JP5370055B2 - Method for producing silicon lower oxide particles and dispersion of the particles - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ケイ素低級酸化物粒子の製造方法及び該粒子の分散液に関し、さらに詳しくは、原料として安価なシリカ粉末を用い、アルゴン／水素混合ガスの熱プラズマにより、該シリカ粉末を分解して、ケイ素低級酸化物粒子を効率よく製造する方法、及びこの方法で得られたケイ素低級酸化物粒子を、ナノレベルで溶媒中に分散させてなる、ケイ素低級酸化物粒子の分散液に関するものである。 The present invention relates to a method for producing silicon lower oxide particles and a dispersion of the particles. More specifically, an inexpensive silica powder is used as a raw material, and the silica powder is decomposed by thermal plasma of an argon / hydrogen mixed gas. The present invention relates to a method for efficiently producing silicon lower oxide particles, and a dispersion of silicon lower oxide particles obtained by dispersing silicon lower oxide particles obtained by this method in a solvent at a nano level. .
従来、非化学量論的化合物である、ＳｉＯx（１．０＜ｘ≦１．６）などのケイ素低級酸化物の粉末は、例えば光学レンズの反射防止用保護膜や、食品包装用のガスバリアフィルムなどの蒸着原料としての用途が知られており、また最近では、リチウムイオン電池の負極材料、透明導電膜、シリコンナノ結晶用などとしての用途が期待されている。 Conventionally, powders of silicon lower oxides such as SiO x (1.0 <x ≦ 1.6), which are non-stoichiometric compounds, are, for example, protective films for antireflection of optical lenses and gas barriers for food packaging. Applications as deposition raw materials for films and the like are known, and recently, applications such as negative electrode materials for lithium ion batteries, transparent conductive films, and silicon nanocrystals are expected.
このケイ素低級酸化物の粒子や粉末の製造方法については、これまで種々の報告や、技術の開示がなされている。
例えば、非特許文献１には、アルゴン−水素熱プラズマによるシリカ−アルミナ混合物の還元と分離の方法が報告されている。この方法では、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3混合物を、アルゴン／水素熱プラズマにより処理した際に、ＳｉＯ2の熱分解反応又は還元反応が選択的に起こり、ケイ素及び一酸化ケイ素ガスが発生し、試料基板上にＡｌ2Ｏ3が残ることにより、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3混合物を還元し、分離することが可能であるが、一酸化ケイ素粒子を合成するものではない。
Various reports and technical disclosures have been made so far regarding methods for producing particles and powders of the silicon lower oxide.
For example, Non-Patent Document 1 reports a method for reducing and separating a silica-alumina mixture by argon-hydrogen thermal plasma. In this method, when the SiO 2 —Al 2 O 3 mixture is treated with argon / hydrogen thermal plasma, a thermal decomposition reaction or a reduction reaction of SiO 2 occurs selectively to generate silicon and silicon monoxide gas, Although Al 2 O 3 remains on the sample substrate, the SiO 2 —Al 2 O 3 mixture can be reduced and separated, but it does not synthesize silicon monoxide particles.
特許文献１には、ＳｉＯ蒸気をノズルに通して還元窒化又は還元炭化もしくは減圧にした酸素の雰囲気下に断熱膨張で噴射する工程よりなる、少なくとも表面を窒化又は炭化もしくは酸化してなる粒径１μｍ以下の超微粉のアモルファス状ＳｉＯの製造方法が開示されている。また、特許文献２には、ＳｉＯ2粉末と炭素含有物及び／又は金属ケイ素粉末との混合物を、０．１気圧以下に減圧した非酸化性雰囲気中の１３００〜２０００℃の温度域で熱処理し、ＳｉＯの蒸気を発生させ、該ＳｉＯ蒸気を前記非酸化性ガスにより、凝縮させ、かつ搬送し、ＳｉＯ粉末として回収する、ＳｉＯ微粉末の製造方法が開示されている。 In Patent Document 1, a particle diameter of 1 μm formed by nitriding, carbonizing or oxidizing at least the surface comprising a step of injecting SiO vapor through a nozzle and adiabatic expansion in an atmosphere of oxygen reduced or nitrided or reduced in pressure or reduced pressure. The following method for producing ultrafine amorphous SiO is disclosed. In Patent Document 2, a mixture of SiO 2 powder and carbon-containing material and / or metal silicon powder is heat-treated in a temperature range of 1300 to 2000 ° C. in a non-oxidizing atmosphere reduced to 0.1 atm or less. A method for producing fine SiO powder is disclosed, in which SiO vapor is generated, the SiO vapor is condensed with the non-oxidizing gas, transported, and recovered as SiO powder.
さらに、特許文献３には、シリコン金属粉末を、雰囲気ガス中に噴出しているプラズマジェット中に投入し、蒸気としたシリコン金属粉末を酸素ガスと接触させて、一酸化ケイ素蒸気を生成し、これを急冷して得られた粗生成物を蒸留する、一酸化ケイ素の製造方法が開示されており、特許文献４には、シリカと、金属シリコン及び／又は炭素とを含む混合原料を、少なくとも８×１０4Ｐａ以上の非酸化性かつ非窒化性雰囲気下で高温処理してＳｉＯ含有ガスを生成させ、それを１０００℃／秒以下の冷却速度かつ０．２ｍ／秒以上の流速で冷却し、ＳｉＯx（１．００＜ｘ≦１．４０）組成を有する微粉末を析出させる低級酸化ケイ素粉末の製造方法が開示されている。 Further, in Patent Document 3, silicon metal powder is put into a plasma jet ejected into an atmospheric gas, and the silicon metal powder made into vapor is brought into contact with oxygen gas to generate silicon monoxide vapor. Disclosed is a method for producing silicon monoxide, in which a crude product obtained by quenching this is distilled. Patent Document 4 discloses at least a mixed raw material containing silica and metallic silicon and / or carbon. A SiO-containing gas is generated by high-temperature treatment in a non-oxidizing and non-nitriding atmosphere of 8 × 10 4 Pa or more, and it is cooled at a cooling rate of 1000 ° C./second or less and a flow rate of 0.2 m / second or more. , A method for producing a lower silicon oxide powder by which fine powder having a SiO x (1.00 <x ≦ 1.40) composition is precipitated is disclosed.
前記の特許文献１及び２に開示されている技術は、ＳｉＯ2とＳｉ又はＳｉＯ2とＣを反応させて、ＳｉＯガスを発生させる工程を経るが、この反応は固−固反応であるため、効率が悪く、収率が低下する。また、ＳｉＯガスを冷却して粒子を得るため、気流による冷却装置（特許文献１では、減圧酸素雰囲気下への噴射、特許文献２では、非活性ガス流での凝縮）が必要であり、複雑な装置が必要となる。
更に、ＳｉＯ2とＣを反応させる場合、ＳｉＣが生成するため、得られるＳｉＯナノ粒子にＳｉＣが混入し、収率が悪化し、得られるＳｉＯ粒子が高価になる。また、これらの技術においては、原料として使用する金属ケイ素は高価であり、得られるＳｉＯナノ粒子も高価なことから、高価格が容認される分野への適用に限られてしまうなどの問題がある。
前記の特許文献３の技術においては、一度生成したＳｉＯ粉末を蒸留してＳｉＯの酸素量を制御する工程が必要であり、新たな装置が必要になり、得られるＳｉＯ粒子が高価になるという問題がある。
前記の特許文献４の技術は、原料として、シリカと、金属シリコン及び／又は炭素とを含む混合原料を用いる上、熱プラズマを利用する技術ではない。
本発明は、このような状況下になされたもので、非化学量論的化合物であるケイ素低級酸化物粒子を、安価な原料を用いて、効率よく、かつ工業的に有利に製造する方法、及びこの方法で得られたケイ素低級酸化物粒子の分散液を提供することを目的とする。
The techniques disclosed in Patent Documents 1 and 2 described above undergo a step of causing SiO 2 and Si or SiO 2 and C to react to generate SiO gas, but this reaction is a solid-solid reaction. Inefficient and yield decreases. In addition, in order to cool the SiO gas and obtain particles, a cooling device using an air flow (injection into a reduced-pressure oxygen atmosphere in Patent Document 1 and condensation in an inert gas stream in Patent Document 2) is necessary and complicated. Equipment is required.
Further, when SiO 2 and C are reacted, SiC is generated, so that SiC is mixed into the obtained SiO nanoparticles, the yield is deteriorated, and the obtained SiO particles are expensive. In these techniques, metal silicon used as a raw material is expensive, and the resulting SiO nanoparticles are also expensive, so that there are problems such as being limited to applications where high prices are acceptable. .
In the technique of the above-mentioned patent document 3, a process of distilling once generated SiO powder to control the oxygen amount of SiO is necessary, a new apparatus is required, and the resulting SiO particles are expensive. There is.
The technique disclosed in Patent Document 4 is not a technique using thermal plasma in addition to using a mixed raw material containing silica and metallic silicon and / or carbon as a raw material.
The present invention has been made under such circumstances, and a method for efficiently and industrially producing silicon lower oxide particles, which are non-stoichiometric compounds, using inexpensive raw materials, And it aims at providing the dispersion liquid of the silicon | silicone lower oxide particle obtained by this method.
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記の知見を得た。
原料として、安価なシリカ粉末を用い、特定の体積比を有するアルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、該シリカ粉末を分解（還元）処理して、発生したＳｉＯ含有ガスをチャンバー壁で急冷することにより、ケイ素低級酸化物粒子が得られることを見出した。
そして、上記操作は、シリカ粉末を、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、分解（還元）処理して、ＳｉＯ含有ガスを発生させるため、固−気反応となり、効率よくケイ素低級酸化物粒子を合成し得ること、また、シリカ粉末のアルゴン／水素混合ガス熱プラズマによる分解（還元）処理によって発生したＳｉＯ含有ガスを冷却（凝縮）するのに、水で冷却されているチャンバー壁を利用するために、ケイ素低級酸化物粒子を生成するための気流による冷却装置を必要としないこと、さらには、原料として市販のシリカ粉末を使用するので、高価な金属ケイ素粉末と比較して、１／１０以下の価格で入手可能である上、該シリカ粉末は高純度のＳｉＯ2粉末であるので、ＳｉＣなどが生成することもなく、しかも固−気反応であって合成効率が良いために、安価で不純物の少ないシリカ低級酸化物粒子が得られること、などのメリットを有することを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have obtained the following knowledge.
By using an inexpensive silica powder as a raw material, the silica powder is decomposed (reduced) with an argon / hydrogen mixed gas thermal plasma having a specific volume ratio, and the generated SiO-containing gas is rapidly cooled on the chamber wall. The present inventors have found that silicon lower oxide particles can be obtained.
In the above operation, the silica powder is decomposed (reduced) by argon / hydrogen mixed gas thermal plasma to generate a SiO-containing gas, so that it becomes a solid-gas reaction, and the silicon lower oxide particles are efficiently synthesized. In order to use the chamber wall cooled with water to cool (condense) the SiO-containing gas generated by the decomposition (reduction) treatment of silica powder with argon / hydrogen mixed gas thermal plasma. , It does not require a cooling device by airflow to produce silicon lower oxide particles, and furthermore, since commercially available silica powder is used as a raw material, it is 1/10 or less compared with expensive metal silicon powder. on price available, since the silica powder is a high purity SiO 2 powder, it no where like SiC is produced, yet solid - a gas reaction if For efficient, low cost by few impurities silica grade oxide particles are obtained, it found to have the benefits of such.
The present invention has been completed based on such findings.
すなわち、本発明は、
（１）熱プラズマ装置内で、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの熱プラズマを発生させ、該熱プラズマにより、シリカ粉末を分解処理して、一般式（１）
ＳｉＯx ・・・（１）
（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。）
で表されるケイ素低級酸化物粒子を得ることを特徴とする、ケイ素低級酸化物粒子の製造方法、
（２）熱プラズマによるシリカ粉末の分解処理後、熱プラズマ装置内に、表面処理剤ガスを導入し、表面処理してなるケイ素低級酸化物粒子を得る、上記（１）に記載のケイ素低級酸化物粒子の製造方法、
（３）表面処理剤ガスが、シラザン化合物ガス及び／又はシランカップリング剤ガスである、上記（２）に記載のケイ素低級酸化物粒子の製造方法、
（４）上記（１）〜（３）のいずれかに記載の製造方法で得られたケイ素低級酸化物粒子を、溶媒中に分散させてなることを特徴とする、ケイ素低級酸化物ナノ粒子の分散液、及び
（５）ケイ素低級酸化物ナノ粒子の平均粒径が、３〜１００ｎｍである、上記（４）に記載のケイ素低級酸化物粒子の分散液、
を提供するものである。
That is, the present invention
(1) In a thermal plasma apparatus, a thermal plasma of an argon / hydrogen mixed gas having a volume ratio of 15/1 to 4/1 is generated, and the silica powder is decomposed by the thermal plasma to obtain a general formula (1)
SiO x (1)
(In the formula, x is a number satisfying the relationship of 1.0 <x ≦ 1.6.)
A method for producing silicon lower oxide particles, characterized by obtaining silicon lower oxide particles represented by:
(2) The silicon lower oxidation according to (1) above, wherein after the silica powder is decomposed by thermal plasma, a surface treatment agent gas is introduced into the thermal plasma apparatus to obtain surface-treated silicon lower oxide particles. Manufacturing method of particle,
(3) The method for producing silicon lower oxide particles according to (2) above, wherein the surface treatment agent gas is a silazane compound gas and / or a silane coupling agent gas,
(4) Silicon lower oxide nanoparticles obtained by dispersing silicon lower oxide particles obtained by the production method according to any one of (1) to (3) in a solvent, A dispersion, and (5) a dispersion of silicon lower oxide particles according to (4) above, wherein the average particle size of the silicon lower oxide nanoparticles is 3 to 100 nm,
Is to provide.
本発明によれば、原料として安価なシリカ粉末を用い、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、該シリカ粉末を分解して、ケイ素低級酸化物粒子を効率よく製造する方法、及びこの方法で得られたケイ素低級酸化物粒子を、ナノレベルで溶媒中に分散させてなる、ケイ素低級酸化物粒子の分散液を提供することができる。 According to the present invention, an inexpensive silica powder is used as a raw material, and the silica powder is decomposed by an argon / hydrogen mixed gas thermal plasma to efficiently produce silicon lower oxide particles, and obtained by this method. It is possible to provide a dispersion of silicon lower oxide particles in which silicon lower oxide particles are dispersed in a solvent at a nano level.
まず、本発明のケイ素低級酸化物粒子の製造方法について説明する。
本発明のケイ素低級酸化物粒子（以下、ＳｉＯx粒子と称することがある。）の製造方法は、熱プラズマ装置内で、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの熱プラズマを発生させ、該熱プラズマにより、シリカ粉末を分解処理して、一般式（１）
ＳｉＯx ・・・（１）
（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。）
で表されるケイ素低級酸化物粒子を得ることを特徴とする。
First, the manufacturing method of the silicon | silicone lower oxide particle | grains of this invention is demonstrated.
The method for producing silicon lower oxide particles (hereinafter sometimes referred to as SiO x particles) according to the present invention comprises thermal plasma of argon / hydrogen mixed gas having a volume ratio of 15/1 to 4/1 in a thermal plasma apparatus. The silica powder is decomposed by the thermal plasma, and the general formula (1)
SiO x (1)
(In the formula, x is a number satisfying the relationship of 1.0 <x ≦ 1.6.)
Silicon lower oxide particles represented by the formula:
［シリカ粉末］
本発明のＳｉＯxの製造方法において、原料として用いるシリカ粉末の種類については特に制限はなく、各種の方法で得られたものを用いることができる。シリカ粉末としては、湿式法及び乾式法のいずれの方法で得られたものでもよく、例えば湿式法として、テトラアルコキシシランの加水分解−縮合反応のゾル−ゲル法や、水ガラスなどから製造される湿式シリカ粉末、乾式法として、石英粉末や、四塩化ケイ素などのハロゲン化シランを蒸気酸化により生成されるヒュームドシリカ粉末などの乾式シリカ粉末等を挙げることができる。これらは一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、当該シリカ粉末の結晶形態に特に制限はなく、結晶型、アモルファス型のいずれであってもよいが、得られるシリカ低級酸化物粒子（ＳｉＯx）の中に、ケイ素元素と酸素元素以外の他の元素の混入を避けるために、できるだけ高純度のものを用いることが好ましい。このようなシリカ粉末としては、安価な市販品を用いることができる。
また、当該シリカ粉末の粒径は合成できるＳｉＯx粒子の粒径に依存しないため、特に規定はしないが、微粒子のほうが還元反応が進みやすいため、平均粒径３ｎｍ〜１００μｍ程度の微粉末が望ましい。またハンドリングを容易にするために造粒してもよい。
[Silica powder]
In the method for producing SiO x of the present invention, the kind of silica powder used as a raw material is not particularly limited, and those obtained by various methods can be used. The silica powder may be obtained by either a wet method or a dry method. For example, the silica powder is produced from a sol-gel method of hydrolysis-condensation reaction of tetraalkoxysilane, water glass or the like as a wet method. Examples of the wet silica powder and dry method include quartz powder and dry silica powder such as fumed silica powder produced by steam oxidation of a halogenated silane such as silicon tetrachloride. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
Further, the crystal form of the silica powder is not particularly limited, and may be either a crystalline type or an amorphous type. In the obtained silica lower oxide particles (SiO x ), other than silicon element and oxygen element In order to avoid mixing with other elements, it is preferable to use a material having the highest possible purity. As such a silica powder, an inexpensive commercial product can be used.
Further, since the particle size of the silica powder does not depend on the particle size of the SiO x particles that can be synthesized, there is no particular limitation. However, fine particles are more likely to undergo a reduction reaction. . Moreover, you may granulate in order to make handling easy.
［熱プラズマ装置］
本発明のＳｉＯxの製造方法においては、熱プラズマ装置内で、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの熱プラズマを発生させ、該熱プラズマにより、前述したシリカ粉末を分解（還元）処理して、一般式（１）
ＳｉＯx ・・・（１）
（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。）
で表されるケイ素低級酸化物粒子を製造する。
前記熱プラズマ装置としては、図１に示すものを用いることができる。
図１は、本発明のＳｉＯx粒子の製造方法で用いる熱プラズマ装置の一例の概略図であって、熱プラズマ発生部１０は、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマジェット７を発生させるため、該熱プラズマ発生部１０内に水素ガスを導入するための水素ガス導入管１と、アルゴンガスを該熱プラズマ発生部１０内に導入するためのアルゴンガス導入管２とが備えられており、また、原料のシリカ粉末を導入するための原料導入管３が備えられている。
さらに、チャンバー１１の内壁９を冷却するために、冷却水導入管４及び冷却水排出管５が備えられており、また、チャンバー１１内を排気するための排気管６が備えられている。符号７は熱プラズマジェットを示し、符号８は熱プラズマジェット７中の原料のシリカ粒子を示す。
[Thermal plasma equipment]
In the method for producing SiO x according to the present invention, thermal plasma of an argon / hydrogen mixed gas having a volume ratio of 15/1 to 4/1 is generated in a thermal plasma apparatus, and the silica powder is decomposed by the thermal plasma. (Reduction) treatment to obtain the general formula (1)
SiO x (1)
(In the formula, x is a number satisfying the relationship of 1.0 <x ≦ 1.6.)
The silicon | silicone lower oxide particle | grain represented by these is manufactured.
As the thermal plasma apparatus, the one shown in FIG. 1 can be used.
FIG. 1 is a schematic view of an example of a thermal plasma apparatus used in the method for producing SiO x particles of the present invention. A
Furthermore, in order to cool the inner wall 9 of the chamber 11, a cooling water introduction pipe 4 and a cooling water discharge pipe 5 are provided, and an exhaust pipe 6 for exhausting the inside of the chamber 11 is provided. Reference numeral 7 denotes a thermal plasma jet, and reference numeral 8 denotes raw silica particles in the thermal plasma jet 7.
［反応操作］
図１の熱プラズマ装置の概略図を参考にしながら、本発明のＳｉＯx粒子の製造方法における操作について説明する。
まず、チャンバー１１内の圧力を、真空ポンプ（図示せず）などにより、排気管６を介して排気し、０．１３〜６６．５ｋＰａ程度、好ましくは１３．３〜４０ｋＰａに調整する。次いで、熱プラズマ発生部１０にアルゴンガス導入管２からアルゴンガスを、水素ガス導入管１から水素ガスを導入し、所定の出力の直流電力を印加して、体積比１５／１〜４／１のアルゴン／水素混合ガスの温度１００００℃程度の熱プラズマジェット７を発生させる。チャンバー１１の内壁９は、冷却水導入管４及び冷却水排出管５を介して、冷却水を導入することにより、２０００〜４０００℃程度の温度に調整されている。
次いで、原料のシリカ粉末を、通常アルゴンガスと共に、原料導入管３より導入され、熱プラズマジェット７と共に、チャンバー１１内に噴出させる。
なお、原料のシリカ粉末を導入の際に用いられるアルゴンガスは、アルゴン／水素混合ガスの体積比の算出においては、勿論アルゴンガスとして、体積比が算出される。
また、チャンバー１１の内容積に応じて、原料のシリカ粉末、アルゴンガス及び水素ガスの導入速度、並びに熱プラズマを発生させるための直流電力の印加に用いる出力は、適宜選定される。
原料のシリカ（ＳｉＯ2）粒子は、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマによりＳｉＯ2が原子レベルまで分解され、Ｓｉ、Ｏ、ＳｉＯガスが生成する。このＳｉ、Ｏ、ＳｉＯガスは、プラズマからチャンバー内壁へ移動し、急冷されてＳｉＯx粒子が生成する。このときアルゴン／水素体積比率を１５／１〜４／１でコントロールすることにより、プラズマ中のＯガス量をコントロールすることができ、ＳｉＯx（１．０＜ｘ≦１．６）粒子を得ることができる。
[Reaction operation]
The operation in the method for producing SiO x particles of the present invention will be described with reference to the schematic diagram of the thermal plasma apparatus of FIG.
First, the pressure in the chamber 11 is evacuated through the exhaust pipe 6 by a vacuum pump (not shown) or the like and adjusted to about 0.13 to 66.5 kPa, preferably 13.3 to 40 kPa. Next, argon gas is introduced into the thermal
Next, the raw silica powder is introduced from the raw material introduction pipe 3 together with the normal argon gas, and is jetted into the chamber 11 together with the thermal plasma jet 7.
It should be noted that the argon gas used when introducing the raw silica powder is, of course, calculated as the argon gas in the volume ratio of the argon / hydrogen mixed gas.
Further, according to the internal volume of the chamber 11, the introduction speed of the raw material silica powder, argon gas and hydrogen gas, and the output used for the application of DC power for generating thermal plasma are appropriately selected.
Material of silica (SiO 2) particles, SiO 2 by argon / hydrogen mixed gas thermal plasma is decomposed to the atomic level, Si, O, is SiO gas generated. The Si, O, and SiO gases move from the plasma to the inner wall of the chamber and are rapidly cooled to generate SiO x particles. At this time, by controlling the argon / hydrogen volume ratio at 15/1 to 4/1, the amount of O gas in the plasma can be controlled to obtain SiO x (1.0 <x ≦ 1.6) particles. be able to.
［ケイ素低級酸化物粒子の性状］
本発明においては、前述したような条件で、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、シリカ粉末を分解（還元）処理することにより、一般式（１）
ＳｉＯx ・・・（１）
（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。）
で表されるケイ素原子低級酸化物粒子が得られる。
前記一般式（１）で表されるＳｉＯxのｘの値は、下記の方法により算出することができる。
＜ＳｉＯxにおけるｘの算出＞
アルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、シリカ粉末を分解（還元）処理して得られた、チャンバー内壁に付着した反応生成物をかき取り、試料として、酸素窒素分析装置により、酸素量（体積％）を測定する。測定した酸素量をＡとすると、ｘは、下記の式（２）で算出することができる。
ｘ＝（Ａ／１６）／｛（１００−Ａ）／２８｝ ・・・（２）
本発明の方法においては、ｘが１．０以下のケイ素低級酸化物粒子や、ｘが１．６を超えるケイ素低級酸化物粒子は、合成が困難である。
また、原料のシリカ粉末と、該シリカ粉末を前述した方法で分解（還元）処理して得られた生成物（以下、「シリカ粉末の熱プラズマ処理物」と称することがある。）についてのＸＲＤ回折によると、原料のシリカ粉末のＸＲＤ回折パターンでは、結晶型を示すシャープなピークが見られるが、生成物のＸＲＤ回折パターンでは、結晶型のピークは存在せず、アモルファス型のパターンである。したがって、原料のＳｉＯ2は、このＸＲＤ回折パターンと前記のｘの値から、実質上、アモルファス型のケイ素低級酸化物に変換されていることが分かる。
このチャンバー内壁に付着している、ケイ素低級酸化物粒子は、凝集粒子であるので、そのままでは一次粒径は分からないが、後述で説明するように、ケイ素低級酸化物ナノ粒子の分散液を調製し、該粒子の平均粒径を測定すると、通常３〜１００ｎｍの範囲である。
[Properties of silicon lower oxide particles]
In the present invention, the silica powder is decomposed (reduced) with the argon / hydrogen mixed gas thermal plasma under the conditions as described above to obtain the general formula (1).
SiO x (1)
(In the formula, x is a number satisfying the relationship of 1.0 <x ≦ 1.6.)
The silicon atom lower oxide particles represented by the formula are obtained.
The value x of SiO x represented by the general formula (1) can be calculated by the following method.
<Calculation of x in SiO x >
The reaction product adhering to the inner wall of the chamber, obtained by decomposing (reducing) the silica powder with an argon / hydrogen mixed gas thermal plasma, is scraped off and used as a sample by an oxygen nitrogen analyzer to measure the amount of oxygen (volume%) Measure. If the measured oxygen amount is A, x can be calculated by the following equation (2).
x = (A / 16) / {(100-A) / 28} (2)
In the method of the present invention, it is difficult to synthesize silicon lower oxide particles having x of 1.0 or less and silicon lower oxide particles having x exceeding 1.6.
Further, XRD of raw material silica powder and a product obtained by decomposing (reducing) the silica powder by the above-described method (hereinafter, sometimes referred to as “thermal plasma-treated product of silica powder”). According to diffraction, in the XRD diffraction pattern of the raw silica powder, a sharp peak indicating a crystal form is seen, but in the XRD diffraction pattern of the product, there is no crystal form peak, and the pattern is an amorphous pattern. Therefore, it can be seen from this XRD diffraction pattern and the value of x that the raw material SiO 2 has been substantially converted into an amorphous silicon lower oxide.
Since the silicon lower oxide particles adhering to the inner wall of the chamber are agglomerated particles, the primary particle size is not known as it is, but as will be described later, a dispersion of silicon lower oxide nanoparticles is prepared. And when the average particle diameter of this particle | grain is measured, it is the range of 3-100 nm normally.
［ケイ素酸化物粒子の表面処理］
前述した反応操作において、プラズマ処理後のチャンバーを減圧から大気圧に戻す際に、表面処理剤のガス又は液滴をアルゴン等の不活性ガスとともにチャンバー内に導入することで、得られたＳｉＯx粒子を表面処理することができる。
（表面処理剤）
本発明の方法で得られたシリカ粉末の熱プラズマ処理物であるケイ素低級酸化物粒子は、水や、アセトンなどの低級ケトン系溶媒、メタノールなどの低級アルコール系溶媒等の極性溶媒に良好に分散して、分散液を調製することができるが、極性の低い溶媒や非極性溶媒には分散しにくい。したがって、表面処理剤としては、当該ケイ素低級酸化物粒子の表面を疎水化して、該粒子を前記の極性の低い溶媒や非極性溶媒に良好に分散させ得るような、疎水化表面処理剤が好ましい。
このような疎水化表面処理剤としては、例えばシリコーンワニス、各種変性シリコーンワニス、シリコーンオイル、各種変性シリコーンオイル、シラザン化合物、環状ジメチルシロキサン、シランカップリング剤などを挙げることができる。これらの中で、シリコーンオイル、シラザン化合物、環状ジメチルシロキサン、シランカップリング剤が好ましい。
[Surface treatment of silicon oxide particles]
In the above-described reaction operation, when the chamber after plasma treatment is returned from reduced pressure to atmospheric pressure, the surface treatment agent gas or droplets are introduced into the chamber together with an inert gas such as argon to obtain the obtained SiO x. The particles can be surface treated.
(Surface treatment agent)
Silicon lower oxide particles, which are thermal plasma-treated products of silica powder obtained by the method of the present invention, are well dispersed in polar solvents such as water, lower ketone solvents such as acetone, and lower alcohol solvents such as methanol. Thus, a dispersion can be prepared, but it is difficult to disperse in a low polarity solvent or a nonpolar solvent. Accordingly, the surface treating agent is preferably a hydrophobized surface treating agent that can hydrophobize the surface of the silicon lower oxide particles so that the particles can be well dispersed in the low-polarity solvent or nonpolar solvent. .
Examples of the hydrophobizing surface treatment agent include silicone varnish, various modified silicone varnishes, silicone oil, various modified silicone oils, silazane compounds, cyclic dimethylsiloxane, and silane coupling agents. Among these, silicone oil, silazane compound, cyclic dimethylsiloxane, and silane coupling agent are preferable.
シリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、α−メチルスチレン変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイルなどが、シラザン化合物としては、例えばヘキサメチルジシラザンなどが、環状ジメチルシロキサンとしては、例えばヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサンなどが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン等を挙げることができる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the silicone oil include dimethyl silicone oil, methylphenyl silicone oil, α-methylstyrene-modified silicone oil, fluorine-modified silicone oil, etc., examples of the silazane compound include hexamethyldisilazane, and examples of the cyclic dimethylsiloxane include hexagonal dimethylsiloxane. Examples include methylcyclotrisiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, and the like. Examples of silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, isobutyltrimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane. Dimethyldiethoxysilane, trimethylmethoxysilane, hydroxypropyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-octadecyltrimethoxysilane and the like. These may be used singly or in combination of two or more.
次に、本発明のケイ素低級酸化物粒子の分散液について説明する。
［ケイ素低級酸化物粒子の分散液］
本発明のケイ素低級酸化物粒子の分散液は、前述で説明した本発明の製造方法で得られた一般式ＳｉＯx（１．０＜ｘ≦１．６）で表されるケイ素低級酸化物粒子を、溶媒中に分散させてなることを特徴とする。
本発明の製造方法で得られたケイ素低級酸化物粒子としては、表面処理されていないケイ素低級酸化物粒子Ｉ、又は表面処理、好ましくはシラザン化合物ガス及び／又はシランカップリング剤ガスで表面処理されてなるケイ素低級酸化物粒子IIが用いられる。
Next, the dispersion of the silicon lower oxide particles of the present invention will be described.
[Liquid dispersion of silicon lower oxide particles]
The dispersion of silicon lower oxide particles of the present invention is a silicon lower oxide particle represented by the general formula SiO x (1.0 <x ≦ 1.6) obtained by the production method of the present invention described above. Is dispersed in a solvent.
The silicon lower oxide particles obtained by the production method of the present invention are not surface-treated silicon lower oxide particles I, or surface treatment, preferably surface treatment with silazane compound gas and / or silane coupling agent gas. The silicon lower oxide particles II are used.
前記のケイ素低級酸化物粒子Ｉは、溶媒として、主に極性溶媒が用いられることが多く、ビーズミルや超音波ホモジナイザーなどで分散処理することにより、ケイ素低級酸化物ナノ粒子Ｉの分散液を調製することができる。
前記極性溶媒としては、例えば水を始め、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどの低級ケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールなどの低級アルコール系溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は一種を単独で用いてもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。
一方、前記のケイ素低級酸化物粒子IIは、溶媒として、主に低極性溶媒及び／又は非極性溶媒が用いられることが多く、ビーズミルや超音波ホモジナイザーなどで分散処理することにより、ケイ素低級酸化物ナノ粒子IIの分散液を調製することができる。
前記の低極性溶媒としては、例えばジエチルエーテルなどのエーテル系溶媒、非極性溶媒としては、例えばヘキサンなどの炭化水素系溶媒、キシレン、トルエンなどの芳香族系溶媒等を挙げることができる。これらの溶媒は一種を単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
In the silicon lower oxide particles I, a polar solvent is often used as a solvent, and a dispersion of the silicon lower oxide nanoparticles I is prepared by dispersing with a bead mill or an ultrasonic homogenizer. be able to.
Examples of the polar solvent include water, lower ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, and methyl isobutyl ketone, and lower alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, and isopropanol. These solvents may be used alone or in a combination of two or more.
On the other hand, in the silicon lower oxide particles II, a low-polar solvent and / or a non-polar solvent is often used as a solvent. The silicon lower oxide particles II can be dispersed by a bead mill or an ultrasonic homogenizer. A dispersion of nanoparticles II can be prepared.
Examples of the low polarity solvent include ether solvents such as diethyl ether, and examples of nonpolar solvents include hydrocarbon solvents such as hexane, aromatic solvents such as xylene and toluene, and the like. These solvents may be used alone or in a combination of two or more.
このようにして調製されたケイ素低級酸化物ナノ粒子Ｉの分散液、又はケイ素低級酸化物ナノ粒子IIの分散液における濃度は、分散液の粘性の観点から、通常１〜４０質量％程度、好ましくは５〜２０質量％である。
また、各分散液における、ケイ素低級酸化物ナノ粒子Ｉ又はケイ素低級酸化物ナノ粒子IIの平均粒径は、通常３〜１００ｎｍ程度であり、好ましくは３０〜５０ｎｍである。
なお、この平均粒径は、レーザ回折・散乱方式で測定した値である。
The concentration of the thus prepared dispersion of silicon lower oxide nanoparticles I or the dispersion of silicon lower oxide nanoparticles II is usually about 1 to 40% by mass, preferably from the viewpoint of the viscosity of the dispersion. Is 5 to 20% by mass.
Moreover, the average particle diameter of the silicon lower oxide nanoparticles I or silicon lower oxide nanoparticles II in each dispersion is usually about 3 to 100 nm, preferably 30 to 50 nm.
The average particle diameter is a value measured by a laser diffraction / scattering method.
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、各例で得られたＳｉＯxで表されるケイ素低級酸化物粒子のｘの値の算出及び平均一次粒径の測定は、下記の方法により行った。
＜ＳｉＯxのｘの算出＞
試料中の酸素量（体積％）を酸素窒素分析装置［ＬＥＣＯ社製、機種名「ＴＣ４３６」］により測定する。測定した酸素量をＡとし、ｘを下記の式（２）により算出する。
ｘ＝（Ａ／１６）／｛（１００−Ａ）／２８｝ ・・・（２）
＜ＳｉＯx粒子の平均一次粒径の測定＞
日立製作所製の走査型電子顕微鏡Ｓ−４５０を用いて行った。
EXAMPLES Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these examples.
In addition, calculation of the value of x of the silicon lower oxide particles represented by SiO x obtained in each example and measurement of the average primary particle diameter were performed by the following methods.
<Calculation of x of SiO x >
The amount of oxygen (% by volume) in the sample is measured with an oxygen-nitrogen analyzer [manufactured by LECO, model name “TC436”]. The measured oxygen amount is A, and x is calculated by the following equation (2).
x = (A / 16) / {(100-A) / 28} (2)
<Measurement of average primary particle diameter of SiO x particles>
A scanning electron microscope S-450 manufactured by Hitachi, Ltd. was used.
実施例1
（１）ケイ素低級酸化物粒子の合成
原料のシリカ粉末として、日本アエロジル社製、商品名「アエロジルＯＸ５０」を用いた。このシリカ粉末の平均粒径は３０ｎｍ、ＳｉＯ2純度は９９．９質量％である。
また、熱プラズマ装置として、図１の概略図で示すチャンバー内容積１０Ｌのものを使用した。
チャンバー１１内の圧力を、真空ポンプにより排気管６を介して排気し、３３．３ｋＰａに調整した。次いで、熱プラズマ発生部１０内にアルゴンガス導入管２から、アルゴンガスを６５ｍＬ／ｍｉｎの速度で導入すると共に、水素ガス導入管１から、水素ガスを１５ｍＬ／ｍｉｎの速度で導入し、直流電力を出力４２ｋＷで印加して、アルゴン／水素混合ガスの温度１００００℃程度の熱プラズマジェット７を発生させた。
チャンバー１１の内壁９は、冷却水導入管４及び冷却水排出管５を介して、冷却水を導入することにより、約３０００℃程度の温度に調整されている。
次いで、原料のシリカ粉末を、アルゴンガス１０ｍＬ／ｍｉｎと共に、０．８８６ｇ／ｍｉｎの速度で原料導入管３より導入し、熱プラズマジェット７と共に、チャンバー１１内に噴射させた。アルゴン／水素混合ガスの体積比は５／１であった。
このようにして、シリカ粉末をアルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、分解（還元）処理することにより、ケイ素低級酸化物粒子であるＳｉＯx粒子がチャンバー内壁９に生成した。このＳｉＯx粒子のｘは１．１であり、平均一次粒径は２５ｎｍであった。
また、原料のシリカ粉末と、その熱プラズマ処理物であるＳｉＯxのＸＲＤ回折パターンは、原料のシリカ粉末では、結晶型を示すシャープなピークが見られるが、生成物では、結晶型のピークは存在せず、アモルファス型のパターンであった。
したがって、原料のＳｉＯ2は、このＸＲＤ回折パターンと前記のｘの値から、実質上、アモルファス型のケイ素低級酸化物に変換されていることが分かる。
（２）ＳｉＯx粒子の分散液の調製
上記（１）で得たＳｉＯx粒子の分散液を、以下に示す方法に従って調製した。
ビーズミルとして、内容積１００ｍＬのジルコニア製ベッセルに、径０．１ｍｍのジルコニアビーズ８０ｇを収容したビーズミルを使用し、溶媒としてアセトン４５ｇと、前記ＳｉＯx粒子５ｇを用い、２５００ｒｐｍで４時間ビーズミル処理を行い、１０質量％濃度のＳｉＯxナノ粒子分散液を調製した。
この分散液中のＳｉＯｘナノ粒子の平均粒径を、Malvern Instruments社製、機種名「ＨＰＰＳ」を用いて、レーザ回折・散乱方式で測定したところ、４０ｎｍであった。
Example 1
(1) Synthesis of Silicon Lower Oxide Particles As a raw material silica powder, product name “Aerosil OX50” manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd. was used. This silica powder has an average particle size of 30 nm and a SiO 2 purity of 99.9% by mass.
A thermal plasma apparatus having a chamber internal volume of 10 L shown in the schematic diagram of FIG. 1 was used.
The pressure in the chamber 11 was evacuated through the exhaust pipe 6 by a vacuum pump and adjusted to 33.3 kPa. Next, argon gas is introduced into the thermal
The inner wall 9 of the chamber 11 is adjusted to a temperature of about 3000 ° C. by introducing cooling water through the cooling water introduction pipe 4 and the cooling water discharge pipe 5.
Next, raw material silica powder was introduced from the raw material introduction tube 3 at a rate of 0.886 g / min together with 10 mL / min of argon gas, and injected into the chamber 11 together with the thermal plasma jet 7. The volume ratio of the argon / hydrogen mixed gas was 5/1.
In this way, the silica powder was decomposed (reduced) with argon / hydrogen mixed gas thermal plasma, so that SiO x particles, which are silicon lower oxide particles, were generated on the chamber inner wall 9. The SiO x particles had an x of 1.1 and an average primary particle size of 25 nm.
In addition, the XRD diffraction pattern of the raw silica powder and the thermal plasma-treated product SiO x shows a sharp peak indicating the crystal form in the raw silica powder, but in the product the crystal type peak is It did not exist and was an amorphous pattern.
Therefore, it can be seen from this XRD diffraction pattern and the value of x that the raw material SiO 2 has been substantially converted into an amorphous silicon lower oxide.
(2) a dispersion of SiO x particles obtained in Preparation described above of a dispersion of SiO x particles (1) was prepared according to the method described below.
As a bead mill, a bead mill containing 80 g of zirconia beads having a diameter of 0.1 mm in a zirconia vessel having an internal volume of 100 mL was used, and bead mill treatment was performed at 2500 rpm for 4 hours using 45 g of acetone and 5 g of the above SiO x particles. A 10 mass% concentration SiO x nanoparticle dispersion was prepared.
The average particle diameter of the SiOx nanoparticles in this dispersion was measured by a laser diffraction / scattering method using a model name “HPPS” manufactured by Malvern Instruments, and found to be 40 nm.
実施例２
実施例１（１）において、原料のシリカ粉末として、関東化学社製、商品名「二酸化けい素（石英型）」（平均粒径は３０μｍ、ＳｉＯ2純度は９５質量％）に変えた以外は、実施例１と同様にして、ＳｉＯｘ粒子を合成した。このＳｉＯｘ粒子のｘは、１．２であり、平均一次粒径は４５ｎｍであった。
Example 2
In Example 1 (1), the raw material silica powder was changed to a product name “silicon dioxide (quartz type)” (average particle size of 30 μm, SiO 2 purity of 95% by mass) manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. In the same manner as in Example 1, SiOx particles were synthesized. The x of the SiOx particles was 1.2, and the average primary particle size was 45 nm.
実施例３
実施例１（１）において、原料のシリカ粉末として、関東化学社製、商品名「二酸化けい素（石英型）」（平均粒径は３０μｍ、ＳｉＯ2純度は９５質量％）を用い、かつ、アルゴンガス導入管２からのアルゴンガスの導入速度を９０ｍＬ／ｍｉｎに変えると共に、水素ガス導入管１からの水素ガスの導入速度を１０ｍＬ／ｍｉｎに変更した以外は、実施例１（１）と同様にして、ＳｉＯx粒子を合成した。なお、アルゴン／水素混合ガスの体積比は１０／１である。
このＳｉＯx粒子のｘは１．４であり、平均一次粒径は５０ｎｍであった。
Example 3
In Example 1 (1), as a raw material silica powder, trade name “silicon dioxide (quartz type)” (average particle diameter is 30 μm, SiO 2 purity is 95% by mass) manufactured by Kanto Chemical Co., and Example 1 (1) except that the introduction rate of argon gas from the argon gas introduction tube 2 was changed to 90 mL / min and the introduction rate of hydrogen gas from the hydrogen gas introduction tube 1 was changed to 10 mL / min. Thus, SiO x particles were synthesized. The volume ratio of the argon / hydrogen mixed gas is 10/1.
The SiO x particles had an x of 1.4 and an average primary particle size of 50 nm.
実施例４
実施例１（１）において、原料のシリカ粉末として、関東化学社製、商品名「二酸化けい素（石英型）」（平均粒径は３０μｍ、ＳｉＯ2純度は９５質量％）を用い、かつ、水素ガス導入管１からの水素ガスの導入速度を５ｍＬ／ｍｉｎに変更した以外は、実施例１（１）と同様にして、ＳｉＯx粒子を合成した。なお、アルゴン／水素混合ガスの体積比は１５／１である。
このＳｉＯx粒子のｘは１．６であり、平均一次粒径は５０ｎｍであった。
Example 4
In Example 1 (1), as a raw material silica powder, trade name “silicon dioxide (quartz type)” (average particle diameter is 30 μm, SiO 2 purity is 95% by mass) manufactured by Kanto Chemical Co., and SiO x particles were synthesized in the same manner as in Example 1 (1) except that the introduction rate of hydrogen gas from the hydrogen gas introduction tube 1 was changed to 5 mL / min. The volume ratio of the argon / hydrogen mixed gas is 15/1.
The SiO x particles had an x of 1.6 and an average primary particle size of 50 nm.
実施例５
（１）疎水化処理ＳｉＯxの合成
ＳｉＯx粒子の合成は、実施例１（１）と同様にして行ったのち、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマ処理後の減圧状態のチャンバー１０内に、ヘキサメチルジシラザンを気化させたガスとアルゴンとの混合ガスを、原料導入管３より導入し、ＳｉＯx粒子表面をヘキサメチルジシラザンで疎水化処理した。導入したヘキサメチルジシラザンの量は、熱プラズマ処理後のＳｉＯx粒子１ｇに対して０．１ｍｏｌである。
（２）疎水化処理ＳｉＯx粒子の分散液の調製
実施例１（２）において、ＳｉＯｘ粒子の代わりに、上記（１）で得た疎水化処理ＳｉＯx粒子を用い、かつ溶媒として、アセトンの代わりにキシレンを用いた以外は、実施例１（２）と同様にして、疎水化処理ＳｉＯxナノ粒子の分散液を調製した。
この分散液における疎水化処理ＳｉＯxナノ粒子の平均粒径は５０ｎｍであった。
Example 5
(1) Synthesis of SiO x particles hydrophobized SiO x, after which were performed in the same manner as in Example 1 (1), into the
(2) in the preparation example of a dispersion of hydrophobic treatment SiO x particles 1 (2), in place of the SiOx particles, using a hydrophobized SiO x particles obtained in the above (1), and as the solvent, acetone A dispersion of hydrophobized SiO x nanoparticles was prepared in the same manner as in Example 1 (2) except that xylene was used instead.
The average particle diameter of the hydrophobized SiO x nanoparticles in this dispersion was 50 nm.
本発明のケイ素低級酸化物粒子の製造方法は、原料として安価なシリカ粉末を用い、アルゴン／水素混合ガス熱プラズマにより、該シリカ粉末を分解して、ケイ素低級酸化物粒子を効率よく製造する方法であり、この方法で得られたケイ素低級酸化物粒子は、ナノレベルで溶媒中に分散させることができる。
本発明の方法で得られたケイ素低級酸化物粉末は、例えば光学レンズの反射防止用保護膜や、食品包装用のガスバリアフィルムなどの蒸着原料としての用途が知られており、また最近では、リチウムイオン電池の負極材料、透明導電膜、シリコンナノ結晶用などとしての用途が期待されている。
The method for producing silicon lower oxide particles of the present invention is a method for efficiently producing silicon lower oxide particles by using inexpensive silica powder as a raw material and decomposing the silica powder by argon / hydrogen mixed gas thermal plasma. The silicon lower oxide particles obtained by this method can be dispersed in a solvent at the nano level.
The silicon lower oxide powder obtained by the method of the present invention is known to be used as a raw material for vapor deposition of, for example, an antireflection protective film for optical lenses and a gas barrier film for food packaging. Applications such as negative electrode materials for ion batteries, transparent conductive films, and silicon nanocrystals are expected.
１ 水素ガス導入管
２ アルゴンガス導入管
３ 原料導入管
４ 冷却水導入管
５ 冷却水排出管
６ 排気管
７ 熱プラズマジェット
８ 原料のシリカ粒子
９ チャンバー内壁
１０ 熱プラズマ発生部
１１ チャンバー
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Hydrogen gas introduction pipe 2 Argon gas introduction pipe 3 Raw material introduction pipe 4 Cooling water introduction pipe 5 Cooling water discharge pipe 6 Exhaust pipe 7 Thermal plasma jet 8 Raw material silica particle 9 Chamber
Claims (5)
ＳｉＯx ・・・（１）
（式中、ｘは１．０＜ｘ≦１．６の関係を満たす数である。）
で表されるケイ素低級酸化物粒子を得ることを特徴とする、ケイ素低級酸化物粒子の製造方法。 A thermal plasma of an argon / hydrogen mixed gas having a volume ratio of 15/1 to 4/1 is generated in a thermal plasma apparatus, and the silica powder is decomposed by the thermal plasma to obtain a general formula (1)
SiO x (1)
(In the formula, x is a number satisfying the relationship of 1.0 <x ≦ 1.6.)
A method for producing silicon lower oxide particles, comprising obtaining silicon lower oxide particles represented by the formula:
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