JP2002302533A - 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置Info
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- JP2002302533A JP2002302533A JP2002016225A JP2002016225A JP2002302533A JP 2002302533 A JP2002302533 A JP 2002302533A JP 2002016225 A JP2002016225 A JP 2002016225A JP 2002016225 A JP2002016225 A JP 2002016225A JP 2002302533 A JP2002302533 A JP 2002302533A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】透明性、耐半田性及び離型性に優れた光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物及びその製法、その硬化物で
封止された光半導体装置を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物
（Ａ）、硬化促進剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、離型剤
（Ｄ）を必須成分とする光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物において、エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物がト
リグリシジルイソシアヌレート、およびビスフェノール
型エポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂（ａ）と酸無水物
（ｂ）からなり無溶媒下で溶融混合して得られることを
特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
封止用エポキシ樹脂組成物及びその製法、その硬化物で
封止された光半導体装置を提供する。 【解決手段】エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物
（Ａ）、硬化促進剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、離型剤
（Ｄ）を必須成分とする光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物において、エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物がト
リグリシジルイソシアヌレート、およびビスフェノール
型エポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂（ａ）と酸無水物
（ｂ）からなり無溶媒下で溶融混合して得られることを
特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明性、耐半田性
及び離型性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
及びその製法、その硬化物で封止された光半導体装置に
関するのものである。
及び離型性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
及びその製法、その硬化物で封止された光半導体装置に
関するのものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信情報機器の小型化、集積密度
の向上及び製造プロセスの簡略化をねらい、半導体産業
において従来の実装方法にかわり、表面実装方法の要求
が急速に高まっている。さらにオプトエレクトロニクス
の分野に着目すると、従来の半導体封止樹脂の機能に加
えて、透明性が非常に重要な要因となっている。すなわ
ち、フォトセンサー、ＬＥＤ、発光素子等のオプトデバ
イスにおいては、表面実装におけるＩＲリフロー等の実
装方式を行っても、透明性が損なわれることなく、その
上、熱衝撃によるパッケージクラックの発生や、チップ
やリードフレームと樹脂間に剥離を生じず、高い信頼性
のある封止用樹脂が求められている。
の向上及び製造プロセスの簡略化をねらい、半導体産業
において従来の実装方法にかわり、表面実装方法の要求
が急速に高まっている。さらにオプトエレクトロニクス
の分野に着目すると、従来の半導体封止樹脂の機能に加
えて、透明性が非常に重要な要因となっている。すなわ
ち、フォトセンサー、ＬＥＤ、発光素子等のオプトデバ
イスにおいては、表面実装におけるＩＲリフロー等の実
装方式を行っても、透明性が損なわれることなく、その
上、熱衝撃によるパッケージクラックの発生や、チップ
やリードフレームと樹脂間に剥離を生じず、高い信頼性
のある封止用樹脂が求められている。
【０００３】また、このような光半導体素子の生産効率
を高めるべく、従来用いられてきたような液状封止材に
よる封止は次第にマルチ成形機によるトランスファー成
形へと移りつつある。この場合、樹脂組成物は必然的に
常温で固体である必要があり、流動時のムラや速硬化に
よる着色の問題などの新たな問題を解決しなくてはなら
ない。特に着色は、低波長な光線の発光を妨げ、特に青
色や、白色の発光素子の発光効率や色合いに悪影響を及
ぼすことがある。
を高めるべく、従来用いられてきたような液状封止材に
よる封止は次第にマルチ成形機によるトランスファー成
形へと移りつつある。この場合、樹脂組成物は必然的に
常温で固体である必要があり、流動時のムラや速硬化に
よる着色の問題などの新たな問題を解決しなくてはなら
ない。特に着色は、低波長な光線の発光を妨げ、特に青
色や、白色の発光素子の発光効率や色合いに悪影響を及
ぼすことがある。
【０００４】トランスファー成形に用いる、常温で固体
のエポキシ樹脂組成物の製法としては、一般的に常温で
固体のエポキシ樹脂と、常温で固体の硬化剤を、加熱ニ
ーダー等の装置を用いて溶融混練して得る手法が一般的
に知られているが、溶融混練という操作において、加熱
が不十分である場合、材料のムラが原因となり特性が低
下することが問題であった。
のエポキシ樹脂組成物の製法としては、一般的に常温で
固体のエポキシ樹脂と、常温で固体の硬化剤を、加熱ニ
ーダー等の装置を用いて溶融混練して得る手法が一般的
に知られているが、溶融混練という操作において、加熱
が不十分である場合、材料のムラが原因となり特性が低
下することが問題であった。
【０００５】この問題に対し、特許第２９７０２１４号
公報では、特定の分子量範囲に含まれるビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂に対し、一定割合で脂環式エポキシ樹
脂もしくは含複素環エポキシ樹脂を組み合わせることで
耐熱性と透明性が得られ、かつムラの発生を抑えること
ができると示されている。しかし、この場合硬化剤とし
ては、主に固体の硬化剤を使用することが条件となる。
固体の酸無水物硬化剤は、不飽和結合などの、光透過性
を低下させる要因を含むものが多く、硬化物の透過率が
低波長領域において低下する傾向にあった。
公報では、特定の分子量範囲に含まれるビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂に対し、一定割合で脂環式エポキシ樹
脂もしくは含複素環エポキシ樹脂を組み合わせることで
耐熱性と透明性が得られ、かつムラの発生を抑えること
ができると示されている。しかし、この場合硬化剤とし
ては、主に固体の硬化剤を使用することが条件となる。
固体の酸無水物硬化剤は、不飽和結合などの、光透過性
を低下させる要因を含むものが多く、硬化物の透過率が
低波長領域において低下する傾向にあった。
【０００６】また、ムラを無くす技術として、特許２６
５６３３６号広報には、溶剤にエポキシ樹脂組成物を溶
解し、均一に混合した後に、溶剤を除去してムラの無い
組成物を得る技術が述べられているが、この場合も同様
に、トランスファー成形に供するためには、硬化剤の種
類は常温で固体のものを主としなくてはならないという
制約がある。
５６３３６号広報には、溶剤にエポキシ樹脂組成物を溶
解し、均一に混合した後に、溶剤を除去してムラの無い
組成物を得る技術が述べられているが、この場合も同様
に、トランスファー成形に供するためには、硬化剤の種
類は常温で固体のものを主としなくてはならないという
制約がある。
【０００７】一方、硬化物の表面実装信頼性として、吸
水率を低くすることが求められており、吸水率を低減す
るために充填剤を添加することが代表的な手法であるこ
とは当業者間では公知のことである。これは、シリカな
どの無機質充填材を、樹脂組成物中に高い比率で充填す
ることで、封止樹脂組成物の吸水率、線膨張係数を低下
させ、高温時の変形やクラックなどを抑止できるもので
あるが、このようにして得た樹脂組成物は、シリカ粒子
と樹脂の界面で起こる光の反射や屈折の影響により、樹
脂硬化物の光透過性は極端に低いものとなる。樹脂組成
物の硬化物中を光線が透過する際、樹脂と充填材との界
面において反射・屈折される光線の量は、界面前後での
屈折率の差に比例する事が知られており、一般的なシリ
カ粒子の屈折率は、１．４前後であるのに対し、エポキ
シ樹脂の硬化体は、１．５前後であり、充填材種を変え
ない限り、この点を解消することは難しい。
水率を低くすることが求められており、吸水率を低減す
るために充填剤を添加することが代表的な手法であるこ
とは当業者間では公知のことである。これは、シリカな
どの無機質充填材を、樹脂組成物中に高い比率で充填す
ることで、封止樹脂組成物の吸水率、線膨張係数を低下
させ、高温時の変形やクラックなどを抑止できるもので
あるが、このようにして得た樹脂組成物は、シリカ粒子
と樹脂の界面で起こる光の反射や屈折の影響により、樹
脂硬化物の光透過性は極端に低いものとなる。樹脂組成
物の硬化物中を光線が透過する際、樹脂と充填材との界
面において反射・屈折される光線の量は、界面前後での
屈折率の差に比例する事が知られており、一般的なシリ
カ粒子の屈折率は、１．４前後であるのに対し、エポキ
シ樹脂の硬化体は、１．５前後であり、充填材種を変え
ない限り、この点を解消することは難しい。
【０００８】これを解消するために、特開平６−６５４
７３号公報では、シリカ以外の充填材として、Ｓｉ
Ｏ2、ＣａＯおよびＡｌ2Ｏ3を主成分とするガラス粒子
を、光半導体封止用樹脂組成物の充填材として用いる技
術が述べられている。この技術によれば、各成分の組成
を変化させることや、金属元素類を添加することで、充
填材の屈折率を容易に変化させることができる。しか
し、本発明者らが光半導体封止用樹脂組成物の充填材と
して、該技術によるガラス充填材を用いたところ、確か
に透明性は高くなり、吸水率および線膨張係数も低減さ
れるが、不十分であり、透明性と表面実装の能力を両立
することは難しい。これより、本発明者らは、表面実装
能力と透明性を両立するには、充填剤の添加のみだけで
はなく樹脂そのものの特性も高める必要があるとの結論
に至った。
７３号公報では、シリカ以外の充填材として、Ｓｉ
Ｏ2、ＣａＯおよびＡｌ2Ｏ3を主成分とするガラス粒子
を、光半導体封止用樹脂組成物の充填材として用いる技
術が述べられている。この技術によれば、各成分の組成
を変化させることや、金属元素類を添加することで、充
填材の屈折率を容易に変化させることができる。しか
し、本発明者らが光半導体封止用樹脂組成物の充填材と
して、該技術によるガラス充填材を用いたところ、確か
に透明性は高くなり、吸水率および線膨張係数も低減さ
れるが、不十分であり、透明性と表面実装の能力を両立
することは難しい。これより、本発明者らは、表面実装
能力と透明性を両立するには、充填剤の添加のみだけで
はなく樹脂そのものの特性も高める必要があるとの結論
に至った。
【０００９】更に、光半導体封止用材料は、可視光を透
過することが必須であるが、同時に金型からの離型性も
重要な項目である。従来は離型性を良くするために、定
期的に離型剤成分を含んだ材料を成形したり、フッ素系
やシリコーン系などの離型剤を金型に直接噴霧する手法
がとられているが、その場合連続成形の生産効率を下げ
るのみでなく、金型に離型剤が残り汚染される問題があ
る。そこで、これまでに封止材料中に離型剤を予め添加
混合する検討が行われている。従来公知の離型剤を添加
した場合、離型剤の種類によっては、その添加量を増や
すと離型性は向上するが、樹脂硬化物に曇りが生じ、光
透過率が低下する。添加量を減らすと離型性が悪くな
り、金型からパッケージが離型する際に、パッケージに
クラックが生じたり、リードフレームの曲がりが光半導
体装置の変形が発生する。すなわち、透明性と離型性の
面で両方の特性を満たす樹脂組成物は、未だ開発がなさ
れていない。
過することが必須であるが、同時に金型からの離型性も
重要な項目である。従来は離型性を良くするために、定
期的に離型剤成分を含んだ材料を成形したり、フッ素系
やシリコーン系などの離型剤を金型に直接噴霧する手法
がとられているが、その場合連続成形の生産効率を下げ
るのみでなく、金型に離型剤が残り汚染される問題があ
る。そこで、これまでに封止材料中に離型剤を予め添加
混合する検討が行われている。従来公知の離型剤を添加
した場合、離型剤の種類によっては、その添加量を増や
すと離型性は向上するが、樹脂硬化物に曇りが生じ、光
透過率が低下する。添加量を減らすと離型性が悪くな
り、金型からパッケージが離型する際に、パッケージに
クラックが生じたり、リードフレームの曲がりが光半導
体装置の変形が発生する。すなわち、透明性と離型性の
面で両方の特性を満たす樹脂組成物は、未だ開発がなさ
れていない。
【００１０】特許２７８１２７９号公報には、ポリエー
テル構造と長鎖アルキル基からなる構造の界面活性剤を
離型剤として、光半導体封止用の材料に予め添加するこ
とが記載されているが、本発明者らが光半導体封止用の
材料に添加したところ、金型からの離型性は優れるが、
高温での硬化時に樹脂硬化物に曇りが生じ、光半導体封
止用樹脂組成物としては、未だ不十分な透明性である。
テル構造と長鎖アルキル基からなる構造の界面活性剤を
離型剤として、光半導体封止用の材料に予め添加するこ
とが記載されているが、本発明者らが光半導体封止用の
材料に添加したところ、金型からの離型性は優れるが、
高温での硬化時に樹脂硬化物に曇りが生じ、光半導体封
止用樹脂組成物としては、未だ不十分な透明性である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、透明性、耐
半田性及び離型性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物、及びその硬化物で封止された光半導体装置を提
供することにある。
半田性及び離型性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂
組成物、及びその硬化物で封止された光半導体装置を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明らは、樹脂組成物
の硬化時に発生する曇りが、樹脂硬化後に溶解度が変化
し、樹脂硬化物中で非相溶となった離型剤が大きな領域
を形成することに起因すると考え、鋭意検討の結果、特
定構造の離型剤の、樹脂に対する相溶性が異なる部分ど
うしの結合部に、中間的な相溶性の部分を導入すること
で、光損失の大きな領域の発生を低減できることを見出
すとともに、特定の組み合わせのエポキシ樹脂及び凝固
点が５０℃以下の酸無水物硬化剤の、中間反応物を用い
た、吸水率及び透明性に適した特性を発現する組成物
に、さらに特定の無機充填剤及び離型剤を用いること
で、より吸水率を低減し、かつ高い光透過率を維持し、
耐半田性及び離型性にも優れた特性を発現する光半導体
封止用組成物を得るに至った。
の硬化時に発生する曇りが、樹脂硬化後に溶解度が変化
し、樹脂硬化物中で非相溶となった離型剤が大きな領域
を形成することに起因すると考え、鋭意検討の結果、特
定構造の離型剤の、樹脂に対する相溶性が異なる部分ど
うしの結合部に、中間的な相溶性の部分を導入すること
で、光損失の大きな領域の発生を低減できることを見出
すとともに、特定の組み合わせのエポキシ樹脂及び凝固
点が５０℃以下の酸無水物硬化剤の、中間反応物を用い
た、吸水率及び透明性に適した特性を発現する組成物
に、さらに特定の無機充填剤及び離型剤を用いること
で、より吸水率を低減し、かつ高い光透過率を維持し、
耐半田性及び離型性にも優れた特性を発現する光半導体
封止用組成物を得るに至った。
【００１３】即ち、本発明は、（１）〜（８）項に記載
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。 （１）エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物（Ａ）、硬化
促進剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、離型剤（Ｄ）を必須
成分とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、中間反応物（Ａ）が下記成分（ａ）、及び成分
（ｂ）を含んでなり、且つ無溶媒下、８０℃以上１５０
℃以下の温度で、溶融混合して得られたものであること
を特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。 （ａ）トリグリシジルイソシアヌレート、及びビスフェ
ノール型エポキシ樹脂からなり、成分（ａ）全体の平均
エポキシ当量が２００以上４００以下のエポキシ樹脂。 （ｂ）凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤。
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。 （１）エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物（Ａ）、硬化
促進剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、離型剤（Ｄ）を必須
成分とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物におい
て、中間反応物（Ａ）が下記成分（ａ）、及び成分
（ｂ）を含んでなり、且つ無溶媒下、８０℃以上１５０
℃以下の温度で、溶融混合して得られたものであること
を特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。 （ａ）トリグリシジルイソシアヌレート、及びビスフェ
ノール型エポキシ樹脂からなり、成分（ａ）全体の平均
エポキシ当量が２００以上４００以下のエポキシ樹脂。 （ｂ）凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤。
【００１４】（２）ビスフェノール型エポキシ樹脂が、
２１０以上１１００以下の平均エポキシ当量を有し、ト
リグリシジルイソシアヌレートが、（ａ）成分中に５％
以上４５％以下で含まれることを特徴とする前記（１）
項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
２１０以上１１００以下の平均エポキシ当量を有し、ト
リグリシジルイソシアヌレートが、（ａ）成分中に５％
以上４５％以下で含まれることを特徴とする前記（１）
項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００１５】（３）ビスフェノール型エポキシ樹脂が、
更に好ましくは、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂
であることを特徴とする前記（２）項に記載の光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物である。
更に好ましくは、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂
であることを特徴とする前記（２）項に記載の光半導体
封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００１６】
【化３】 （但し、式（１）中、ｎの値が１〜７であり、ＲはＣ
（ＣＨ3）2及びＣＨ2を示し、１分子中それぞれ少なく
とも１個以上有する。）
（ＣＨ3）2及びＣＨ2を示し、１分子中それぞれ少なく
とも１個以上有する。）
【００１７】（４）凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤
（ｂ）が、好ましくは、ヘキサヒドロ無水フタル酸及び
４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選
ばれる少なくとも１つであることを特徴とする前記
（１）項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
ある。
（ｂ）が、好ましくは、ヘキサヒドロ無水フタル酸及び
４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸からなる群より選
ばれる少なくとも１つであることを特徴とする前記
（１）項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
ある。
【００１８】（５）硬化促進剤（Ｂ）が、イミダゾール
類、イミダゾール塩類、双環式アミジン類、双環式アミ
ジンのカルボン酸類、及びホスホニウム塩類からなる群
より少なくとも１つ選ばれることを特徴とする前記
（１）項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
ある。
類、イミダゾール塩類、双環式アミジン類、双環式アミ
ジンのカルボン酸類、及びホスホニウム塩類からなる群
より少なくとも１つ選ばれることを特徴とする前記
（１）項に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物で
ある。
【００１９】（６）無機充填材（Ｃ）の屈折率と、無機
充填材（Ｃ）以外の成分の硬化物の屈折率との差が、
０．０１以下である前記（１）項に記載の光半導体封止
用エポキシ樹脂組成物である。
充填材（Ｃ）以外の成分の硬化物の屈折率との差が、
０．０１以下である前記（１）項に記載の光半導体封止
用エポキシ樹脂組成物である。
【００２０】（７）無機充填剤（Ｃ）が、ＳｉＯ2、Ｃ
ａＯ、およびＡｌ2Ｏ3からなる、平均粒径５μｍ以上１
００μｍ以下の球状ガラス粒子であり、光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物中に５重量％以上、７０重量％以下
の割合で配合されてなることを特徴とする前記（１）項
に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
ａＯ、およびＡｌ2Ｏ3からなる、平均粒径５μｍ以上１
００μｍ以下の球状ガラス粒子であり、光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物中に５重量％以上、７０重量％以下
の割合で配合されてなることを特徴とする前記（１）項
に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００２１】（８）離型剤（Ｄ）が、一般式（２）で表
される化合物であり、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物中に０．０１重量％以上、５重量％以下の割合で配合
されてなることを特徴とする前記（１）項に記載の光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
される化合物であり、光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物中に０．０１重量％以上、５重量％以下の割合で配合
されてなることを特徴とする前記（１）項に記載の光半
導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
【００２２】
【化４】 （但し、式（２）中、ｋの値が４０〜６０であり、ｍの
値は１〜５であり、ｎの値は１５〜４５である。Ｒ1、
Ｒ2は水素原子もしくは一価のアルキル基であり、少な
くとも一方が一価のアルキル基である。）
値は１〜５であり、ｎの値は１５〜４５である。Ｒ1、
Ｒ2は水素原子もしくは一価のアルキル基であり、少な
くとも一方が一価のアルキル基である。）
【００２３】更に本発明は、前記（１）〜（８）項のい
ずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された光半導体装置である。
ずれかに記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された光半導体装置である。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明に用いる、エポキシ樹脂と
硬化剤の中間反応物（Ａ）は、成分（ａ）のトリグリシ
ジルイソシアヌレート、及びビスフェノール型エポキシ
樹脂からなり、成分（ａ）全体の平均エポキシ当量が２
００以上４００以下のエポキシ樹脂成分と、成分（ｂ）
の凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤成分を含み、８０
℃以上１５０℃以下の温度で、且つ無溶媒で、溶融混合
して得られる化合物であり、従来の加熱ニーダーやロー
ル混練機を用い、他添加剤も加えた上で一括して溶融混
合する手法に比べ、軟化点もしくは凝固点の低い原料が
多量に含まれていても、Ｂステージ化反応をより促進で
きるため、反応後には常温で固体の中間反応物とするこ
とができることを特徴とする。
硬化剤の中間反応物（Ａ）は、成分（ａ）のトリグリシ
ジルイソシアヌレート、及びビスフェノール型エポキシ
樹脂からなり、成分（ａ）全体の平均エポキシ当量が２
００以上４００以下のエポキシ樹脂成分と、成分（ｂ）
の凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤成分を含み、８０
℃以上１５０℃以下の温度で、且つ無溶媒で、溶融混合
して得られる化合物であり、従来の加熱ニーダーやロー
ル混練機を用い、他添加剤も加えた上で一括して溶融混
合する手法に比べ、軟化点もしくは凝固点の低い原料が
多量に含まれていても、Ｂステージ化反応をより促進で
きるため、反応後には常温で固体の中間反応物とするこ
とができることを特徴とする。
【００２５】本発明で、中間反応物（Ａ）を得る工程と
しては、加熱反応釜などの一般的な加熱反応装置を用い
ることができる。具体的な方法としては、成分（ａ）、
及び成分（ｂ）を、反応釜で、無溶剤で、上記温度で、
６０〜２４０分間加熱混合し、使用に好ましい軟化点、
具体的には常温での取り扱いに問題を生じない５０℃以
上、が得られた時点で、反応物を取り出し、冷却粉砕し
て中間反応物を得る方法が挙げられる。
しては、加熱反応釜などの一般的な加熱反応装置を用い
ることができる。具体的な方法としては、成分（ａ）、
及び成分（ｂ）を、反応釜で、無溶剤で、上記温度で、
６０〜２４０分間加熱混合し、使用に好ましい軟化点、
具体的には常温での取り扱いに問題を生じない５０℃以
上、が得られた時点で、反応物を取り出し、冷却粉砕し
て中間反応物を得る方法が挙げられる。
【００２６】中間反応物（Ａ）に用いる、トリグリシジ
ルイソシアヌレート及びビスフェノール型エポキシ樹脂
からなる、全体の平均エポキシ当量が２００以上４００
以下のエポキシ樹脂（ａ）において、平均エポキシ当量
が２００より下回る場合で、トリグリシジルイソシアヌ
レートの配合比率が高い場合は、エポキシ樹脂の反応性
が著しく高まり、前述の中間反応時に、増粘や材料のゲ
ル化を生じ易くなるのに加え、得られる硬化物が、非常
にもろくなるために本発明の目的には適さず、また、ビ
スフェノール型エポキシ樹脂のエポキシ当量が小さい場
合、ビスフェノール型エポキシ樹脂が液状であったり、
軟化点が低いために、中間反応を行っても、常温で固体
の中間反応物とするのが難しい。平均エポキシ当量が４
００を越える場合で、トリグリシジルイソシアヌレート
の比率が低い場合、多官能な成分が減少することによ
り、期待した耐熱性が得られず、また、ビスフェノール
型エポキシ樹脂のエポキシ当量が大きい場合、エポキシ
樹脂の粘度が非常に高いものとなり、金型未充填などの
成形不良を発生するため不適である。
ルイソシアヌレート及びビスフェノール型エポキシ樹脂
からなる、全体の平均エポキシ当量が２００以上４００
以下のエポキシ樹脂（ａ）において、平均エポキシ当量
が２００より下回る場合で、トリグリシジルイソシアヌ
レートの配合比率が高い場合は、エポキシ樹脂の反応性
が著しく高まり、前述の中間反応時に、増粘や材料のゲ
ル化を生じ易くなるのに加え、得られる硬化物が、非常
にもろくなるために本発明の目的には適さず、また、ビ
スフェノール型エポキシ樹脂のエポキシ当量が小さい場
合、ビスフェノール型エポキシ樹脂が液状であったり、
軟化点が低いために、中間反応を行っても、常温で固体
の中間反応物とするのが難しい。平均エポキシ当量が４
００を越える場合で、トリグリシジルイソシアヌレート
の比率が低い場合、多官能な成分が減少することによ
り、期待した耐熱性が得られず、また、ビスフェノール
型エポキシ樹脂のエポキシ当量が大きい場合、エポキシ
樹脂の粘度が非常に高いものとなり、金型未充填などの
成形不良を発生するため不適である。
【００２７】本発明に用いるエポキシ樹脂（ａ）におい
て、前記平均エポキシ当量を得るにあたり、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂の平均エポキシ当量が２１０以上１
１００以下であり、エポキシ樹脂（ａ）中に含まれるト
リグリシジルイソシアヌレートの配合比率が、５重量％
以上４５重量％以下であることが好ましい。
て、前記平均エポキシ当量を得るにあたり、ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂の平均エポキシ当量が２１０以上１
１００以下であり、エポキシ樹脂（ａ）中に含まれるト
リグリシジルイソシアヌレートの配合比率が、５重量％
以上４５重量％以下であることが好ましい。
【００２８】本発明に用いるビスフェノール型エポキシ
樹脂としては、ビスフェノール骨格を有するものであれ
ば、何ら制限されるものではないが、透明性の観点から
着色の少ないエポキシ樹脂を用いることがより好まし
い。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられるが、一
般式（１）で表される構造のビスフェノール型エポキシ
樹脂はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の色調安定性と
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の低粘度の性質を兼ね
備えるため、特性上より好ましい。
樹脂としては、ビスフェノール骨格を有するものであれ
ば、何ら制限されるものではないが、透明性の観点から
着色の少ないエポキシ樹脂を用いることがより好まし
い。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールＦ型エポキシ樹脂などが挙げられるが、一
般式（１）で表される構造のビスフェノール型エポキシ
樹脂はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の色調安定性と
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の低粘度の性質を兼ね
備えるため、特性上より好ましい。
【００２９】本発明に用いる、凝固点が５０℃以下の酸
無水物硬化剤（ｂ）としては、従来公知のものが使用で
きる。具体的には、ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メ
チル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサ
ヒドロ無水フタル酸と４−メチル−ヘキサヒドロ無水フ
タル酸との混合物、及びエンドメチレンテトラヒドロ無
水フタル酸などが例示されるが、特にこれらに限定され
るものではなく、これらの単独もしくは２種以上用いる
ことができる。これらの酸無水物のうち、ヘキサヒドロ
無水フタル酸および４−メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸が透明性およびＢステージ化中間反応物の溶融粘度が
低い点に加え、透明性に優れる硬化物を得られるという
点で非常に優れ、より好ましい。
無水物硬化剤（ｂ）としては、従来公知のものが使用で
きる。具体的には、ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メ
チル−ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチル−ヘキサ
ヒドロ無水フタル酸と４−メチル−ヘキサヒドロ無水フ
タル酸との混合物、及びエンドメチレンテトラヒドロ無
水フタル酸などが例示されるが、特にこれらに限定され
るものではなく、これらの単独もしくは２種以上用いる
ことができる。これらの酸無水物のうち、ヘキサヒドロ
無水フタル酸および４−メチルヘキサヒドロ無水フタル
酸が透明性およびＢステージ化中間反応物の溶融粘度が
低い点に加え、透明性に優れる硬化物を得られるという
点で非常に優れ、より好ましい。
【００３０】これらの凝固点が５０℃以下の酸無水物硬
化剤（ｂ）は、エポキシ樹脂（ａ）との中間反応の際
に、その反応物の溶融粘度を低減し、反応が均一に進行
させることを可能とし、低い温度でも容易に液化するた
め、反応温度を低く保つことが可能であり、結果として
中間反応時のゲル化による反応の暴走を抑えることがで
きる。
化剤（ｂ）は、エポキシ樹脂（ａ）との中間反応の際
に、その反応物の溶融粘度を低減し、反応が均一に進行
させることを可能とし、低い温度でも容易に液化するた
め、反応温度を低く保つことが可能であり、結果として
中間反応時のゲル化による反応の暴走を抑えることがで
きる。
【００３１】本発明の中間反応物（Ａ）において、エポ
キシ樹脂（ａ）と硬化剤（ｂ）の配合比は、酸無水物硬
化剤の酸無水物基に対する、エポキシ樹脂のエポキシ基
のモル比が、０．８〜１．４が好ましく、より好ましく
は１．０〜１．２である。
キシ樹脂（ａ）と硬化剤（ｂ）の配合比は、酸無水物硬
化剤の酸無水物基に対する、エポキシ樹脂のエポキシ基
のモル比が、０．８〜１．４が好ましく、より好ましく
は１．０〜１．２である。
【００３２】本発明に用いる硬化促進剤（Ｂ）として
は、通常、エポキシ樹脂のアニオン硬化に用いられるも
のは、すべて使用可能であり、具体的にはイミダゾール
類、４級アンモニウム塩類、アミン類、ホスフィン類、
ホスホニウム塩類、双環式アミジン類およびそれらの塩
類などがあげられる。これらは、単独でも２種以上用い
ても差し支えない。これらのうち、２−メチルイミダゾ
ール、２−フェニル−４−イミダゾールなどのイミダゾ
ール類、２−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付
加物などのイミダゾール塩類、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７などの双環式アミジン
類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７のオクチル酸塩などの双環式アミジンのカルボン酸
塩類、およびテトラフェニルホスホニウムブロマイドな
どのホスホニウム塩類を用いると、硬化性がよく、着色
がなくより好ましい。硬化促進剤の添加量は、中間反応
物（Ａ）１００重量部に対して、０．５〜２重量部が好
ましい。
は、通常、エポキシ樹脂のアニオン硬化に用いられるも
のは、すべて使用可能であり、具体的にはイミダゾール
類、４級アンモニウム塩類、アミン類、ホスフィン類、
ホスホニウム塩類、双環式アミジン類およびそれらの塩
類などがあげられる。これらは、単独でも２種以上用い
ても差し支えない。これらのうち、２−メチルイミダゾ
ール、２−フェニル−４−イミダゾールなどのイミダゾ
ール類、２−フェニルイミダゾール イソシアヌル酸付
加物などのイミダゾール塩類、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７などの双環式アミジン
類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン
−７のオクチル酸塩などの双環式アミジンのカルボン酸
塩類、およびテトラフェニルホスホニウムブロマイドな
どのホスホニウム塩類を用いると、硬化性がよく、着色
がなくより好ましい。硬化促進剤の添加量は、中間反応
物（Ａ）１００重量部に対して、０．５〜２重量部が好
ましい。
【００３３】本発明に用いる無機充填材（Ｃ）は、透明
性を損なわないために、エポキシ樹脂組成物において、
無機充填材の屈折率と無機充填材以外の成分の屈折率と
を整合する必要がある。具体的には、無機充填材とそれ
以外の樹脂成分の硬化物の屈折率の差が、適用する製品
の透過すべき光波長において計測した屈折率の差が０．
０１以下であることが、特に好ましい。屈折率を測定す
る波長としては、適用する光半導体用製品の発光ピー
ク、もしくは受光する光線の波長ピークを用いればよ
い。このような条件を満たす充填材であれば、従来公知
のものが使用できる。具体的には、シリカ粉末、タル
ク、カオリンクレー、マイカ等の天然化合物、ガラス等
の合成化合物が使用できるが、天然化合物は屈折率が一
義的に決定されているものが多く、樹脂成分に整合する
ものは、おのずと限られてくる。そのため、本発明に用
いる無機充填材としては、ＳｉＯ2、ＣａＯ、およびＡ
ｌ2Ｏ3からなる、球状ガラス粒子が、任意の屈折率のも
のが容易に得られるという点でより好ましい。本発明の
樹脂組成物における（Ｃ）成分以外の成分の硬化物に、
前述組成のガラス粒子の屈折率を整合するためには、Ｓ
ｉＯ2を４０〜７０重量％、ＣａＯを１〜４０重量％、
Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％、合計で１００重量％となる
ような組成が好ましい。ただし、必要に応じて、他成分
として金属元素類、金属酸化物類などを添加することは
差し支えない。
性を損なわないために、エポキシ樹脂組成物において、
無機充填材の屈折率と無機充填材以外の成分の屈折率と
を整合する必要がある。具体的には、無機充填材とそれ
以外の樹脂成分の硬化物の屈折率の差が、適用する製品
の透過すべき光波長において計測した屈折率の差が０．
０１以下であることが、特に好ましい。屈折率を測定す
る波長としては、適用する光半導体用製品の発光ピー
ク、もしくは受光する光線の波長ピークを用いればよ
い。このような条件を満たす充填材であれば、従来公知
のものが使用できる。具体的には、シリカ粉末、タル
ク、カオリンクレー、マイカ等の天然化合物、ガラス等
の合成化合物が使用できるが、天然化合物は屈折率が一
義的に決定されているものが多く、樹脂成分に整合する
ものは、おのずと限られてくる。そのため、本発明に用
いる無機充填材としては、ＳｉＯ2、ＣａＯ、およびＡ
ｌ2Ｏ3からなる、球状ガラス粒子が、任意の屈折率のも
のが容易に得られるという点でより好ましい。本発明の
樹脂組成物における（Ｃ）成分以外の成分の硬化物に、
前述組成のガラス粒子の屈折率を整合するためには、Ｓ
ｉＯ2を４０〜７０重量％、ＣａＯを１〜４０重量％、
Ａｌ2Ｏ3を５〜３０重量％、合計で１００重量％となる
ような組成が好ましい。ただし、必要に応じて、他成分
として金属元素類、金属酸化物類などを添加することは
差し支えない。
【００３４】また、前述ガラス粒子は、球状であり、平
均粒径が５μｍ以上、１００μｍ以下であると良い。形
状を球状とすることにより、光の散乱損失を小さく抑え
ることができる。また平均粒径が５μｍ未満の場合、ガ
ラス粒子が凝集して透明性を低下させる。一方、平均粒
径が１００μｍを越える場合、樹脂組成物成形時に金型
のゲート部で樹脂詰まりがおこり、未充填となる場合が
ある。
均粒径が５μｍ以上、１００μｍ以下であると良い。形
状を球状とすることにより、光の散乱損失を小さく抑え
ることができる。また平均粒径が５μｍ未満の場合、ガ
ラス粒子が凝集して透明性を低下させる。一方、平均粒
径が１００μｍを越える場合、樹脂組成物成形時に金型
のゲート部で樹脂詰まりがおこり、未充填となる場合が
ある。
【００３５】無機充填剤の配合量としては、エポキシ樹
脂組成物中に５重量パーセント以上、７０重量パーセン
ト以下であることがより好ましい。配合量が、５重量パ
ーセント未満の場合、吸水率の低減効果が僅かであり、
耐半田性が向上しない場合がある。一方、７０重量パー
セントを超える場合、成形時に前述の未充填のような成
形不良が生じる場合がある。
脂組成物中に５重量パーセント以上、７０重量パーセン
ト以下であることがより好ましい。配合量が、５重量パ
ーセント未満の場合、吸水率の低減効果が僅かであり、
耐半田性が向上しない場合がある。一方、７０重量パー
セントを超える場合、成形時に前述の未充填のような成
形不良が生じる場合がある。
【００３６】本発明で用いる離型剤（Ｄ）は、一般式
（２）で表される化合物である。一般式（２）で表され
る化合物は、１分子内にエポキシ樹脂に相溶する性質と
相溶しない性質の両者の性質を有しているため、従来の
離型剤とは異なり、透明性と離型性を両立することがで
きる。
（２）で表される化合物である。一般式（２）で表され
る化合物は、１分子内にエポキシ樹脂に相溶する性質と
相溶しない性質の両者の性質を有しているため、従来の
離型剤とは異なり、透明性と離型性を両立することがで
きる。
【００３７】離型剤（Ｄ）の配合量としては、全エポキ
シ樹脂組成物中に０．０１重量％以上、５重量％以下が
好ましい。０．０１重量％を下まわるとパッケージの離
型性が悪くなる恐れがあり、また、５重量％を越えると
樹脂硬化物に曇りが生じ、透明性が低下する恐れがあ
る。
シ樹脂組成物中に０．０１重量％以上、５重量％以下が
好ましい。０．０１重量％を下まわるとパッケージの離
型性が悪くなる恐れがあり、また、５重量％を越えると
樹脂硬化物に曇りが生じ、透明性が低下する恐れがあ
る。
【００３８】本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物には、上記成分以外に、必要に応じて、従来公知の酸
化防止剤、離型剤、カップリング剤、充填剤、着色剤、
紫外線吸収剤等の当業者にて公知の添加剤、副資材を組
み合わせることは何らさしつかえない。
物には、上記成分以外に、必要に応じて、従来公知の酸
化防止剤、離型剤、カップリング剤、充填剤、着色剤、
紫外線吸収剤等の当業者にて公知の添加剤、副資材を組
み合わせることは何らさしつかえない。
【００３９】本発明の樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成
分、及びその他の添加剤を、ミキサー等を用いて混合
後、加熱ニーダや加熱ロール、押し出し機等を用いて加
熱混練し、続いて冷却、粉砕することで得られる。
分、及びその他の添加剤を、ミキサー等を用いて混合
後、加熱ニーダや加熱ロール、押し出し機等を用いて加
熱混練し、続いて冷却、粉砕することで得られる。
【００４０】このようにして得られた光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を用いての封止は、一般的な方法でで
きるが、例えば、トランスファー成形法等により、光半
導体素子を封止して、エポキシ樹脂組成物の硬化物で封
止された光半導体装置を得ることができる。
ポキシ樹脂組成物を用いての封止は、一般的な方法でで
きるが、例えば、トランスファー成形法等により、光半
導体素子を封止して、エポキシ樹脂組成物の硬化物で封
止された光半導体装置を得ることができる。
【００４１】
【実施例】以下に、本発明について更に詳細に説明する
ため実施例を示すが、これらに本発明が限定されるもの
ではない。
ため実施例を示すが、これらに本発明が限定されるもの
ではない。
【００４２】（実施例１〜７）成分（ａ）、及び成分
（ｂ）に相当する成分を、表１に示した配合割合で、１
００℃の反応釜で１３０〜２２０分加熱反応させて得た
中間反応物に、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分、及
び各種添加剤等を表１に示した配合割合で混合し、２本
ロールを用いて、５０〜９０℃で５分間混練し、得られ
た混練物シートを、冷却後粉砕して、樹脂組成物を得
た。評価方法は以下の通り。結果は表１にまとめて示
す。
（ｂ）に相当する成分を、表１に示した配合割合で、１
００℃の反応釜で１３０〜２２０分加熱反応させて得た
中間反応物に、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分、及
び各種添加剤等を表１に示した配合割合で混合し、２本
ロールを用いて、５０〜９０℃で５分間混練し、得られ
た混練物シートを、冷却後粉砕して、樹脂組成物を得
た。評価方法は以下の通り。結果は表１にまとめて示
す。
【００４３】（比較例１）成分（ａ）に該当するエポキ
シ樹脂、成分（ｂ）に相当する酸無水物に、本発明の中
間反応を経ずに、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分、
及び各種添加剤等を表２に示した配合割合で混合し、加
熱ニーダーを用いて、９０℃で２０分間混練し、得られ
た混練物シートを冷却したが、混練物の軟化点が十分に
得られず、成形可能な材料を得ることができなかった。
シ樹脂、成分（ｂ）に相当する酸無水物に、本発明の中
間反応を経ずに、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分、
及び各種添加剤等を表２に示した配合割合で混合し、加
熱ニーダーを用いて、９０℃で２０分間混練し、得られ
た混練物シートを冷却したが、混練物の軟化点が十分に
得られず、成形可能な材料を得ることができなかった。
【００４４】（比較例２）特許２６５６３３６号公報に
開示されている技術に基づき、成分（ａ）に該当するエ
ポキシ樹脂、成分（ｂ）に相当する酸無水物、及び成分
（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分の合計量１００重量部
を、５００重量部のジクロルメタンに加温しながら完全
に溶解した後、還流させながら温度３９〜４１℃の状態
で５０時間混合を継続し、１５０℃のゲル化時間が６０
秒の溶液を作成した。この溶液を４５℃に加温しながら
減圧し、その後加温して、トランスファー成形に供する
ことができる軟化点が得られるまで反応を進行させた
が、軟化点が十分に得られずにゲル化が進行して、成形
可能な材料を得ることができなかった。
開示されている技術に基づき、成分（ａ）に該当するエ
ポキシ樹脂、成分（ｂ）に相当する酸無水物、及び成分
（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分の合計量１００重量部
を、５００重量部のジクロルメタンに加温しながら完全
に溶解した後、還流させながら温度３９〜４１℃の状態
で５０時間混合を継続し、１５０℃のゲル化時間が６０
秒の溶液を作成した。この溶液を４５℃に加温しながら
減圧し、その後加温して、トランスファー成形に供する
ことができる軟化点が得られるまで反応を進行させた
が、軟化点が十分に得られずにゲル化が進行して、成形
可能な材料を得ることができなかった。
【００４５】（比較例３）特許２９７０２１４号公報に
開示されている技術に基づき、成分（ａ）に該当するエ
ポキシ樹脂、成分（ｂ）に相当する酸無水物に、本発明
の中間反応を経ずに、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成
分、及び各種添加剤等を表２に示した配合割合で混合
し、９０℃の熱ロールで１５分間混練し、得られた混練
物シートを冷却粉砕し、樹脂組成物を得た。評価方法は
以下の通り。結果は表２にまとめて示す。
開示されている技術に基づき、成分（ａ）に該当するエ
ポキシ樹脂、成分（ｂ）に相当する酸無水物に、本発明
の中間反応を経ずに、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成
分、及び各種添加剤等を表２に示した配合割合で混合
し、９０℃の熱ロールで１５分間混練し、得られた混練
物シートを冷却粉砕し、樹脂組成物を得た。評価方法は
以下の通り。結果は表２にまとめて示す。
【００４６】（比較例４〜８）成分（ａ）、成分（ｂ）
に相当する成分を、表２に示した配合割合で、１００℃
の反応釜で１１０〜２００分加熱反応させて得た中間反
応物に、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分、及び各種
添加剤等を表２に示した配合割合で混合し、２本ロール
を用いて、５０〜９０℃で５分間混練し、得られた混練
物シートを、冷却後粉砕して、樹脂組成物を得た。評価
方法は以下の通り。結果は表２にまとめて示す。
に相当する成分を、表２に示した配合割合で、１００℃
の反応釜で１１０〜２００分加熱反応させて得た中間反
応物に、成分（Ｂ）〜（Ｄ）に相当する成分、及び各種
添加剤等を表２に示した配合割合で混合し、２本ロール
を用いて、５０〜９０℃で５分間混練し、得られた混練
物シートを、冷却後粉砕して、樹脂組成物を得た。評価
方法は以下の通り。結果は表２にまとめて示す。
【００４７】［軟化点の測定］合成した成分（Ａ）の、
中間反応物の軟化点は、室温から２５０℃の温度傾斜を
持たせた銅棒上に、粉砕した成分（Ａ）を散布し、１０
秒後に刷毛を用いて、はきとることの可否の境界温度を
もって軟化点とした。この際、５０℃未満で測定不可能
な軟化点のものを×と表記した。
中間反応物の軟化点は、室温から２５０℃の温度傾斜を
持たせた銅棒上に、粉砕した成分（Ａ）を散布し、１０
秒後に刷毛を用いて、はきとることの可否の境界温度を
もって軟化点とした。この際、５０℃未満で測定不可能
な軟化点のものを×と表記した。
【００４８】［光透過率の測定］上記の樹脂組成物タブ
レットを、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６ＭＰ
ａ、硬化時間９０秒の条件でトランスファー成形し、３
０×１０×１ｍｍの成形品を得た。この成形品を、積分
球を搭載した分光光度計（島津製作所製自記分光光度計
ＵＶ−３１００）を用いて、波長４００ｎｍ、厚み１ｍ
ｍの光透過率を測定した。
レットを、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６ＭＰ
ａ、硬化時間９０秒の条件でトランスファー成形し、３
０×１０×１ｍｍの成形品を得た。この成形品を、積分
球を搭載した分光光度計（島津製作所製自記分光光度計
ＵＶ−３１００）を用いて、波長４００ｎｍ、厚み１ｍ
ｍの光透過率を測定した。
【００４９】［流動性の評価］成形前の樹脂組成物を、
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の
金型を用い、成形温度１７５℃、注入圧力６．８６ＭＰ
ａ、硬化時間５分の条件で成形し、充填した長さを測定
し、この長さが６０ｃｍ以上得られたものを流動性○、
そうでないものを×とした。
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の
金型を用い、成形温度１７５℃、注入圧力６．８６ＭＰ
ａ、硬化時間５分の条件で成形し、充填した長さを測定
し、この長さが６０ｃｍ以上得られたものを流動性○、
そうでないものを×とした。
【００５０】［ガラス転移温度の測定］上記の樹脂組成
物タブレットを、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６
ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件でトランスファー成形
し、この成形品を、温度１５０℃の熱風オーブンで２時
間ポストキュアした後、熱膨張計（セイコー電子社製Ｔ
ＭＡ１２０）を用い、５℃／分の昇温速度で昇温して、
前記成形品の伸び率が急激に変化する温度をガラス転移
点として測定した。
物タブレットを、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６
ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件でトランスファー成形
し、この成形品を、温度１５０℃の熱風オーブンで２時
間ポストキュアした後、熱膨張計（セイコー電子社製Ｔ
ＭＡ１２０）を用い、５℃／分の昇温速度で昇温して、
前記成形品の伸び率が急激に変化する温度をガラス転移
点として測定した。
【００５１】［離型性の評価］上記の樹脂組成物タブレ
ットを、メラミン樹脂クリーニング材によりクリーニン
グ済みの表面実装用パッケージ（１２ピンＳＯＰ、４×
５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ、チップサイズは１．５ｍｍ×
２．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）金型を用
いて、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、硬
化時間９０秒でトランスファー成形した。評価はパッケ
ージがイジェクトピンによって金型から離型する場合を
○、パッケージの変形やクラックが発生する場合を×と
した。
ットを、メラミン樹脂クリーニング材によりクリーニン
グ済みの表面実装用パッケージ（１２ピンＳＯＰ、４×
５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ、チップサイズは１．５ｍｍ×
２．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）金型を用
いて、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、硬
化時間９０秒でトランスファー成形した。評価はパッケ
ージがイジェクトピンによって金型から離型する場合を
○、パッケージの変形やクラックが発生する場合を×と
した。
【００５２】［耐半田性の評価］上記の樹脂組成物タブ
レットを、メラミン樹脂クリーニング材によりクリーニ
ング済みの表面実装用パッケージ（１２ピンＳＯＰ、４
×５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ、チップサイズは１．５ｍｍ
×２．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）金型を
用いて、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、
硬化時間９０秒でトランスファー成形し、温度１５０℃
の熱風オーブンで、２時間後硬化させた。得られた光半
導体パッケージを、温度８５℃、相対湿度６０％の環境
下で、１６８時間放置し、その後２４０℃のＩＲリフロ
ー処理を行った。処理したパッケージを顕微鏡及び超音
波探傷装置で観察し、クラック、チップと樹脂との剥離
の有無を確認した。
レットを、メラミン樹脂クリーニング材によりクリーニ
ング済みの表面実装用パッケージ（１２ピンＳＯＰ、４
×５ｍｍ、厚み１．２ｍｍ、チップサイズは１．５ｍｍ
×２．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）金型を
用いて、金型温度１５０℃、注入圧力６．８６ＭＰａ、
硬化時間９０秒でトランスファー成形し、温度１５０℃
の熱風オーブンで、２時間後硬化させた。得られた光半
導体パッケージを、温度８５℃、相対湿度６０％の環境
下で、１６８時間放置し、その後２４０℃のＩＲリフロ
ー処理を行った。処理したパッケージを顕微鏡及び超音
波探傷装置で観察し、クラック、チップと樹脂との剥離
の有無を確認した。
【００５３】
【表１】
【００５４】表１中、注１：油化シェルエポキシ製ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７５）、
注２：三井化学製ビスフェノール型エポキシ樹脂（エ
ポキシ当量５００、 一般式（２）で表されるエポキシ
樹脂で、Ｃ（ＣＨ3）2が７０％、ＣＨ2が３０％含み、
ｎ＝２）、 注３：三井化学製ビスフェノール型エポキ
シ樹脂（エポキシ当量９８０、 一般式（２）で表され
るエポキシ樹脂で、Ｃ（ＣＨ3）2が７０％、ＣＨ2が３
０％含み、ｎ＝４）、 注４：日産化学製 トリグリシ
ジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００）、 注
５：新日本理化製ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸との混合物（凝固点−１５
℃）、 注６：新日本理化製ヘキサヒドロ無水フタル酸
（凝固点３７℃）、 注７：サンアプロ製ジアザビシク
ロウンデセンとオクチル酸との塩、 注８：四国化成製
イミダゾール、 注９：北興化学製テトラフェニルホス
ホニウムブロマイド、 注１０：北興化学製トリフェニ
ルホスフィン、 注１１：ＳｉＯ2、ＣａＯ、およびＡ
ｌ2Ｏ3からなり、平均粒径２５μｍで、表１の屈折率差
に調整した球状ガラス、 注１２：ＳｉＯ2、ＣａＯ、
およびＡｌ2Ｏ3からなり、平均粒径４０μｍで、表１の
屈折率差に調整した球状ガラス、 注１３：ＳｉＯ2、
ＣａＯ、およびＡｌ2Ｏ3からなり、平均粒径２５μｍ
で、表１の屈折率差に調整した球状ガラス、 注１４：
平均粒径２０μｍの平板状タルク、 注１５：一般式
（１）で表される離型剤である化合物Ａ（式中ｋ＝４
８、ｍ＝２、ｎ＝２１、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝ＣＨ3）、 注
１６：一般式（１）で表される離型剤である化合物Ｂ
（式中ｋ＝５４、ｍ＝４、ｎ＝１８、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃ
Ｈ3ＣＨ2ＣＨ2）、 注１７：住友化学製リン系酸化防
止剤、 注１８：住友化学製フェノール系酸化防止剤。
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７５）、
注２：三井化学製ビスフェノール型エポキシ樹脂（エ
ポキシ当量５００、 一般式（２）で表されるエポキシ
樹脂で、Ｃ（ＣＨ3）2が７０％、ＣＨ2が３０％含み、
ｎ＝２）、 注３：三井化学製ビスフェノール型エポキ
シ樹脂（エポキシ当量９８０、 一般式（２）で表され
るエポキシ樹脂で、Ｃ（ＣＨ3）2が７０％、ＣＨ2が３
０％含み、ｎ＝４）、 注４：日産化学製 トリグリシ
ジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００）、 注
５：新日本理化製ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸との混合物（凝固点−１５
℃）、 注６：新日本理化製ヘキサヒドロ無水フタル酸
（凝固点３７℃）、 注７：サンアプロ製ジアザビシク
ロウンデセンとオクチル酸との塩、 注８：四国化成製
イミダゾール、 注９：北興化学製テトラフェニルホス
ホニウムブロマイド、 注１０：北興化学製トリフェニ
ルホスフィン、 注１１：ＳｉＯ2、ＣａＯ、およびＡ
ｌ2Ｏ3からなり、平均粒径２５μｍで、表１の屈折率差
に調整した球状ガラス、 注１２：ＳｉＯ2、ＣａＯ、
およびＡｌ2Ｏ3からなり、平均粒径４０μｍで、表１の
屈折率差に調整した球状ガラス、 注１３：ＳｉＯ2、
ＣａＯ、およびＡｌ2Ｏ3からなり、平均粒径２５μｍ
で、表１の屈折率差に調整した球状ガラス、 注１４：
平均粒径２０μｍの平板状タルク、 注１５：一般式
（１）で表される離型剤である化合物Ａ（式中ｋ＝４
８、ｍ＝２、ｎ＝２１、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝ＣＨ3）、 注
１６：一般式（１）で表される離型剤である化合物Ｂ
（式中ｋ＝５４、ｍ＝４、ｎ＝１８、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝Ｃ
Ｈ3ＣＨ2ＣＨ2）、 注１７：住友化学製リン系酸化防
止剤、 注１８：住友化学製フェノール系酸化防止剤。
【００５５】
【表２】
【００５６】表１中、注１：油化シェルエポキシ製ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７５）、
注２：三井化学製ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量９５０）、 注３：三井化学製ビスフェ
ノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量５００、 一般式
（２）で表されるエポキシ樹脂で、Ｃ（ＣＨ3）2が７０
％、ＣＨ2が３０％含み、ｎ＝２）、 注４：三井化学
製ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量９８
０、 一般式（２）で表されるエポキシ樹脂で、Ｃ（Ｃ
Ｈ3）2が７０％、ＣＨ2が３０％含み、ｎ＝４）、 注
５：日産化学製 トリグリシジルイソシアヌレート（エ
ポキシ当量１００）、 注６：三井化学製３官能エポキ
シ樹脂（エポキシ当量２１０）、 注７：新日本理化製
ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘキサヒドロ無水フ
タル酸との混合物（凝固点−１５℃）、注８：新日本理
化製ヘキサヒドロ無水フタル酸（凝固点３７℃）、 注
９：新日本理化製テトラヒドロ無水フタル酸（凝固点１
００℃）、 注１０：サンアプロ製ジアザビシクロウン
デセンとオクチル酸との塩、 注１１：四国化成製イミ
ダゾール類、 注１２：北興化学製テトラフェニルホス
ホニウムブロマイド、１３：ＳｉＯ2、ＣａＯ、および
Ａｌ2Ｏ3からなり、平均粒径２５μｍで、表２の屈折率
差に調整した球状ガラス、 注１４：ＳｉＯ2、Ｃａ
Ｏ、およびＡｌ2Ｏ 3からなり、平均粒径４０μｍで、表
２の屈折率差に調整した球状ガラス、 注１５：平均粒
径１５μｍの、屈折率を調整した球状ガラス、 注１
６：ＳｉＯ2、ＣａＯ、およびＡｌ2Ｏ3からなり、平均
粒径５μｍで、表２の屈折率差に調整した球状ガラス、
注１７：一般式（１）で表される離型剤である化合物
Ａ（式中ｋ＝４８、ｍ＝２、ｎ＝２１、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝
ＣＨ3）、 注１８：一般式（１）で表される離型剤で
ある化合物Ｂ（式中ｋ＝５４、ｍ＝４、ｎ＝１８、Ｒ1
＝Ｈ、Ｒ2＝ＣＨ3ＣＨ2ＣＨ2）、 注１９：クラリアン
トジャパン製離型剤、注２０：住友化学製フェノール系
酸化防止剤、 注２１：住友化学製リン系酸化防止剤、
注２２：中間反応の溶融混合において、ゲル化が進行
した。
フェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４７５）、
注２：三井化学製ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量９５０）、 注３：三井化学製ビスフェ
ノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量５００、 一般式
（２）で表されるエポキシ樹脂で、Ｃ（ＣＨ3）2が７０
％、ＣＨ2が３０％含み、ｎ＝２）、 注４：三井化学
製ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量９８
０、 一般式（２）で表されるエポキシ樹脂で、Ｃ（Ｃ
Ｈ3）2が７０％、ＣＨ2が３０％含み、ｎ＝４）、 注
５：日産化学製 トリグリシジルイソシアヌレート（エ
ポキシ当量１００）、 注６：三井化学製３官能エポキ
シ樹脂（エポキシ当量２１０）、 注７：新日本理化製
ヘキサヒドロ無水フタル酸とメチルヘキサヒドロ無水フ
タル酸との混合物（凝固点−１５℃）、注８：新日本理
化製ヘキサヒドロ無水フタル酸（凝固点３７℃）、 注
９：新日本理化製テトラヒドロ無水フタル酸（凝固点１
００℃）、 注１０：サンアプロ製ジアザビシクロウン
デセンとオクチル酸との塩、 注１１：四国化成製イミ
ダゾール類、 注１２：北興化学製テトラフェニルホス
ホニウムブロマイド、１３：ＳｉＯ2、ＣａＯ、および
Ａｌ2Ｏ3からなり、平均粒径２５μｍで、表２の屈折率
差に調整した球状ガラス、 注１４：ＳｉＯ2、Ｃａ
Ｏ、およびＡｌ2Ｏ 3からなり、平均粒径４０μｍで、表
２の屈折率差に調整した球状ガラス、 注１５：平均粒
径１５μｍの、屈折率を調整した球状ガラス、 注１
６：ＳｉＯ2、ＣａＯ、およびＡｌ2Ｏ3からなり、平均
粒径５μｍで、表２の屈折率差に調整した球状ガラス、
注１７：一般式（１）で表される離型剤である化合物
Ａ（式中ｋ＝４８、ｍ＝２、ｎ＝２１、Ｒ1＝Ｈ、Ｒ2＝
ＣＨ3）、 注１８：一般式（１）で表される離型剤で
ある化合物Ｂ（式中ｋ＝５４、ｍ＝４、ｎ＝１８、Ｒ1
＝Ｈ、Ｒ2＝ＣＨ3ＣＨ2ＣＨ2）、 注１９：クラリアン
トジャパン製離型剤、注２０：住友化学製フェノール系
酸化防止剤、 注２１：住友化学製リン系酸化防止剤、
注２２：中間反応の溶融混合において、ゲル化が進行
した。
【００５７】表の結果から明らかなように、本発明の樹
脂組成物は耐半田性、離型性に優れるとともに、８０％
以上の良好な光透過率を両立していることがわかる。
脂組成物は耐半田性、離型性に優れるとともに、８０％
以上の良好な光透過率を両立していることがわかる。
【００５８】
【発明の効果】本発明、透明性、耐半田性及び離型性に
優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、こ
れを用いて、高い信頼性を有したオプトデバイスを提供
することができる。
優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、こ
れを用いて、高い信頼性を有したオプトデバイスを提供
することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｌ 71/02 Ｃ０８Ｌ 71/02 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CD051 CD141 CH002 CH012 DJ017 DJ037 DJ047 DL007 EN006 EN136 EU116 EW136 EW176 FD017 FD146 FD162 GQ01 GQ05 4J036 AA02 AB17 AD01 DB15 DB22 DC41 DC48 GA22 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB04 EB12 EC11 GA01
Claims (9)
- 【請求項１】 エポキシ樹脂と硬化剤の中間反応物
（Ａ）、硬化促進剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）、離型剤
（Ｄ）を必須成分とする光半導体封止用エポキシ樹脂組
成物において、中間反応物（Ａ）が下記成分（ａ）、及
び成分（ｂ）を含んでなり、且つ無溶媒下、８０℃以上
１５０℃以下の温度で、溶融混合して得られたものであ
ることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。 （ａ）トリグリシジルイソシアヌレート、及びビスフェ
ノール型エポキシ樹脂からなり、成分（ａ）全体の平均
エポキシ当量が２００以上４００以下のエポキシ樹脂。 （ｂ）凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤。 - 【請求項２】 ビスフェノール型エポキシ樹脂が、２１
０以上１１００以下の平均エポキシ当量を有し、トリグ
リシジルイソシアヌレートが、（ａ）成分中に５％以上
４５％以下で含まれることを特徴とする請求項１記載の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項３】 ビスフェノール型エポキシ樹脂が、一般
式（１）で表されるエポキシ樹脂であることを特徴とす
る請求項２記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化１】 （但し、式（１）中、ｎの値が１〜７であり、ＲはＣ
（ＣＨ3）2及びＣＨ2を示し、１分子中それぞれ少なく
とも１個以上有する。） - 【請求項４】 凝固点５０℃以下の酸無水物硬化剤
（ｂ）が、ヘキサヒドロ無水フタル酸及び４−メチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸からなる群より選ばれる少なく
とも１つであることを特徴とする請求項１記載の光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 硬化促進剤（Ｂ）が、イミダゾール類、
イミダゾール塩類、双環式アミジン類、双環式アミジン
のカルボン酸類、及びホスホニウム塩類からなる群より
少なくとも１つ選ばれることを特徴とする請求項１記載
の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項６】 無機充填材（Ｃ）の屈折率と、無機充填
材（Ｃ）以外の成分の硬化物の屈折率との差が、０．０
１以下である請求項１記載の光半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項７】 無機充填剤（Ｃ）が、ＳｉＯ2、Ｃａ
Ｏ、およびＡｌ2Ｏ3からなる、平均粒径５μｍ以上１０
０μｍ以下の球状ガラス粒子であり、光半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物中に５重量％以上、７０重量％以下の
割合で配合されてなることを特徴とする請求項１記載の
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項８】 離型剤（Ｄ）が、一般式（２）で表され
る化合物であり、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物中
に０．０１重量％以上、５重量％以下の割合で配合され
てなることを特徴とする請求項１記載の光半導体封止用
エポキシ樹脂組成物。 【化２】 （但し、式（２）中、ｋの値が４０〜６０であり、ｍの
値は１〜５であり、ｎの値は１５〜４５である。Ｒ1、
Ｒ2は水素原子もしくは一価のアルキル基であり、少な
くとも一方が一価のアルキル基である。） - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の光半導
体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された光半
導体装置。
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Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004000945A1 (ja) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 透明複合体組成物 |
| JP2006140207A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
| JP2006228708A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-31 | Mitsui Chemicals Inc | 有機ｅｌシール材 |
| JP2009024185A (ja) * | 2005-08-04 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
| EP2075280A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition, optoelectric part case, and molding method |
| JP2009242772A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物の製造方法、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置 |
| EP2141201A1 (en) | 2008-07-02 | 2010-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same |
| EP2196501A1 (en) | 2008-12-15 | 2010-06-16 | Nichia Corporation | Thermoseting epoxy resin composition and semiconductor device |
| EP2199339A1 (en) * | 2007-09-25 | 2010-06-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate made therefrom for photosemiconductor element mounting, process for producing the same, and photosemiconductor device |
| EP2323178A2 (en) | 2005-08-04 | 2011-05-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member |
| US8013057B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White thermosetting silicone resin composition for molding an optical semiconductor case and optical semiconductor case |
| US8012381B2 (en) | 2008-06-09 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| US8088856B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition |
| US8173053B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-05-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| DE112011103312T5 (de) | 2010-09-29 | 2013-08-22 | Nippon Carbide Industries Co., Inc. | Melamin-Epoxidharzmonomer und -Harzzusammensetzung |
| JP2013181124A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物、硬化物、モータ及び発電機 |
| US8900710B2 (en) | 2007-02-06 | 2014-12-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part |
| US20160024294A1 (en) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using same |
| JP2016023250A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
| JP2016023249A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| US20160160040A1 (en) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using same |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| JP6274364B1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-02-07 | 東レ株式会社 | プリプレグおよび繊維強化複合材料 |
| KR20190022551A (ko) * | 2016-06-28 | 2019-03-06 | 도레이 카부시키가이샤 | 에폭시 수지 조성물, 프리프레그 및 섬유 강화 복합 재료 |
| JP2019151682A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-12 | 株式会社Adeka | アニオン重合開始剤及び該アニオン重合開始剤を含有する重合性組成物 |
| CN112592460A (zh) * | 2019-10-02 | 2021-04-02 | 日东电工株式会社 | 光半导体密封用树脂成型物及其制造方法 |
| US11508885B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2002
- 2002-01-24 JP JP2002016225A patent/JP3891554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004000945A1 (ja) * | 2002-06-20 | 2003-12-31 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 透明複合体組成物 |
| JP2006140207A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、ならびにこれを用いた光半導体搭載用基板とその製造方法および光半導体装置。 |
| JP2006228708A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-31 | Mitsui Chemicals Inc | 有機ｅｌシール材 |
| EP2323178A2 (en) | 2005-08-04 | 2011-05-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member |
| JP2009024185A (ja) * | 2005-08-04 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
| US9034671B2 (en) | 2005-08-04 | 2015-05-19 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing same |
| US8803159B2 (en) | 2005-08-04 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing same |
| JP5422121B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2014-02-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
| US8575632B2 (en) | 2005-08-04 | 2013-11-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member |
| US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9808970B2 (en) | 2007-02-06 | 2017-11-07 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part |
| US8900710B2 (en) | 2007-02-06 | 2014-12-02 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part |
| EP2199339A4 (en) * | 2007-09-25 | 2012-03-28 | Hitachi Chemical Co Ltd | LIGHT REFLECTING THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, SUBSTRATE MANUFACTURED THEREFROM FOR MOUNTING A PHOTOSEMICONDUCTIVE MEMBER, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND PHOTOSEMICONDUCTIVE DEVICE |
| EP2540776A3 (en) * | 2007-09-25 | 2013-04-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device |
| EP2540775A3 (en) * | 2007-09-25 | 2013-04-10 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device |
| EP3029106A1 (en) * | 2007-09-25 | 2016-06-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device |
| CN102838838A (zh) * | 2007-09-25 | 2012-12-26 | 日立化成工业株式会社 | 热固性光反射用树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及其制造方法、及光半导体装置 |
| US8785525B2 (en) | 2007-09-25 | 2014-07-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting light-reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting board produced therewith, method for manufacture thereof, and optical semiconductor device |
| EP2199339A1 (en) * | 2007-09-25 | 2010-06-23 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Thermosetting resin composition for light reflection, substrate made therefrom for photosemiconductor element mounting, process for producing the same, and photosemiconductor device |
| EP2075280A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition, optoelectric part case, and molding method |
| US8013056B2 (en) | 2007-12-26 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition, optoelectronic part case, and molding method |
| JP2009242772A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物の製造方法、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置 |
| US8013057B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White thermosetting silicone resin composition for molding an optical semiconductor case and optical semiconductor case |
| US8012381B2 (en) | 2008-06-09 | 2011-09-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| US8173053B2 (en) | 2008-06-09 | 2012-05-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | White heat-curable silicone resin composition and optoelectronic part case |
| US8237189B2 (en) | 2008-07-02 | 2012-08-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same |
| EP2141201A1 (en) | 2008-07-02 | 2010-01-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin-epoxy resin composition, and premolded package molded from same |
| US8088856B2 (en) | 2008-11-14 | 2012-01-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable resin composition |
| US9303115B2 (en) | 2008-12-15 | 2016-04-05 | Nichia Corporation | Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor device |
| EP2196501A1 (en) | 2008-12-15 | 2010-06-16 | Nichia Corporation | Thermoseting epoxy resin composition and semiconductor device |
| DE112011103312T5 (de) | 2010-09-29 | 2013-08-22 | Nippon Carbide Industries Co., Inc. | Melamin-Epoxidharzmonomer und -Harzzusammensetzung |
| JP2013181124A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 一液型エポキシ樹脂組成物、硬化物、モータ及び発電機 |
| US20160024294A1 (en) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using same |
| JP2016023249A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2016023250A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 信越化学工業株式会社 | 光半導体素子封止用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた光半導体装置 |
| US9441104B2 (en) * | 2014-12-03 | 2016-09-13 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using same |
| US20160160040A1 (en) * | 2014-12-03 | 2016-06-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using same |
| KR20190022552A (ko) * | 2016-06-28 | 2019-03-06 | 도레이 카부시키가이샤 | 에폭시 수지 조성물, 프리프레그 및 섬유 강화 복합 재료 |
| KR102224073B1 (ko) | 2016-06-28 | 2021-03-08 | 도레이 카부시키가이샤 | 에폭시 수지 조성물, 프리프레그 및 섬유 강화 복합 재료 |
| KR20190022551A (ko) * | 2016-06-28 | 2019-03-06 | 도레이 카부시키가이샤 | 에폭시 수지 조성물, 프리프레그 및 섬유 강화 복합 재료 |
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| JP6274364B1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-02-07 | 東レ株式会社 | プリプレグおよび繊維強化複合材料 |
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| US11508885B2 (en) | 2018-09-28 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| CN112592460A (zh) * | 2019-10-02 | 2021-04-02 | 日东电工株式会社 | 光半导体密封用树脂成型物及其制造方法 |
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