JP2008277502A - 半導体装置及び半導体装置製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板50上に配置される各種の素子を絶縁するフィールド酸化膜51と、フィールド酸化膜51上に線状の抵抗が列状に形成されてなる抵抗配線16とを備える半導体装置において、フィールド酸化膜51に底面2が平坦な凹部1と、凹部1の底面2の上方に抵抗配線16とを備えた。
【選択図】図3
Description
基板上に配置される各種の素子を絶縁するフィールド酸化膜と、
前記フィールド酸化膜上に線状の抵抗が列状に形成されてなる抵抗配線と
を備える半導体装置において、
前記フィールド酸化膜に底面が平坦な凹部と、
前記凹部の底面の上方に前記抵抗配線と
を備えることを特徴とする。
2 凹部底面
3 凹部側壁
10 フォトレジスト膜
11 抜きパターン
12 抜きパターン領域
13 第2ポリシリコン膜
14 フォトレジスト膜
15 抵抗配線パターン
16 ポリシリコン抵抗配線
50 シリコン基板
51 フィールド酸化膜
52 第1ポリシリコン膜
53 フォトレジスト膜
54 ゲート電極配線パターン
55 ゲート電極配線
Claims (6)
- 基板上に配置される各種の素子を絶縁するフィールド酸化膜と、
前記フィールド酸化膜上に線状の抵抗が列状に形成されてなる抵抗配線と
を備える半導体装置において、
前記フィールド酸化膜に底面が平坦な凹部と、
前記凹部の底面の上方に前記抵抗配線と
を備える
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記凹部の側壁は傾斜面として形成されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記抵抗配線はポリシリコンにより形成されている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。 - フィールド酸化膜に底面が平坦な凹部を形成し、
前記凹部に線状の抵抗が列状に形成されてなる抵抗配線を形成するための抵抗配線膜を成膜し、
前記抵抗配線膜上に液状のフォトレジストを滴下した上でシリコン基板を回転させて遠心力で前記液状のフォトレジストを回転中心から周方向へ延ばすことで塗布してフォトレジスト膜を成膜し、
前記フォトレジスト膜により前記抵抗配線を形成するための抵抗配線パターンを前記凹部の底面の上方に形成し、
前記抵抗配線パターンが形成された前記抵抗配線膜をエッチングして前記抵抗配線を形成する
ことを特徴とする半導体装置製造方法。 - 前記凹部の側壁は、該凹部の形成時に同時に傾斜面として形成される
ことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置製造方法。 - 前記抵抗配線はポリシリコンにより形成される
ことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の半導体装置製造方法。
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---|---|---|---|---|
JPS57211253A (en) * | 1981-06-22 | 1982-12-25 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
JPH0951072A (ja) * | 1994-08-19 | 1997-02-18 | Seiko Instr Inc | 半導体装置とその製造方法 |
WO1999056318A1 (fr) * | 1998-04-24 | 1999-11-04 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur et procede de production |
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