JP5413642B2 - 電力供給制御回路 - Google Patents

Description

本発明は、電力供給制御回路に関し、特に、負荷の非通電状態、または、待機状態における省電力化に関する。

従来、電源と負荷とを接続する通電経路内に、例えばパワーＭＯＳＦＥＴなどの大電力用半導体スイッチ素子を設け、この半導体スイッチ素子をオン・オフさせることにより負荷への電流供給を制御するようにした電力供給制御回路が提供されている。このような電力供給制御回路では、過電流が流れると上記半導体スイッチ素子の制御端子の電位を制御回路によって制御して当該半導体スイッチ素子をオフにして通電を遮断するものが知られている。すなわち、この場合、半導体スイッチ素子が通電路（電線）を保護する半導体ヒューズとしても使用されている。

特開２００１−２１７６９６公報

ところで、電源供給が必要な負荷の上流に半導体ヒューズとして半導体スイッチ素子を使用する場合において、負荷によっては、その非通電状態、または、待機状態においても、電源から負荷への電圧印加、あるいは電力供給が要求される場合ある。例えば、負荷が車に搭載されるＥＣＵ（エンジンコントロールユニット）である場合、ＥＣＵを待機状態に維持するために、半導体スイッチ素子への駆動電流およびその制御回路への電力供給が必要となる。その場合、負荷の非通電状態、あるいは待機状態においても電力供給制御回路において所定の電力が消費されている。そのため、負荷の非通電状態、または、待機状態における電力供給制御回路の省電力化が所望されている。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、負荷の非通電状態、または、待機状態において好適に省電力化を行える電力供給制御回路を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための手段として、第１の発明に係る電力供給制御回路は、電源から負荷へ電力を供給する通電路に接続され、前記電力の通電をオン・オフする半導体スイッチと、前記半導体スイッチのオン・オフを制御するとともに、前記半導体スイッチおよび前記通電路の保護を行う制御回路とを有する電力供給制御回路において、前記半導体スイッチに並列配置されるバイパス回路であって、前記制御回路の非起動状態において、前記負荷が非通電状態、または、待機状態の場合に、前記電源を前記負荷に接続するバイパス回路を備え、前記バイパス回路は、前記負荷が動作状態とされることに応じて前記制御回路を起動させる起動信号を生成する通電判定回路であって、前記起動信号を前記制御回路に供給することによって、前記半導体スイッチをオンさせ、前記通電路を介して前記負荷に電力を供給させる、通電判定回路を有する、ことを特徴とする。

本構成によれば、負荷が非通電状態、または、待機状態の場合においては、バイパス回路を介して負荷に電力を供給することができる。そのため、負荷が非通電状態、または、待機状態における、制御回路および半導体スイッチによる消費電力を、単に制御回路の待機電力のみに大幅に低減することができる。そのため、負荷の非通電状態、または、待機状態において好適に省電力化を行える。なお、ここで、負荷の「非通電状態」とは、負荷が動作状態になく、負荷電流が流れていない状態を意味する。なお、「非通電状態」には、負荷に単に電圧が印加されている状態も含む。また、負荷の「待機状態」とは、所定の動作を行うために待機している状態を意味し、その際、負荷には待機電流等の微小の電流が流れている。

第２の発明は、第１の発明の電力供給制御回路において、前記バイパス回路は、前記電源と前記負荷との間に設けられるバイパス経路を有し、前記通電判定回路は、前記バイパス経路内において形成される経路電圧が所定範囲の値となる場合に前記起動信号を生成する。
本構成によれば、単に、バイパス経路内において形成される経路電圧によって負荷が動作状態とされることを検出することができる。

第３の発明は、第２の発明の電力供給制御回路において、前記バイパス経路は抵抗を含み、前記経路電圧は、前記抵抗によって形成される。
本構成によれば、経路電圧の形成を、単に抵抗の構成によって行える。

第４の発明は、第３の発明の電力供給制御回路において、前記バイパス経路は、前記抵抗に並列接続されたコンデンサをさらに含む。

本構成によれば、コンデンサによって経路電圧を平滑することによって、通電判定回路の誤判定を抑制することができる。

第５の発明は、第３または４の発明の電力供給制御回路において、前記抵抗は、前記負荷がショートした場合に前記通電路に流れる電流が該通電路を損傷しない電流値以下となるように、前記電流を制限可能な抵抗値を有する。
本構成によれば、負荷がショートした場合において、抵抗によって通電路の損傷が保護される。

第６の発明は、第２から第５のいずれか一つの発明の電力供給制御回路において、前記バイパス回路は、前記バイパス経路を遮断する経路遮断素子を有し、前記制御回路は、前記半導体スイッチに流れる電流に応じて、前記半導体スイッチおよび前記通電路の保護を行い、前記起動信号によって起動すると、前記半導体スイッチをオンした後、前記経路遮断素子を制御して前記バイパス経路を遮断する。

本構成によれば、負荷が動作状態とされた場合に、好適にバイパス経路を遮断することができ、バイパス回路による電力消費を削減できる。また、バイパス経路を遮断することによって、通電路に流れる電流、すなわち負荷電流を正確に読み取ることができる。

第７の発明は、第２から第６のいずれか一つの発明の電力供給制御回路において、前記バイパス回路は、前記バイパス回路を遮断する回路遮断素子と、所定の指示信号に応じて前記回路遮断素子を制御して、前記バイパス回路を遮断するバイパス禁止回路とをさらに有する。

本構成によれば、負荷が完全にオフされる場合には、バイパス回路を介して消費される電力を低減させることができ、負荷がオフ時における電力供給制御回路の消費電力がさらに低減される。

第８の発明は、第１から第７のいずれか一つの発明の電力供給制御回路において、前記制御回路は、前記負荷が非通電状態、または待機状態であることを判定すると、前記半導体スイッチをオフし、該制御回路自身を非起動状態とする非通電判定回路を有する。
本構成によれば、前記負荷が非通電状態、または待機状態において、確実に半導体スイッチをオフし、制御回路自身を非起動状態とすることができる。

第９の発明は、第８の発明の電力供給制御回路において、前記非通電判定回路は、前記負荷を非通電状態、または待機状態とする所定の指令信号によって、前記負荷の非通電状態または待機状態を判定する。
本構成によれば、負荷の非通電状態または待機状態の判定を、例えば、外部の指令信号に基づいて行うことができる。

第１０の発明は、第８の発明の電力供給制御回路において、前記制御回路は、前記負荷の通電電流を検出する電流検出回路を有し、前記非通電判定回路は、検出された前記通電電流がしきい値電流以下であることにより、前記負荷の非通電状態または待機状態を判定する。
本構成によれば、所定の指令信号等の外部からの指令によらずに、電力供給制御回路自身によって、負荷の非通電状態または待機状態を判定することができる。

第１１の発明は、第８の発明の電力供給制御回路において、前記制御回路は、前記負荷に通電される電流量から前記通電路の温度上昇を演算する温度演算回路を有し、前記非通電判定回路は、前記負荷が通電されることによる前記通電路の温度上昇が飽和する所定時間以降において、通電路の温度上昇演算値がしきい値以下であることにより、前記負荷の非通電状態または待機状態を判定する。
本構成によれば、第１０の発明と同様に、電力供給制御回路自身によって、負荷の非通電状態または待機状態を判定することができる。

本発明の電力供給制御回路によれば、負荷の非通電状態、または、待機状態において好適に省電力化を行える。

本発明の一実施形態に係る電力供給制御回路の概略的なブロック図 電力供給制御回路のより詳細なブロック図 一実施形態に係る各信号の時間推移を概略的に示すタイムチャート

＜実施形態＞
本発明の一実施形態について図１〜図３を参照しつつ説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電力供給制御回路１０の概略的なブロック図である。図２は、より詳細な電力供給制御回路１０のブロック図である。図３は、一実施形態に係る各信号の時間推移を示すタイムチャートである。

１．回路構成
電力供給制御回路１０は、図１に示されるように、電源Ｂａから負荷５０へ電力を供給する通電路５１に接続され、電力の通電をオン・オフする半導体スイッチ３０と、半導体スイッチ３０のオン・オフを制御するとともに、半導体スイッチ３０および通電路５１の保護を行う制御回路２０とを含む。電力供給制御回路１０は、さらに、半導体スイッチ３０に並列配置されるバイパス回路４０であって、制御回路２０の非起動状態において、負荷５０が非通電状態、または、待機状態の場合に、バッテリー電源Ｂａを負荷５０に接続するバイパス回路４０を備える。

バイパス回路４０は、負荷５０が動作状態とされることを検出し、負荷５０の動作状態の検出に応じて制御回路２０を起動させる起動信号Ｗｐｓを生成する通電判定回路４１を含む。通電判定回路４１は、起動信号Ｗｐｓを制御回路２０に供給することによって、半導体スイッチ３０をオンさせ、通電路５１を介して負荷５０に電源Ｂａから電力を供給させる。なお、本実施形態においては、電力供給制御回路１０は、自動車に搭載され、電源Ｂａはバッテリーであり、負荷５０としてＥＣＵが、通電路５１である電線を介して電力供給制御回路１０によって駆動制御される例を示す。

次に、図２を参照して、電力供給制御回路１０の各構成をより詳細に説明する。制御回路２０は、ＦＥＴ駆動回路２１、電流検出・電線温度演算回路２２、Ｗａｋｅ−ｕｐ回路２３、ラッチリセット回路（「非通電判定回路」の一例）２４およびトランジスタＴｒ５等を含む。

ＦＥＴ駆動回路２１は、Ｗａｋｅ−ｕｐ回路２３からの状態切替信号Ｍｃｓに応じて、半導体スイッチ３０のメインスイッチ３１およびトランジスタＴｒ５のオン・オフを制御する。

電流検出・電線温度演算回路２２は、半導体スイッチ３０のセンストランジスタ３２に接続され、負荷５０の通電電流Ｉｔを検出するとともに、検出された通電電流Ｉｔの電流量から通電路（電線）５１の温度上昇ΔＴを演算する。通電電流Ｉｔがしきい値Ｉｔｈ以下となった場合、あるいは負荷５０が通電されることによる通電路（電線）５１の温度上昇ΔＴが飽和する所定時間（図３のＫ２参照）以降において、温度上昇演算値ΔＴがしきい値ΔＴｔｈ以下となった場合に、負荷５０が非通電状態、あるいは待機状態と判定させるための判定信号Ｊｄｓを生成し、判定信号Ｊｄｓをラッチリセット回路２４に供給する。

Ｗａｋｅ−ｕｐ回路２３は、バイパス回路４０からのＷａｋｅ−ｕｐ信号（「起動信号」の一例）Ｗｐｓに応じて、制御回路２０の状態を待機状態から起動状態に切替える。Ｗａｋｅ−ｕｐ回路２３は、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓを受け取ると、状態切替信号Ｍｃｓを生成し、状態切替信号ＭｃｓをＦＥＴ駆動回路２１、電流検出・電線温度演算回路２２およびラッチリセット回路２４に供給する。

ラッチリセット回路２４は、判定信号Ｊｄｓあるいは負荷５０を非通電状態（オフ状態）あるいは待機状態とする負荷指令信号Ｌｏｓを受け取ると、負荷５０が非通電状態あるいは待機状態であると判定する。そして、ラッチリセット回路２４は、制御回路２０を起動状態から待機状態に切替えるために、ラッチリセット信号Ｒｅｓを生成し、ラッチリセット信号Ｒｅｓをバイパス回路４０のラッチ回路４２に供給する。

半導体スイッチ３０は、負荷５０に電力を供給するメインスイッチ３１と通電電流Ｉｔを検出するセンストランジスタ３２とを含む。メインスイッチ３１およびセンストランジスタ３２は、例えば、ＮチャネルＦＥＴ（電界効果トランジスタ）によって構成される。

バイパス回路４０は、通電判定回路４１、バイパス禁止回路４３、バイパス経路４５、トランジスタＴｒ１（「回路遮断素子」の一例）、トランジスタＴｒ２（経路遮断素子）、抵抗Ｒ２およびコンデンサＣ１等を含む。なお、バイパス回路４０は、トランジスタＴｒ１およびバイパス禁止回路４３を含まない構成としてもよい。

通電判定回路４１は、ラッチ回路４２、トランジスタＴｒ３および抵抗Ｒ３を含む。トランジスタＴｒ３は、例えばＰチャネルＦＥＴによって構成され、トランジスタＴｒ２がオンして、バイパス経路４５内の経路電圧（図２の位置Ｐ１参照）がオン電圧の範囲（「所定範囲の値」に相当）になるとオンする。すると、抵抗Ｒ３の一端に発生する電位によってラッチ回路４２は、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓをラッチ信号として生成し、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓを制御回路２０のＷａｋｅ−ｕｐ回路２３に供給する。

トランジスタＴｒ２は、例えばＰチャネルＦＥＴによって構成され、トランジスタＴｒ１および制御回路２０のトランジスタＴｒ５によって、オン・オフ制御される。トランジスタＴｒ２がオフされると、バイパス経路４５が遮断される。

抵抗Ｒ２は、トランジスタＴｒ２がオンされた場合に、バイパス経路４５の端部Ｐ１にトランジスタＴｒ２をオンさせる電圧（経路電圧）を形成するために設けられている。また、抵抗Ｒ２は、負荷５０がショートした場合に、通電路５１に流れる電流（通電電流）Ｉｔが通電路５１を損傷しない電流値以下となるように、電流Ｉｔを制限可能な抵抗値を有する。

コンデンサＣ１は、抵抗Ｒ２に並列に接続され、バイパス経路４５を経由する信号を平滑する。すなわち、コンデンサＣ１は、バイパス経路４５に侵入するパスルノイズによるラッチ回路４２の誤動作を防止するために設けられている。なお、コンデンサＣ１は、割愛されてもよい。

バイパス禁止回路４３は、例えばＰチャネルＦＥＴによって構成されるトランジスタＴｒ４および抵抗Ｒ４を含む。バイパス禁止回路４３は、バイパス禁止信号Ｂｈｓ（「所定の指示信号」の一例）に応じてトランジスタＴｒ１を制御して、バイパス回路４０を遮断する。例えば、自動車が輸送のために船積みされる場合、トランジスタＴｒ１をオンさせてトランジスタＴｒ２をオフさせることによってバイパス回路４０の動作を遮断する。

２．電力供給制御回路の動作
次に、図３のタイムチャートを参照して、本実施形態における電力供給制御回路１０の動作を説明する。
今、制御回路２０および負荷（ＥＣＵ）５０が待機状態であって、ＥＣＵ５０にはバイパス経路４５から電力が供給されている状態にあるとする（図３の時刻ｔ０〜ｔ１参照）。この状態において、図３の時刻ｔ１に、負荷（ＥＣＵ）５０を待機状態から通電状態（動作状態）とするために、例えば、リモコン装置から負荷指令信号ＬｏｓがＥＣＵ５に供給されたとする。

すると、ＥＣＵ５の状態変化によって、バイパス経路４５に流れるバイパス電流Ｉｂの増加に伴って、バイパス回路４０の抵抗Ｒ２による電圧降下が増加する。電圧降下が所定値以上、すなわち、通電判定回路４１のトランジスタＴｒ３のオン電圧以上に達すると、トランジスタＴｒ３がオンする。トランジスタＴｒ３がオンすると、通電判定回路４１の抵抗３の端子電圧が増加し、それによってラッチ回路４２が動作する。すなわち、ラッチ回路４２は、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓを有効化する。例えば、図３に示すように、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓをローレベルからハイレベルに変化させる。

すると、Ｗａｋｅ−ｕｐ回路２３は、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓを受け取ると、状態切替信号Ｍｃｓを生成し、状態切替信号ＭｃｓをＦＥＴ駆動回路２１、電流検出・電線温度演算回路２２およびラッチリセット回路２４に供給する。ＦＥＴ駆動回路２１は、状態切替信号Ｍｃｓに応じて、メインスイッチ３１をオンさせるとともに、その直後、例えば、ＰチャネルＦＥＴによって構成されるトランジスタＴｒ５をオンさせる。トランジスタＴｒ５がオンされると、バイパス回路４０のトランジスタＴｒ２がオフされるため、バイパス経路４５が遮断される。すなわち、ＥＣＵ５の通電経路がバイパス経路４５から主経路３５に切替られる。

次いで、図３の時刻ｔ２に、ＥＣＵ５０を通電状態から待機状態とするための負荷指令信号ＬｏｓがＥＣＵ５およびラッチリセット回路２４に供給されたとする。すると、ラッチリセット回路２４は、ラッチリセット信号Ｒｅｓをバイパス回路４０のラッチ回路４２に供給して、Ｗａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓを無効にするために、例えば、ハイレベルからローレベルに変化させる。

Ｗａｋｅ−ｕｐ回路２３は、無効とされたＷａｋｅ−ｕｐ信号Ｗｐｓを受け取ると、制御回路２０の状態を起動状態から待機状態に切替える状態切替信号Ｍｃｓを生成し、状態切替信号ＭｃｓをＦＥＴ駆動回路２１、電流検出・電線温度演算回路２２およびラッチリセット回路２４に供給する。ＦＥＴ駆動回路２１は、状態切替信号Ｍｃｓに応じて、メインスイッチ３１をオフさせるとともに、その直後、トランジスタＴｒ５をオフさせる。トランジスタＴｒ５がオフされると、バイパス回路４０のトランジスタＴｒ２がオンされるため、バイパス経路４５が導通常態にされる。すなわち、ＥＣＵ５の通電経路が主経路３５からバイパス経路４５に切替られる。

さらに、例えば、自動車が輸送のために船積みされる場合等、長時間においてＥＣＵ５が使用されない場合には、図３の時刻ｔ３に示されるように、例えば、ハイレベルのバイパス禁止信号Ｂｈｓがバイパス禁止回路４３のトランジスタＴｒ４のゲートに供給されるようにする。例えば、トランジスタＴｒ４のゲートがプルアップされる。すると、トランジスタＴｒ１がオンすることによって、トランジスタＴｒ２がオフされるため、バイパス経路４５が遮断される。このとき、主経路３５も遮断されているため、ＥＣＵ５０への通電経路は完全にオフされる。

３．本実施形態の効果、
バイパス回路４０は、制御回路２０の非起動状態、例えば、待機状態において、ＥＣＵ（負荷）５０が待機状態の場合に、バッテリーＢａとＥＣＵ５０とを、バイパス経路４５を介して接続し、バッテリーＢａの電力をＥＣＵ５０に供給する。そして、ＥＣＵ５０が動作状態とされると、半導体スイッチ３０がオンされ主経路３５を介してＥＣＵ５０に電力が供給されるとともに、バイパス経路４５が遮断される。そのため、ＥＣＵ５０が待機状態おける、制御回路２０および半導体スイッチ３０による消費電力を、単に制御回路２０の待機電力のみに大幅に低減することができる。

またバイパス禁止回路４３によってバイパス経路４５を遮断することができる。そのため、ＥＣＵ５０を完全にオフされる場合には、例えば、自動車が輸送のために船積みされる場合等において、バイパス回路４０を介して消費される電力を低減させることができる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

（１）上記実施形態では、ラッチリセット回路（非通電判定回路）２４が、ＥＣＵ（負荷）５０が待機状態であることを判定すると、半導体スイッチ３０をオフし、制御回路２０自身を非起動状態とする場合、負荷指令信号Ｌｏｓに基づいてＥＣＵ（負荷）５０が非通電状態であることを判定する例を示したが、これに限られない。

例えば、ラッチリセット回路２４は、図３に示されるように、通電電流Ｉｔがしきい値電流Ｉｔｈ以下であることによって、ＥＣＵ５０が非通電状態であることを判定するようにしてもよい。その際、通電電流Ｉｔがしきい値電流Ｉｔｈ以下である状態が所定期間Ｋ１継続したことによってＥＣＵ５０の非通電状態を判定するようにしてもよい（図３の時刻ｔ２−１参照）。

あるいは、ラッチリセット回路２４は、図３に示されるように、ＥＣＵ５０が通電されることによる通電路５１の温度上昇が飽和する所定時間（図３のＫ２参照）以降において、通電路５１の温度上昇演算値がしきい値ΔＴｔｈ以下であることにより、ＥＣＵ５０の非通電状態を判定するようにしてもよい（図３の時刻ｔ２−２参照）。

（２）上記実施形態では、ラッチリセット回路（非通電判定回路）２４は、ＥＣＵ（負荷）５０が非通電状態であることを判定すると、半導体スイッチ３０をオフし、制御回路２０自身を非起動状態とするために、ラッチリセット信号Ｒｅｓを生成し、バイパス回路４０を介して行う例を示したが、これに限られない。ラッチリセット回路２４は、バイパス回路４０を介さずに、直接、半導体スイッチ３０およびトランジスタＴｒ５をオフし、制御回路２０自身を非起動状態とするようにしてもよい。

（３）上記実施形態では、ＥＣＵ（負荷）５０の通電状態において、トランジスタＴｒ５をオンしてバイパス経路４５を遮断する例を示したが、ＥＣＵ５０の通電状態において、バイパス経路４５を遮断しないようにしてもよい。この場合であっても、ＥＣＵ５０の待機状態において、制御回路３０等の省電力化を図ることができる。

（４）上記実施形態において、通電判定回路４１の構成は、図２に示されたものに限られない。通電判定回路４１は、要は、負荷が動作状態とされることに応じて制御回路２０を起動させる起動信号を生成する構成であればよい。例えば、トランジスタＴｒ３をＮチャンネルＦＥＴによって構成されるようにしてもよい。その場合、トランジスタＴｒ３のゲートには、抵抗Ｒ２とトランジスタＴｒ２との間の電圧が印加されるようにすればよい。

（５）上記実施形態では、負荷をＥＣＵとして、ＥＣＵが待機状態において電力供給制御回路１０を省電力する例を示したが、本発明は、負荷が非通電状態において電力供給制御回路１０を省電力化する場合にも適用できる。

１０…電力供給制御回路
２０…制御回路
２２…電流検出・電線温度演算回路（電流検出回路、温度演算回路、非通電検出回路）
２４…ラッチリセット回路（非通電検出回路）
３０…半導体スイッチ
３１…メインスイッチ
４０…バイパス回路
４１…通電判定回路
４２…ラッチ回路
４３…バイパス禁止回路
４５…バイパス経路
５０…ＥＣＵ（負荷）
５１…電線（通電路）
Ｃ１…コンデンサ
Ｌｏｓ…負荷指令信号（指令信号）
Ｔｒ１…トランジスタ（回路遮断素子）
Ｔｒ２…トランジスタ（経路遮断素子）
Ｉｔ…通電電流
Ｒ２…抵抗
Ｗｐ…ウェイク・アップ信号（起動信号）

Claims (11)

1. 電源から負荷へ電力を供給する通電路に接続され、前記電力の通電をオン・オフする半導体スイッチと、前記半導体スイッチのオン・オフを制御するとともに、前記半導体スイッチおよび前記通電路の保護を行う制御回路とを有する電力供給制御回路において、
   前記半導体スイッチに並列配置されるバイパス回路であって、前記制御回路の非起動状態において、前記負荷が非通電状態、または、待機状態の場合に、前記電源を前記負荷に接続するバイパス回路を備え、
   前記バイパス回路は、
   前記負荷が動作状態とされることに応じて前記制御回路を起動させる起動信号を生成する通電判定回路であって、前記起動信号を前記制御回路に供給することによって、前記半導体スイッチをオンさせ、前記通電路を介して前記負荷に電力を供給させる、通電判定回路を有する、ことを特徴とする電力供給制御回路。
2. 前記バイパス回路は、
   前記電源と前記負荷との間に設けられるバイパス経路を有し、
   前記通電判定回路は、前記バイパス経路内において形成される経路電圧が所定範囲の値となる場合に前記起動信号を生成する、請求項１に記載の電力供給制御回路。
3. 前記バイパス経路は抵抗を含み、
   前記経路電圧は、前記抵抗によって形成される、請求項２に記載の電力供給制御回路。
4. 前記バイパス経路は、前記抵抗に並列接続されたコンデンサをさらに含む、請求項３に記載の電力供給制御回路。
5. 前記抵抗は、前記負荷がショートした場合に前記通電路に流れる電流が該通電路を損傷しない電流値以下となるように、前記電流を制限可能な抵抗値を有する、請求項３または請求項４に記載の電力供給制御回路。
6. 前記バイパス回路は、前記バイパス経路を遮断する経路遮断素子を有し、
   前記制御回路は、
   前記半導体スイッチに流れる電流に応じて、前記半導体スイッチおよび前記通電路の保護を行い、
   前記起動信号によって起動すると、前記半導体スイッチをオンした後、前記経路遮断素子を制御して前記バイパス経路を遮断する、請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の電力供給制御回路。
7. 前記バイパス回路は、
   前記バイパス回路を遮断する回路遮断素子と、
   所定の指示信号に応じて前記回路遮断素子を制御して、前記バイパス回路を遮断するバイパス禁止回路とをさらに有する、請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の電力供給制御回路。
8. 前記制御回路は、
   前記負荷が非通電状態、または待機状態であることを判定すると、前記半導体スイッチをオフし、該制御回路自身を非起動状態とする非通電判定回路を有する、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電力供給制御回路。
9. 前記非通電判定回路は、前記負荷を非通電状態、または待機状態とする負荷指令信号によって、前記負荷の非通電状態または待機状態を判定する、請求項８に記載の電力供給制御回路。
10. 前記制御回路は、前記負荷の通電電流を検出する電流検出回路を有し、
    前記非通電判定回路は、検出された前記通電電流がしきい値電流以下であることにより、前記負荷の非通電状態または待機状態を判定する、請求項８に記載の電力供給制御回路。
11. 前記制御回路は、前記負荷に通電される電流量から前記通電路の温度上昇を演算する温度演算回路を有し、
    前記非通電判定回路は、前記負荷が通電されることによる前記通電路の温度上昇が飽和する所定時間以降において、前記通電路の温度上昇演算値がしきい値以下であることにより、前記負荷の非通電状態または待機状態を判定する、請求項８に記載の電力供給制御回路。
    

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