JP5401763B2 - 塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
γ(%)=((R12−R11)/R12)×100
(付記1)第1の時間において回転速度に上下の変化を有する第1の回転速度で基板を回転させつつ、前記基板上に塗布液を供給する工程と、前記塗布液の供給後に、前記基板の回転速度を前記第1の回転速度から減速する工程とを有することを特徴とする塗布液の塗布方法。
(付記2)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記1に記載の塗布液の塗布方法。
(付記3)前記第1の回転速度は、設定された速度範囲の最大速度と最小速度の繰り返しによって変化することを特徴とする付記1又は付記2に記載の塗布液の塗布方法。
(付記4)前記第1の回転速度は、前記第1の時間を等分割した時間毎に変化することを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
(付記5)前記基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記基板の回転を第2の回転速度に減速することを特徴とする付記1乃至付記4のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
(付記6)前記基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記基板の回転を停止することを特徴とする付記1乃至付記4のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
(付記7)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記1に記載の塗布液の塗布方法。
(付記8)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で不等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記1に記載の塗布液の塗布方法。
(付記9)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化することを特徴とする付記1に記載の塗布液の塗布方法。
(付記10)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が不均一に変化することを特徴とする付記1に記載の塗布液の塗布方法。
(付記11)第1の時間において回転速度に上下の変化を有する第1の回転速度で半導体基板を回転させつつ、前記半導体基板上に塗布液を供給する工程と、前記塗布液の供給後に、前記半導体基板の回転速度を前記第1の回転速度から減速する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記12)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記13)前記第1の回転速度は、設定された速度範囲の最大速度と最小速度の繰り返しによって変化することを特徴とする付記11又は付記12に記載の半導体装置の製造方法。
(付記14)前記第1の回転速度は、前記第1の時間を等分割した時間毎に変化することを特徴とする付記11乃至付記13のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記15)前記基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記基板の回転を第2の回転速度に減速することを特徴とする付記11乃至付記14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記16)前記半導体基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記半導体基板の回転を停止することを特徴とする付記11乃至付記14のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
(付記17)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記18)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で不等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記19)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
(付記20)前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が不均一に変化することを特徴とする付記11に記載の半導体装置の製造方法。
3 モータ、
5 スピンチャック、
10 基板、
11 制御部、
21 レジストノズル、
22 溶剤ノズル、
23 レジスト供給部、
24 溶剤供給部、
51 シリコン基板、
52 シリコン酸化膜/シリコン窒化膜積層膜
53 ArFレジスト(塗布液)、
55 溝、
59 ポリシリコン膜、
60 ArFレジスト(塗布液)、
59g ゲート電極、
64 導電膜、
65 KrFレジスト、
64a 配線。
Claims (6)
- 第1の時間において回転速度に上下の変化を有する第1の回転速度で基板を回転させつつ、前記基板上に塗布液を供給する工程と、
前記第1の回転速度で前記基板を回転させた後、前記塗布液供給停止後に、前記第1の回転速度より遅い0rpmの第2の回転速度で前記基板を停止させる工程と、
前記第2の回転速度で前記基板を停止させた後、前記第1の回転速度より遅く前記第2の回転速度より速い第3の回転速度で前記基板を回転させる工程と、
を有し、
前記第1の回転速度の下限が第4の回転速度であり、
前記第1の回転速度の上限が第5の回転速度であって、
前記第5の回転速度から前記第4の回転速度を差し引いた値を前記第5の
回転速度で除した値が0.l以上、0.3以下であり、
前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化する
ことを特徴とする塗布液の塗布方法。 - 前記第4の回転速度は、前記第2の回転速度及び前記第3の回転速度より速いことを特徴とする請求項1に記載の塗布液の塗布方法。
- 前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で等分に分割された時間毎に前記回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の塗布液の塗布方法。
- 第1の時間において回転速度に上下の変化を有する第1の回転速度で半導体基板を回転させつつ、前記半導体基板上にレジストを供給する工程と、
前記第1の回転速度で前記半導体基板を回転させた後、前記レジスト供給停止後に、前記第1の回転速度より遅い0rpmの第2の回転速度で前記半導体基板を停止させる工程と、
前記第2の回転速度で前記基板を停止させた後、前記第1の回転速度より遅く前記第2の回転速度より速い第3の回転速度で前記半導体基板を回転させてレジスト膜を形成する工程と、
を有し、
前記第1の回転速度の下限が第4の回転速度であり、
前記第1の回転速度の上限が第5の回転速度であって、
前記第5の回転速度から前記第4の回転速度を差し引いた値を前記第5の
回転速度で除した値が0.l以上、0.3以下であり、
前記第1の回転速度は、前記第1の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第4の回転速度は、前記第2の回転速度及び前記第3の回転速度より速いことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レジストを供給する工程の前に、前記半導体基板上に被エッチング膜を形成する工程を有し、
前記レジスト膜を形成する工程の後に、
前記レジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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