JP5402107B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記部品電極の前記実装基板に対向する面を前記実装基板上に垂直投影した領域の全てが、前記基板電極が実装基板上に形成された領域と重なり合わないことを特徴とする半導体装置を提供する。
前記部品電極の前記実装基板に対向する面を前記実装基板上に投影した領域の全てが、前記基板電極が前記実装基板に形成された領域と重なり合わないように、前記電気部品を前記実装基板上に位置決めし、
前記部品電極と前記基板電極とを導電性樹脂を介して接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。
12 部品電極
13 めっき膜
21 実装基板
22 基板電極
23 ソルダーレジスト
31 導電性接着剤
32 導電性接着剤供給エリア
Claims (9)
- 部品電極を有する電気部品と、基板電極を有する実装基板と、前記部品電極と前記基板電極とを接続する導電性樹脂とを有する半導体装置であって、
前記部品電極の前記実装基板に対向する面を前記実装基板上に垂直投影した領域の全てが、前記基板電極が実装基板上に形成された領域と重なり合わないことを特徴とする半導体装置。 - 前記導電性樹脂と、前記基板電極が形成されない領域内の実装基板の基材とが接合され、該接合部における前記実装基板の前記基材の表面粗さが1μm以上である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電性樹脂と接合される実装基板の基材の接合部はソルダーレジストで被覆されていない、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記実装基板の基材から露出する基板電極の表面の全てが、前記導電性樹脂で覆われている、請求項1〜3の何れか一に記載の半導体装置。
- 前記部品電極と前記基板電極との間に位置する部位における前記導電性樹脂の平均厚みが、前記部品電極の全体厚み以上である、請求項1〜4の何れか一に記載の半導体装置。
- 前記基板電極の中心が、前記部品電極の中心よりも、前記電気部品の内側に配置される、請求項1〜5の何れか一に記載の半導体装置。
- 前記基板電極の中心が、前記部品電極の中心よりも、前記電気部品の外側に配置される、請求項1〜5の何れか一に記載の半導体装置。
- 前記電気部品が、チップ型部品である、請求項1〜7の何れか一に記載の半導体装置。
- 基板電極を有する実装基板上に、部品電極を有する電気部品を実装する、半導体装置の製造方法であって、
前記部品電極の前記実装基板に対向する面を前記実装基板上に投影した領域の全てが、前記基板電極が前記実装基板に形成された領域と重なり合わないように、前記電気部品を前記実装基板上に位置決めし、
前記部品電極と前記基板電極とを導電性樹脂を介して接続することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
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