JP5411666B2 - リソグラフィ用ペリクル - Google Patents

リソグラフィ用ペリクル Download PDF

Info

Publication number
JP5411666B2
JP5411666B2 JP2009263986A JP2009263986A JP5411666B2 JP 5411666 B2 JP5411666 B2 JP 5411666B2 JP 2009263986 A JP2009263986 A JP 2009263986A JP 2009263986 A JP2009263986 A JP 2009263986A JP 5411666 B2 JP5411666 B2 JP 5411666B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
frame
pressure adjusting
adjusting hole
atmospheric pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009263986A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011107519A (ja
Inventor
裕一 濱田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2009263986A priority Critical patent/JP5411666B2/ja
Priority to US12/944,194 priority patent/US8445165B2/en
Priority to TW099139241A priority patent/TWI485510B/zh
Priority to KR1020100114838A priority patent/KR101718166B1/ko
Publication of JP2011107519A publication Critical patent/JP2011107519A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5411666B2 publication Critical patent/JP5411666B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G03F1/64Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/66Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、LSI、超LSIなどの半導体装置又は液晶表示板を製造する際のリソグラフィ用マスクのゴミよけとして使用される、リソグラフィ用ペリクルに関する。
LSI、超LSIなどの半導体製造又は液晶表示板などの製造においては、半導体ウエハー又は液晶用原板に光を照射してパターン作製するが、この場合に用いる露光原版にゴミが付着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げてしまうために、転写したパターンが変形したり、エッジががさついたものとなるほか、下地が黒く汚れたりして、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があった。なお、本発明において、「露光原版」とは、リソグラフィ用マスク及びレチクルの総称である。
これらの作業は通常クリーンルームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光原版を常に清浄に保つことが難しいので、露光原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過させるペリクルを貼着する方法が取られている。
この場合、ゴミは露光原版の表面上には直接付着せず、ペリクル膜上に付着するため、リソグラフィ時に焦点を露光原版のパターン上に合わせておけば、ペリクル膜上のゴミは転写に無関係となる。
ペリクルの基本的な構成は、ペリクルフレーム及びこれに張設したペリクル膜からなる。ペリクル膜は、露光に用いる光(g線、i線、248nm、193nm、157nm等)をよく透過させるニトロセルロース、酢酸セルロース、フッ素系ポリマーなどからなる。ペリクルフレームは、黒色アルマイト処理等を施したA7075、A6061、A5052などのアルミニウム合金、ステンレス、ポリエチレンなどからなる。ペリクルフレームの上部にペリクル膜の良溶媒を塗布し、ペリクル膜を風乾して接着する(特許文献1参照)か、アクリル樹脂、エポキシ樹脂やフッ素樹脂などの接着剤で接着する(特許文献2〜4参照)。更に、ペリクルフレームの下部には露光原版が装着されるために、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂又はシリコーン樹脂等からなる粘着層、及び粘着層の保護を目的としたレチクル粘着剤保護用ライナーを設ける。
ペリクルは、露光原版の表面に形成されたパターン領域を囲むように設置される。ペリクルは、露光原版上にゴミが付着することを防止するために設けられるものであるから、このパターン領域とペリクル外部とはペリクル外部の塵埃がパターン面に付着しないように隔離されている。
本出願人は、気圧調整孔に設けられるフィルターを粘着剤により湿潤したフィルター付きペリクルを開示している(特許文献5参照)。
特開昭58−219023号公報 米国特許第4861402号明細書 特公昭63−27707号公報 特許第3089153号公報 特開平9−68792号公報
近年、LSIのデザインルールはサブクオーターミクロンへと微細化が進んでおり、それに伴い、異物の管理がさらに厳しくなってきている。またペリクル貼り付けによって生じる閉空間をクリーンエアーに置換して露光するような要求もあり、フレームの気圧調整孔の役割は一段と重要になってきている。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明が解決しようとする課題は、気圧調整孔から発生する、又はこれを通過する可能性のある異物を低減し得るリソグラフィ用ペリクルを提供することである。
上記の課題は、以下に記載の手段<1>及び<4>により解決された。本発明の好ましい実施態様である<2>及び<3>と共に列記する。
<1>ペリクルフレームに設けられた1以上の気圧調整孔の内周面が前記ペリクルフレーム内側に対して開いた形状を有することを特徴とするリソグラフィ用ペリクル、
<2>前記気圧調整孔の内周面に粘着剤層を有する、<1>に記載のリソグラフィ用ペリクル、
<3>前記気圧調整孔の内周面が前記ペリクルフレーム内側に連続して開いた形状である、<1>又は<2>に記載のリソグラフィ用ペリクル、
<4><1>〜<3>いずれか1つに記載のリソグラフィ用ペリクルを作成する工程、及び、ペリクルフレーム内側から粘着剤組成物をスプレー塗布する工程、を含むことを特徴とするリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
本発明によれば、ペリクルフレームに設けられた1以上の気圧調整孔の内周面がペリクルフレーム内側に向かって開く形状を有することにより、気圧調整孔の内周面に効率的且つより均一に粘着剤層を形成することが可能になり、気圧変動に伴う異物の増加を抑制することができた。
本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの全体構成を模式的に示す概略斜視図である。 本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの一実施態様におけるペリクルフレームの気圧調整孔の周辺を模式的に示す概略部分拡大図である。(a)はペリクルフレームの内側から見た気圧調整孔付近の正面図を示し、(b)は(a)のA−A断面における気圧調整孔の断面図を示し、また、(c)はペリクルフレームの外側から見た気圧調整孔周辺の正面図を示す。以下の図3〜7においても同様に、(a)、(b)及び(c)は、それぞれ、内側正面図、断面図及び外側正面図を示す。 本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの他の実施形態におけるペリクルフレームの気圧調整孔の周辺を模式的に示す概略部分拡大図である。 本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの他の実施形態におけるペリクルフレームの気圧調整孔の周辺を模式的に示す概略部分拡大図である。 本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの他の実施形態におけるペリクルフレームの気圧調整孔の周辺を模式的に示す概略部分拡大図である。 本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの他の実施形態におけるペリクルフレームの気圧調整孔の周辺を模式的に示す概略部分拡大図である。気圧調整孔の内周面の表面における接線がペリクルフレーム中心断面の垂線となす角度(開口角)θを示している。 従来のリソグラフィ用ペリクルのペリクルフレームの気圧調整孔の周辺を模式的に示す概略部分拡大図である。
本発明のリソグラフィ用ペリクルは、ペリクルフレームに設けられた1以上の気圧調整孔の内周面がペリクルフレーム内側に対して開いた形状であることを特徴とする。ペリクルフレーム厚さの90%以上が開いた形状であることが好ましく、ペリクルフレーム厚さの全長で開いた形状であることがより好ましい。ここで「開いた形状」とは、気圧調整孔の内周面の表面における接線がペリクルフレーム中心断面の垂線となす角度θが2°以上であることをいい、5°以上であることが好ましい。
以下、リソグラフィ用ペリクルを単に「ペリクル」ともいい、ペリクルフレームを単に「フレーム」ともいう。
本発明に係るリソグラフィ用ペリクルの基本的構成を図1を用いて説明する。
図1は、本発明のリソグラフィ用ペリクルの基本的構成例を模式的に示す概略図である。図1に示すように、本発明によるリソグラフィ用ペリクル10は、例えば略矩形状の枠体であるペリクルフレーム3と、ペリクルフレーム3の上端面に貼り付け用接着層(不図示)を介して張設されたペリクル膜1とを有している。
ペリクルフレーム3の下端面には、ペリクル10を露光原版(マスク基板又はレチクル)5に粘着させるための粘着層(不図示)が形成されている。粘着層の下端面には、ライナー(不図示)が剥離可能に貼着されている。このライナーは、リソグラフィ用ペリクル10を露光原版5に粘着させる際に剥離されるものである。
また、ペリクルフレーム3には、その外側面から内側面へ貫通する1以上の気圧調整孔(通気口)6が設けられている。気圧調整孔6の外側面には、好ましくは、気圧調整孔6の開口部を覆うように、異物を除去するための除塵用フィルター7が設けられている。
また、ペリクルフレーム3の内側面には、粘着剤による樹脂コーティングを施し、内側面粘着剤層(不図示)を形成することが好ましい。
これらペリクル構成部材の大きさは通常のペリクル、例えば半導体リソグラフィ用ペリクル、大型液晶表示板製造リソグラフィ工程用ペリクル等と同様であり、また、その材質も公知の材質を使用することができる。
ペリクル膜1の種類は、露光波長の光線を透過する限り特に制限はなく、例えば従来エキシマレーザー用に使用されている、非晶質フッ素ポリマー等が用いられる。非晶質フッ素ポリマーの例としては、サイトップ(旭硝子(株)製商品名)、テフロン(登録商標)AF(デュポン社製商品名)等が挙げられる。これらのポリマーは、そのペリクル膜作製時に必要に応じて溶媒に溶解して使用してもよく、例えばフッ素系溶媒などで適宜溶解することができる。
以下に本発明に係るペリクルのいくつかの実施形態を図2〜6により説明する。
本発明のペリクルは、フレームに設けられている1以上の気圧調整孔の内周面が、従来のペリクルにおけるように、円筒形状のまっすぐなものではなく(図7参照)、少なくとも気圧調整孔の一部において、フレーム内側に向かって開いている形状であることを特徴とする。
本発明のペリクルに設けられた気圧調整孔の内周面の一例は、図2に示すように、フレーム厚さの全長で、一様に連続してペリクル内側に開いた部分円錐形状でもよい。
本発明のペリクルに設けられた気圧調整孔の他の例は、図3に示すように、外側から内側に向かう途中でその開き角度が大きくなった部分変形円錐形状でもよい。
本発明のペリクルに設けられた気圧調整孔のさらに他の例は、図4に示すように、ペリクルフレーム側面に平行な断面形状が矩形である部分角錐形状であってもよい。
また、図5に示すように、気圧調整孔の形状は外側から最初はまっすぐで途中から内側に向かって開くような、円筒に部分円錐形状を接続したような、形状の切り替え部分を有してもよい。円錐部分は短い方が好ましく、フレーム厚さの10%未満であることが好ましく、円錐部分を有しないことがより好ましい。
また、図6に示すように、気圧調整孔の内周面が、フレームの外側から内側に向かって開口度θが連続的に大きくなるように開いた、ラッパ状の形状でもよい。
気圧調整孔の具体的な孔径は、フレーム外側面の最小孔径が0.5〜2.0mmφであることが好ましく、フレーム内側面の最大孔径が0.8〜3.0mmφであることが好ましい。孔径は、フィルターを貼り付けるフレーム外側面の余地を残して、かつ、フレームの必要強度を損なうことなく設定することが好ましい。
本発明のフレームに設けられた気圧調整孔は、その内周面に粘着剤層を有することが好ましい。この粘着剤層は、種々の方法で設けることができるが、粘着剤組成物をスプレー塗布することが好ましい。スプレー塗布した場合、気圧調整孔の内周面に比較的均一に粘着剤を塗布することができる。スプレー塗布の際に外側面から吸引してもよい。
また、粘着剤組成物としては、シリコーン粘着剤が好ましく、スプレー型がより好ましい。シリコーン粘着剤は、信越化学工業(株)製の市販品(KR3700、X92−183)等を使用できる。
上記の気圧調整孔は、ペリクルをマスクに貼り付けた後、ペリクル貼り付けによって生じた閉空間内をクリーンエアーにより置換する際に重要な役割を担う。また、ペリクルを貼り付けた後に、マスク基板を空輸等で運搬する際に生じる気圧変動を緩和する働きを奏する。
上記のように気圧調整孔が有効に作用した場合には、気圧調整孔を通して、ある程度の気体が通過する。その際に気圧調整孔内部にパーティクル等の異物が存在した場合には、ペリクル閉空間内部に異物を送り込んでしまう可能性がある。
従来からも上記のような不具合を防ぐため、ペリクルフレームの精密洗浄、エアーガンによるペリクルのブロー洗浄、ペリクル内周面への粘着剤コーティングなどを施している。しかしながら、ペリクルの気圧調整孔の代表的な大きさは、0.5mmφである。このため、精密洗浄では気圧調整孔の内部に気体が残り十分な超音波洗浄が行えないこと、また、内周面の粘着剤コーティングでは気圧調整孔の直径が小さくフレーム内側からスプレー塗布しても、孔内に未塗工部分が残ってしまったりする不具合がある程度の割合で発生してしまう。
本発明のペリクルのように気圧調整孔の開口をペリクル内側に大きくすることにより、フレーム内側からスプレー等で粘着性樹脂組成物を塗布する場合に、気圧調整孔の内周面にも確実に塗布され、前記のような不具合発生の頻度を低下させることができる。
具体的には、気圧調整孔の断面が円形の場合には、フレーム内側面における直径を約2.0mmとして、フレーム外側面における直径を約0.5mmとして、気圧調整孔の内側面がフレーム内側に向かって連続して一様に拡大しているフレームが例示できる(図2参照)。また、気圧調整孔の断面が三角形又は矩形の場合、例えば正方形の場合(図4参照)でも、フレームの両側面で、一辺の長さを約0.5mmから約2.0へ拡大した形状とすることができる。
気圧調整孔の断面形状が、円形の場合にも、正方形の場合にも、ペリクルフレーム内側から粘着性樹脂組成物をスプレー塗布したところ、気圧調整孔内の粘着剤の乾燥厚みは、平均18μmであり、内側面寄りの最も薄い部分でも約9μmの厚さが確保することが容易である。
従来のフレーム(気圧調整孔の直径が0.5mmφの円筒である。図7参照)に対して、上記と全く同様に粘着剤樹脂組成物をフレーム内側からスプレー塗布したところ、気圧調整孔内側面の粘着剤塗布厚みは、フレーム内側寄りの入り口付近で約5μmであったのを最高に薄くなり、フレーム厚さ約2mmの中央部付近では、1μm未満に減少する。さらにフレーム外側面の出口付近では気圧調整孔内に粘着剤樹脂はほとんど塗布されていなかった。
気圧調整孔内側面のフレーム内側に向かって開く傾斜が強くなればなるほど、フレーム内側から粘着剤樹脂組成物を塗布した場合、気圧調整孔の内周面に塗布される粘着剤樹脂厚みは、より均一になり、また厚くなる傾向がある。
気圧調整孔の内周面はフレーム内側に開く方向にある程度傾斜さえしていれば、途中で傾斜の異なる面の境界線があっても構わない。傾斜の平均角度は、少なくとも2°であることが好ましく、5°〜45°であることがより好ましく、10°〜25°であることが特に好ましい。また、気圧調整孔の断面形状は、既述の通り、円形である必要はなく、三角形でも四角形でも六角形でもよい。
以下に実施例により具体的に本発明を例示して説明する。なお、実施例及び比較例における「マスク」は「露光原版」の例として記載したものであり、レチクルに対しても同様に適用できることはいうまでもない。また、以下の実施例6は参考例6と読み替えるものとする。
(実施例1)
ペリクルフレームとして、フレーム外寸150mm×122mm×5.8mm、フレーム厚さ2mmの黒色アルマイトを施したジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状は、部分円錐状とし、フレーム内側面側において、2mmφであり、外側面側で0.5mmφであり、外側に向かうに従って一定の割合で徐々に小さくなるように傾斜していた(図2参照)。言い換えると、この気圧調整孔はその内周面が、このフレーム内側に開いた形状を有する。この形状であることは、以下の実施例2〜6でも同様である。
このフレームを精密洗浄後、フレーム内側面の全面に信越化学工業(株)製のシリコーン粘着剤(商品名:KR3700)をスプレー塗布し、内周面に粘着剤層を形成した。続いて、フレーム下端面に、信越化学工業(株)製のレチクル装着用シリコーン粘着剤(X40−3122)をロボット塗布機で線引き塗布した。さらに反対側上端面に旭硝子(株)製のペリクル膜接着用フッ素樹脂(CYTOP CTX−109A)をロボットで線引き塗布し、高周波誘導加熱装置で加熱した。最後に気圧調整孔を覆うように気圧調整孔フィルターを貼り付け、ペリクルフレームを完成させた。
こうして完成させたフレームにあらかじめ準備したペリクル膜を貼り合わせペリクルを完成させた。
完成させたペリクルを12インチシリコーンウェハに貼り合わせ後、圧力変動庫に保管し、常圧から0.5気圧への減圧及び0.5気圧から常圧への復圧の気圧変動サイクルを5回繰り返した。この際ペリクル膜保護のため常圧から0.5気圧までの減圧変動を10分かけて実施した。
上記の気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の異物検査を実施したところ、異物の増加は見られなかった。
また、上記の検査終了後、ペリクルをシリコーンウェハから剥がし、フレーム気圧調整孔部分を切断して、気圧調整孔の内周面のシリコーン粘着剤の塗布厚を測定したところ、気圧調整孔内部は最も薄い部分で約9μmの厚みであり、フレーム内側面は約18μmの厚みであった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていた。
(実施例2)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状は、部分円錐状とし、フレーム内側面側が3.0mmφであり、外側面側が2.0mmφであり、外側に向かうに従って一定の割合で徐々に小さくなるように傾斜するようにした以外は、全く実施例1と同様にして(図2参照)フレームを作製し、このフレームを用いて実施例1と同様にペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、異物の増加は見られなかった。
測定後ペリクルをシリコーンウェハから剥がし、実施例1と同様にしてシリコーン粘着剤の塗布厚を測定したところ、気圧調整孔内部は最も薄い部分で約10μmであり、フレーム内側面では約18μmの厚みであった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていた。
(実施例3)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状は、部分円錐状とし、フレーム内側面が0.8mmφであり、外側面が0.5mmφであり、外側に向かうに従って一定の割合で徐々に小さくなるように傾斜していた(図2参照)。このフレームを用いて実施例1と同様にペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、異物の増加は見られなかった。
実施例1と同様にして、フレーム内側面のシリコーン粘着剤層の塗布厚を測定したところ、気圧調整孔の内周面は最も薄い部分で約3μmであり、フレーム内側面は約18μmであった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていた。
(実施例4)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状は、図3に示したように、フレーム内側面側が3.0mmφであり、深さ1mmの部分で1.5mmφとなり、外側面側が1.0mmφとなるように、内側面から深さ1mmまで、及び、深さ1mmから外側出口まで、それぞれ一定の割合で徐々に小さくなるように傾斜していた。すなわち、深さ1mmの部分に面の境界部分が存在した。このフレームを用いた以外は、実施例1と同様にしてペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、異物の増加は見られなかった。
実施例1と同様にして気圧調整孔の内周面のシリコーン粘着剤層の塗布厚を測定したところ、塗布厚は、気圧調整孔の内部は最も薄い部分で約8μmであり、フレーム内側面は約18μmであった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていた。
(実施例5)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状はフレーム内側面側が一辺2.0mmの正方形であり、外側面側が一辺0.8mmの正方形であり、外側に向かうに従って一定の割合で徐々に小さくなるように傾斜していた(図4参照)。このフレームを用いて実施例1と同様にペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、異物の増加は見られなかった。
実施例1と同様にして気圧調整孔の内周面のシリコーン粘着剤の塗布厚を測定したところ、気圧調整孔の内部で最も薄い部分で約8μmであり、フレーム内側面は約18μmであった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていた。
(実施例6)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状はフレーム内側面側が2.0mmφで深さ1mmの部分で1.0mmφ、外側面側が1.0mmφ、内側面から深さ1mmまで一定の割合で徐々に小さくなるように傾斜していた。深さ1mmから外側面出口までは同じ径であった。すなわち、深さ1mmの部分に面の境界部分が存在した(図5参照)。このフレームを用いて実施例1と同様にしてペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、気圧調整孔周辺に1個の異物が検出された。
実施例1と同様にしてシリコーン粘着剤の塗布厚を測定したところ、フレーム内側面は約18μmであったが、気圧調整用孔内部は内側面側入り口付近で0.3μm、薄かった外側面出口付近では約0.1μmであった。気圧調整孔内部の粘着剤コーティングが深さ1mmから外側面に至る部分で不十分だったため、気圧変動サイクル試験で発塵した可能性が高い。
(比較例1)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状は2.0mmφでフレーム厚み2mmを貫通するよう加工されていた(図7参照)。このフレームを用いて実施例1と同様にペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、気圧調整孔周辺に3個異物が検出された。
実施例1と同様にして気圧調整孔の内周面のシリコーン粘着剤の塗布厚を測定したところ、フレーム内側面は約18μmであったが、気圧調整孔の内側入り口付近で0.3μmであり、外側出口付近では僅か0.02μmしかなかった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていなかったために、気圧変動サイクル試験で発塵した可能性が高い。
(比較例2)
実施例1と同じジュラルミン製フレームを用意した。フレーム短辺中央部に気圧調整孔を1個設けた。気圧調整孔の形状は、円筒形で0.5mmφでフレーム厚み2mmを貫通するよう加工されていた(図7参照)。このフレームを用いて実施例1と同様にペリクルを完成させた。
実施例1と同じ気圧変動サイクルテスト終了後、12インチシリコーンのペリクルで保護された内側部分の検査を実施したところ、気圧調整孔周辺に3個異物が検出された。
測定後ペリクルをシリコーンウェハから剥がし、フレームの気圧調整孔部分を切断して、気圧調整孔内部のシリコーン粘着剤の塗布を測定したところ、フレーム内側面は約18μmの厚みであったが、気圧調整孔の内部は、内側面側入り口付近で約0.2μmであり、外側面出口付近では僅か約0.01μmしかなかった。気圧調整孔の内周面に粘着剤層が必要な厚さで塗布されていなかったため、気圧変動サイクル試験で発塵した可能性が高い。
上記の検証実験に用いたペリクルは、そのフレームは高さがそれぞれ5.8mmと3.5mmの2種類のペリクルであったが、孔径の上限はフレーム強度から考えて、それぞれ3.0mmφ、2mmφ程度と考えられる。
これ以外のフレームサイズの場合、フレーム高さに応じて気圧調整孔の内面側孔径の上限を適宜設定することができる。同時に孔径の下限は、孔あけ加工の難易度及び安定性から考えて約0.3mmφとすることが適当である。
1:ペリクル膜
3:ペリクルフレーム
5:露光原版
6:気圧調整孔
7:除塵用フィルター
10:リソグラフィ用ペリクル
θ:開口角

Claims (4)

  1. ペリクルフレームの外側面から内側面へ貫通する1以上の気圧調整孔を有し、
    前記気圧調整孔は、その内周面の表面における接線がペリクルフレーム中心断面の垂線となす角度θが2°以上である断面形状を有し、
    前記気圧調整孔の内周面がペリクルフレーム内側に連続して開いた形状であって、ペリクルフレームの外側から内側に向かう途中で角度θが大きくなった部分変形円錐形状であるか、又は、ペリクルフレームの外側から内側に向かって角度θが連続的に大きくなるように開いたラッパ状の形状であり、
    かつ、前記気圧調整孔はその内周面に粘着剤層を有することを特徴とする
    リソグラフィ用ペリクル。
  2. 前記角度θが5°〜45°である、請求項1に記載のリソグラフィ用ペリクル。
  3. ペリクルフレームの外側面から内側面へ貫通する1以上の気圧調整孔を有し、
    前記気圧調整孔は、その内周面の表面における接線がペリクルフレーム中心断面の垂線となす角度θが2°以上である断面形状を有し、
    前記気圧調整孔の内周面がペリクルフレーム内側に連続して開いた形状であって、ペリクルフレームの外側から内側に向かう途中で角度θが大きくなった部分変形円錐形状であるか、又は、ペリクルフレームの外側から内側に向かって角度θが連続的に大きくなるように開いたラッパ状の形状であるペリクルフレームを作成する工程、及び、
    前記ペリクルフレームの内側から前記ペリクルフレームの内側面及び気圧調整孔の内周面に粘着剤組成物をスプレー塗布する工程、を含むことを特徴とする
    リソグラフィ用ペリクルの製造方法。
  4. 前記角度θが5°〜45°である、請求項に記載のリソグラフィ用ペリクルの製造方法。
JP2009263986A 2009-11-19 2009-11-19 リソグラフィ用ペリクル Active JP5411666B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263986A JP5411666B2 (ja) 2009-11-19 2009-11-19 リソグラフィ用ペリクル
US12/944,194 US8445165B2 (en) 2009-11-19 2010-11-11 Pellicle for lithography
TW099139241A TWI485510B (zh) 2009-11-19 2010-11-15 微影用防塵薄膜組件
KR1020100114838A KR101718166B1 (ko) 2009-11-19 2010-11-18 리소그래피용 펠리클

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263986A JP5411666B2 (ja) 2009-11-19 2009-11-19 リソグラフィ用ペリクル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011107519A JP2011107519A (ja) 2011-06-02
JP5411666B2 true JP5411666B2 (ja) 2014-02-12

Family

ID=44011524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009263986A Active JP5411666B2 (ja) 2009-11-19 2009-11-19 リソグラフィ用ペリクル

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8445165B2 (ja)
JP (1) JP5411666B2 (ja)
KR (1) KR101718166B1 (ja)
TW (1) TWI485510B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130067325A (ko) * 2011-10-07 2013-06-24 삼성전자주식회사 버퍼 존을 가진 펠리클 및 펠리클이 장착된 포토마스크 구조체
JP6308592B2 (ja) * 2014-04-02 2018-04-11 信越化学工業株式会社 Euv用ペリクル
US10126644B2 (en) 2016-02-09 2018-11-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle for advanced lithography

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58219023A (ja) 1982-06-15 1983-12-20 Daicel Chem Ind Ltd 樹脂薄膜の製造方法
US4861402A (en) * 1984-10-16 1989-08-29 Du Pont Tau Laboratories, Inc. Method of making a cellulose acetate butyrate pellicle
JPS61166548A (ja) * 1985-01-18 1986-07-28 Hitachi Ltd フオトマスク
JPS6327707A (ja) 1986-07-21 1988-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 双曲面鏡検査装置
JPH02250055A (ja) * 1988-12-09 1990-10-05 Seiko Epson Corp フォトマスク及び半導体装置の製造方法
JP3089153B2 (ja) 1993-12-13 2000-09-18 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用ペリクル
JPH0922111A (ja) * 1995-07-05 1997-01-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JPH0968792A (ja) 1995-08-31 1997-03-11 Shin Etsu Chem Co Ltd フィルター付ペリクル
JP2003057804A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd リソグラフィ用ペリクル
US7094505B2 (en) * 2002-10-29 2006-08-22 Toppan Photomasks, Inc. Photomask assembly and method for protecting the same from contaminants generated during a lithography process
US7110195B2 (en) * 2004-04-28 2006-09-19 International Business Machines Corporation Monolithic hard pellicle
JP2007333910A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Shin Etsu Chem Co Ltd ペリクル
JP4889510B2 (ja) * 2007-01-16 2012-03-07 信越化学工業株式会社 ペリクルフレーム内面への粘着剤の塗布方法
JP5142297B2 (ja) * 2009-06-19 2013-02-13 信越化学工業株式会社 ペリクル

Also Published As

Publication number Publication date
US20110117482A1 (en) 2011-05-19
KR101718166B1 (ko) 2017-03-20
TW201128299A (en) 2011-08-16
TWI485510B (zh) 2015-05-21
US8445165B2 (en) 2013-05-21
JP2011107519A (ja) 2011-06-02
KR20110055454A (ko) 2011-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5411596B2 (ja) ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP5047232B2 (ja) ペリクル
TWI476510B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
JP5189614B2 (ja) ペリクル及びその取り付け方法、並びにペリクル付マスク及びマスク
TWI476511B (zh) 防護膠膜框架及微影用防護膠膜
TWI409581B (zh) 防塵薄膜組件之製造方法、微影用防塵薄膜組件框架及微影用防塵薄膜組件
TWI415168B (zh) 微影用防護薄膜組件
JP2011002680A (ja) ペリクル
TWI461841B (zh) 微影用防護薄膜組件
JP2011076037A (ja) ペリクルの製造方法及びリソグラフィ用ペリクル
JP6304884B2 (ja) ペリクルの貼り付け方法
JP5411666B2 (ja) リソグラフィ用ペリクル
JP2022000709A (ja) ペリクルフレーム、ペリクル、ペリクル付露光原版及び露光方法、並びに半導体装置又は液晶表示板の製造方法
US8394557B2 (en) Lithographic pellicle
JP6632057B2 (ja) ペリクル
JP2011095556A (ja) リソグラフィ用ペリクルフレーム及びリソグラフィ用ペリクル
JP2013057861A (ja) リソグラフィ用ペリクルおよびその製造方法
JP2011107293A (ja) リソグラフィ用ペリクル
TW201435483A (zh) 微影用防塵薄膜組件
TW202328808A (zh) 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、帶有防塵薄膜組件的曝光原版及防塵薄膜組件的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130125

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130909

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20131002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131029

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131108

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5411666

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150