JP5387800B2 - 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5387800B2 JP5387800B2 JP2013513438A JP2013513438A JP5387800B2 JP 5387800 B2 JP5387800 B2 JP 5387800B2 JP 2013513438 A JP2013513438 A JP 2013513438A JP 2013513438 A JP2013513438 A JP 2013513438A JP 5387800 B2 JP5387800 B2 JP 5387800B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminate
- multilayer ceramic
- ceramic capacitor
- compound
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 9
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/486—Fine ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
- H01G13/04—Drying; Impregnating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/652—Reduction treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
- C04B2235/9692—Acid, alkali or halogen resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
この発明は、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、電子回路の温度補償用に用いられる積層セラミックコンデンサに関するものである。
電子回路の温度補償に用いられる積層セラミックコンデンサには、静電容量の温度カーブに対し、特定の傾きを有する直線性が求められる。
また、近年のエレクトロニクス技術の進展に伴い、積層セラミックコンデンサには小型化や高信頼性が要求されている。
このような温度補償用の積層セラミックコンデンサにおいては、ジルコン酸カルシウム系を主成分とする誘電体セラミックが用いられることがある。例えば、特許文献1では、(CaO)x (Zr1-y ・Tiy )O2 で表される複合酸化物と該複合酸化物100重量部に対して、Mn化合物をMnCO3 換算で1.0〜3.0重量部と、(aLi2O−bB2O3−cCaO)で表されるガラス成分を0.5〜2.0重量部を含み、xの値が0.95〜1.05、yの値が0.01〜0.10、aの値が25〜45、bの値が45〜65、cの値が5〜20で、a+b+c=100とした誘電体磁器組成物、を用いた積層セラミックコンデンサが開示されている。
しかし、特許文献1に記載の積層セラミックコンデンサにおいては、特に誘電体セラミックを薄層化した場合、耐湿性が悪くなるという問題があった。
そこで、この発明の目的は、上述したような課題を解決することができる誘電体セラミックを用いて構成される積層セラミックコンデンサ、およびその製造方法を提供することである。
すなわち本発明は、結晶粒子および結晶粒界を含む誘電体セラミック層と、内部電極層と、を有する積層体と、前記積層体の表面に形成され、前記積層体の表面に露出した内部電極層を電気的に接続する外部電極と、を備えた、積層セラミックコンデンサにおいて、前記積層体の組成が、主成分としてジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を含み、さらに、Mn、Sr、およびSiを含み、前記積層体を溶解したとき、Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする。
また、本発明は、結晶粒子および結晶粒界を含む誘電体セラミック層と、内部電極層と、を有する積層体と、前記積層体の表面に形成され、前記積層体の表面に露出した内部電極層を電気的に接続する外部電極と、を備えた、積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層の組成が、主成分としてジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を含み、さらに、Mn、Sr、およびSiを含み、前記誘電体セラミック層の組成が、Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする。
また、前記内部電極層の主成分が、Cuであることが好ましい。
さらに、本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法にも向けられる。
ジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、
Mn化合物、Sr化合物、およびSi化合物を用意する工程と、前記主成分粉末、前記Mn化合物、前記Sr化合物、前記Si化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、前記セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、前記焼成前の積層体を焼成して、積層体を得る工程と、を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする。
Mn化合物、Sr化合物、およびSi化合物を用意する工程と、前記主成分粉末、前記Mn化合物、前記Sr化合物、前記Si化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、前記セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、前記焼成前の積層体を焼成して、積層体を得る工程と、を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする。
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、耐湿性が向上する。具体的には、高温・高湿下における負荷試験において、良好な寿命特性を示す。
図1を参照して、まず、この発明に係る誘電体セラミックが適用される積層セラミックコンデンサ1の例について説明する。
積層セラミックコンデンサ1は、積層された複数の誘電体セラミック層2と誘電体セラミック層2間の界面に沿って形成される複数の内部電極3および4とをもって構成される、積層体5を備えている。内部電極3および4は、たとえばCuを主成分としている。
積層体5の外表面上の互いに異なる位置には、第1および第2の外部電極6および7が形成される。外部電極6および7は、たとえばAgまたはCuを主成分としている。図示しないが、外部電極6および7上に、必要に応じて、めっき膜が形成される。めっき膜は、たとえば、Niめっき膜およびその上に形成されるSnめっき膜から構成される。
図1に示した積層セラミックコンデンサ1では、第1および第2の外部電極6および7は、コンデンサ本体5の互いに対向する各端面上に形成される。内部電極3および4は、第1の外部電極6に電気的に接続される複数の第1の内部電極3と第2の外部電極7に電気的に接続される複数の第2の内部電極4とがあり、これら第1および第2の内部電極3および4は、積層方向に見て交互に配置されている。
なお、積層セラミックコンデンサ1は、2個の外部電極6および7を備える2端子型のものであっても、多数の外部電極を備える多端子型のものであってもよい。
このような積層セラミックコンデンサ1において、積層体5の大部分を占めるのは、結晶粒子および結晶粒界を含む誘電体セラミック層2であり、基本的に酸化物セラミックである。
積層体5の組成、好ましくは誘電体セラミック層2の組成は、主成分としてジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を含み、さらに、Mn、Sr、およびSiを含む。
すなわち、結晶粒子の大部分は、主にジルコン酸カルシウムからなる。必要に応じて、ジルコニウムの一部が、チタンより置換されていても構わない。この場合、望ましくは、Zr/(Ti+Zr)のモル比が0.5より大きいことが好ましい。
積層体5の主成分、または誘電体セラミック層2の主成分がジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物であることは、例えばXRD等の方法により確認することができる。
また、積層体5の組成、または誘電体セラミック層2の組成は、副成分として、Mn、Sr、およびSiを含む。これらの副成分の存在形態は問われない。たとえば、MnO等の酸化物として結晶粒界や三重点に存在していてもよいし、複数の元素を含む複合酸化物として二次相粒子を形成していてもよい。また、一部が結晶粒子の内部に存在していてもよい。
なお、積層体5の組成における各元素の含有比に関しては、積層体を溶解し、例えばICP(発光分光プラズマ分析法)により、定量分析することができる。本質的には、誘電体セラミック層2のみの組成を規定することが好ましい。しかし前述のように、積層体5の大部分は誘電体セラミック層2の静電容量形成部分に占められているので、積層体5の組成を規定すれば十分である。
すなわち、各元素の含有量に関しては、Zrを100モル部としたとき、Siの含有モル部は0.1以上10以下である。Siの含有量が少なすぎる場合は、焼結が不足気味となり、誘電体セラミック層に気孔が生じやすい。結果として耐湿性が低下しやすい。一方、Siの含有量が多すぎる場合は、粗大な二次相が発生しやすく、これが耐湿性を低下させやすい。
また、Mn/Srモル比は、0.3以上3.2以下である。この比が小さすぎると、焼結が不足気味となり、誘電体セラミック層に気孔が生じやすい。結果として耐湿性が低下しやすい。また、この比が大きすぎると、MnがSiを主とするガラス成分の安定度を低くし、湿気によりガラス成分が溶解し、結果として耐湿性が低下しやすい。すなわち、Mn/Srモル比は、0.3以上3.2以下の範囲にあると、Siを中心とするガラス成分が最も安定に存在するためか、耐湿性が最も向上する。
なお、内部電極層の主成分がCuであるとき、本発明の効果、すなわち耐湿性向上の効果が最も際立つ。それは、CuはNiに比べ誘電体セラミックスやガラス中に拡散しやすく、拡散した銅が触媒的な役割を果たして、ガラスの結晶化が進むためと考えている。次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について、下記に記載する。
まず、ジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を主成分とする主成分粉末を用意する。
例えば、Ca化合物とZr化合物とを混合し、合成して、ジルコン酸カルシウムを得る方法が考えられる。詳しい例としては、固相合成法、すなわち、CaCO3粉末とZrO2粉末とを混合して熱処理する方法が挙げられる。他には、水熱合成法、加水分解法、シュウ酸法などの湿式合成法も好ましい。
次に、副成分となるMn化合物、Sr化合物、およびSi化合物を用意する。これらの化合物の形態は特に限定されることはなく、酸化物粉末や炭酸化物の粉末でもよいし、ゾルや有機金属でも構わない。
次いで、前記主成分粉末、Mn化合物、Sr化合物、およびSi化合物を混合する。このとき、副成分としてさらに別の元素が入っても構わない。また、副成分の混合形態は特に限定されるものではない。例えば、複数の副成分が予め混合されていてもよいし、さらに熱処理合成されていても構わない。また、特定の副成分を、二段階以上に分けて混合してもよい。
主成分粉末に副成分が混合された際のセラミックスラリーに対し、バインダー等を混合し、シート成形に進んでも構わない。もしくは、主成分粉末に副成分を混合した後、乾燥し、セラミック原料を得て、それから再度溶媒と混合してセラミックスラリーを得ても構わない。必要に応じて、セラミック原料粉末に熱処理を施し、主成分粉末と副成分とを反応させても構わない。
次に、このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートが得られる。このセラミックグリーンシートと、内部電極層とを積み重ねることにより、焼成前の積層体が得られる。詳しくは、セラミックグリーンシートの表面に、内部電極の成分となる金属粒子と有機ビヒクルとを含む導電性ペーストを塗布形成し、これらを、内部電極の引き出し方向が互い違いになるよう、積み重ねて、圧着する方法が挙げられる。
得られた生の積層体は、バインダーを除去した後、内部電極が酸化されず誘電体が還元されない程度の酸素分圧を示す雰囲気下において、焼成される。この焼成により、結晶粒子と結晶粒界とを備える誘電体セラミック2と内部電極3、4とを含む積層体5が得られる。
この積層体5の、内部電極層が露出している箇所に外部電極を形成することにより、積層セラミックコンデンサ1が得られる。なお、外部電極の形成は、予め焼成前の積層体の表面に導電性ペーストを塗布形成しておき、積層体の焼成時に合わせて導電性ペーストを焼き付ける方法も挙げられる。
以下に、この発明に基づいて実施した実験例について説明する。
(A)セラミック粉末の作製
まず、主成分であるCaZrO3の出発原料として、高純度のCaCO3およびZrO2の各粉末を準備し、調合した。1:1のモル比で秤量した。
まず、主成分であるCaZrO3の出発原料として、高純度のCaCO3およびZrO2の各粉末を準備し、調合した。1:1のモル比で秤量した。
次に、この調合粉末をボールミルで湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して調整粉末を得た。次いで、得られた調整粉末を1200℃で仮焼し、主成分粉末を得た。
他方、副成分として、MnO、SrO、SiO2、CaO、BaO、Li2O、B2O3、Al2O3、TiO2の各粉末を準備した。
次に、これらの各粉末を、主成分粉末のZrの100モル部に対するMn、Sr、Si、Ca、Ba、Li、B、Al、Tiの含有量が表1のモル部となるように秤量し、かつ前述の主成分粉末に添加することによって、混合粉末を得た。
(B)積層セラミックコンデンサの作製
次に、この混合粉末に対し、有機溶剤および分散剤を加え、ボールミルで湿式混合し、均一に分散させた。さらに、ポリビニルブチラール系バインダー、可塑剤を加えて混合し、セラミックスラリーを得た。
次に、この混合粉末に対し、有機溶剤および分散剤を加え、ボールミルで湿式混合し、均一に分散させた。さらに、ポリビニルブチラール系バインダー、可塑剤を加えて混合し、セラミックスラリーを得た。
次いで、このセラミックスラリーをリップ方式によりシート成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。
このセラミックグリーンシートをサンプリングし、無機成分の組成分析をICPにて行ったところ、表1に示した調合組成がほぼ保たれていることが確認された。
次に、上記セラミックグリーンシート上に、Cu粉末を含む導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを、導電ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、コンデンサ本体となるべき生の積層体を得た。
次に、この積層体を、N2雰囲気中にて、240℃の温度で3時間加熱し、バインダーを燃焼させた後、酸素分圧10-9〜10-12MPaのH2−N2−H2Oガスからなる還元性雰囲気中において、900〜1000℃で2時間焼成し、焼結した積層体を得た。
この積層体を溶解し、ICP分析をしたところ、内部電極成分のCuを除いては、上記のセラミックグリーンシートの組成がほぼ保たれていることが確認された。
次に、この積層体のXRD構造解析を行ったところ、主成分がジルコン酸カルシウム系のぺロブスカイト型構造を有することが明らかとなった。
次に、上記コンデンサ本体の両端面に、ガラスフリットを含有するCuペーストを塗布し、N2雰囲気中において、850℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。さらに、外部電極の表面に、電解バレルめっきにより、Niめっき膜を形成し、さらにSnめっき膜を形成した。こうして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は長さ0.6mm、幅0.3mm、厚さ0.3mmであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは3μmであった。また、有効誘電体セラミック層の数は50層であり、1つの誘電体セラミック層あたりの対向電極面積は0.0718mm2であった。
(C)特性評価
次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、以下のような評価を行なった。
(1)Q値
1Vrms、1MHzにて、tanδを測定し、その逆数をQ値とした。
(2)静電容量温度係数
20℃における静電容量C20を基準とし、−55℃と125℃の二温度TTにおける静電容量CTの温度係数Aを、以下の式を用いて求めた。
次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、以下のような評価を行なった。
(1)Q値
1Vrms、1MHzにて、tanδを測定し、その逆数をQ値とした。
(2)静電容量温度係数
20℃における静電容量C20を基準とし、−55℃と125℃の二温度TTにおける静電容量CTの温度係数Aを、以下の式を用いて求めた。
A = (CT−C20)/C20(TT−20)×10-6 (ppm./℃)
(3)焼結体における空隙率
研磨面において、イオンミリングによりコンタミネーションを除去したのち、FE−SEMを用いて3500倍の倍率にて観察し、SEM像で明暗の二値化を行い、空隙率を求めた。
(4)酸浸漬後の空隙率
焼結体を研磨した後、温度85℃、湿度85%の環境にて、0.1Nの塩酸に16時間浸漬し、その後、(3)と同様の方法にてSEM観察を行い、空隙率を求めた。
(5)高温負荷試験における不良率
積層セラミックコンデンサ100個に対し、150℃において100Vの直流電圧を1000時間印加し、その後絶縁抵抗を測定した。各積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値が1011Ω以下を不良とし、不良の発生率を求めた。
(6)PCBT試験による耐湿性の評価
積層セラミックコンデンサ72個に対し、温度125℃、圧力1.2気圧、湿度95%において、25Vの直流電圧を500時間印加し、その後絶縁抵抗を測定した。各積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値が1011Ω以下を不良とし、不良の発生率を求めた。
(3)焼結体における空隙率
研磨面において、イオンミリングによりコンタミネーションを除去したのち、FE−SEMを用いて3500倍の倍率にて観察し、SEM像で明暗の二値化を行い、空隙率を求めた。
(4)酸浸漬後の空隙率
焼結体を研磨した後、温度85℃、湿度85%の環境にて、0.1Nの塩酸に16時間浸漬し、その後、(3)と同様の方法にてSEM観察を行い、空隙率を求めた。
(5)高温負荷試験における不良率
積層セラミックコンデンサ100個に対し、150℃において100Vの直流電圧を1000時間印加し、その後絶縁抵抗を測定した。各積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値が1011Ω以下を不良とし、不良の発生率を求めた。
(6)PCBT試験による耐湿性の評価
積層セラミックコンデンサ72個に対し、温度125℃、圧力1.2気圧、湿度95%において、25Vの直流電圧を500時間印加し、その後絶縁抵抗を測定した。各積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗値が1011Ω以下を不良とし、不良の発生率を求めた。
以上の(1)〜(6)の評価結果を表2に示す。
Siの含有量が0.1〜10モル部の範囲内にあり、かつ、Mn/Srモル比が0.3〜3.2の範囲内にある試料番号2、3、5、8、10〜21は、PCBT試験における耐湿不良がゼロとなり、良好な耐湿性が得られることがわかった。
1 積層セラミックコンデンサ
2 誘電体セラミック層
3,4 内部電極
5 積層体
6,7 外部電極
2 誘電体セラミック層
3,4 内部電極
5 積層体
6,7 外部電極
Claims (5)
- 結晶粒子および結晶粒界を含む誘電体セラミック層と、内部電極層と、を有する積層体と、
前記積層体の表面に形成され、前記積層体の表面に露出した内部電極層を電気的に接続する外部電極と、
を備えた、積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、主成分としてジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を含み、さらに、Mn、Sr、およびSiを含み、
前記積層体を溶解したとき、
Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、
MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。 - 結晶粒子および結晶粒界を含む誘電体セラミック層と、内部電極層と、を有する積層体と、
前記積層体の表面に形成され、前記積層体の表面に露出した内部電極層を電気的に接続する外部電極と、
を備えた、積層セラミックコンデンサにおいて、
前記誘電体セラミック層の組成が、主成分としてジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を含み、さらに、Mn、Sr、およびSiを含み、
前記誘電体セラミック層の組成が、
Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、
MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。 - 前記内部電極層の主成分が、Cuである、請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。
- ジルコン酸カルシウム系ぺロブスカイト型化合物を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、
Mn化合物、Sr化合物、およびSi化合物を用意する工程と、
前記主成分粉末、前記Mn化合物、前記Sr化合物、前記Si化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、
前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、
前記焼成前の積層体を焼成して、積層体を得る工程と、
を備える、積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
Zrを100モル部としたときのSiの含有モル部が0.1以上10以下であり、
MnのSrに対するモル比が、0.3以上3.2以下である、ことを特徴とする、積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記内部電極層の主成分が、Cuである、請求項5に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013513438A JP5387800B2 (ja) | 2011-09-29 | 2012-09-27 | 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011214884 | 2011-09-29 | ||
JP2011214884 | 2011-09-29 | ||
PCT/JP2012/074865 WO2013047646A1 (ja) | 2011-09-29 | 2012-09-27 | 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2013513438A JP5387800B2 (ja) | 2011-09-29 | 2012-09-27 | 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5387800B2 true JP5387800B2 (ja) | 2014-01-15 |
JPWO2013047646A1 JPWO2013047646A1 (ja) | 2015-03-26 |
Family
ID=47995674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013513438A Active JP5387800B2 (ja) | 2011-09-29 | 2012-09-27 | 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9082553B2 (ja) |
JP (1) | JP5387800B2 (ja) |
KR (1) | KR101504583B1 (ja) |
CN (1) | CN103460316B (ja) |
WO (1) | WO2013047646A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016040816A (ja) * | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ、これを含む積層セラミックコンデンサ連、および、積層セラミックコンデンサの実装体 |
JP6665438B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2020-03-13 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
CN114424306A (zh) * | 2019-09-26 | 2022-04-29 | 京瓷株式会社 | 电容器 |
JP2022136821A (ja) * | 2021-03-08 | 2022-09-21 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
CN114920555A (zh) * | 2022-05-16 | 2022-08-19 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 一种锰掺杂锆酸钙高温负温度系数热敏电阻材料的制备方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4835656A (en) * | 1987-04-04 | 1989-05-30 | Mitsubishi Mining And Cement Co., Ltd. | Multi-layered ceramic capacitor |
JP2989624B2 (ja) | 1989-12-08 | 1999-12-13 | 株式会社クラレ | 硬組織補綴用材料、それを含む硬組織補綴体および該補綴体の製造方法 |
JP3638414B2 (ja) | 1997-09-30 | 2005-04-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JP3503568B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2004-03-08 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP2002134350A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2002265261A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
JP4369650B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2009-11-25 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器、磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JP4806893B2 (ja) | 2004-01-28 | 2011-11-02 | Tdk株式会社 | ペロブスカイト構造を有する酸化物粉末の製造方法 |
JP4771842B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-09-14 | 京セラ株式会社 | 電子部品およびその製法 |
CN101505689B (zh) | 2006-08-22 | 2012-08-29 | 三菱电机株式会社 | 激光加工装置、植入材料以及植入材料制造装置 |
JP4786604B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2011-10-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JP5040971B2 (ja) * | 2009-08-12 | 2012-10-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ |
JP5146852B2 (ja) | 2010-03-05 | 2013-02-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2012
- 2012-09-27 CN CN201280018011.1A patent/CN103460316B/zh active Active
- 2012-09-27 KR KR1020137029437A patent/KR101504583B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-27 JP JP2013513438A patent/JP5387800B2/ja active Active
- 2012-09-27 WO PCT/JP2012/074865 patent/WO2013047646A1/ja active Application Filing
-
2013
- 2013-03-28 US US13/852,026 patent/US9082553B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013047646A1 (ja) | 2013-04-04 |
CN103460316A (zh) | 2013-12-18 |
KR101504583B1 (ko) | 2015-03-20 |
US9082553B2 (en) | 2015-07-14 |
CN103460316B (zh) | 2016-08-17 |
US20130208402A1 (en) | 2013-08-15 |
KR20140002030A (ko) | 2014-01-07 |
JPWO2013047646A1 (ja) | 2015-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101836194B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 | |
JP5565528B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP5811103B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
KR101380132B1 (ko) | 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 콘덴서 | |
JP6624473B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5804064B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
JP5343974B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ | |
WO2014097678A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
KR20130122781A (ko) | 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 콘덴서 | |
JP2010173900A (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP5387800B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ、および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
KR101129141B1 (ko) | 적층 세라믹 전자부품 | |
CN115403370A (zh) | 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件 | |
JP5857570B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP5037009B2 (ja) | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 | |
JP2007169088A (ja) | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 | |
JP2022181541A (ja) | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品。 | |
JP2022181544A (ja) | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品。 | |
JP2022181539A (ja) | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品。 | |
JP5624001B2 (ja) | 焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法 | |
JP5729419B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP6372569B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP2023043674A (ja) | 誘電体組成物および積層セラミック電子部品。 | |
JP4770484B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130910 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130923 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5387800 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |