JP5374941B2 - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
また、本発明は、係る固体撮像装置を備えた電子機器を提供するものである。
光電変換部は、フローティングディフュージョン部と対向する位置でゲート電極に隣接し、半導体基板の第1面側の表面に形成された第1p型半導体領域と、半導体基板の第2面側の表面に形成された第2p型半導体領域と、ゲート電極と対向する位置で第1p型半導体領域に隣接し、半導体基板の第1面側の表面から第2p型半導体領域まで形成された第3p型半導体領域と、第1p型半導体領域、第2p型半導体領域、及び、第3p型半導体領域に接し、半導体基板の厚さ方向に連続して形成されたn型半導体領域と、を備える。
第1p型半導体領域、第2p型半導体領域、及び、第3p型半導体領域は、p型半導体ウェル領域よりも不純物濃度が高い。
n型半導体領域は、半導体基板の厚さ方向において、不純物濃度が同じであり、n型半導体領域のゲート電極側と反対側において、n型半導体領域が第3p型半導体領域と接する。
n型半導体領域と第3p型半導体領域との第1pn接合領域が、n型半導体領域と第1p型半導体領域との第2pn接合領域よりも大きい。
図1に、本発明に適用される固体撮像装置、すなわちCMOS固体撮像装置の一例の概略構成を示す。本例の固体撮像装置1は、半導体基板、例えばシリコン基板に複数の光電変換部を含む画素2が規則的に2次元配列された画素アレイ部(いわゆる撮像領域)3と、周辺回路部とを有して構成される。画素2は、後述するように、光電変換部となるフォトダイオード(PD)と、複数の画素トランジスタ(MOSトランジスタ)とを有して構成される。
図2に、画素2の等価回路の一例を示す。本回路例に係る画素2は、光電変換部となるフォトダイオード21と、4つの画素トランジスタ(22〜25)とから成る。4つの画素トランジスタは、転送トランジスタ22、リセットトランジスタ23、増幅トランジスタ24及び選択トランジスタ25で構成される。これら画素トランジスタ22〜25は、例えばnチャネルのMOSトランジスタを用いている。
図3A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの基本構成となる第1実施の形態を示す。図3の固体撮像装置31は、裏面照射型のCMOS固体撮像装置を例にしている。図3はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。
図4に、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの基本構成となる第2実施の形態を示す。図4の固体撮像装置44は、表面照射型のCMOS固体撮像装置を例にしている。図4はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。
図5A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第3実施の形態を示す。図5Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置46は、半導体基板32に第1導電型、例えばp型半導体ウェル領域33が形成され、このp型半導体ウェル領域33に本発明のフォトダイオード212が形成されて成る。
図6A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第4実施の形態を示す。図6Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置51は、前記の図5Aの構成において、n型半導体領域48の転送ゲート電極41の近い部分に少し不純物濃度の濃いn型領域52を形成して構成される。それ以外の構成は図5Aと同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
図7A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第5実施の形態を示す。図7Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置54は、第1導電型、本例ではp型の半導体ウェル領域33にトレンチ55が形成され、このトレンチ55内に絶縁膜56が埋め込まれ、この絶縁膜56の周りに本発明のフォトダイオード214が形成されて成る。絶縁膜56は、例えばシリコン酸化膜が用いられる。
図8及び図9に、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第6実施の形態を示す。図8はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図、図9は図8のA−A線上の単位画素に対応した断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置61は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に、各画素を区画するように深いトレンチ62に絶縁膜63を埋め込んでなるトレンチ素子分離領域64が形成され、このトレンチ素子分離領域64の内側面にフォトダイオード215が形成されて成る。トレンチ62に埋め込まれる絶縁膜63としては、例えばシリコン酸化(SiO2)膜が用いられる。
図10A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第7実施の形態を示す。図10Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置68は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に深いトレンチ69を形成し、トレンチ69に臨むp型半導体ウェル領域33の面にp型半導体領域71及びn型半導体領域72が順に形成される。p型半導体領域71はトレンチ69側に、n型半導体領域72はp型半導体領域71のトレンチ69とは反対側に形成される。n型半導体領域72の基板表面側には、前述の図8と同様に、p型半導体領域49が形成される。
図11A,Bに、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第8実施の形態を示す。図11Aはフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置77は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に深いトレンチ69を形成し、トレンチ69に臨むp型半導体ウェル領域33の面に、基板の表面近傍を除いて本発明のフォトダイオード217が形成される。フォトダイオード217は、トレンチ69に接するp型半導体領域71と、p型半導体領域71のトレンチ69とは反対面に接するn型半導体領域72とにより構成される。n型半導体領域72は、その上端がp方半導体領域71の上端より突出して形成される。
図12に、本発明に係る固体撮像装置、特にその光電変換部となるフォトダイオードの第9実施の形態を示す。図12はフォトダイオード及び転送トランジスタを含む要部の断面図である。本実施の形態に係る固体撮像装置81は、半導体基板32のp型半導体ウェル領域33に、本発明のフォトダイオード218が形成されて成る。このフォトダイオード218は、n型半導体領域82とp型半導体領域83を有して構成される。
次に、本発明に係る固体撮像装置の製造方法の実施の形態について説明する。実施の形態はフォトダイオードの製造方法についてのみ示す。
図13〜図15に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第1実施の形態を示す。本実施の形態に係るフォトダイオードは、前述の図5、図6で示すフォトダイオードの製造に相当する。
図17〜図18に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第2実施の形態を示す。本実施の形態の製造方法は、深さ方向に長いn型半導体領域及びp型半導体領域を形成した後、p型半導体領域にトレンチを形成する工程を含むものである。
図19〜図21に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第3実施の形態を示す。
ボロン拡散については、気相拡散であればB2H6ガスを用い、液相拡散であれば液体ソースとしてBBr3を用いることができる。
図22〜図23に、本発明に係る固体撮像装置、特にその画素を構成するフォトダイオードの製造方法の第4実施の形態を示す。本実施の形態は、前述の図8及び図9で示すフォトダイオードの製造に適用できる。
本発明に係る固体撮像装置は、固体撮像装置を備えたカメラ、カメラ付き携帯機器、固体撮像装置を備えたその他の機器、等の電子機器に適用することができる。
図24に、本発明の電子機器の一例としてカメラに適用した実施の形態を示す。本実施の形態に係るカメラ130は、光学系(光学レンズ)131と、固体撮像装置132と、信号処理回路133とを備えてなる。固体撮像装置132は、上述した各実施の形態のいずれか1つの固体撮像装置が適用される。光学系131は、被写体からの像光(入射光)を固体撮像装置132の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置132の光電変換素子において一定期間信号電荷が蓄積される。信号処理回路133は、固体撮像装置132の出力信号に対して種々の信号処理を施して出力する。本実施の形態のカメラ130は、光学系131、固体撮像装置132、信号処理回路133がモジュール化したカメラモジュールの形態を含む。
さらに、図24の構成は、光学系131、固体撮像装置132、信号処理回路133がモジュール化した撮像機能を有するモジュール、いわゆる撮像機能モジュ−ルとして構成することができる。本発明は、このような撮像機能モジュールを備えた電子機器を構成することができる。
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に設けられたp型半導体ウェル領域と、
前記p型半導体ウェル領域に形成された光電変換部と、
前記p型半導体ウェル領域において、前記半導体基板の第1面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極に隣接し、前記半導体基板の前記第1面側の表面に形成されたフローティングディフュージョン部と、を有し、
前記光電変換部は、
前記フローティングディフュージョン部と対向する位置で前記ゲート電極に隣接し、前記半導体基板の前記第1面側の表面に形成された第1p型半導体領域と、
前記半導体基板の第2面側の表面に形成された第2p型半導体領域と、
前記ゲート電極と対向する位置で前記第1p型半導体領域に隣接し、前記半導体基板の第1面側の表面から前記第2p型半導体領域まで形成された第3p型半導体領域と、
前記第1p型半導体領域、前記第2p型半導体領域、及び、前記第3p型半導体領域に接し、前記半導体基板の厚さ方向に連続して形成されたn型半導体領域と、を備え、
前記第1p型半導体領域、前記第2p型半導体領域、及び、前記第3p型半導体領域は、前記p型半導体ウェル領域よりも不純物濃度が高く、
前記n型半導体領域は、前記半導体基板の厚さ方向において、不純物濃度が同じであり、
前記n型半導体領域の前記ゲート電極側と反対側において、前記n型半導体領域が前記第3p型半導体領域と接し、
前記n型半導体領域と前記第3p型半導体領域との第1pn接合領域が、前記n型半導体領域と前記第1p型半導体領域との第2pn接合領域よりも大きい
固体撮像装置。 - 前記n型半導体領域は、前記半導体基板の面方向よりも、前記半導体基板の厚さ方向の方が大きい請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記第3p型半導体領域は、前記半導体基板の面方向よりも、前記半導体基板の厚さ方向の方が大きい請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記第3p型半導体領域の前記n型半導体領域の反対側において、前記第3p型半導体領域の側面に接して形成された、前記半導体基板の面方向よりも、前記半導体基板の厚さ方向の方が大きい絶縁膜を備える請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記第3p型半導体領域が前記絶縁膜を取り囲むように形成された請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記半導体基板の第2面側を光の入射面とする請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられたp型半導体ウェル領域と、
前記p型半導体ウェル領域に形成された光電変換部と、
前記p型半導体ウェル領域において、前記半導体基板の第1面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極に隣接し、前記半導体基板の前記第1面側の表面に形成されたフローティングディフュージョン部と、を有し、
前記光電変換部は、
前記フローティングディフュージョン部と対向する位置で前記ゲート電極に隣接し、前記半導体基板の前記第1面側の表面に形成された第1p型半導体領域と、
前記半導体基板の第2面側の表面に形成された第2p型半導体領域と、
前記ゲート電極と対向する位置で前記第1p型半導体領域に隣接し、前記半導体基板の第1面側の表面から前記第2p型半導体領域まで形成された第3p型半導体領域と、
前記第1p型半導体領域、前記第2p型半導体領域、及び、前記第3p型半導体領域に接し、前記半導体基板の厚さ方向に連続して形成されたn型半導体領域と、を備え、
前記第1p型半導体領域、前記第2p型半導体領域、及び、前記第3p型半導体領域は、前記p型半導体ウェル領域よりも不純物濃度が高く、
前記n型半導体領域は、前記半導体基板の厚さ方向において、不純物濃度が同じであり、
前記n型半導体領域の前記ゲート電極側と反対側において、前記n型半導体領域が前記第3p型半導体領域と接し、
前記n型半導体領域と前記第3p型半導体領域との第1pn接合領域が、前記n型半導体領域と前記第1p型半導体領域との第2pn接合領域よりも大きい
電子機器。
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