C(C=C1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 JYOGYPBYFYEDPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N Phenol, 2,4-bis(1,1-dimethylethyl)-, phosphite (3:1) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP(OC=1C(=CC(=CC=1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001483078 Phyto Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGRTZESQZZGAAU-UHFFFAOYSA-N [2-[3-[1-[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoyloxy]-2-methylpropan-2-yl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecan-9-yl]-2-methylpropyl] 3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C)=CC(CCC(=O)OCC(C)(C)C2OCC3(CO2)COC(OC3)C(C)(C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C)C=2)C(C)(C)C)=C1 CGRTZESQZZGAAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N butylated hydroxyanisole Chemical compound COC1=CC=C(O)C(C(C)(C)C)=C1.COC1=CC=C(O)C=C1C(C)(C)C CZBZUDVBLSSABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043253 butylated hydroxyanisole Drugs 0.000 description 1
- 235000019282 butylated hydroxyanisole Nutrition 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- XOSYHSRXLVMOBA-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;phenol Chemical compound C1C=CC=C1.C1C=CC=C1.OC1=CC=CC=C1 XOSYHSRXLVMOBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N distearyl thiodipropionate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- PMOIAJVKYNVHQE-UHFFFAOYSA-N phosphanium;bromide Chemical group [PH4+].[Br-] PMOIAJVKYNVHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- LVEOKSIILWWVEO-UHFFFAOYSA-N tetradecyl 3-(3-oxo-3-tetradecoxypropyl)sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCC LVEOKSIILWWVEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- IVIIAEVMQHEPAY-UHFFFAOYSA-N tridodecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCOP(OCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCC IVIIAEVMQHEPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNUJLMSKURPSHE-UHFFFAOYSA-N trioctadecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOP(OCCCCCCCCCCCCCCCCCC)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC CNUJLMSKURPSHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXVOAMVQOCBPQT-UHFFFAOYSA-N triphos Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AXVOAMVQOCBPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGKLOLBTFWFKOD-UHFFFAOYSA-N tris(2-nonylphenyl) phosphite Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1OP(OC=1C(=CC=CC=1)CCCCCCCCC)OC1=CC=CC=C1CCCCCCCCC WGKLOLBTFWFKOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/32—Epoxy compounds containing three or more epoxy groups
- C08G59/3236—Heterocylic compounds
- C08G59/3245—Heterocylic compounds containing only nitrogen as a heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
- C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/005—Stabilisers against oxidation, heat, light, ozone
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01067—Holmium [Ho]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
この表面実装型発光装置は、量産性の良さから一般に液晶ポリマー、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、ナイロン等の熱可塑性樹脂を成形体に用いる場合が多い。
一方、発光素子を水分や埃等から保護するための封止部材は、エポキシ樹脂が使用されている(例えば、特許文献1:特許第3512732号公報、特許文献2:特開2001−234032号公報、特許文献3:特開2002−302533号公報参照)。
また、発光素子の高出力化に伴い、シリコーン樹脂が使用されている。
エポキシ樹脂は封止部材として使用されているが、成形し難いこと等からリードフレームタイプの表面実装型の成形体としては使用されていない。
また、赤色を発光する発光素子よりも青色を発光する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子の方が高出力であり、発熱量も大きい。そのため、青色に発光する発光素子を使用した場合に成形体の劣化が問題となってくる。
「上記光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、特にコンパクトデイスクの受光素子封止材料あるいは固体撮像素子であるラインセンサー,エリアセンサーの封止材料に好適に用いることができる。そして、このような光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い、例えば固体撮像素子等の受光素子を樹脂封止してなる光半導体装置は、形成画像に、樹脂の光学むらに起因する縞模様や封止樹脂中の異物に起因する黒点が現れることのない高性能品であり、樹脂封止品でありながら、セラミツクパツケージ品と同等かそれ以上の性能を発揮する。」
と記載されているように、その封止樹脂は受光素子に用いられるものであって、発光素子を封止するものではない。
本発明は、430nm以上に発光ピーク波長を有する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子と、該発光素子が載置される、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を含む熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物を用いる成形体とを有する発光装置に関する。これにより窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子を使用した場合でも、耐熱性、耐光性に優れた発光装置を提供することができる。
前記熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、(A)前記トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂に、更に(B)酸無水物、(C)酸化防止剤を溶融混合して得られる固形物の粉砕物を含有することが好ましい。これにより曲げ強度を高めることができる。
前記成形体は、底面と側面を持つ凹部を有しており、前記凹部の底面は前記発光素子が載置されており、前記発光素子はトリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂又はケイ素含有樹脂を有する封止部材で封止することが好ましい。成形体との密着性が大幅に向上するからである。
金型内にリードを配置して前記第1の工程で得られる熱硬化性エポキシ樹脂組成物をトランスファ・モールド工程により成形する第2の工程と、
前記第2の工程で成形される熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の前記リード上に発光素子を載置する第3の工程と
を有する発光装置の製造方法を提供することができ、この場合、トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物との反応を、酸化防止剤の存在下で行うようにすること、又はトリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物との反応を、硬化触媒又は硬化触媒と酸化防止剤との存在下で行うと共に、硬化触媒の配合を前記固形物の粉砕物として行うようにすることができる。
なお、本発明において、フォトカプラーは包含されず、除外される。
成形体40として、(A)トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、(B)酸無水物、(C)酸化防止剤、(D)硬化触媒、(E)反射部材、(F)無機充填剤を含有する熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物を用いる。以下、各要素について説明する。
(A)成分であるエポキシ樹脂は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むものである。
(A−1)トリアジン誘導体エポキシ樹脂
トリアジン誘導体エポキシ樹脂は、熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の黄変を抑制し、かつ経過劣化の少ない半導体発光装置を実現する。かかるトリアジン誘導体エポキシ樹脂としては、1,3,5−トリアジン核誘導体エポキシ樹脂であることが好ましい。特にイソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や電気絶縁性に優れており、1つのイソシアヌレート環に対して、2価の、より好ましくは3価のエポキシ基を有することが望ましい。具体的には、トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌレート、トリス(α−メチルグリシジル)イソシアヌレート等を用いることができる。
トリアジン誘導体エポキシ樹脂の軟化点は90〜125℃であることが好ましい。なお、本発明において、このトリアジン誘導体エポキシ樹脂としては、トリアジン環を水素化したものは包含しない。
水素添加エポキシ樹脂(A−2)を上記トリアジン誘導体エポキシ樹脂と併用して用いることができる。水素添加エポキシ樹脂としては、芳香族エポキシ樹脂を水素化したエポキシ樹脂が好ましく、より好ましくは、下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂である。
また、必要に応じて、上記(A−1),(A−2)以外のエポキシ樹脂(A−3)を本発明の効果を損なわない範囲で一定量以下併用することができる。このエポキシ樹脂の例として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、3,3’,5,5’−テトラメチル−4,4’−ビフェノール型エポキシ樹脂又は4,4’−ビフェノール型エポキシ樹脂のようなビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスフェニロールエタン型エポキシ樹脂、及びフェノールジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ樹脂の芳香環を水素化したエポキシ樹脂等が挙げられる。
また、(A−3)その他のエポキシ樹脂の軟化点は70〜100℃であることが好ましい。
(B)成分の酸無水物は、硬化剤として作用するものであり、耐光性を与えるために非芳香族であり、かつ炭素炭素二重結合を有さないものが好ましく、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物などが挙げられ、これらの中でもメチルヘキサヒドロ無水フタル酸が好ましい。これらの酸無水物系硬化剤は、1種を単独で使用してもよく、また2種以上を併用してもよい。
(C)成分の酸化防止剤としては、フェノール系、リン系、硫黄系酸化防止剤を使用でき、酸化防止剤の具体例としては、以下のような酸化防止剤が挙げられる。
(D)成分の硬化触媒としては、エポキシ樹脂組成物の硬化触媒として公知のものが使用でき、特に限定されないが、第三級アミン類、イミダゾール類、それらの有機カルボン酸塩、有機カルボン酸金属塩、金属−有機キレート化合物、芳香族スルホニウム塩、有機ホスフィン化合物類、これらの塩類等の1種又は2種以上を使用することができる。これらの中でも、イミダゾール類、リン系硬化触媒、例えば、2−エチル−4−メチルイミダゾール、メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト、第四級ホスホニウムブロマイドが更に好ましい。
また、エポキシ樹脂組成物には、更に下記の成分を配合し得る。
(E)成分の反射部材として、二酸化チタンが特に好ましいが、チタン酸バリウムや酸化亜鉛なども用いることができる。二酸化チタンは、白色着色剤として、白色度を高めるために配合するものであり、この二酸化チタンの単位格子はルチル型、アナタース型のどちらでも構わない。また、平均粒径や形状も限定されない。上記二酸化チタンは、樹脂や無機充填剤との相溶性、分散性を高めるため、AlやSiなどの含水酸化物等で予め表面処理することができる。
二酸化チタンの充填量は、組成物全体の2〜80質量%、特に5〜50質量%が好ましい。2質量%未満では十分な白色度が得られない場合があり、80質量%を超えると未充填やボイド等の成形性が低下する場合がある。
(F)成分の無機充填剤としては、上記(E)成分以外の、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維、三酸化アンチモン等が挙げられる。これら無機充填剤の平均粒径や形状は特に限定されない。
上記無機充填剤は、樹脂と無機充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合してもよい。
このようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性アルコキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いることが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については特に制限されるものではない。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例えば、樹脂の性質を改善する目的で種々の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、ワックス類、ハロゲントラップ剤等の添加剤を本発明の効果を損なわない範囲で添加配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を成形材料として調製する場合の方法としては、予め(A),(B),(C)の各成分を混合して、70〜120℃、好ましくは80〜110℃の温度範囲にて、無溶媒の加温可能な反応釜等の装置により均一に溶融混合し、混合物が常温で取扱うのに十分な軟化点、具体的には50〜100℃、より好ましくは60〜90℃になるまで増粘させたものを冷却して、固形化した混合物とする。なお、上述した(A−1),(B),(D)成分又は(A−1),(B),(C),(D)成分を用いる場合は、各成分を混合して30〜80℃、好ましくは40〜60℃の温度にて上記と同様に反応させることが好ましい。
この場合、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ・モールド成形法が挙げられる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜185℃で30〜180秒行うことが望ましい。後硬化は150〜195℃で2〜20時間行ってもよい。
発光素子10は、430nm以上に発光ピーク波長を持つものを使用する。この波長以上であれば成形体40は高い反射率を示し、耐光性を有するからである。特に窒化ガリウム系化合物半導体を用いることが好ましい。従来のPPSを用いた成型体に窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子を載置した発光装置では、該成型体が該発光素子からの熱により劣化する問題を有している。窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子はGaP系、GaAs系等の発光素子よりも電流投入時の発熱量が大きいためである。窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子10は基板上にGaN、InGaN、InAlGaN等の半導体を発光層として形成させたものが用いられる。
封止部材50は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂又はシリコーン樹脂に代表されるケイ素含有樹脂を用いることが好ましい。
トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用いる封止部材50は、成形体40と同一系統の材質であるため、密着性を高めることができる。窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子10は、電流投入時に100℃以上になるため、わずかではあるが封止部材50と成形体40は共に熱膨張する。そのため封止部材50と成形体40とを同一系統の部材を使用することにより熱膨張係数が近似したものとなり、封止部材50と成形体40との界面の剥離が生じ難い。
蛍光体70は発光素子10からの光を吸収し、異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Y3Al5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Y3(Al,Ga)5O12:Ce等で表されるCe等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類系アルミン酸塩蛍光体等を用いることができる。
表1に示す成分のうち、エポキシ樹脂、酸無水物、酸化防止剤を予め反応釜により、100℃にて3時間溶融混合し、冷却して固化させた後(軟化点は60℃)、粉砕し、他成分と所定の組成比にて配合し、熱2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して発光装置用の成形体である白色エポキシ樹脂組成物の硬化物を得た。使用した原材料を下記に示す。
(A−1)トリアジン誘導体エポキシ樹脂
(イ)トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアネート(TEPIC−S:日産化学工業(株)製商品名、エポキシ当量100)
(A−2)水素添加エポキシ樹脂
(ロ)ビスフェノールA型水素添加エポキシ樹脂(YL−7170:ジャパンエポキシレジン(株)製商品名、エポキシ当量1200)
(ハ)ビフェニル型水素添加エポキシ樹脂(YL−7040:ジャパンエポキシレジン(株)製商品名、エポキシ当量220)
(A−3)その他の芳香族エポキシ樹脂
(ニ)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(E1004:ジャパンエポキシレジン(株)製商品名、エポキシ当量890)
(ホ)非炭素炭素二重結合酸無水物;メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(リカシッドMH:新日本理化(株)製商品名)
(へ)含炭素炭素二重結合酸無水物;テトラヒドロ無水フタル酸(リカシッドTH:新日本理化(株)製商品名)
(ト)フェノールノボラック樹脂(TD−2131:大日本インキ化学工業(株)製商品名)
(C)酸化防止剤
(チ)リン系酸化防止剤;亜リン酸トリフェニル(和光純薬(株)製商品名)
(リ)フェノール系酸化防止剤;2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール(BHT:和光純薬(株)製商品名)
(ヌ)リン系硬化触媒;メチル−トリブチルホスホニウム−ジメチルホスフェイト(PX−4MP:日本化学(株)製商品名)
(ル)イミダゾール系触媒;2−エチル−4−メチルイミダゾール(2E4MZ:四国化成(株)製商品名)
(E)二酸化チタン;ルチル型(タイペーク、CR−90:石原産業(株)製商品名)
(F)無機充填剤;破砕溶融シリカ((株)龍森製商品名)
(スパイラルフロー値)
EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で測定した。
高化式フローテスターを用い、10kgfの加圧下、直径1mmのノズルを用い、温度175℃で粘度を測定した。
(曲げ強度)
EMMI規格に準じた金型を使用して、175℃、6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で硬化物を作製し、その曲げ強度をJIS K 6911に基づいて測定した。
(耐熱性;黄変性)
175℃、6.9N/mm2、成形時間2分の条件で直径50×3mmの円盤を成形し、180℃で24時間放置し、黄変性を比較した。
成形体に所定の波長の光を照射して反射率を測定する。図3は、成形体の反射率を示す図である。
これより、430nm以上の波長の光では極めて高い反射率を示す。
実施例11は発光装置である。実施例11の発光装置は、銅合金よりなるリードフレームに本発明に係るエポキシ樹脂組成物よりなる成形体をトランスファ・モールド工程により成形する。成形体は、底面と側面を持つ凹部を有する。InGaNを発光層とするサファイヤ基板からなる青色発光の発光素子はエポキシ樹脂接着剤を用いて載置する。発光素子とリードフレームとは直径30μの金線ワイヤを用いて電気的接続を行う。発光素子が底面に載置されている凹部を有する成形体に封止部材を滴下する。封止部材は、シリコーン樹脂100質量部に対しYAG蛍光体30質量部と酸化珪素よりなる光拡散剤5質量部を含むものを使用し、室温から150℃まで3時間かけ昇温、150℃で5時間硬化させる。最後にリードフレームより切り出しを行い、白色発光の発光装置を得る。
比較例1は発光装置である。比較例1の発光装置は、銅合金よりなるリードフレームにPPS(ポリフェニレンサルファイド)よりなる成形体を射出成形により成形する。成形体の形状は実施例11とほぼ同様である。InGaNを発光層とするサファイヤ基板からなる青色発光の発光素子はエポキシ樹脂接着剤を用いて載置する。発光素子とリードフレームとは直径30μの金線ワイヤを用いて電気的接続を行う。発光素子が底面に載置されている凹部を有する成形体に封止部材を滴下する。封止部材は、シリコーン樹脂100質量部に対しYAG蛍光体30質量部と酸化珪素よりなる光拡散剤5質量部を含むものを使用し、室温から150℃まで3時間かけ昇温、150℃で5時間硬化させる。最後にリードフレームより切り出しを行い、白色発光の発光装置を得る。
実施例11と比較例1より得られた各発光装置を室温下に電流150mAで500時間通電した際の各発光装置の性能並びに外観を比較した。
これより実施例11は、比較例1よりも耐熱性、耐光性及び密着性が極めて良好であることが明らかとなった。
表3に示す成分のうち、(反応)成分を同表に示す条件で溶融混合し、得られた反応固形物を粉砕したものを(後配合)成分と配合し、エポキシ樹脂組成物を得た。
上記反応固形物、及び上記エポキシ樹脂組成物をトランスファー成型機にて硬化して得られた硬化物の特性を下記方法で調べた。結果を表3に併記する。
下記条件で反応固形物をGPC分析した。
HLC−8120(東ソー社製の装置)を用い、カラム;TSKguardcolumnHXL−L+G4,3,2,2HxL、試料濃度0.2%、注入量50μLを移動相THF100%,流量1.0mL/min、温度40℃の条件下、検出器RIにて測定した。
得られたGPC分析データから、以下のようにしてTEPICモノマー比、MHモノマー比、中分子量成分比、高分子量成分比を算出した。なお、表3において各成分比の値は質量割合を示す。
・TEPIC−Sモノマー比;37.3±0.5分にピークを持つ1つのエリア
・MHモノマー比;38.3±0.5分にピークを持つ1つのエリア
・中分子量成分比;30.8〜36.8分の範囲のエリア
・高分子量成分比;0〜30.7分の範囲のエリア
組成物のゲル化時間、黄変性、熱重量分析(TG−DTA)、強度について以下のように測定、評価した。
ゲル化時間:175℃の熱板上に試料1.0gを置き、同時にストップウォッチにて測定を開始し、熱板上の試料を削り取り、試料がゲル化開始した時点を測定した。
黄変性:試料10gをアルミシャーレにて180℃,60秒で硬化した場合の黄変性、及び、これを180℃で24時間放置した後の黄変性を評価した。
評価基準 ◎:透明無色
○:薄黄色
△:茶色
×:褐色
TG−DTA:試料を180℃,60秒で成形した底面10mmφ、高さ2mmの円筒試験片を用いて、昇温5℃/minにて室温から500℃まで測定し、得られた温度重量曲線から0.2%減量する場合の温度を求めた。
強度:試料を180℃,60秒で硬化して50×10×0.5mmの試験片を作製し、室温にてテストスピード2mm/秒で3点曲げ強度を測定した。
X 51.6
Y 16.2
Z 27.0
実施例13の反応固形物
X 53.8
Y 17.3
Z 20.4
実施例14の反応固形物
X 49.0
Y 16.3
Z 27.2
実施例15の反応固形物
X 23.8
Y 58.3
Z 10.2
Claims (12)
- 430nm以上に発光ピーク波長を有する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子と、該発光素子が載置される、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を必須成分とする熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物を用いる成形体と、を有する発光装置であって、
前記成形体が、(A)前記トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂に、更に(B)酸無水物、(C)酸化防止剤、(D)硬化触媒、(E)反射部材、(F)無機充填剤を含有し、前記成形体の樹脂成分が前記エポキシ樹脂(A)からなる熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物であり、
前記反射部材(E)の充填量が組成物全体の5〜80質量%であり、
前記成形体は、430nm以上の反射率が70%以上であり、
且つ、前記成形体は、底面と側面を持つ凹部を有し、前記凹部の底面に前記発光素子が載置されていることを特徴とする発光装置。 - (A)前記トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、(B)酸無水物、及び(C)酸化防止剤を予め予備混合させるものである請求項1に記載の発光装置。
- 前記熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、(A)前記トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂に、(B)酸無水物、(C)酸化防止剤を溶融混合して得られる固形物の粉砕物として、前記(A)、(B)及び(C)成分を含有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記熱硬化性エポキシ樹脂組成物は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物とをエポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させて得られる固形物の粉砕物を樹脂成分として含有する請求項1に記載の発光装置。
- 前記成形体の凹部の底面に載置された前記発光素子は、トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂又はケイ素含有樹脂を有する封止部材で封止されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記熱硬化性エポキシ樹脂組成物に用いるトリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂と酸無水物とが、トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物とをエポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させて得られる固形物の粉砕物として配合される請求項5に記載の発光装置。
- トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物との反応を、酸化防止剤の存在下で行うようにした請求項6に記載の発光装置。
- トリアジン誘導体エポキシ樹脂と酸無水物との反応を、硬化触媒又は硬化触媒と酸化防止剤との存在下で行うと共に、硬化触媒の配合を前記固形物の粉砕物として行うようにした請求項6に記載の発光装置。
- 樹脂成分として(A)トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用い、該(A)エポキシ樹脂及び(B)酸無水物、(C)酸化防止剤、とを溶融混合して得られる固形物の粉砕物に、(D)硬化触媒、(E)充填量が組成物全体の5〜80質量%である反射部材及び(F)無機充填剤を混合する第1の工程と、
金型内にリードを配置して前記第1の工程で得られる熱硬化性エポキシ樹脂組成物をトランスファ・モールド工程により成形する第2の工程と、
前記第2の工程で成形される熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の前記リード上に、430nm以上に発光ピーク波長を有する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子を載置する第3の工程と
を有する発光装置の製造方法。 - 樹脂成分として(A)トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を用い、該(A)エポキシ樹脂及び(B)酸無水物、(C)酸化防止剤、とをエポキシ基当量/酸無水物基当量0.6〜2.0の割合で反応させて得られる固形物の粉砕物に、(D)硬化触媒、(E)充填量が組成物全体の5〜80質量%である反射部材及び(F)無機充填剤を混合する第1の工程と、
金型内にリードを配置して前記第1の工程で得られる熱硬化性エポキシ樹脂組成物をトランスファ・モールド工程により成形する第2の工程と、
前記第2の工程で成形される熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物の前記リード上に、430nm以上に発光ピーク波長を有する窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子を載置する第3の工程と
を有する発光装置の製造方法。 - (A)エポキシ樹脂及び(B)酸無水物、(C)酸化防止剤、との反応を、硬化触媒の存在下で行うと共に、該硬化触媒の配合を前記固形物の粉砕物として行うようにした請求項10に記載の発光装置の製造方法。
- 底面と側面を持つ凹部を有し、(A)トリアジン誘導体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、(B)酸無水物、(C)酸化防止剤、(D)硬化触媒、(E)充填量が組成物全体の5〜80質量%である反射部材、(F)無機充填剤を含有する熱硬化性エポキシ樹脂組成物の硬化物にて形成される発光装置用成形体であって、
前記熱硬化性エポキシ樹脂組成物の樹脂成分が前記エポキシ樹脂(A)からなり、且つ前記熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、前記(A),(B),(C)成分を溶融混合して得られる固形物の粉砕物として、前記(A)、(B)及び(C)成分を含有する発光装置用成形体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007529235A JP5422121B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005226083 | 2005-08-04 | ||
JP2005226083 | 2005-08-04 | ||
PCT/JP2006/314970 WO2007015426A1 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
JP2007529235A JP5422121B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013221031A Division JP5885724B2 (ja) | 2005-08-04 | 2013-10-24 | 発光装置及び発光装置用成形体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007015426A1 JPWO2007015426A1 (ja) | 2009-02-19 |
JP5422121B2 true JP5422121B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=37708706
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007529235A Active JP5422121B2 (ja) | 2005-08-04 | 2006-07-28 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
JP2013221031A Active JP5885724B2 (ja) | 2005-08-04 | 2013-10-24 | 発光装置及び発光装置用成形体の製造方法 |
JP2015104244A Active JP6164250B2 (ja) | 2005-08-04 | 2015-05-22 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
JP2017041342A Active JP6361761B2 (ja) | 2005-08-04 | 2017-03-06 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013221031A Active JP5885724B2 (ja) | 2005-08-04 | 2013-10-24 | 発光装置及び発光装置用成形体の製造方法 |
JP2015104244A Active JP6164250B2 (ja) | 2005-08-04 | 2015-05-22 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
JP2017041342A Active JP6361761B2 (ja) | 2005-08-04 | 2017-03-06 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8575632B2 (ja) |
EP (3) | EP2323178B1 (ja) |
JP (4) | JP5422121B2 (ja) |
KR (1) | KR100984733B1 (ja) |
CN (1) | CN101268559B (ja) |
TW (2) | TWI466339B (ja) |
WO (1) | WO2007015426A1 (ja) |
Families Citing this family (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007135707A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nichia Corporation | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
JP2008144127A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体素子搭載用基板、光半導体装置およびこれらの製造方法 |
CN102408541B (zh) * | 2006-11-15 | 2016-10-05 | 日立化成株式会社 | 光反射用热固化性树脂组合物、及使用了所述树脂组合物的光半导体元件搭载用基板及光半导体装置 |
JP5470680B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
US7709853B2 (en) * | 2007-02-12 | 2010-05-04 | Cree, Inc. | Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements |
US9061450B2 (en) | 2007-02-12 | 2015-06-23 | Cree, Inc. | Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding |
JP5125450B2 (ja) * | 2007-03-13 | 2013-01-23 | 日立化成工業株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置 |
EP2199339B1 (en) | 2007-09-25 | 2014-11-05 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate made therefrom for photosemiconductor element mounting, process for producing the same, and photosemiconductor device |
JP5540487B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2014-07-02 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
JP5663874B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2015-02-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び発光ダイオード |
JP5572936B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2014-08-20 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
US20090141505A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Taiyo Ink Mfg., Co,. Ltd. | White heat-hardening resin composition, hardened material, printed-wiring board and reflection board for light emitting device |
US8042976B2 (en) * | 2007-11-30 | 2011-10-25 | Taiyo Holdings Co., Ltd. | White hardening resin composition, hardened material, printed-wiring board and reflection board for light emitting device |
JP5218298B2 (ja) * | 2008-07-02 | 2013-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン樹脂−エポキシ樹脂組成物及び当該樹脂で成形したプレモールドパッケージ |
JP5599561B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2014-10-01 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法並びに光半導体装置 |
JP2010074124A (ja) * | 2008-08-18 | 2010-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 光半導体装置、光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法及びこのパッケージ基板を用いた光半導体装置の製造方法 |
JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
JP5440010B2 (ja) | 2008-09-09 | 2014-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
JP4808244B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2011-11-02 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP5493389B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-05-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子用回路基板及び発光装置並びにそれらの製造方法 |
JP6133004B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2017-05-24 | 日立化成株式会社 | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
US8815773B2 (en) * | 2009-07-29 | 2014-08-26 | Upl Limited | Herbicidal combination |
US8080436B2 (en) | 2009-07-30 | 2011-12-20 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device |
JP5359662B2 (ja) * | 2009-08-03 | 2013-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5488326B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-05-14 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物及びその製造方法並びにプレモールドパッケージ及びled装置 |
JP2011060819A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体発光装置 |
CN102549785B (zh) | 2009-10-01 | 2014-12-17 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
IN2012DN02644A (ja) | 2009-10-29 | 2015-09-11 | Nichia Corp | |
KR101135536B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2012-04-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR101853598B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2018-04-30 | 가부시키가이샤 아사히 러버 | 실리콘 수지제 반사 기재, 그 제조 방법, 및 그 반사 기재에 이용하는 원재료 조성물 |
DE102010023955A1 (de) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil |
CN102347433A (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
JP5861636B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2016-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP2013041950A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP5798839B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2015-10-21 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置 |
JP5735378B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2015-06-17 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色硬化性組成物、光半導体装置用成形体、光半導体装置用成形体の製造方法、光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
JP5119364B1 (ja) * | 2011-09-16 | 2013-01-16 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色硬化性組成物及び光半導体装置用成形体 |
JP5775408B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-09-09 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色硬化性材料、光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法、光半導体装置用成形体及び光半導体装置 |
JP5545601B2 (ja) * | 2011-11-07 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 蛍光体高充填波長変換シート、それを用いた発光半導体装置の製造方法、及び該発光半導体装置 |
JP5386567B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2014-01-15 | 株式会社フジクラ | 撮像素子チップの実装方法、内視鏡の組立方法、撮像モジュール及び内視鏡 |
US8349116B1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-01-08 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head heater assembly and method of transferring a micro device |
TW201405890A (zh) | 2012-06-06 | 2014-02-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | 光半導體裝置之製造方法及光半導體裝置 |
WO2013183706A1 (ja) | 2012-06-06 | 2013-12-12 | 日立化成株式会社 | 光半導体装置 |
US20140023430A1 (en) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Apple Inc. | Attachment Techniques |
US9449772B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-09-20 | Apple Inc. | Low-travel key mechanisms using butterfly hinges |
US9502193B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-11-22 | Apple Inc. | Low-travel key mechanisms using butterfly hinges |
US9710069B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-07-18 | Apple Inc. | Flexible printed circuit having flex tails upon which keyboard keycaps are coupled |
CN109375713A (zh) | 2013-02-06 | 2019-02-22 | 苹果公司 | 具有可动态调整的外观和功能的输入/输出设备 |
US9412533B2 (en) | 2013-05-27 | 2016-08-09 | Apple Inc. | Low travel switch assembly |
JP2015000885A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置 |
US9908310B2 (en) | 2013-07-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Electronic device with a reduced friction surface |
WO2015047606A1 (en) | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Apple Inc. | Keycaps having reduced thickness |
JP2016532232A (ja) | 2013-09-30 | 2016-10-13 | アップル インコーポレイテッド | 厚みを薄くしたキーキャップ |
JP6142782B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2017-06-07 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
WO2015087970A1 (ja) | 2013-12-11 | 2015-06-18 | 日立化成株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法、並びに銀用表面処理剤及び発光装置 |
CN104830024B (zh) | 2014-01-15 | 2018-02-06 | 财团法人工业技术研究院 | 有机无机混成树脂、包含其的模塑组合物、以及光电装置 |
JP5825390B2 (ja) * | 2014-04-11 | 2015-12-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
US9876152B2 (en) | 2014-05-27 | 2018-01-23 | Epistar Corporation | Light emitting device with an adhered heat-dissipating structure |
JP6233228B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2017-11-22 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
EP3180678A1 (en) | 2014-08-15 | 2017-06-21 | Apple Inc. | Fabric keyboard |
US10082880B1 (en) | 2014-08-28 | 2018-09-25 | Apple Inc. | System level features of a keyboard |
US9870880B2 (en) | 2014-09-30 | 2018-01-16 | Apple Inc. | Dome switch and switch housing for keyboard assembly |
JP2016079344A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトカプラー一次封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP6274093B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-02-07 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
TWI661037B (zh) * | 2014-12-03 | 2019-06-01 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 光半導體元件封裝用熱固性環氧樹脂組合物及使用其的光半導體裝置 |
JP6274092B2 (ja) * | 2014-12-03 | 2018-02-07 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
JP5949976B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2016-07-13 | 日立化成株式会社 | 粉末状熱硬化性樹脂組成物の製造方法、熱硬化性樹脂組成物タブレットの製造方法、及び光半導体装置の製造方法 |
US9997304B2 (en) | 2015-05-13 | 2018-06-12 | Apple Inc. | Uniform illumination of keys |
CN207367843U (zh) | 2015-05-13 | 2018-05-15 | 苹果公司 | 键盘组件 |
US10083805B2 (en) | 2015-05-13 | 2018-09-25 | Apple Inc. | Keyboard for electronic device |
CN206322622U (zh) | 2015-05-13 | 2017-07-11 | 苹果公司 | 电子装置和键机构 |
US9934915B2 (en) | 2015-06-10 | 2018-04-03 | Apple Inc. | Reduced layer keyboard stack-up |
JP6038236B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2016-12-07 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置用白色硬化性材料、及び光半導体装置用白色硬化性材料の製造方法 |
JP2017009725A (ja) * | 2015-06-19 | 2017-01-12 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP2015181200A (ja) * | 2015-06-22 | 2015-10-15 | 積水化学工業株式会社 | 光半導体装置 |
KR102378761B1 (ko) | 2015-07-21 | 2022-03-25 | 엘지이노텍 주식회사 | 일체형 발광 패키지 및 이를 이용한 차량용 램프 |
US9971084B2 (en) | 2015-09-28 | 2018-05-15 | Apple Inc. | Illumination structure for uniform illumination of keys |
TWI570187B (zh) | 2015-12-17 | 2017-02-11 | 財團法人工業技術研究院 | 光學固態預聚物與模塑組成物 |
CN108028090B (zh) * | 2016-01-25 | 2020-11-13 | 积水化学工业株式会社 | 导电材料及连接结构体 |
US10353485B1 (en) | 2016-07-27 | 2019-07-16 | Apple Inc. | Multifunction input device with an embedded capacitive sensing layer |
US10115544B2 (en) | 2016-08-08 | 2018-10-30 | Apple Inc. | Singulated keyboard assemblies and methods for assembling a keyboard |
US10755877B1 (en) | 2016-08-29 | 2020-08-25 | Apple Inc. | Keyboard for an electronic device |
US11500538B2 (en) | 2016-09-13 | 2022-11-15 | Apple Inc. | Keyless keyboard with force sensing and haptic feedback |
JP2018090770A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-14 | 京セラ株式会社 | 透明エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 |
ES2912403T3 (es) | 2017-02-16 | 2022-05-25 | Prec Planting Llc | Método para calibrar una salida de bomba |
JP6885360B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2021-06-16 | 日亜化学工業株式会社 | 植物中のフェノール性化合物の増量方法 |
CN117270637A (zh) | 2017-07-26 | 2023-12-22 | 苹果公司 | 具有键盘的计算机 |
JP6797861B2 (ja) * | 2018-05-09 | 2020-12-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06179737A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Nissan Chem Ind Ltd | 高耐熱性エポキシ樹脂組成物 |
JP2001234032A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2001342326A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2002030133A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2002302533A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-10-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2003209286A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2003309229A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-31 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 光電子半導体デバイス |
JP2005146191A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Kaneka Corp | 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体 |
JP2005159090A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | 発光装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2656336B2 (ja) | 1989-01-18 | 1997-09-24 | 日東電工株式会社 | 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JPH1117073A (ja) † | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Toshiba Chem Corp | 光結合半導体装置および封止用樹脂組成物 |
US6180726B1 (en) * | 1998-03-10 | 2001-01-30 | H. B. Fuller Licensing & Financing Inc. | High temperature resistant coating composition and method of using thereof |
JP3618238B2 (ja) | 1998-12-25 | 2005-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP2001240652A (ja) † | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP3512732B2 (ja) | 2000-11-09 | 2004-03-31 | 京セラケミカル株式会社 | 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置 |
KR100806553B1 (ko) | 2000-12-27 | 2008-02-27 | 카네카 코포레이션 | 경화제, 경화성 조성물, 광학 소재용 조성물, 광학 소재, 이의 제조 방법 및 이를 사용하여 만들어진 액정표시장치 및 led |
MY131962A (en) * | 2001-01-24 | 2007-09-28 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US6989412B2 (en) | 2001-06-06 | 2006-01-24 | Henkel Corporation | Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions |
US6617401B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-09 | General Electric Company | Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst |
KR20030024283A (ko) * | 2001-09-17 | 2003-03-26 | 광전자 주식회사 | 방열 리드프레임과 이를 이용한 광 반도체 소자 및 그제조방법과, 반도체 소자 |
DE10153259A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP4250949B2 (ja) | 2001-11-01 | 2009-04-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US6924596B2 (en) * | 2001-11-01 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same |
JP2003218399A (ja) † | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Rohm Co Ltd | 反射ケース付半導体発光装置 |
JP4288940B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2009-07-01 | 日亜化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
KR101236235B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2013-02-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
MY151065A (en) * | 2003-02-25 | 2014-03-31 | Kaneka Corp | Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device |
JP4146782B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2008-09-10 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP2004172636A (ja) * | 2004-02-12 | 2004-06-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及び製造方法 |
JP2005259972A (ja) | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型led |
JP2005306952A (ja) | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Japan Epoxy Resin Kk | 発光素子封止材用エポキシ樹脂組成物 |
JP4608294B2 (ja) | 2004-11-30 | 2011-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
CN101283016B (zh) * | 2005-08-04 | 2011-05-11 | 信越化学工业株式会社 | 热固性环氧树脂组合物及半导体装置 |
-
2006
- 2006-07-28 US US11/997,734 patent/US8575632B2/en active Active
- 2006-07-28 EP EP11155918.3A patent/EP2323178B1/en active Active
- 2006-07-28 CN CN2006800342322A patent/CN101268559B/zh active Active
- 2006-07-28 EP EP06781880.7A patent/EP1914811B2/en active Active
- 2006-07-28 EP EP14152000.7A patent/EP2768031B1/en active Active
- 2006-07-28 JP JP2007529235A patent/JP5422121B2/ja active Active
- 2006-07-28 WO PCT/JP2006/314970 patent/WO2007015426A1/ja active Application Filing
- 2006-07-28 KR KR1020087004654A patent/KR100984733B1/ko active IP Right Grant
- 2006-08-02 TW TW100104681A patent/TWI466339B/zh active
- 2006-08-02 TW TW095128327A patent/TWI384640B/zh active
-
2013
- 2013-10-02 US US14/044,419 patent/US8803159B2/en active Active
- 2013-10-24 JP JP2013221031A patent/JP5885724B2/ja active Active
-
2014
- 2014-07-01 US US14/321,672 patent/US9034671B2/en active Active
-
2015
- 2015-05-22 JP JP2015104244A patent/JP6164250B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-06 JP JP2017041342A patent/JP6361761B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06179737A (ja) * | 1992-12-11 | 1994-06-28 | Nissan Chem Ind Ltd | 高耐熱性エポキシ樹脂組成物 |
JP2001234032A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
JP2001342326A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2002030133A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2002302533A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-10-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
JP2003209286A (ja) * | 2001-11-08 | 2003-07-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
JP2003309229A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-31 | Patent Treuhand Ges Elektr Gluehlamp Mbh | 光電子半導体デバイス |
JP2005146191A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Kaneka Corp | 半導体のパッケージ用硬化性樹脂組成物および半導体 |
JP2005159090A (ja) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8575632B2 (en) | 2013-11-05 |
EP1914811B2 (en) | 2016-01-13 |
US20100155739A1 (en) | 2010-06-24 |
US8803159B2 (en) | 2014-08-12 |
US20140027780A1 (en) | 2014-01-30 |
JP6164250B2 (ja) | 2017-07-19 |
EP2323178A3 (en) | 2012-01-04 |
TW201123555A (en) | 2011-07-01 |
TW200715614A (en) | 2007-04-16 |
JP2014027302A (ja) | 2014-02-06 |
TWI466339B (zh) | 2014-12-21 |
CN101268559A (zh) | 2008-09-17 |
JP2017108173A (ja) | 2017-06-15 |
EP2768031B1 (en) | 2021-02-17 |
EP1914811A4 (en) | 2011-01-05 |
KR100984733B1 (ko) | 2010-10-01 |
CN101268559B (zh) | 2010-11-17 |
KR20080036211A (ko) | 2008-04-25 |
JP2015156519A (ja) | 2015-08-27 |
JPWO2007015426A1 (ja) | 2009-02-19 |
WO2007015426A1 (ja) | 2007-02-08 |
EP2768031A1 (en) | 2014-08-20 |
JP5885724B2 (ja) | 2016-03-15 |
US9034671B2 (en) | 2015-05-19 |
EP2323178A2 (en) | 2011-05-18 |
EP2323178B1 (en) | 2015-08-19 |
EP1914811A1 (en) | 2008-04-23 |
EP1914811B1 (en) | 2012-06-27 |
JP6361761B2 (ja) | 2018-07-25 |
US20140315338A1 (en) | 2014-10-23 |
TWI384640B (zh) | 2013-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6361761B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 | |
JP5470680B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 | |
JP5608955B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体 | |
JP4837664B2 (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5545246B2 (ja) | 樹脂組成物及び発光半導体素子用リフレクター、及び発光半導体装置 | |
JP2008189833A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2012041403A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2012167225A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用反射部材及び光半導体装置 | |
JP2015101614A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP2014095051A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、該組成物を用いたled用リフレクター及びled装置 | |
JP2014095039A (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP2015081267A (ja) | Ledリフレクター用白色熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物の硬化物を含む光半導体装置 | |
JP2019156955A (ja) | 白色熱硬化性エポキシ樹脂の高強度硬化物、光半導体素子用リフレクター基板、及びこれらの製造方法、並びに硬化物の高強度化方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110727 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120302 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120926 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20121003 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131024 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5422121 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |