JP5416930B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

本発明は、傾斜磁場コイルの周囲を密閉して静音化を図る磁気共鳴イメージング装置に関する。

傾斜磁場コイルの振動に起因する騒音を低減して静音化を図るために、傾斜磁場コイルの周囲を真空とする磁気共鳴イメージング装置が特許文献１により知られている。

特許文献１に記載された磁気共鳴イメージング装置は、それぞれ円筒状のボアチューブと静磁場磁石との間に生じる空間を、ボアチューブの側端および静磁場磁石の側端にそれぞれ固定された密閉カバーにより密閉する構造となっている。
特開平１０−１１８０４３号公報

上記の従来構造では、密閉カバーにかかる気圧を、静磁場磁石とボアチューブで受け持っていた。このため、ボアチューブと密閉カバーとが剛に結合されてしまい、防振構造を取ることが難しかった。さらにこの構造では、上記の気圧はボアチューブに座屈の力として働く。このため、ボアチューブの剛性を高くする必要があり、ボアチューブの厚みを薄くすることが難しかった。

本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、気圧に起因する密閉カバーを介したボアチューブへの負荷を軽減することが可能な磁気共鳴イメージング装置を提供することにある。

本発明の第１の態様による磁気共鳴イメージング装置は、被検体を配置するための撮像空間を内部に形成するボアチューブと、前記ボアチューブの外部に配置され、前記撮像空間に静磁場を発生する静磁場発生部と、前記ボアチューブと前記静磁場発生部との間に配置され、前記静磁場に重畳するための傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生部と、前記静磁場発生部の両側端の少なくとも一方に取り付けられて前記ボアチューブおよび前記静磁場発生部とともに前記傾斜磁場発生部の周囲に真空空間を形成する少なくとも１つの密閉カバーとを具備し、前記密閉カバーを、一部を前記静磁場発生部に固定するとともに、その固定箇所とは異なる箇所にて気圧により前記静磁場発生部に押しつけられる構造とした。

本発明の第２の態様による磁気共鳴イメージング装置は、被検体を配置するための撮像空間を内部に形成する筒状のボアチューブと、前記ボアチューブの外部に配置され、前記撮像空間に静磁場を発生する筒状の静磁場発生部と、前記ボアチューブと前記静磁場発生部との間に配置され、前記静磁場に重畳するための傾斜磁場を発生する筒状の傾斜磁場発生部と、前記静磁場発生部の端面から離間した位置にて前記静磁場発生部と前記ボアチューブとの間の開口を覆うカバー部と、前記静磁場発生部に固定される固定部、ならびに前記固定部から離間して位置し気圧により前記静磁場発生部の端面に押しつけられる当接部を有し、前記静磁場発生部の両側端の少なくとも一方に取り付けられて前記ボアチューブおよび前記静磁場発生部とともに前記傾斜磁場発生部の周囲に密閉空間を形成する密閉カバーとを備えた。

本発明の第３の態様による磁気共鳴イメージング装置は、被検体を配置するための撮像空間を内部に形成するボアチューブと、前記ボアチューブの外部に配置され、前記撮像空間に静磁場を発生する静磁場発生部と、前記ボアチューブと前記静磁場発生部との間に配置され、前記静磁場に重畳するための傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生部と、前記静磁場発生部の両側端の少なくとも一方に固定されて前記ボアチューブおよび前記静磁場発生部とともに前記傾斜磁場発生部の周囲に密閉空間を形成するものであって、その固定箇所とは異なる箇所にて気圧により前記静磁場発生部に押しつけられる構造を有する密閉カバーと、前記ボアチューブの両側端の少なくとも一方の近傍にて前記ボアチューブの外側面に接するように配置され、前記ボアチューブと前記密閉カバーとの隙間を密封する少なくとも１つの密封部品とを備えた。

本発明によれば、気圧に起因する密閉カバーを介したボアチューブへの負荷を軽減することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態につき説明する。

図１は本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）１００の構成を示す図である。この図１に示すＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１、傾斜磁場コイル２、傾斜磁場電源３、寝台４、寝台制御部５、送信ＲＦコイル６、送信部７、受信ＲＦコイル８、受信部９および計算機システム１０を具備する。

静磁場磁石１は、中空の円筒形をなし、内部の空間に一様な静磁場を発生する。この静磁場磁石１としては、例えば永久磁石、超伝導磁石等が使用される。

傾斜磁場コイル２は、中空の円筒形をなし、静磁場磁石１の内側に配置される。傾斜磁場コイル２は、互いに直交するＸ，Ｙ，Ｚの各軸に対応する３種類のコイルが組み合わされている。傾斜磁場コイル２は、上記の３つのコイルが傾斜磁場電源３から個別に電流供給を受けて、磁場強度がＸ，Ｙ，Ｚの各軸に沿って変化する傾斜磁場を発生する。なお、Ｚ軸方向は、例えば静磁場と同方向とする。Ｘ，Ｙ，Ｚ各軸の傾斜磁場は、例えば、スライス選択用傾斜磁場Ｇs、位相エンコード用傾斜磁場Ｇeおよびリードアウト用傾斜磁場Ｇrにそれぞれ対応する。スライス選択用傾斜磁場Ｇsは、任意に撮像断面を決めるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場Ｇeは、空間的位置に応じて磁気共鳴信号の位相を変化させるために利用される。リードアウト用傾斜磁場Ｇrは、空間的位置に応じて磁気共鳴信号の周波数を変化させるために利用される。傾斜磁場コイル２は、非シールド型およびシールド型のいずれであっても良いが、シールド型であることが望ましい。シールド型の傾斜磁場コイルは、上記構造に加えてシールドコイルを備えるもので、active shielded gradient coil（ＡＳＧＣ）とも呼ばれる。なおシールドコイルは、メインコイルにより発生されて所定領域外に漏れる磁場を相殺するための磁場を発生するように駆動される。また傾斜磁場コイル２は、長手方向に関して静磁場磁石１よりも短い。

被検体２００は、寝台４の天板４１に載置された状態で傾斜磁場コイル２の空洞（撮像空間）内に挿入される。寝台４の天板４１は寝台制御部５により駆動され、その長手方向および上下方向に移動する。通常、この長手方向が静磁場磁石１の中心軸と平行になるように寝台４が設置される。

送信ＲＦコイル６は、傾斜磁場コイル２の内側に配置される。送信ＲＦコイル６は、送信部７から高周波パルスの供給を受けて、高周波磁場を発生する。

送信部７は、ラーモア周波数に対応する高周波パルスを送信ＲＦコイル６に送信する。

受信ＲＦコイル８は、傾斜磁場コイル２の内側に配置される。受信ＲＦコイル８は、上記の高周波磁場の影響により被検体から放射される磁気共鳴信号を受信する。受信ＲＦコイル８からの出信号は、受信部９に入力される。

受信部９は、受信ＲＦコイル８からの出力信号に基づいて磁気共鳴信号データを生成する。

計算機システム１０は、インタフェース部１０ａ、データ収集部１０ｂ、再構成部１０ｃ、記憶部１０ｄ、表示部１０ｅ、入力部１０ｆおよび主制御部１０ｇを有している。

インタフェース部１０ａには、傾斜磁場電源３、寝台制御部５、送信部７、受信ＲＦコイル８および受信部９等が接続される。インタフェース部１０ａは、これらの接続された各部と計算機システム１０との間で授受される信号の入出力を行う。

データ収集部１０ｂは、受信部９から出力されるデジタル信号をインタフェース部１０ａを介して収集する。データ収集部１０ｂは、収集したデジタル信号、すなわち磁気共鳴信号データを、記憶部１０ｄに格納する。

再構成部１０ｃは、記憶部１０ｄに記憶された磁気共鳴信号データに対して、後処理、すなわちフーリエ変換等の再構成を実行し、被検体２００内の所望核スピンのスペクトラムデータあるいは画像データを求める。

記憶部１０ｄは、磁気共鳴信号データと、スペクトラムデータあるいは画像データとを、患者毎に記憶する。

表示部１０ｅは、スペクトラムデータあるいは画像データ等の各種の情報を主制御部１０ｇの制御の下に表示する。表示部１０ｅとしては、液晶表示器などの表示デバイスを利用可能である。

入力部１０ｆは、オペレータからの各種指令や情報入力を受け付ける。入力部１０ｆとしては、マウスやトラックボールなどのポインティングデバイス、モード切替スイッチ等の選択デバイス、あるいはキーボード等の入力デバイスを適宜に利用可能である。

主制御部１０ｇは、図示していないＣＰＵやメモリ等を有しており、ＭＲＩ装置１００を総括的に制御する。主制御部１０ｇは、ＭＲＩ装置１００における周知の機能を実現するための種々の制御機能を持つ。

（第１の実施形態）
図２は静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の第１の実施形態における構造を示す断面図である。なお図２は、静磁場中心を通る鉛直面での断面を示している。図３は図２中のＡ−Ａ線の位置における断面図である。なお、図２および図３において図１と同一部分には同一の符号を付して示している。また静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２は、外側の枠体のみを示している。

傾斜磁場コイル２の内側には、図１では図示を省略していたボアチューブ１１が配置されている。ボアチューブ１１は、中空の円筒状をなし、内部の空間に載置された被検体２００が傾斜磁場コイル２に直接接触することを防止する。

また静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍には、図１では図示を省略していた要素として、密閉カバー１２、固定具１３，１４、Ｏリング１５、Ｏリング押さえ１６、防振部材１７、支持部材１８、防振部材１９および支持部材２０が配置されている。

密閉カバー１２は、中央に円形の穴が開いた円盤状をなす。中央の穴の径は、ボアチューブ１１の外径よりも若干大きくなっており、この穴にボアチューブ１１が通されている。密閉カバー１２は、その外周側の辺縁近傍において、静磁場磁石１に設けられた固定軸１ａに固定具１３，１４によって固定される。また密閉カバー１２には円弧状の凸部１２ａが形成されている。凸部１２ａは、静磁場磁石１の側端に当接される。

密閉カバー１２の上記の穴に面した辺縁には外側に向かって広がるテーパ１２ｂが円周状に形成されている。このテーパ１２ｂとボアチューブ１１の外側面との間には、Ｏリング１５が配置される。Ｏリング１５は、Ｏリング押さえ１６によってテーパ１２ｂおよびボアチューブ１１とに当接した状態に押さえられる。また密閉カバー１２とボアチューブ１１の外側面との間隙には、ボアチューブ１１の上側の一部に防振部材１７が配置される。

ボアチューブ１１は、下方に取り付けられた支持部材１８が密閉カバー１２に設けられた凸部１２ｃに防振部材１９を介して当接することにより支持される。

傾斜磁場コイル２は、その側端に取り付けられた支持部材２０を介して静磁場磁石１に設けられた固定軸１ａに固定される。凸部１２ａは、固定軸１ａと干渉しないように形成されている。

なお、図２に示されているのとは反対側の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の構造は、上記と対称的である。

かくして以上のような構造により、傾斜磁場コイル２の周囲には、静磁場磁石１、ボアチューブ１１および密閉カバー１２により囲われた密閉空間３０が形成される。そしてこの密閉空間３０内の空気を図示しない真空ポンプにより排出して密閉空間３０を真空とすることによって、傾斜磁場コイル２で発生した騒音が周囲に伝達されるのを防止することができる。

さて、密閉空間３０を真空とすると、密閉カバー１２は気圧によって密閉空間３０の側に、すなわち軸方向に押しつけられる。しかしながら密閉カバー１２は、静磁場磁石１への固定箇所の他に、凸部１２ａによっても静磁場磁石１に当接しているので、密閉カバー１２からの軸方向の荷重は密閉カバー１２自体と静磁場磁石１とにより受けることができる。このため、ボアチューブ１１は密閉カバー１２からの軸方向の荷重を受ける必要がなく、ボアチューブ１１と密閉カバー１２とを剛に結合する必要がない。そこで第１の実施形態においては、密閉カバー１２はボアチューブ１１に近接して配置しているだけである。この結果、密閉カバー１２からボアチューブ１１への振動伝達を軽減することができるとともに、ボアチューブの厚みを薄くすることが可能である。

なお、密閉カバー１２のボアチューブ１１側の端部が気圧により変形してしまうことを防止するために、凸部１２ａはなるべく固定箇所から離れた箇所で静磁場磁石１に当接できる位置に設けることが望ましい。一方、密閉カバー１２のうちで、静磁場磁石１により支持されることなく気圧を受ける部分は、凸部１２ａを挟んで静磁場中心に近い側と遠い側とに二分される。これら２つの部分が気圧を受けるそれぞれの面積の差が小さいほど、密閉カバー１２の全体で均一に気圧を受けることが可能となる。そこで、密閉カバー１２の各部における静磁場中心からの離間距離を図２に示すようにｒ₁，ｒ₂，ｒ₃，ｒ₄とすると、２πｒ₂−２πｒ₁と２πｒ₄−２πｒ₃とがなるべく近い値となるようにｒ₁，ｒ₂，ｒ₃，ｒ₄の値を定めることが望ましい。

ところで、静磁場磁石１やボアチューブ１１の製造誤差などに起因して、静磁場磁石１の側端とボアチューブ１１の側端との位置関係の誤差をなくすことは困難である。従来は、このように位置関係が変化する静磁場磁石１の側端とボアチューブ１１の側端とに密閉カバーをそれぞれ固定するために、そのような位置関係の誤差を密閉カバーの変形にて吸収しなければならなかった。しかしながら第１の実施形態によれば、ボアチューブ１１が密閉カバー１２からの軸方向の荷重を受ける必要がないことから、密閉カバー１２をボアチューブ１１の外側面において当接させるとともに、Ｏリング１５により気密を確保する上記の構造により密閉空間３０を真空に保つことが可能である。そしてこのような構造により、静磁場磁石１の側端とボアチューブ１１の側端との位置関係が変化しても、密閉カバー１２のボアチューブ１１への当接位置がずれるだけで、依然として気密を確保することが可能であるから、密閉カバー１２を変形させなくても良い。

一方、傾斜磁場コイルの支持構造としては、傾斜磁場コイルを静磁場磁石で支持する静磁場磁石支持構造および傾斜磁場コイルを床で支持する床支持構造が知られている。従来より知られている静磁場磁石支持構造では、傾斜磁場コイルからボアチューブへと、静磁場磁石および密閉カバーを介した固体振動伝播が生じてしまっていた。また、従来より知られている床支持構造では、傾斜磁場コイルからボアチューブへの固体振動伝播は低減することができるものの、傾斜磁場コイルの漏れ磁場により静磁場磁石に発生した渦電流に起因する振動は、そのまま密閉カバーを経由してボアチューブに伝わってしまっていた。しかしながら第１の実施形態においては静磁場磁石支持構造を採用しているが、ボアチューブ１１と密閉カバー１２とは剛結合にはならないので、静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２から密閉カバー１２を介してのボアチューブ１１への振動伝播を低減することができる。なお、本実施形態においては、ボアチューブ１１と密閉カバー１２との間に防振部材１７，１９を配置しているので、密閉カバー１２を介したボアチューブ１１への振動伝播をさらに確実に低減することができる。なお、第１の実施形態は、床支持構造を採用して実現することも可能であり、この場合にも静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２から密閉カバー１２を介してのボアチューブ１１への振動伝播を低減することができる。

また、従来のようにボアチューブの側端に密閉カバーを固定するためには、ボアチューブは少なくともその側端において、ネジなどの固定具を受けるのに十分な厚みを有する必要がある。しかしながら第１の実施形態では、密閉カバー１２をボアチューブ１１に固定しないから、ボアチューブ１１を従来より薄くすることができる。このため、ボアチューブの外径を一定とするならば、第１の実施形態ではボアチューブの開口の内径を従来よりも大きくすることができ、被検者に与える圧迫感を軽減できる。

（第２の実施形態）
図４は静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の第２の実施形態における構造を示す断面図である。なお図４は、静磁場中心を通る鉛直面での断面を示している。また、図４において図１および図２と同一部分には同一の符号を付して示している。また静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２は、外側の枠体のみを示している。さらに、各部の断面は、静磁場中心の上方に位置するもののみを示している。

傾斜磁場コイル２の内側には、図１では図示を省略していたボアチューブ４１が配置されている。ボアチューブ４１は、中空の円筒状をなし、内部の空間に載置された被検体２００が傾斜磁場コイル２に直接接触することを防止する。

また静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍には、図１では図示を省略していた要素として、一対の密閉カバー１２、一対の固定具１３，１４、Ｏリング１５、Ｏリング押さえ１６、防振部材１７および密封防振部材４２が配置されている。なお図４では図示を省略しているが、図２と同様な支持部材１８、防振部材１９および支持部材２０が一対ずつ配置されている。

密封防振部材４２は、リング状を成していて、ボアチューブ４１の一端にてその外周に巻き付けられている。密封防振部材４２の断面形状は、図４に示すように密閉カバー１とボアチューブ４１との間隙、すなわち他端側にてＯリング１５、Ｏリング押さえ１６および防振部材１７が配置される空間にフィットする形状となっている。密封防振部材４２は、密閉カバー１とボアチューブ４１との間の間隙を密封して、密閉空間３０の密閉度を高めるとともに、密閉カバー１２からボアチューブ１１への振動伝達を軽減する。

さてボアチューブ４１には、密封防振部材４２が取り付けられている側の端部にフランジ４１ａが形成されている。フランジ４１ａは、密封防振部材４２を密閉カバー１とボアチューブ４１との間隙に押し込めた状態に保持する。

このような第２の実施形態の構造によれば、ボアチューブ４１の一端におけるＯリング１５および防振部材１７のそれぞれの機能は、ボアチューブ４１の他端においては密封防振部材４２により達成される。そして密封防振部材４２を押さえる機能は、フランジ４１ａにより達成される。従って、第１の実施形態の構造に比べて、部品点数を減らして、部品コストの低減および装置組み立て作業の簡略化を図ることが可能である。

なお、ＭＲＩ装置の組み立て作業には、傾斜磁場コイル２の内側に形成された空洞にボアチューブを挿入する作業が含まれる。第２の実施形態のボアチューブ４１は、フランジ４１ａが一端のみに形成されているから、フランジ４１ａが上記の挿入作業に支障を来すことがない。

ところで、ＭＲＩ装置１００のうちの静磁場磁石１や傾斜磁場コイル２を含んだガントリが設置される検査室は、当該ガントリが設置できるだけの最小限の大きさである場合も多い。このようなケースでは、ガントリの寝台４が位置するのとは反対側が検査室の壁に近接することになる。従って、このような設置状態では、ガントリの寝台４が位置するのとは反対側では、上記の挿入作業を行うスペースを確保することが困難である。そこで、図４における左側が、寝台４が位置する側であることが望ましい。

（第３の実施形態）
図５は静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の第３の実施形態における構造を示す断面図である。なお図５は、静磁場中心を通る鉛直面での断面を示している。また、図５において図１および図２と同一部分には同一の符号を付して示している。

静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍には、図１では図示を省略していた要素として、ボアチューブ１１、固定具１３，１４、Ｏリング１５、Ｏリング押さえ１６、防振部材１７、支持部材１８、防振部材１９、支持部材２０および密閉カバー５１が配置されている。すなわち第３の実施形態においては、第１の実施形態における密閉カバー１２に代えて密閉カバー５１が配置されている。

密閉カバー５１は、一端には密閉カバー１２と同様にテーパ１２ｂが形成されているが、その他端は単純な平板状となっていて、凸部１２ａも形成されていない。そして密閉カバー５１は、平板状の部分が静磁場磁石１の側端面の大部分と接する状態で静磁場磁石１に固定されている。

このような第３の実施形態の構造によれば、静磁場磁石１の側端とボアチューブ１１の側端との位置関係が変化しても、密閉カバー５１のボアチューブ１１への当接位置がずれるだけで、依然として気密を確保することが可能であるから、密閉カバー１２を変形させなくても良い。

また、密閉カバー５１は密閉カバー１２に比べて単純な形状であるため、その製造が容易である。

ただし、密閉カバー５１のうちの静磁場磁石１の側端面に接している部分に対して、静磁場磁石１の側端面に接していない部分の方が大きな大気圧を受ける。つまり、大気圧を受ける部分が、密閉カバー５１の内周側の部分に偏る。この結果、密閉カバー５１の内周側の部分が密閉空間３０側に強く押されることになり、これに応じて密閉カバー５１の外周側の部分を静磁場磁石１から引き離そうとする力が大きくなる。そこで、このような力に耐えられるように、固定軸１ａおよび固定具１４を第１の実施形態に比べて強固にする必要がある。

この実施形態は、次のような種々の変形実施が可能である。

密閉カバー１２，５１をボアチューブ１１の外周面に直接当接させても良い。

密閉カバー１２，５１をボアチューブ１１の側端に当接させても良い。

Ｏリング１５に代えて、別種のパッキンを用いても良い。

Ｏリング１５および防振部材１７に代えて、パッキン機能および防振機能を兼ね備えた部材、あるいはＯリング１５および防振部材１７を一体形成した例えば図６に示すような密閉防振部材６１のような部材を設けることもできる。

密閉カバー１２，５１のボアチューブ１１に近接する側の端部は、気圧によって押されて傾斜磁場コイル２側に曲げられてしまう恐れがある。そこで、ボアチューブ１１，４１に例えば図７に示すようにストッパ６２を取り付けて、上記のような密閉カバー１２，５１の変形を防止しても良い。

また、防振部材１７の機能とストッパ６２との機能とを兼ね備えた、例えば図８に示すような防振ストッパ６３をボアチューブ１１，４１に取り付けても良い。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の構成を示す図。 図１中の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の第１の実施形態における構造を示す断面図。 図２中のＡ−Ａ線の位置における断面図。 図１中の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の第２の実施形態における構造を示す断面図。 図１中の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の第３の実施形態における構造を示す断面図。 図１中の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の変形例における構造を示す断面図。 図１中の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の変形例における構造を示す断面図。 図１中の静磁場磁石１および傾斜磁場コイル２の側端近傍の変形例における構造を示す断面図。

符号の説明

１００…磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）、１…静磁場磁石、１ａ…固定軸、２…傾斜磁場コイル、３…傾斜磁場電源、４…寝台、５…寝台制御部、６…送信ＲＦコイル、７…送信部、８…受信ＲＦコイル、９…受信部、１０…計算機システム、１１，４１…ボアチューブ、１２，５１…密閉カバー、１２ａ…凸部、１２ｂ…テーパ、１２ｃ…凸部、１３，１４…固定具、１５…Ｏリング、１７，１９…防振部材、１８，２０…支持部材、４２，６１…密封防振部材、６２…ストッパ、防振ストッパ。

Claims (10)

1. 被検体を配置するための撮像空間を内部に形成するボアチューブと、
   前記ボアチューブの外部に配置され、前記撮像空間に静磁場を発生する静磁場発生部と、
   前記ボアチューブと前記静磁場発生部との間に配置され、前記静磁場に重畳するための傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生部と、
   前記静磁場発生部の両側端にそれぞれ取り付けられて前記ボアチューブおよび前記静磁場発生部とともに前記傾斜磁場発生部の周囲に真空空間を形成する少なくとも１つの密閉カバーとを具備し、
   前記密閉カバーを、一部を前記静磁場発生部に固定するとともに、その固定箇所とは異なる箇所にて気圧により前記静磁場発生部に押しつけられる構造としたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. 一対の前記密閉カバーが前記静磁場発生部の両側端にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
3. 被検体を配置するための撮像空間を内部に形成する筒状のボアチューブと、
   前記ボアチューブの外部に配置され、前記撮像空間に静磁場を発生する筒状の静磁場発生部と、
   前記ボアチューブと前記静磁場発生部との間に配置され、前記静磁場に重畳するための傾斜磁場を発生する筒状の傾斜磁場発生部と、
   前記静磁場発生部の端面から離間した位置にて前記静磁場発生部と前記ボアチューブとの間の開口を覆うカバー部と、前記静磁場発生部に固定される固定部、ならびに前記固定部から離間して位置し気圧により前記静磁場発生部の端面に押しつけられる当接部を有し、前記静磁場発生部の両側端の少なくとも一方に取り付けられて前記ボアチューブおよび前記静磁場発生部とともに前記傾斜磁場発生部の周囲に密閉空間を形成する少なくとも１つの密閉カバーとを具備したことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
4. 前記ボアチューブの両側端の少なくとも一方の近傍にて前記ボアチューブの外側面に接するように配置され、前記ボアチューブと前記密閉カバーとの隙間を密封する少なくとも１つの密封部品をさらに備えたことを特徴とする請求項１または請求項３に記載の磁気共鳴イメージング装置。
5. 被検体を配置するための撮像空間を内部に形成するボアチューブと、
   前記ボアチューブの外部に配置され、前記撮像空間に静磁場を発生する静磁場発生部と、
   前記ボアチューブと前記静磁場発生部との間に配置され、前記静磁場に重畳するための傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生部と、
   前記静磁場発生部の両側端の少なくとも一方に固定されて前記ボアチューブおよび前記静磁場発生部とともに前記傾斜磁場発生部の周囲に密閉空間を形成するものであって、その固定箇所とは異なる箇所にて気圧により前記静磁場発生部に押しつけられる構造を有する密閉カバーと、
   前記ボアチューブの両側端の少なくとも一方の近傍にて前記ボアチューブの外側面に接するように配置され、前記ボアチューブと前記密閉カバーとの隙間を密封する少なくとも１つの密封部品とを具備したことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
6. 前記密封部品はさらに、前記ボアチューブと前記密閉カバーとの間での振動伝達を低減することを特徴とする請求項１、請求項３および請求項５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
7. ２つの前記密封部品が前記ボアチューブの両側端の近傍のそれぞれに設けられ、かつこれら２つの密封部品の一方は前記ボアチューブと前記密閉カバーとの間での振動伝達を低減することを特徴とする請求項１、請求項３および請求項５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
8. 前記ボアチューブと前記一対の密閉カバーの少なくとも一方との間での振動伝達を低減する少なくとも１つの防振部材をさらに備えることを特徴とする請求項１、請求項３および請求項５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
9. 前記密閉カバーが前記傾斜磁場発生部側に動く際に前記密閉カバーが当接するように前記ボアチューブに固定された当接部材をさらに備えることを特徴とする請求項１、請求項３および請求項５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
10. 前記一対の密閉カバーの少なくとも一方はその一部が前記ボアチューブの下方に位置し、前記ボアチューブを支持することを特徴とする請求項１、請求項３および請求項５のいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。

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