JP5385116B2 - 光モジュール - Google Patents
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Description
本実施形態では、ドライバICを集積したBOXタイプの光モジュールにおいて本発明の構成を採用した場合を例に挙げて説明している。
図6は、第2の実施形態の光モジュールの構成を説明するための模式図である。本実施形態は、本発明に従ってCAN型の光モジュールにおいてドライバICを集積している。従来のCAN型の光モジュールは、低コスト化要求に応えるために開発が進められてきたため、ドライバICを集積した高機能なものよりも、低価格を維持できる構成の中である程度の機能を確保することが検討の対象となってきた。しかしながら、ドライバICを集積したような高機能の光モジュールに対しても価格低減要求が高まっている。本実施形態は、CAN型光モジュールに本発明の構成を採用することで上記要求に応える方法の一つとして提案されたものである。
10 光取り出し用の窓
20 モジュールパッケージ(パッケージ)
21 セパレータ
30 チップモジュール
31 ペルチェ素子
32 キャリア
33 サブキャリア
34 光半導体素子
35 サーミスタ
36 モニタPD(フォトダイオード)
37 レンズ
38 アイソレータ
50 ドライバIC
40、60、70、80 セラミックフィードスルー
63、64 電気配線線路
61a 載置部
61 本体部
62 接続部
Claims (6)
- 光半導体素子と、前記光半導体素子を内部に搭載して気密封止するパッケージと、
前記光半導体素子を駆動するドライバICと、前記ドライバICおよび前記光半導体素子への高周波信号を伝搬する高周波線路が形成され、前記パッケージを貫通するセラミックフィードスルーと、
を備え、
前記ドライバICは、前記パッケージの外部のセラミックフィードスルー上に搭載され、前記セラミックフィードスルーの一部分に設けられた窪みに収容されており、該窪みは、階段状の段差であり、前記ドライバICを収容したときに前記セラミックフィードスルーの上面と前記ドライバICの上面とが面一となるように形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記高周波線路は、前記セラミックフィードスルーの上面に形成されており、前記ドライバICとワイヤボンディングされていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 前記高周波線路は、前記セラミックフィードスルーの内部を貫通して形成されており、前記ドライバICとフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光モジュール。
- 光半導体素子と、該光半導体素子への高周波信号を伝搬する高周波端子が貫通したガラスフィードスルーを有し、前記光半導体素子を内部に搭載して気密封止するCAN型パッケージと、前記光半導体素子を駆動するドライバICと、前記ドライバICおよび前記高周波端子への高周波信号を伝搬する高周波線路が形成される絶縁性ブロックと、
を備え、
前記ドライバICは、前記CAN型パッケージの外部に配される絶縁性ブロック上に搭載され、前記絶縁性ブロックの一部分に設けられた窪みに収容されており、該窪みは、階段状の段差であり、前記ドライバICを収容したときに前記絶縁性ブロックの上面と前記ドライバICの上面とが面一となるように形成されていることを特徴とする光モジュール。 - 前記絶縁性ブロックの上面に前記ガラスフィードスルーを貫通した高周波端子に接続された高周波線路と、前記CAN型パッケージから突出したDC配線端子と接続されたDC線路とが形成されており、該高周波線路は前記ドライバICとワイヤボンディングされていることを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。
- 前記絶縁性ブロックの内部を貫通して前記ガラスフィードスルーを貫通した高周波端子に接続された高周波線路と、前記CAN型パッケージから突出したDC配線端子と接続されたDC線路とが形成されており、前記高周波線路は前記ドライバICとフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項4に記載の光モジュール。
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