JP5363866B2

JP5363866B2 - Molding apparatus and molding method

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Publication number: JP5363866B2
Application number: JP2009105698A
Authority: JP
Inventors: 啓司前田; 茂宮川; 良二北田; 諭天谷
Original assignee: Towa Corp
Current assignee: Towa Corp
Priority date: 2009-04-23
Filing date: 2009-04-23
Publication date: 2013-12-11
Anticipated expiration: 2029-04-23
Also published as: JP2010253775A

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To return a state that a release layer is abraded and peeled from the molding surface of a resin mold to a state that a release layer having a constant film thickness is formed without releasing the resin mold from resin molding equipment. <P>SOLUTION: In this molding equipment, a plasma torch 21 is provided outside a lower mold 1 and an upper mold 2 to freely advance and retreat between the lower mold 1 and the upper mold 2, and a high frequency power supply 22 is connected with the bubbler bottle 23 continued to an Ar gas source 24. The lower mold 1 and the upper mold 2 are clamped and resin is injected in a cavity 8 and cured to form a molded article 18. Thereafter, the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened to allow the plasma torch 21 to enter. The aqueous solution in the bubbler bottle 23 is bubbled and the plasma torch 21 is moved while blowing a plasma jet 25 to the molding surface 20 of the resin mold from the plasma torch 21 under an atmospheric pressure atmosphere to return the state that the release layer 26 is abraded and peeled by a molding surface SB before treatment to a state that the release layer 27 having uniform film thickness is formed by a molding surface SA after treatment. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、成形品に対する低密着性のうち少なくとも１つを有する機能層が設けられた成形型を備えた成形装置と、該成形装置を使用する成形方法とに関するものである。 The present invention relates to a molding apparatus provided with a molding die provided with a functional layer having at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to a molded product, and the molding apparatus And a molding method using the same.

従来、成形品との間における優れた離型性を有する成形型（プラスチック成形型、合成樹脂成形用型）として、フッ素含有化合物からなる離型層が型面に形成された次の成形型が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。第１の成形型は、フッ素系樹脂が金型のキャビティ表面に形成されている構成を有する。そして、フッ素系樹脂を型面に形成する方法には、スプレー法、ハケ塗り法、ディップ法及びスピンコート法が挙げられている。更に、最も均一な離型層を形成する方法としてスピンコート法が挙げられている（特許文献１の段落［００２９］参照）。第２の成形型は、型面にスパッタリング法による弗化バリウム薄膜が形成されている構成を有する（特許文献２の特許請求の範囲参照）。 Conventionally, as a mold having excellent releasability with a molded product (plastic mold, synthetic resin mold), a mold having a mold release layer made of a fluorine-containing compound formed on the mold surface is as follows. It has been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2). The first mold has a configuration in which a fluorine-based resin is formed on the cavity surface of the mold. And as a method of forming the fluororesin on the mold surface, there are a spray method, a brush coating method, a dipping method and a spin coating method. Further, a spin coating method is cited as a method for forming the most uniform release layer (see paragraph [0029] of Patent Document 1). The second mold has a configuration in which a barium fluoride thin film is formed on the mold surface by a sputtering method (refer to the claims of Patent Document 2).

特開平４−３５３４０６号公報（第４頁、図１）JP-A-4-353406 (Page 4, FIG. 1) 特開平１−１６６９１４号公報（第１頁）JP-A-1-166914 (first page)

しかしながら、上述した従来の技術によりフッ素系樹脂を型面に形成する方法には、次のような問題があった。まず、スプレー法、ハケ塗り法、及びディップ法を使用する場合には、成形型に設けられた微小な凹部にフッ素系樹脂が均一に塗布されないおそれがある。さらにこの方法では、作業者の個人差によってフッ素系樹脂が均一に塗布されないおそれもある。また、型面にフッ素系樹脂を塗布する工程を別途必要とするという問題も生じる。一方、ディップ法、スピンコート法、及びスパッタリング法を使用する場合には、樹脂成形装置から成形型を取り外す必要が生じるため、作業が煩雑になる。また、フッ素系樹脂を型面に形成する場合には、形成された膜の耐久性が低い（寿命が短い）という問題もある。 However, the method for forming the fluororesin on the mold surface by the above-described conventional technique has the following problems. First, when using the spray method, the brush coating method, and the dipping method, the fluororesin may not be uniformly applied to the minute recesses provided in the mold. Furthermore, in this method, the fluororesin may not be uniformly applied due to individual differences among workers. There is also a problem that a separate step of applying a fluororesin to the mold surface is required. On the other hand, when using the dipping method, the spin coating method, and the sputtering method, it is necessary to remove the mold from the resin molding apparatus, which complicates the work. In addition, when the fluororesin is formed on the mold surface, there is a problem that the formed film has low durability (short life).

そこで、これらの問題を解決すべく、フィルムを型面に密着させる方式が行われている。このフィルムは、成形品が有する硬化樹脂に対する低密着性を有する材料から構成されており、離型フィルム（リリースフィルム）と呼ばれる。この方式によれば、成形品は型面から容易に離型される。しかし、この方式には、離型フィルムの材料コストが必要になること、離型フィルムは使い捨てなので環境に悪影響を与えること、及び、離型フィルムの供給・巻取機構が必要になって樹脂封止装置の構成が複雑になり装置コストが増大すること等の問題がある。また、離型フィルムを使用することによって、成形型の形状が成形品に転写される際の転写性が低下するという問題もある。 Therefore, in order to solve these problems, a system in which the film is brought into close contact with the mold surface has been performed. This film is made of a material having low adhesion to the cured resin of the molded product, and is called a release film (release film). According to this method, the molded product is easily released from the mold surface. However, this method requires the material cost of the release film, the release film is disposable and has an adverse effect on the environment, and the release film supply / winding mechanism is required. There is a problem that the structure of the stopping device becomes complicated and the device cost increases. Moreover, there is also a problem that the transferability when the shape of the mold is transferred to the molded product is reduced by using the release film.

また、上述した従来の技術により、離型層をフッ素含有化合物にて形成する場合、次のような問題があった。フッ素含有化合物は耐熱性・耐薬品性・難燃性・撥水撥油性等優れた機能を発揮する一方で、中には自然界に放出された場合、人体や環境に悪影響を及ぼすとの懸念が持たれている物質が存在する。例えば、炭化水素にフッ素が結合した化合物は非常に安定な物質で、半導体の洗浄用等にも使用されてきたが、地上で放出された後、成層圏まで達し、オゾン層を破壊する原因となっている。さらに、フッ素の気体は有毒で、他の元素と反応を起こしやすい等、取り扱いが難しいという問題点を有している。 Further, when the release layer is formed of a fluorine-containing compound by the conventional technique described above, there are the following problems. While fluorine-containing compounds exhibit excellent functions such as heat resistance, chemical resistance, flame resistance, and water and oil repellency, there are concerns that they may adversely affect the human body and the environment when released into nature. There is a possessed substance. For example, a compound in which fluorine is bonded to a hydrocarbon is a very stable substance and has been used for cleaning semiconductors, etc., but after being released on the ground, it reaches the stratosphere and causes destruction of the ozone layer. ing. Furthermore, fluorine gas is toxic and has a problem that it is difficult to handle, for example, it easily reacts with other elements.

本発明は、人体や環境に悪影響を及ぼすことなく、良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、成形品に対する低密着性のうち少なくとも１つを有する機能層が設けられた成形型を備えた成形装置と、該成形装置を使用する成形方法を提供することを目的とするものである。 The present invention provides a molding die provided with a functional layer having at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to a molded product without adversely affecting the human body and the environment. It aims at providing the shaping | molding apparatus provided with, and the shaping | molding method which uses this shaping | molding apparatus.

以下、「課題を解決するための手段」と「発明の効果」と「発明を実施するための最良の形態」との説明におけるかっこ内の符号は、説明における用語と図面に示された構成要素とを対比しやすくする目的で記載されたものである。また、これらの符号は、「図面に示された構成要素に限定して、説明における用語の意義を解釈すること」を意味するものではない。 Hereinafter, reference numerals in parentheses in the descriptions of “means for solving the problems”, “effects of the invention”, and “best mode for carrying out the invention” are the terms in the description and the components shown in the drawings. It is described for the purpose of facilitating the comparison. Further, these symbols do not mean “interpreting the meaning of terms in the description limited to the components shown in the drawings”.

上述の課題を解決するために、本発明に係る成形装置は、耐久性を有する素材からなる母材（ＢＭ）と、母材（ＢＭ）に設けられ成形品（１８）に転写されるべき形状とを有する成形型（３）を備えた成形装置であって、成形型（３）の型面（２０）に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理機構（２１）と、型面（２０）に形成された機能層（２７）とを備え、成形型（３）が型開きした状態において、プラズマ処理機構（２１）が型面（２０）に対向して位置するように成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とが相対的に移動し、機能層（２７）は大気圧雰囲気下におけるプラズマ処理によって形成された有機シリコン含有層からなり、機能層（２７）は良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、成形品（１８）に対する低密着性のうち少なくとも１つを有することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a molding apparatus according to the present invention includes a base material (BM) made of a durable material, and a shape that is provided on the base material (BM) and is to be transferred to a molded product (18). A molding apparatus (3) having a plasma processing mechanism (21) for performing plasma processing on the mold surface (20) of the mold (3), and a mold surface (20). The mold (3) and the plasma so that the plasma processing mechanism (21) is positioned opposite the mold surface (20) in a state where the mold (3) is opened. The processing mechanism (21) moves relatively, and the functional layer (27) is composed of an organic silicon-containing layer formed by plasma treatment under an atmospheric pressure atmosphere. The functional layer (27) has good slidability and good repellency. Aqueous, good lipophilic or low adhesion to molded product (18) Characterized in that it has at least one.

また、本発明に係る成形装置は、上述の成形装置において、形状は流動性樹脂（１６）が充填されるべき空間からなるキャビティ（８）の形状又はプレスされることによって成形品（１８）に転写されるべき形状であることを特徴とする。 Further, the molding apparatus according to the present invention is the above-described molding apparatus, wherein the shape of the molding apparatus is the shape of the cavity (8) composed of a space to be filled with the flowable resin (16) or pressed into the molded product (18). It is a shape to be transferred.

また、本発明に係る成形装置は、上述の成形装置において、型面（２０）を活性化する活性化機構（３３）を備えたことを特徴とする。 Further, the molding apparatus according to the present invention is characterized in that in the above-described molding apparatus, an activation mechanism (33) for activating the mold surface (20) is provided.

また、本発明に係る成形方法は、耐久性を有する素材からなる母材（ＢＭ）と、母材（ＢＭ）に設けられ成形品（１８）に転写されるべき形状とを有する成形型（３）を使用する成形方法であって、形状を構成するキャビティ（８）を流動性樹脂（１６）によって充填された状態にする工程と、成形型（３）を型締めする工程と、流動性樹脂（１６）を硬化させて硬化樹脂（１７）を形成する工程と、成形型（３）を型開きする工程と、硬化樹脂（１７）を有する成形品（１８）を取り出す工程と、プラズマ処理機構（２１）が成形型（３）の型面（２０）に対向して位置するように成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させる工程と、プラズマ処理機構（２１）を使用してプラズマ（２５）を発生させる工程と、プラズマ（２５）を使用して型面（２０）に対するプラズマ処理を行うことによって型面（２０）に機能層（２７）を形成する工程と、プラズマ処理機構（２１）が型面（２０）に対向して位置しなくなるように成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させる工程とを備えるとともに、プラズマ（２５）を発生させる工程では大気圧雰囲気下においてプラズマ（２５）を発生させ、機能層（２７）は有機シリコン含有層からなり良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、成形品（１８）に対する低密着性のうち少なくとも１つを有することを特徴とする。 Further, the molding method according to the present invention comprises a molding die (3) having a base material (BM) made of a durable material and a shape to be transferred to the molded product (18) provided on the base material (BM). ), The step of filling the cavity (8) constituting the shape with the fluid resin (16), the step of clamping the molding die (3), and the fluid resin A step of curing (16) to form a cured resin (17), a step of opening the mold (3), a step of taking out a molded product (18) having the cured resin (17), and a plasma processing mechanism. A step of relatively moving the mold (3) and the plasma processing mechanism (21) so that (21) is positioned opposite the mold surface (20) of the mold (3); and a plasma processing mechanism (21 ) To generate plasma (25), and Forming a functional layer (27) on the mold surface (20) by performing plasma treatment on the mold surface (20) using the matrix (25), and a plasma processing mechanism (21) on the mold surface (20). A step of relatively moving the mold (3) and the plasma processing mechanism (21) so as not to face each other, and in the step of generating plasma (25), plasma (25 And the functional layer (27) is composed of an organic silicon-containing layer and has at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to the molded product (18). Features.

また、本発明に係る成形方法は、耐久性を有する素材からなる母材（ＢＭ）と、母材（ＢＭ）に設けられ成形品に転写されるべき形状とを有する成形型（３）を使用する成形方法であって、成形型（３）を型締めすることによって形状を成形品に転写する工程と、成形型（３）を型開きする工程と、成形品を取り出す工程と、プラズマ処理機構（２１）が成形型（３）の型面（２０）に対向して位置するように成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させる工程と、プラズマ処理機構（２１）を使用してプラズマ（２５）を発生させる工程と、プラズマ（２５）を使用して型面（２０）に対するプラズマ処理を行うことによって型面（２０）に機能層（２７）を形成する工程と、プラズマ処理機構（２１）が型面（２０）に対向して位置しなくなるように成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させる工程とを備えるとともに、プラズマ（２５）を発生させる工程では大気圧雰囲気下においてプラズマ（２５）を発生させ、機能層（２７）は有機シリコン含有層からなり良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、成形品に対する低密着性のうち少なくとも１つを有することを特徴とする。 Further, the molding method according to the present invention uses a molding die (3) having a base material (BM) made of a durable material and a shape that is provided on the base material (BM) and is to be transferred to a molded product. A step of transferring the shape to the molded product by clamping the mold (3), a step of opening the mold (3), a step of taking out the molded product, and a plasma processing mechanism. A step of relatively moving the mold (3) and the plasma processing mechanism (21) so that (21) is positioned opposite the mold surface (20) of the mold (3); and a plasma processing mechanism (21 ) Using the plasma (25) to generate the plasma (25) and performing the plasma treatment on the mold surface (20) using the plasma (25) to form the functional layer (27) on the mold surface (20). And the plasma processing mechanism (21) is the mold surface (20). A step of relatively moving the mold (3) and the plasma processing mechanism (21) so as not to face each other, and in the step of generating plasma (25), plasma (25 And the functional layer (27) is composed of an organic silicon-containing layer and has at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to a molded product. .

また、本発明に係る成形方法は、上述の成形装置において、機能層（２７）を形成する工程ではプラズマ処理機構（２１）が型面（２０）に対向する状態で成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させることを特徴とする。 In the molding apparatus according to the present invention, in the molding apparatus described above, in the step of forming the functional layer (27), the plasma processing mechanism (21) faces the mold surface (20) and the molding die (3) and the plasma are formed. The processing mechanism (21) is relatively moved.

また、本発明に係る成形方法は、上述の成形装置において、機能層（２７）を形成する工程の前に型面（２０）を活性化する工程を備えたことを特徴とする。 In addition, the molding method according to the present invention is characterized in that, in the molding apparatus described above, a step of activating the mold surface (20) is provided before the step of forming the functional layer (27).

また、本発明に係る成形方法は、上述の成形装置において、成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させる工程と、プラズマ（２５）を発生させる工程と、機能層（２７）を形成する工程とを少なくとも有する工程群を、成形品（１８）に形状を転写する回数、又は型面（２０）における付着物の付着状況に応じて実行することを特徴とする。 Further, the molding method according to the present invention includes a step of relatively moving the molding die (3) and the plasma processing mechanism (21), a step of generating plasma (25), and a functional layer in the molding apparatus described above. The step group including at least the step of forming (27) is executed in accordance with the number of times of transferring the shape to the molded product (18) or the adhesion state of the deposit on the mold surface (20).

本発明によれば、成形型（３）の型面（２０）に形成された機能層（２７）は、大気圧雰囲気下におけるプラズマ処理によって形成された有機シリコン含有膜から構成される。これにより、第１に、有機シリコン含有膜からなる機能層（２７）が良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、前記成形品（１８）に対する低密着性のうち少なくとも１つを有するので、その成形品（１８）と型面（２０）との間の離型性が向上する。言い換えれば、型面（２０）に機能層（２７）からなる離型層（２７）が形成される。第２に、大気圧雰囲気下におけるプラズマ処理によって機能層（２７）が形成されるので、成形装置から成形型（３）を取り外すことなく型面（２０）に離型層（２７）が形成される。言い換えれば、大気圧雰囲気下におけるプラズマ処理によって、成形装置に成形型（３）を取り付けたままで型面（２０）に離型層（２７）を形成することができる。第３に、離型フィルムを使用することなく、成形品（１８）と型面（２０）との間の離型性が向上する。第４に、離型フィルムを使用しないことによって成形型（３）の形状が成形品（１８）に直接転写されるので、特に成形型（３）の形状が微細である場合において成形品（１８）の寸法精度が向上する。第５に、有機シリコン含有膜からなる機能層（２７）が良撥水性を有する場合には、成形型（３）における防汚性が向上する。 According to the present invention, the functional layer (27) formed on the mold surface (20) of the mold (3) is composed of an organic silicon-containing film formed by plasma treatment in an atmospheric pressure atmosphere. Thereby, first, the functional layer (27) made of an organic silicon-containing film has at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to the molded product (18). Therefore, the releasability between the molded product (18) and the mold surface (20) is improved. In other words, a release layer (27) composed of the functional layer (27) is formed on the mold surface (20). Second, since the functional layer (27) is formed by plasma treatment under an atmospheric pressure atmosphere, the release layer (27) is formed on the mold surface (20) without removing the mold (3) from the molding apparatus. The In other words, the release layer (27) can be formed on the mold surface (20) while the mold (3) is attached to the molding apparatus by plasma treatment under an atmospheric pressure atmosphere. 3rdly, the mold release property between a molded article (18) and a mold surface (20) improves, without using a mold release film. Fourth, since the shape of the mold (3) is directly transferred to the molded product (18) by not using a release film, the molded product (18) particularly when the shape of the mold (3) is fine. ) Is improved in dimensional accuracy. Fifth, when the functional layer (27) made of the organic silicon-containing film has good water repellency, the antifouling property in the mold (3) is improved.

また、本発明によれば、成形型（３）が型開きした状態において、プラズマ処理機構（２１）が型面（２０）に対向して位置することができ、更に型面（２０）に対向する状態で成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とが相対的に移動することができる。これらのことによって、成形型（３）の外側にプラズマ処理機構（２１）を設け、そのプラズマ処理機構（２１）と成形型（３）とを相対的に移動させてプラズマ処理を行うことができる。更に、プラズマ処理機構（２１）が型面（２０）に対向するようにしてプラズマ処理機構（２１）と成形型（３）とを相対的に移動させて、型面（２０）における必要な領域にプラズマ処理を行うことができる。 Further, according to the present invention, in the state where the mold (3) is opened, the plasma processing mechanism (21) can be positioned facing the mold surface (20) and further facing the mold surface (20). In this state, the mold (3) and the plasma processing mechanism (21) can move relatively. As a result, the plasma processing mechanism (21) is provided outside the mold (3), and the plasma processing mechanism (21) and the mold (3) can be moved relatively to perform plasma processing. . Further, the plasma processing mechanism (21) and the mold (3) are moved relative to each other so that the plasma processing mechanism (21) faces the mold surface (20), so that a necessary area on the mold surface (20) is obtained. The plasma treatment can be performed.

また、本発明によれば、型面（２０）を活性化する活性化機構（３３）を備え、型面（２０）に機能層（２７）を形成する工程の前に型面（２０）を活性化する工程を備える。これにより、活性化された型面（２０）に対してプラズマ処理を行うことができる。したがって、活性化された型面（２０）の上に有機シリコン含有膜からなる機能層（２７）をいっそう高密着にかつ均一な厚さに形成することができる。 Further, according to the present invention, an activation mechanism (33) for activating the mold surface (20) is provided, and the mold surface (20) is placed before the step of forming the functional layer (27) on the mold surface (20). A step of activating. Thereby, a plasma treatment can be performed on the activated mold surface (20). Therefore, the functional layer (27) made of the organic silicon-containing film can be formed on the activated mold surface (20) with higher adhesion and a uniform thickness.

また、本発明によれば、成形型（３）とプラズマ処理機構（２１）とを相対的に移動させる工程と、プラズマ（２５）を発生させる工程と、機能層（２７）を形成する工程とを少なくとも有する工程群を、成形品（１８）に形状を転写する回数、又は型面（２０）における付着物の付着状況に応じて実行する。これにより、必要に応じた頻度又はタイミングによってプラズマ処理を行うことができるので、成形における効率が向上する。 Moreover, according to this invention, the process of moving a shaping | molding die (3) and a plasma processing mechanism (21) relatively, the process of generating a plasma (25), and the process of forming a functional layer (27) The process group having at least the following is executed in accordance with the number of times of transferring the shape to the molded product (18) or the adhesion state of the deposit on the mold surface (20). Thereby, since plasma processing can be performed at a frequency or timing as required, the efficiency in molding is improved.

下型（１）及び上型（２）の外側には下型（１）と上型（２）との間に進退自在にプラズマトーチ（２１）が設けられ、プラズマトーチ（２１）にはバブラーボトル（２３）と高周波電源（２２）とが接続されている。バブラーボトルの先にはアルゴンガス源（２４）が接続されている。下型（１）と上型（２）とを型締めし、キャビティ（８）に流動性樹脂（１６）を注入し硬化させて成形品（１８）を形成し、下型（１）と上型（２）とを型開きし、下型（１）と上型（２）との間にプラズマトーチ（２１）を進入させる。ガス源（２４）からアルゴンガスがバブラーボトル（２３）に供給され、バブラーボトル２３内の水溶液をバブリングする。大気圧雰囲気下において、プラズマトーチ（２１）から処理前の型面（ＳＢ）にプラズマジェット（２５）を吹き出しながらプラズマトーチ（２１）を移動させる。これにより、処理前の型面（ＳＢ）では離型層（２６）が摩耗・はく離していた状態を、処理後の型面（ＳＡ）ではほぼ均一の膜厚を有する離型層（２７）が形成された状態にすることができる。 A plasma torch (21) is provided between the lower die (1) and the upper die (2) outside the lower die (1) and the upper die (2). The plasma torch (21) has a bubbler. A bottle (23) and a high frequency power source (22) are connected. An argon gas source (24) is connected to the tip of the bubbler bottle. The lower mold (1) and the upper mold (2) are clamped, and a fluid resin (16) is injected into the cavity (8) and cured to form a molded product (18). The mold (2) is opened and a plasma torch (21) is inserted between the lower mold (1) and the upper mold (2). Argon gas is supplied from the gas source (24) to the bubbler bottle (23), and the aqueous solution in the bubbler bottle 23 is bubbled. Under an atmospheric pressure atmosphere, the plasma torch (21) is moved while blowing the plasma jet (25) from the plasma torch (21) to the mold surface (SB) before processing. As a result, the mold release layer (26) on the mold surface (SB) before processing is worn and peeled, and the mold layer (27) having a substantially uniform film thickness on the mold surface (SA) after processing. Can be formed.

本発明に係る成形装置の実施例１について、図１と図２とを参照して説明する。図１（１）〜（３）は、チップ状の電子部品を樹脂封止する際において型締めする工程と、流動性樹脂を充填する工程と、流動性樹脂を硬化させた後に型開きする工程とを、それぞれ示す断面図である。図２（１）は型開きされた状態で型面をプラズマ処理する工程を示し、図２（２）はプラズマ処理後の型面Ａ部とプラズマ処理前の型面Ｂ部とを示す拡大断面図である。なお、以下の説明において使用するいずれの図についても、わかりやすくするために適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。また、各図においては、既出の構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付して説明を省略する。 Example 1 of the molding apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 (1) to 1 (3) are a step of clamping a chip-shaped electronic component when resin-sealing, a step of filling a fluid resin, and a step of opening the mold after the fluid resin is cured. FIG. FIG. 2 (1) shows a step of plasma processing the mold surface in a state where the mold is opened, and FIG. 2 (2) is an enlarged cross section showing a mold surface A portion after plasma processing and a mold surface B portion before plasma processing. FIG. It should be noted that any figure used in the following description is schematically omitted and exaggerated as appropriate for the sake of clarity. Moreover, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same component as the component mentioned above, and description is abbreviate | omitted.

図１に示された成形装置は、トランスファー成形によってＬＥＤチップ（後述）を樹脂封止し、樹脂封止して形成された成形品からＬＥＤパッケージを製造する際に使用される樹脂成形装置である。図１の成形装置は下型１と上型２とを有し、下型１と上型２とにはヒータ（図示なし）が設けられている。また、下型１と上型２とは併せて樹脂成形型３を構成する。下型１には円筒状の空間であるポット４が設けられ、ポット４には円柱状のプランジャ５が昇降自在に嵌装されている。ポット４におけるプランジャ５の上には、円柱状の固形樹脂材料であって熱硬化性樹脂からなる樹脂タブレット（図示なし）が配置される。 The molding apparatus shown in FIG. 1 is a resin molding apparatus used when an LED chip is manufactured from a molded product formed by resin-sealing an LED chip (described later) by transfer molding. . 1 has a lower mold 1 and an upper mold 2, and the lower mold 1 and the upper mold 2 are provided with heaters (not shown). The lower mold 1 and the upper mold 2 together constitute a resin mold 3. The lower mold 1 is provided with a pot 4 which is a cylindrical space, and a columnar plunger 5 is fitted to the pot 4 so as to be movable up and down. On the plunger 5 in the pot 4, a resin tablet (not shown) made of a thermosetting resin, which is a cylindrical solid resin material, is disposed.

上型２においては、ポット４に対向する位置に下向きの皿状の空間であるカル６が設けられている。カル６には、樹脂タブレットが溶融して形成された流動性樹脂が流動する空間である樹脂流路７がつながっている。そして、樹脂流路７には、流動性樹脂が注入される空間であるキャビティ８がつながっている。キャビティ８には、ＬＥＤチップ（後述）にそれぞれ対応する複数の凹部９が形成されている。 In the upper mold 2, a cull 6 that is a downward dish-like space is provided at a position facing the pot 4. The cal 6 is connected to a resin flow path 7 which is a space in which a flowable resin formed by melting a resin tablet flows. The resin flow path 7 is connected to a cavity 8 that is a space into which a fluid resin is injected. The cavity 8 is formed with a plurality of recesses 9 respectively corresponding to LED chips (described later).

また、下型１には基板用凹部１０が設けられ、基板用凹部１０にはプリント基板やセラミックス基板等からなる基板１１が配置される。基板１１は境界線１２によって格子状の複数の領域１３に分けられている。そして、複数の領域１３のそれぞれには、ＬＥＤチップからなるチップ状の電子部品１４が装着されている。電子部品１４と基板１１とがそれぞれ有する電極同士は、ワイヤ１５によって電気的に接続されている。 The lower mold 1 is provided with a substrate recess 10, and a substrate 11 made of a printed board, a ceramic substrate, or the like is disposed in the substrate recess 10. The substrate 11 is divided into a plurality of lattice-shaped regions 13 by boundary lines 12. In each of the plurality of regions 13, a chip-shaped electronic component 14 made of an LED chip is mounted. The electrodes of the electronic component 14 and the substrate 11 are electrically connected by a wire 15.

図１に示された成形装置が成形品を形成する動作について、図１（１）〜（３）を参照して説明する。図１（１）〜（２）に示すように、下型１と上型２とが型締めした状態で、樹脂タブレット（図示なし）が加熱されることによって溶融して形成された流動性樹脂１６を、プランジャ５によって押圧する。これにより、図１（１）に示されたカル６と樹脂流路７とを順次経由して、キャビティ８に流動性樹脂１６を注入する。 The operation of the molding apparatus shown in FIG. 1 to form a molded product will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 1 (1) to (2), a fluid resin formed by melting a resin tablet (not shown) by heating with the lower mold 1 and the upper mold 2 clamped. 16 is pressed by the plunger 5. Thereby, the fluid resin 16 is injected into the cavity 8 through the cal 6 and the resin flow path 7 shown in FIG.

図１（３）に示すように、熱硬化性樹脂からなる流動性樹脂１６を引き続き加熱することによって硬化させて、硬化樹脂１７を形成する。ここまでの樹脂成形工程（樹脂封止工程）によって、基板１１と電子部品１４と硬化樹脂１７とを含む成形品１８が完成する。そして、下型１と上型２とを相対的に移動させて（例えば、上型２を上昇させて）、下型１と上型２とを型開きする。ここで、下型１と上型２との相対的な移動は、下型１と上型２との少なくとも一方の型面が回転軸を中心にして他方の型面に接近するような態様であってもよい。 As shown in FIG. 1 (3), the fluid resin 16 made of a thermosetting resin is cured by subsequent heating to form a cured resin 17. The molded product 18 including the substrate 11, the electronic component 14, and the cured resin 17 is completed by the resin molding process (resin sealing process) so far. Then, the lower mold 1 and the upper mold 2 are relatively moved (for example, the upper mold 2 is raised), and the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened. Here, the relative movement between the lower mold 1 and the upper mold 2 is such that at least one mold surface of the lower mold 1 and the upper mold 2 approaches the other mold surface around the rotation axis. There may be.

完成された成形品１８には、上型２の凹部９に対応して、各領域１３における電子部品１４に位置合わせされてレンズ部１９が形成されている。なお、樹脂封止工程の次の工程において、成形品１８を境界線１２において切断（分断）して個片化することにより、ＬＥＤパッケージが完成する。 In the completed molded product 18, a lens portion 19 is formed in alignment with the electronic component 14 in each region 13 corresponding to the concave portion 9 of the upper mold 2. In the step subsequent to the resin sealing step, the molded product 18 is cut (divided) at the boundary line 12 to be separated into pieces, thereby completing the LED package.

ここで、流動性樹脂１６が接触する面である上型２の型面２０には、本実施例に係るプラズマ処理機構（後述）によって、有機シリコン皮膜からなる機能層、すなわち離型層（図２（２）の離型層２７を参照）が予め形成されている。そして、樹脂成形工程を繰り返して成形品１８を製造していくと、型面２０に形成された離型層は摩耗したりはく離したりして失われていく。離型層が摩耗・はく離すると、型面２０においては、硬化樹脂１７に含まれる成分からなる付着物（樹脂かす；図示なし）が堆積する。この付着物は型面における汚れとなって、硬化樹脂１７と型面２０との間における離型性を低下させる。付着物は、離型層が形成されていない型面２０に対しても堆積して悪影響を及ぼす。 Here, on the mold surface 20 of the upper mold 2, which is a surface with which the fluid resin 16 comes into contact, a functional layer made of an organic silicon film, that is, a release layer (see FIG. 2 (2) release layer 27) is formed in advance. Then, when the molded product 18 is manufactured by repeating the resin molding process, the release layer formed on the mold surface 20 is lost due to wear or separation. When the release layer is worn and peeled, deposits (resin residue; not shown) made of components contained in the cured resin 17 are deposited on the mold surface 20. This adhered matter becomes dirt on the mold surface and reduces the releasability between the cured resin 17 and the mold surface 20. The deposits are deposited on the mold surface 20 on which the release layer is not formed and have an adverse effect.

以下、本実施例に係る樹脂封止装置が有する構成のうち離型層を形成するための構成について、図２を参照して説明する。図２（１）に示されているように、下型１と上型２とが型開きした状態で下型１と上型２との間に進入できるようにして、プラズマ処理機構であるプラズマトーチ（プラズマヘッドともいう）２１が設けられている。プラズマトーチ２１は、下型１と上型２とが型締めした状態では、下型１と上型２との外側の初期位置まで後退して退避している。 Hereinafter, a configuration for forming the release layer among the configurations of the resin sealing device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2 (1), the lower mold 1 and the upper mold 2 can enter between the lower mold 1 and the upper mold 2 in a state where the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened, and the plasma is a plasma processing mechanism. A torch (also called a plasma head) 21 is provided. In a state where the lower mold 1 and the upper mold 2 are clamped, the plasma torch 21 is retracted and retracted to an initial position outside the lower mold 1 and the upper mold 2.

プラズマトーチ２１には、高周波電源２２が電気的に接続されている。また、プラズマトーチ２１には、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）又はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等の溶液が注入されているバブラーボトル２３が、配管によって接続されている。バブラーボトル２３の先にはガス源２４が接続されている。ガス源２４には、不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスが貯留されている。ガス源２４に貯留するガスにはアルゴンガスの他、窒素ガス又は酸素ガスもしくはこれらの混合ガス等を用いてもよい。プラズマトーチ２１は、駆動機構（図示なし）によって図のＸ方向とＹ方向とＺ方向とにそれぞれ移動できるようにして構成されている。そして、制御部（図示なし）からの指示によって、ガス源２４からアルゴンガスがバブラーボトル２３に供給され、バブリングによりバブラーボトル２３内の水溶液が気化する。これにより、シリコンを含むガスが生成され、プラズマトーチ２１より、平面視して円形でありスポット状のプラズマジェット２５が噴射される。なお、ガス源２４からプラズマトーチ２１までの間には、流量計、弁、ガス混合器等のプラズマ生成に必要な機器類（いずれも図示なし）が設けられている。 A high frequency power source 22 is electrically connected to the plasma torch 21. Further, a bubbler bottle 23 into which a solution such as hexamethyldisiloxane (HMDSO) or tetraethoxysilane (TEOS) is injected is connected to the plasma torch 21 by piping. A gas source 24 is connected to the tip of the bubbler bottle 23. The gas source 24 stores an inert gas, for example, argon (Ar) gas. As the gas stored in the gas source 24, nitrogen gas, oxygen gas, or a mixed gas thereof may be used in addition to argon gas. The plasma torch 21 is configured to be movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction in the figure by a drive mechanism (not shown). And according to the instruction | indication from a control part (not shown), argon gas is supplied to the bubbler bottle 23 from the gas source 24, and the aqueous solution in the bubbler bottle 23 vaporizes by bubbling. Thereby, a gas containing silicon is generated, and a plasma jet 25 having a circular shape and a spot shape is seen from the plasma torch 21 in plan view. In addition, between the gas source 24 and the plasma torch 21, devices necessary for plasma generation such as a flow meter, a valve, and a gas mixer (all not shown) are provided.

以下、図２（１）に示されたプラズマ処理機構の動作を説明する。まず、下型１と上型２とが型開きした後に、プラズマトーチ２１は、初期位置から図の右方向に移動してキャビティ８の左端の下方に位置する。次に、プラズマトーチ２１と型面２０との距離が最適になるように、Ｚ方向における位置合わせを行う。次に、プラズマトーチ２１に高周波電圧と、バブリングにより生成されたシリコンを含むガスとを供給しながら、プラズマトーチ２１を図の右方向に移動させる。これにより、プラズマトーチ２１は、キャビティ８における処理前の型面ＳＢにプラズマジェット２５を吹き付けながら図の右方向に移動する。したがって、大気圧雰囲気下において処理前の型面ＳＢがプラズマ処理されて、処理後の型面ＳＡにおいては有機物シリコン層が形成される。なお、キャビティ８における型面２０にとどまらず、樹脂流路７とカル６とにおける型面２０に対してもプラズマジェット２５を吹き付けることができる。 Hereinafter, the operation of the plasma processing mechanism shown in FIG. First, after the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened, the plasma torch 21 moves from the initial position to the right in the drawing and is positioned below the left end of the cavity 8. Next, alignment in the Z direction is performed so that the distance between the plasma torch 21 and the mold surface 20 is optimal. Next, the plasma torch 21 is moved rightward in the drawing while supplying a high frequency voltage and a gas containing silicon generated by bubbling to the plasma torch 21. As a result, the plasma torch 21 moves in the right direction in the figure while spraying the plasma jet 25 onto the mold surface SB before processing in the cavity 8. Therefore, the mold surface SB before processing is subjected to plasma processing under an atmospheric pressure atmosphere, and an organic silicon layer is formed on the processed mold surface SA. The plasma jet 25 can be sprayed not only on the mold surface 20 in the cavity 8 but also on the mold surface 20 in the resin flow path 7 and the cull 6.

ここで、図２（２）を参照してプラズマ処理を説明する。図２（２）に示されているように、上型２は、耐久性を有する素材、例えば、工具鋼等の鋼系材料からなる母材（base material）ＢＭと、その上に形成された機能層である離型層２６、２７とを有する。 Here, the plasma treatment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2 (2), the upper mold 2 is formed on a durable material, for example, a base material BM made of a steel-based material such as tool steel, and the like. It has the release layers 26 and 27 which are functional layers.

まず、プラズマ処理前においては、図２（２）の「Ｂ部拡大」に示されているように、上型２の処理前の型面ＳＢにおいて摩耗した離型層２６が存在する状態になっている。あるいは、上型２の型面において処理前の型面ＳＢが露出した状態になっている。 First, before the plasma treatment, as shown in “Expansion B part” in FIG. 2B, the worn mold release layer 26 exists on the mold surface SB before the treatment of the upper mold 2. ing. Alternatively, the mold surface SB before processing is exposed on the mold surface of the upper mold 2.

次に、プラズマトーチ２１を使用して型面２０に対するプラズマ処理を行う。これにより、図２（２）の「Ａ部拡大」に示されているように、処理後の型面ＳＡにおいて、有機シリコン含有層からなりほぼ均一の膜厚を有する離型層２７が形成される。この離型層２７は、分子層程度の膜厚で極薄の膜厚を有している。 Next, plasma processing is performed on the mold surface 20 using the plasma torch 21. As a result, as shown in “Enlarged portion A” in FIG. 2B, a release layer 27 made of an organic silicon-containing layer and having a substantially uniform film thickness is formed on the processed mold surface SA. The The release layer 27 has an extremely thin film thickness about the molecular layer.

ここで、有機シリコン含有層とは、シリコーンを含む層であってメチル基等の官能基が結合している層をいう。また、シリコーンとは有機ケイ素化合物の重合体の総称をいう。そして、プラズマ処理によって形成された有機シリコン含有層の表面は小さい表面自由エネルギーを有するので、有機シリコン含有層からなる離型層２７は、樹脂成形型３において硬化する硬化樹脂１７に対する低密着性を有する。このことにより、離型層２７が形成された処理後の型面ＳＡと硬化樹脂１７との間の離型性が向上する。また、離型層２７における汚れ等の付着が抑制される。このことは、型面２０が防汚性を有することを意味する。 Here, the organic silicon-containing layer refers to a layer containing silicone to which a functional group such as a methyl group is bonded. Silicone is a general term for polymers of organosilicon compounds. Since the surface of the organic silicon-containing layer formed by the plasma treatment has a small surface free energy, the release layer 27 made of the organic silicon-containing layer has low adhesion to the cured resin 17 that is cured in the resin mold 3. Have. This improves the releasability between the mold surface SA after the treatment on which the release layer 27 is formed and the cured resin 17. In addition, adhesion of dirt and the like on the release layer 27 is suppressed. This means that the mold surface 20 has antifouling properties.

以上説明したように、本実施例によれば、離型性が低下した型面２０（処理前の型面ＳＢ）に対してプラズマ処理を行うことによって、処理後の型面ＳＡにおいてほぼ均一の膜厚を有する離型層２７を形成することができる。したがって、プラズマ処理を行うことによって、成形品１８と処理後の型面ＳＡとの間の離型性を良好にすることができる。言い換えれば、プラズマ処理を行うことによって、成形品１８と型面２０との間の離型性を離型層２７を形成した当初の離型性に回復させることができる。また、離型層２７における汚れ等の付着が抑制されるので、成形品１８の寸法精度と外観品位とが向上する。更に、離型フィルムを使用しないことによって樹脂成形型３の形状が成形品１８に直接転写されるので、特に樹脂成形型３の形状が微細である場合において成形品１８の寸法精度が向上する。 As described above, according to the present embodiment, by performing plasma processing on the mold surface 20 (mold surface SB before processing) whose mold releasability has deteriorated, the mold surface SA after processing is substantially uniform. A release layer 27 having a film thickness can be formed. Therefore, by performing the plasma treatment, the releasability between the molded product 18 and the treated mold surface SA can be improved. In other words, by performing the plasma treatment, the releasability between the molded product 18 and the mold surface 20 can be restored to the initial releasability in which the release layer 27 is formed. Further, since adhesion of dirt and the like on the release layer 27 is suppressed, the dimensional accuracy and appearance quality of the molded product 18 are improved. Furthermore, since the shape of the resin mold 3 is directly transferred to the molded product 18 by not using a release film, the dimensional accuracy of the molded product 18 is improved particularly when the shape of the resin mold 3 is fine.

なお、本実施例の説明においては、下型１に成形品１８が残されている状態で、上型２の型面２０に対してプラズマ処理を行う例を説明した。これに限らず、下型１から成形品１８を搬出した後に、上型２の型面２０に対してプラズマ処理を行ってもよい。また、下型１から成形品１８を搬出しながら、上型２の型面２０に対してプラズマ処理を行うこともできる。 In the description of the present embodiment, an example in which plasma processing is performed on the mold surface 20 of the upper mold 2 while the molded product 18 remains in the lower mold 1 has been described. Not only this but after carrying out the molded product 18 from the lower mold | type 1, you may plasma-process with respect to the type | mold surface 20 of the upper mold | type 2. FIG. In addition, plasma processing can be performed on the mold surface 20 of the upper mold 2 while carrying out the molded product 18 from the lower mold 1.

また、下型１から成形品１８を搬出した後に、下型１の型面に対してプラズマ処理を行うこともできる。これにより、下型１の型面と成形品１８の基板１１との間の密着性を低減させること、及び、それらの間における静電気の発生を抑制することができる。また、下型１の型面における汚れ等の付着を抑制することができる。更に、下型１と上型２との双方の型面に対してプラズマ処理を行うこともできる。 Further, after carrying out the molded product 18 from the lower mold 1, it is possible to perform plasma treatment on the mold surface of the lower mold 1. Thereby, the adhesiveness between the type | mold surface of the lower mold | type 1 and the board | substrate 11 of the molded article 18 can be reduced, and generation | occurrence | production of the static electricity between them can be suppressed. Moreover, adhesion of dirt or the like on the mold surface of the lower mold 1 can be suppressed. Furthermore, plasma processing can be performed on both mold surfaces of the lower mold 1 and the upper mold 2.

本発明に係る成形装置の実施例２について、図３と図４とを参照して説明する。図３（１）〜（２）は、チップ状の電子部品を樹脂封止する際においてキャビティに流動性樹脂を充填する工程と、流動性樹脂を硬化させた後に型開きして型面の状態を評価する工程とを、それぞれ示す断面図である。図４（１）は型開きされた状態で型面を活性化処理及びプラズマ処理する工程を示し、図４（２）はプラズマ処理後の型面Ａ部とプラズマ処理前の型面Ｂ部とを示す拡大断面図である。 A second embodiment of the molding apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 3 (1) and 3 (2) show a process of filling a cavity with a fluid resin when resin-sealing a chip-like electronic component, a mold surface opened after the fluid resin is cured, and the state of the mold surface. It is sectional drawing which each shows the process of evaluating. FIG. 4 (1) shows a process of activating and plasma-treating the mold surface with the mold opened, and FIG. 4 (2) shows a mold surface A portion after the plasma treatment and a mold surface B portion before the plasma treatment. FIG.

図３（１）に示されているように、本実施例に係る成形装置においては圧縮成形が採用され、下型１にキャビティ８が設けられている。また、吸着、粘着、クランプ等の周知の方式によって、上型２の型面に基板１１が固定される。この固定に関する構成要素については、図示を省略している。 As shown in FIG. 3 (1), the molding apparatus according to the present embodiment employs compression molding, and the lower mold 1 is provided with a cavity 8. Further, the substrate 11 is fixed to the mold surface of the upper mold 2 by a known method such as adsorption, adhesion, or clamping. The components related to this fixing are not shown.

本実施例に係る成形装置は、次のようにして動作する。まず、キャビティ８に流動性樹脂１６を充填する。ここで、キャビティ８に流動性樹脂１６を充填するには、キャビティ８に粉状、粒状、塊状、シート状等の固形樹脂材料を供給して加熱・溶融させてもよい。また、キャビティ８に常温で液状である樹脂（液状樹脂）をディスペンサによって吐出してもよい。 The molding apparatus according to the present embodiment operates as follows. First, the fluid resin 16 is filled in the cavity 8. Here, in order to fill the cavity 8 with the fluid resin 16, a solid resin material such as powder, granule, lump, or sheet may be supplied to the cavity 8 and heated and melted. Further, a resin (liquid resin) that is liquid at room temperature may be discharged into the cavity 8 by a dispenser.

次に、キャビティ８に流動性樹脂１６が充填された状態において、上型２を下降させて電子部品１４とワイヤ１５とを流動性樹脂１６に浸漬させる。その後に、下型１と上型２とを型締めした状態で流動性樹脂１６を硬化させて硬化樹脂１７を形成し、成形品１８を完成させる。 Next, in a state where the fluid resin 16 is filled in the cavity 8, the upper mold 2 is lowered and the electronic component 14 and the wire 15 are immersed in the fluid resin 16. Thereafter, in a state where the lower mold 1 and the upper mold 2 are clamped, the fluid resin 16 is cured to form a cured resin 17, thereby completing the molded product 18.

以下、本実施例に係る樹脂封止装置が有する構成のうち離型層を形成するための構成について、図３（２）と図４とを参照して説明する。本実施例に係る成形装置には、下型１と上型２とが型開きした状態で下型１と上型２との間に進入できるようにして、搬出機構２８が設けられている。搬出機構２８は、吸着管路２９によって成形品１８を吸着して搬出する。 Hereinafter, a configuration for forming the release layer among the configurations of the resin sealing device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 3B and FIG. The molding apparatus according to the present embodiment is provided with a carry-out mechanism 28 so that the lower mold 1 and the upper mold 2 can enter between the lower mold 1 and the upper mold 2 with the mold open. The unloading mechanism 28 sucks and unloads the molded product 18 through the suction pipe line 29.

また、図３（２）に示されているように、下型１と上型２とが型開きした状態で下型１と上型２との間に進入できるようにして、光学センサ３０が設けられている。光学センサ３０は、型面２０における付着物の付着状況を光学的に検出・評価する。具体的には、光学センサ３０は、型面２０に対して照射光３１を照射してその反射光３２を検出して反射率を算出し、その反射率に基づいて型面２０における付着物の付着状況を検出する。光学センサ３０は、型面２０における複数個所において反射率を算出し、その平均値又は極大（極小）値に基づいて付着物の付着状況を検出することができる。また、光学センサ３０は、型面２０において最も付着物が付着しやすい場所として予め特定されている１個所又は複数個所において、付着物の付着状況を検出してもよい。なお、光学センサ３０としてはレーザ変位計等の変位計を使用して、付着物の厚さを検出してもよい。 Further, as shown in FIG. 3 (2), the optical sensor 30 is arranged so that the lower mold 1 and the upper mold 2 can enter between the lower mold 1 and the upper mold 2 while the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened. Is provided. The optical sensor 30 optically detects and evaluates the adhesion state of the deposit on the mold surface 20. Specifically, the optical sensor 30 irradiates the mold surface 20 with the irradiation light 31, detects the reflected light 32, calculates the reflectance, and based on the reflectance, the optical sensor 30 detects the deposit on the mold surface 20. Detect adhesion status. The optical sensor 30 can calculate the reflectance at a plurality of locations on the mold surface 20 and detect the adhesion state of the deposit based on the average value or the maximum (minimum) value. Further, the optical sensor 30 may detect the adhesion state of the deposits at one or a plurality of locations that are specified in advance as locations where deposits are most likely to adhere on the mold surface 20. Note that the thickness of the deposit may be detected by using a displacement meter such as a laser displacement meter as the optical sensor 30.

また、図４（１）に示されているように、本実施例に係る成形装置には、下型１と上型２とが型開きした状態で下型１と上型２との間に進入できるようにして、紫外光照射機構３３が設けられている。紫外光照射機構３３の内部には、エキシマ紫外光等の紫外光ＵＶを発生するランプ３４（エキシマランプ等）が設けられている。紫外光照射機構３３は、下型１の型面２０に対してエキシマ紫外光等の紫外光ＵＶを照射する。なお、型面２０に対して紫外光ＵＶを照射した後に、型面２０において付着物の付着状況を検出することもできる。 Further, as shown in FIG. 4A, the molding apparatus according to the present embodiment includes a lower mold 1 and an upper mold 2 between the lower mold 1 and the upper mold 2 in a state where the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened. An ultraviolet light irradiation mechanism 33 is provided so that it can enter. Inside the ultraviolet light irradiation mechanism 33, a lamp 34 (excimer lamp or the like) that generates ultraviolet light UV such as excimer ultraviolet light is provided. The ultraviolet light irradiation mechanism 33 irradiates the mold surface 20 of the lower mold 1 with ultraviolet light UV such as excimer ultraviolet light. In addition, after irradiating the mold surface 20 with the ultraviolet light UV, it is possible to detect the adhesion state of the deposit on the mold surface 20.

なお、搬出機構２８と光学センサ３０と紫外光照射機構３３とは、下型１と上型２とが型締めした状態においては、それぞれ下型１と上型２との外側の初期位置まで後退して退避している。また、光学センサ３０と紫外光照射機構３３とは、それぞれＸ方向とＹ方向とＺ方向とに移動できるようにして構成されている。 The unloading mechanism 28, the optical sensor 30, and the ultraviolet light irradiation mechanism 33 are retracted to the initial positions outside the lower mold 1 and the upper mold 2, respectively, when the lower mold 1 and the upper mold 2 are clamped. And evacuated. The optical sensor 30 and the ultraviolet light irradiation mechanism 33 are configured to be movable in the X direction, the Y direction, and the Z direction, respectively.

以下、本実施例に係る樹脂封止装置の動作を、図３と図４とを参照しながら説明する。まず、図３（２）に示されているように、下型１と上型２とが型開きした状態で、搬出機構２８が成形品１８を搬出するとともに、下型１と上型２との間に光学センサ３０が進入する。 Hereinafter, the operation of the resin sealing device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3 and 4. First, as shown in FIG. 3B, the unloading mechanism 28 unloads the molded product 18 in a state where the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened, and the lower mold 1 and the upper mold 2 In between, the optical sensor 30 enters.

次に、光学センサ３０は、型面２０における複数個所において反射率を算出し、その平均値（又は極小値）に基づいて付着物の付着状況を検出する。そして、平均値が基準値を下回った場合には、光学センサ３０は付着物の付着状況が基準を超えた（基準を超えて付着物が付着した）と判断して、紫外光照射機構３３とプラズマトーチ２１とを動作させる信号を発する。なお、光学センサ３０は、型面２０において最も付着物が付着しやすい場所として予め特定されている場所において、付着物の付着状況を検出してもよい。 Next, the optical sensor 30 calculates the reflectance at a plurality of locations on the mold surface 20, and detects the adhesion state of the deposit based on the average value (or minimum value). When the average value is lower than the reference value, the optical sensor 30 determines that the adhesion state of the deposit has exceeded the reference (the deposit has exceeded the reference), and the ultraviolet light irradiation mechanism 33 A signal for operating the plasma torch 21 is generated. Note that the optical sensor 30 may detect the adhesion state of the deposit at a location that is specified in advance as a location on the mold surface 20 where the deposit is most likely to adhere.

次に、図４（１）に示されているように、下型１と上型２とが型開きした状態で、下型１と上型２との間に紫外光照射機構３３とプラズマトーチ２１とが順次進入する。紫外光照射機構３３は、下型１におけるキャビティ８の左端の上方まで移動して、下型１の型面２０に対してエキシマ紫外光等の紫外光ＵＶを照射しながら図の右方向に移動する。これにより、図４（２）の「Ｂ部拡大」に示されているように、処理前の型面ＳＢが活性化されて処理前の型面ＳＢにおける付着物が除去される。ここでいう「活性化」には、「表面に付着した付着物をその表面から除去すること」が含まれる。また、「付着物」には、既に形成された離型層２７の残存物が含まれる。 Next, as shown in FIG. 4A, the ultraviolet light irradiation mechanism 33 and the plasma torch are placed between the lower mold 1 and the upper mold 2 in a state where the lower mold 1 and the upper mold 2 are opened. 21 and enter sequentially. The ultraviolet light irradiation mechanism 33 moves to the upper left end of the cavity 8 in the lower mold 1 and moves to the right in the figure while irradiating the mold surface 20 of the lower mold 1 with ultraviolet light UV such as excimer ultraviolet light. To do. As a result, as shown in “B section enlargement” in FIG. 4B, the mold surface SB before processing is activated, and the deposits on the mold surface SB before processing are removed. The term “activation” as used herein includes “removing deposits attached to the surface from the surface”. Further, the “attachment” includes a residue of the release layer 27 already formed.

次に、プラズマトーチ２１を図の右方向に移動させてプラズマ処理を行う。このことによって、活性化された型面２０である処理前の型面ＳＢに対してプラズマ処理を行うことになる。その結果、図４（２）の「Ａ部拡大」に示されているように、処理後の活性化された型面ＳＡにおいて、有機シリコン含有層からなりいっそう均一の膜厚を有する離型層２７が形成される。その後に、プラズマトーチ２１は下型１の型面２０の上方から初期位置まで移動する。なお、処理後の活性化された型面ＳＡに形成された離型層２７は、型面ＳＡに対する良好な密着性を有する。 Next, plasma processing is performed by moving the plasma torch 21 in the right direction in the figure. As a result, the plasma processing is performed on the mold surface SB before processing, which is the activated mold surface 20. As a result, as shown in “Part A enlargement” in FIG. 4B, the release layer having a more uniform film thickness composed of the organic silicon-containing layer on the activated mold surface SA after the treatment. 27 is formed. Thereafter, the plasma torch 21 moves from above the mold surface 20 of the lower mold 1 to the initial position. The release layer 27 formed on the activated mold surface SA after the treatment has good adhesion to the mold surface SA.

以上説明したように、本実施例によれば、離型性が低下した型面２０（処理前の型面ＳＢ）を活性化した後に、その型面２０に対してプラズマ処理を行う。このことによって、処理後の型面ＳＡにおいていっそう均一の膜厚を有する離型層２７を形成することができる。したがって、プラズマ処理を行うことによって、成形品１８と処理後の型面ＳＡとの間の離型性をいっそう良好にすることができる。 As described above, according to the present embodiment, after activating the mold surface 20 (mold surface SB before processing) whose mold releasability has been lowered, plasma processing is performed on the mold surface 20. Thus, the release layer 27 having a more uniform film thickness can be formed on the processed mold surface SA. Therefore, by performing the plasma treatment, it is possible to further improve the releasability between the molded product 18 and the treated mold surface SA.

また、本実施例によれば、下型１の型面２０の上方までプラズマトーチ２１を移動させる工程と、プラズマジェット２５を発生させる工程と、型面２０の上に離型層２７を形成する工程と、型面２０の上方からプラズマトーチ２１を移動させる工程とを少なくとも有する工程群を、型面２０における付着物の付着状況に応じて実行する。これにより、必要に応じたタイミングによってプラズマ処理を行うことができる。したがって、樹脂成形における効率が向上する。 Further, according to the present embodiment, the step of moving the plasma torch 21 above the mold surface 20 of the lower mold 1, the step of generating the plasma jet 25, and the release layer 27 on the mold surface 20 are formed. A process group including at least a process and a process of moving the plasma torch 21 from above the mold surface 20 is executed according to the adhesion state of the deposit on the mold surface 20. Thereby, plasma processing can be performed at a timing as required. Therefore, the efficiency in resin molding is improved.

なお、上述した工程群を、硬化樹脂を形成する工程の回数（成形回数）に応じて実行することもできる。この場合には、付着物の付着状況が基準を超える成形回数を予め実験等によって定めておき、その所定の成形回数に到達した時点でプラズマ処理を行う。これにより、必要に応じた所定の頻度によってプラズマ処理を行うことができる。したがって、樹脂成形における効率が向上する。 In addition, the process group mentioned above can also be performed according to the frequency | count (molding frequency) of the process which forms cured resin. In this case, the number of moldings in which the adhesion state of the deposits exceeds the standard is determined in advance by experiments or the like, and plasma processing is performed when the predetermined number of moldings is reached. Thereby, plasma processing can be performed at a predetermined frequency as required. Therefore, the efficiency in resin molding is improved.

また、付着物の付着状況を光学的に検出するには、撮像手段（ＣＣＤカメラ等）と画像処理とを組合せて使用することができる。具体的には、撮像手段によって得られた画像を２値化して、濃度が一定レベルを超えた領域の面積に基づいて付着物の付着状況を検出する方法を使用することができる。 Further, in order to optically detect the adhesion state of the deposit, an imaging means (CCD camera or the like) and image processing can be used in combination. Specifically, it is possible to use a method of binarizing an image obtained by the imaging unit and detecting the adhesion state of the deposit based on the area of the region where the density exceeds a certain level.

また、本実施例の説明においては、上型２に固定された成形品１８が搬出される工程と下型１の型面２０の状態を光学的に検出・評価する工程とを並行して行い、その後に型面２０を活性化する工程とプラズマ処理工程とを順次行った。これに限らず、検出・評価する工程と型面２０を活性化する工程との少なくとも一方を省略してもよい。また、ＵＶ照射器３３とプラズマトーチ２１とを一体化して、型面２０を活性化する工程とプラズマ処理工程とを１つの動作によって順次行うようにすることもできる。 In the description of this embodiment, the process of carrying out the molded product 18 fixed to the upper mold 2 and the process of optically detecting and evaluating the state of the mold surface 20 of the lower mold 1 are performed in parallel. Thereafter, a step of activating the mold surface 20 and a plasma treatment step were sequentially performed. Not limited to this, at least one of the step of detecting / evaluating and the step of activating the mold surface 20 may be omitted. Alternatively, the UV irradiator 33 and the plasma torch 21 may be integrated, and the step of activating the mold surface 20 and the plasma processing step may be sequentially performed by one operation.

また、紫外光照射機構３３に代えて、プラズマ処理機構であるプラズマトーチ２１と酸素ガスとを使用して大気圧プラズマを生成して、その大気圧プラズマによって型面２０を活性化してもよい。これによれば、プラズマトーチ２１を使用して、供給されるガスを切り替えることによって、型面２０の活性化と型面２０における離型層２７の形成とを併せて行うことができる。型面２０の活性化に使用されるガスは、酸素ガスの他に、アルゴンガス、又は、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでもよい。 Further, instead of the ultraviolet light irradiation mechanism 33, a plasma torch 21 that is a plasma processing mechanism and oxygen gas may be used to generate atmospheric pressure plasma, and the mold surface 20 may be activated by the atmospheric pressure plasma. According to this, activation of the mold surface 20 and formation of the release layer 27 on the mold surface 20 can be performed together by switching the supplied gas using the plasma torch 21. The gas used to activate the mold surface 20 may be argon gas or a mixed gas of oxygen gas and argon gas in addition to oxygen gas.

また、各実施例の説明においては、ＨＭＤＳＯ又はＴＥＯＳ等の溶液をアルゴンガス等の不活性ガスでバブリングすることによって、シリコンを含むガスを生成した。これに限らず、ＨＭＤＳＯ又はＴＥＯＳの溶液をバンドヒータ又はウォーターバス等により加熱して気化させる方法、又はヘキサメチルジシロキサン又はテトラエトキシシラン等の溶液を噴霧器等で直接吹き付けて気化させることにより、シリコンを含むガスを生成することが可能である。また、ＨＭＤＳＯ又はＴＥＯＳ等を貯蔵する貯蔵手段（ガスボンベ等）を使用してもよい。 In the description of each example, a gas containing silicon was generated by bubbling a solution such as HMDSO or TEOS with an inert gas such as argon gas. Not limited to this, a method in which a solution of HMDSO or TEOS is vaporized by heating with a band heater or a water bath, or a solution of hexamethyldisiloxane or tetraethoxysilane is directly vaporized by a sprayer or the like to vaporize silicon. It is possible to produce a gas containing Moreover, you may use the storage means (gas cylinder etc.) which stores HMDSO or TEOS.

さらに、プラズマ源となるシリコンを含む気体にフッ素系ガスを混合させることで、フッ素の含有した有機シリコン皮膜を形成することも可能であり、より一層の高離型及び防汚性を図ることができる。 Furthermore, it is possible to form a fluorine-containing organic silicon film by mixing a fluorine-based gas with a silicon-containing gas serving as a plasma source, thereby achieving higher mold release and antifouling properties. it can.

なお、ここまで説明した各実施例では、プラズマトーチ２１は平面視して円形であってスポット状のプラズマジェット２５を噴射することとした。これに限らず、複数のノズルを配置して一定の平面積を有するプラズマジェット２５を噴射することとしてもよい。また、図２（１）と図４（１）とにおいてＹ方向に延びる形状を有する電極を使用すれば、そのＹ方向に延びるライン状のプラズマジェット２５を噴射することができる。これらによって、単位時間にプラズマ処理できる面積が増大するので、プラズマ処理の効率が上昇する。 In each of the embodiments described so far, the plasma torch 21 is circular and has a spot-like plasma jet 25 in a plan view. However, the present invention is not limited to this, and a plurality of nozzles may be arranged to eject the plasma jet 25 having a certain plane area. In addition, if an electrode having a shape extending in the Y direction in FIGS. 2A and 4A is used, a line-shaped plasma jet 25 extending in the Y direction can be ejected. As a result, the area that can be subjected to plasma processing per unit time increases, so that the efficiency of plasma processing increases.

また、簡便な試作用、実験用等の成形装置においては、プラズマトーチ２１を手動によって移動させてもよい。これにより、成形装置から樹脂成形型３を取り外すことなく型面２０に離型層２７を形成することが、低価格で可能になる。 Further, in a simple prototype or experimental molding apparatus, the plasma torch 21 may be moved manually. This makes it possible to form the release layer 27 on the mold surface 20 without removing the resin mold 3 from the molding apparatus at a low cost.

また、成形品１８を取り出す搬出機構２８（図３（１）参照）とプラズマトーチ２１とを一体化してもよい。この場合には、搬出機構２８が次の搬送機構に対して成形品１８を受け渡している間に、プラズマ処理を行うことができる。更に、樹脂成形型に基板１１又は固形樹脂材料を供給する搬入機構（図示なし）とプラズマトーチ２１とを一体化してもよい。 Further, the carry-out mechanism 28 (see FIG. 3A) for taking out the molded product 18 and the plasma torch 21 may be integrated. In this case, plasma processing can be performed while the carry-out mechanism 28 delivers the molded product 18 to the next transport mechanism. Furthermore, the carry-in mechanism (not shown) for supplying the substrate 11 or the solid resin material to the resin mold and the plasma torch 21 may be integrated.

また、樹脂成形型３が型開きした状態において、プラズマ処理機構２１が型面２０の上方（又は下方）に位置するように樹脂成形型３を移動させてもよい。要は、プラズマ処理機構２１が型面２０に対向するようにして、樹脂成形型３とプラズマ処理機構２１とが相対的に移動するように構成されていればよい。更に、成形装置から樹脂成形型３を取り出して、その樹脂成形型３の型面２０に対してプラズマ処理を行うこともできる。この場合には、樹脂成形型３の温度が、高温（例えば、成形温度程度）、室温程度、又は、室温よりも低温のいずれであってもよい。 Further, in a state where the resin mold 3 is opened, the resin mold 3 may be moved so that the plasma processing mechanism 21 is located above (or below) the mold surface 20. In short, it is only necessary that the resin mold 3 and the plasma processing mechanism 21 are relatively moved so that the plasma processing mechanism 21 faces the mold surface 20. Furthermore, the resin mold 3 can be taken out from the molding apparatus, and the plasma treatment can be performed on the mold surface 20 of the resin mold 3. In this case, the temperature of the resin mold 3 may be any of high temperature (for example, about molding temperature), about room temperature, or lower than room temperature.

また、母材ＢＭとしては、工具鋼等の鋼系材料、鋼系材料にＨＣｒめっき加工等を施した材料の他に、シリコン（Ｓｉ）、グラッシィカーボン（ＧＣ）、セラミックスのような非金属材料を使用することができる。更に、母材ＢＭの表面にカーボン系の表面処理を施してもよい。例えば、母材ＢＭの表面にＤＬＣ（Diamond Like Carbon）の膜を形成し、この母材ＢＭに対してプラズマ処理を行うことによって、高離型性と高耐久性とを有する樹脂成形型３が得られる。なお、母材ＢＭについては、導電体と絶縁体とのいずれをも使用することができる。 The base material BM includes non-metals such as silicon (Si), glassy carbon (GC), and ceramics in addition to steel-based materials such as tool steel, and materials obtained by subjecting steel-based materials to HCr plating. Material can be used. Further, a carbon-based surface treatment may be performed on the surface of the base material BM. For example, by forming a DLC (Diamond Like Carbon) film on the surface of the base material BM and performing plasma treatment on the base material BM, the resin mold 3 having high mold release and high durability can be obtained. can get. For the base material BM, either a conductor or an insulator can be used.

また、樹脂成形型３の型面２０において流動性樹脂１６が接触する部分の面積がプラズマジェット２５の平面積よりも十分に小さい場合には、プラズマ処理機構をその部分の上方まで移動させて停止させ、その位置でプラズマ処理を行ってもよい。 Further, when the area of the portion of the mold surface 20 of the resin mold 3 that is in contact with the fluid resin 16 is sufficiently smaller than the plane area of the plasma jet 25, the plasma processing mechanism is moved above the portion and stopped. The plasma treatment may be performed at that position.

また、プラズマ生成装置（図示なし）の電極を一方の電極とし、その一方の電極を樹脂成形型３の型面２０（他方の電極に相当する）に対向させて、大気圧プラズマ処理を行ってもよい。このプラズマ生成方式はダイレクト方式と呼ばれる。これによれば、型面２０の面積が大きい場合に、短時間に効率よくその型面２０に離型層２７を形成することができる。 In addition, an electrode of a plasma generator (not shown) is used as one electrode, and the one electrode is opposed to the mold surface 20 (corresponding to the other electrode) of the resin mold 3 to perform atmospheric pressure plasma treatment. Also good. This plasma generation method is called a direct method. According to this, when the area of the mold surface 20 is large, the release layer 27 can be efficiently formed on the mold surface 20 in a short time.

また、両方向にプラズマジェット２５を吹き付けるプラズマトーチ２１を使用してもよい。これにより、下型１と上型２との双方の型面２０に、同時に離型層２７を形成することができる。 Moreover, you may use the plasma torch 21 which sprays the plasma jet 25 to both directions. Thereby, the release layer 27 can be simultaneously formed on the mold surfaces 20 of the lower mold 1 and the upper mold 2.

また、プラズマ処理の対象になる型面２０には、少なくともキャビティ８における型面２０が含まれていることが好ましい。また、トランスファー成形の場合においては、キャビティ８における型面２０に加えて、流動性樹脂１６が流動する樹脂流路７、カル６等における型面２０に対してもプラズマ処理を行うことができる。 Moreover, it is preferable that the mold surface 20 to be subjected to plasma processing includes at least the mold surface 20 in the cavity 8. In the case of transfer molding, in addition to the mold surface 20 in the cavity 8, the plasma treatment can also be performed on the mold surface 20 in the resin flow path 7, the cull 6, and the like through which the fluid resin 16 flows.

また、本発明を、トランスファー成形、圧縮成形に限らず、射出成形、加熱したシート状の熱可塑性樹脂に樹脂成形型の形状を転写する真空成形、圧空成形等の他の成形方式にも適用できる。更に、本発明を、熱可塑性樹脂を使用する成形方式にも適用できる。 The present invention can be applied not only to transfer molding and compression molding, but also to other molding methods such as injection molding, vacuum molding for transferring the shape of a resin mold to a heated sheet-like thermoplastic resin, and pressure molding. . Further, the present invention can be applied to a molding method using a thermoplastic resin.

また、本発明は、樹脂成形型を型締めすることによって形状を構成する凹凸を成形品に転写する工程、すなわち、樹脂や金属板等に成形型の形状を転写するインプリント成形やプレス成形にも適用可能である。加えて、本発明は、プレスすることによって加工対象物を所定の形状に打ち抜くプレス成形にも適用可能である。いずれの成形の場合においても、プラズマ処理によって型面に形成された機能層が、型面における汚れ等の付着の抑制と離型性の向上と成形品の寸法精度の向上とに寄与する。型面における汚れ等の付着の抑制は、その型面が防汚性を有することを意味する。また、プラズマ処理された型面は小さい摩擦係数を有するので、その型面と成形品との間における摺動性が向上する。 In addition, the present invention is a process for transferring irregularities constituting the shape to the molded product by clamping the resin mold, that is, imprint molding or press molding for transferring the shape of the mold to a resin or a metal plate. Is also applicable. In addition, the present invention can also be applied to press molding in which a workpiece is punched into a predetermined shape by pressing. In any molding, the functional layer formed on the mold surface by the plasma treatment contributes to suppression of adhesion of dirt and the like on the mold surface, improvement of releasability, and improvement of dimensional accuracy of the molded product. Suppression of adhesion of dirt and the like on the mold surface means that the mold surface has antifouling properties. Moreover, since the plasma-treated mold surface has a small coefficient of friction, the slidability between the mold surface and the molded product is improved.

また、本発明は、上述の各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。 In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and may be arbitrarily combined, changed, or selected as necessary without departing from the spirit of the present invention. It can be done.

図１（１）〜（３）は、実施例１においてチップ状の電子部品を樹脂封止する際において型締めする工程と、流動性樹脂を充填する工程と、流動性樹脂を硬化させた後に型開きする工程とを、それぞれ示す断面図である。1 (1) to 1 (3) show a step of clamping a resin when sealing a chip-like electronic component in Example 1, a step of filling a fluid resin, and after curing the fluid resin. It is sectional drawing which shows the process of mold opening, respectively. 図２（１）は図１に引き続いて型開きされた状態で型面をプラズマ処理する工程を示し、図２（２）はプラズマ処理後の型面Ａ部とプラズマ処理前の型面Ｂ部とを示す拡大断面図である。FIG. 2 (1) shows a step of plasma processing the mold surface in a state where the mold is opened following FIG. 1, and FIG. 2 (2) shows a mold surface A portion after the plasma treatment and a mold surface B portion before the plasma treatment. FIG. 図３（１）〜（２）は、実施例２においてチップ状の電子部品を樹脂封止する際においてキャビティに流動性樹脂を充填する工程と、流動性樹脂を硬化させた後に型開きして型面の状態を評価する工程とを、それぞれ示す断面図である。3 (1) to 3 (2) show a step of filling the cavity with the fluid resin when the chip-like electronic component is sealed with the resin in Example 2, and the mold is opened after the fluid resin is cured. It is sectional drawing which shows the process of evaluating the state of a mold surface, respectively. 図４（１）は図３に引き続いて型開きされた状態で型面を活性化処理及びプラズマ処理する工程を示し、図４（２）はプラズマ処理後の型面Ａ部とプラズマ処理前の型面Ｂ部とを示す拡大断面図である。FIG. 4 (1) shows a step of activating and plasma-treating the mold surface in a state where the mold is opened following FIG. 3, and FIG. 4 (2) shows a mold surface A portion after the plasma treatment and before the plasma treatment. It is an expanded sectional view which shows a mold surface B part.

１下型
２上型
３樹脂成形型（成形型）
４ポット
５プランジャ
６カル
７樹脂流路
８キャビティ
９凹部
１０基板用凹部
１１基板
１２境界線
１３領域
１４電子部品
１５ワイヤ
１６流動性樹脂
１７硬化樹脂
１８成形品
１９レンズ部
２０型面
２１プラズマトーチ
２２高周波電源
２３バブラーボトル
２４ガス源
２５プラズマジェット（プラズマ）
２６、２７離型層（機能層）
２８搬出機構
２９吸着管路
３０光学センサ
３１照射光
３２反射光
３３紫外光照射機構（活性化機構）
３４ランプ
ＢＭ母材
ＳＡ処理後の型面
ＳＢ処理前の型面
ＵＶ紫外光 1 Lower mold 2 Upper mold 3 Resin mold (mold)
4 Pot 5 Plunger 6 Cal 7 Resin flow path 8 Cavity 9 Recess 10 Substrate recess 11 Substrate 12 Boundary line 13 Area 14 Electronic component 15 Wire 16 Flowable resin 17 Cured resin 18 Molded article 19 Lens part 20 Mold surface 21 Plasma torch 22 High frequency power supply 23 Bubbler bottle 24 Gas source 25 Plasma jet (plasma)
26, 27 Release layer (functional layer)
28 Unloading mechanism 29 Adsorption pipe 30 Optical sensor 31 Irradiation light 32 Reflected light 33 Ultraviolet light irradiation mechanism (activation mechanism)
34 Lamp BM Base material SA Mold surface after treatment SB Mold surface before treatment UV UV light

Claims

耐久性を有する素材からなる母材と、前記母材に設けられ成形品に転写されるべき形状とを有する成形型を備えた成形装置であって、
前記成形型の型面に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理機構と、
前記型面に形成された機能層とを備え、
前記成形型が型開きした状態において、前記プラズマ処理機構が前記型面に対向して位置するように前記成形型と前記プラズマ処理機構とが相対的に移動し、
前記機能層は大気圧雰囲気下における前記プラズマ処理によって形成された有機シリコン含有層からなり、
前記機能層は良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、前記成形品に対する低密着性のうち少なくとも１つを有することを特徴とする成形装置。 A molding apparatus comprising a molding die having a base material made of a material having durability and a shape to be transferred to a molded product provided in the base material,
A plasma processing mechanism for performing plasma processing on the mold surface of the mold;
A functional layer formed on the mold surface ,
In a state where the molding die is opened, the molding die and the plasma processing mechanism relatively move so that the plasma processing mechanism is positioned opposite to the mold surface,
The functional layer comprises an organic silicon-containing layer formed by the plasma treatment under atmospheric pressure,
The functional layer has at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to the molded product.

請求項１に記載の成形装置において、
前記形状は流動性樹脂が充填されるべき空間からなるキャビティの形状又はプレスされることによって前記成形品に転写されるべき形状であることを特徴とする成形装置。 The molding apparatus according to claim 1,
2. The molding apparatus according to claim 1, wherein the shape is a shape of a cavity including a space to be filled with a fluid resin, or a shape to be transferred to the molded product by pressing.

請求項１又は２に記載の成形装置において、
前記型面を活性化する活性化機構を備えたことを特徴とする成形装置。 The molding apparatus according to claim 1 or 2 ,
A molding apparatus comprising an activation mechanism for activating the mold surface.

耐久性を有する素材からなる母材と、前記母材に設けられ成形品に転写されるべき形状とを有する成形型を使用する成形方法であって、
前記形状を構成するキャビティを流動性樹脂によって充填された状態にする工程と、
前記成形型を型締めする工程と、
前記流動性樹脂を硬化させて硬化樹脂を形成する工程と、
前記成形型を型開きする工程と、
前記硬化樹脂を有する前記成形品を取り出す工程と、
プラズマ処理機構が前記成形型の型面に対向して位置するように前記成形型と前記プラズマ処理機構とを相対的に移動させる工程と、
前記プラズマ処理機構を使用してプラズマを発生させる工程と、
前記プラズマを使用して前記型面に対するプラズマ処理を行うことによって前記型面に機能層を形成する工程と、
前記プラズマ処理機構が前記型面に対向して位置しなくなるように前記成形型と前記プラズマ処理機構とを相対的に移動させる工程とを備えるとともに、
前記プラズマを発生させる工程では大気圧雰囲気下において前記プラズマを発生させ、
前記機能層は有機シリコン含有層からなり良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、前記成形品に対する低密着性のうち少なくとも１つを有することを特徴とする成形方法。 A molding method using a molding die having a base material made of a material having durability and a shape to be transferred to a molded product provided in the base material,
A step of filling the cavity constituting the shape with a fluid resin;
Clamping the mold, and
Curing the flowable resin to form a cured resin;
Opening the mold, and
Removing the molded product having the cured resin;
Relatively moving the mold and the plasma processing mechanism so that the plasma processing mechanism is positioned opposite the mold surface of the mold;
Generating plasma using the plasma processing mechanism;
Forming a functional layer on the mold surface by performing a plasma treatment on the mold surface using the plasma;
A step of relatively moving the mold and the plasma processing mechanism so that the plasma processing mechanism is not positioned opposite the mold surface,
In the step of generating the plasma, the plasma is generated under an atmospheric pressure atmosphere,
The functional layer comprises an organic silicon-containing layer and has at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to the molded product.

耐久性を有する素材からなる母材と、前記母材に設けられ成形品に転写されるべき形状とを有する成形型を使用する成形方法であって、
前記成形型を型締めすることによって前記形状を前記成形品に転写する工程と、
前記成形型を型開きする工程と、
前記成形品を取り出す工程と、
プラズマ処理機構が前記成形型の型面に対向して位置するように前記成形型と前記プラズマ処理機構とを相対的に移動させる工程と、
前記プラズマ処理機構を使用してプラズマを発生させる工程と、
前記プラズマを使用して前記型面に対するプラズマ処理を行うことによって前記型面に機能層を形成する工程と、
前記プラズマ処理機構が前記型面に対向して位置しなくなるように前記成形型と前記プラズマ処理機構とを相対的に移動させる工程とを備えるとともに、
前記プラズマを発生させる工程では大気圧雰囲気下において前記プラズマを発生させ、
前記機能層は有機シリコン含有層からなり良摺動性、良撥水性、良親油性、又は、前記成形品に対する低密着性のうち少なくとも１つを有することを特徴とする成形方法。 A molding method using a molding die having a base material made of a material having durability and a shape to be transferred to a molded product provided in the base material,
Transferring the shape to the molded product by clamping the mold;
Opening the mold, and
Removing the molded article;
Relatively moving the mold and the plasma processing mechanism so that the plasma processing mechanism is positioned opposite the mold surface of the mold;
Generating plasma using the plasma processing mechanism;
Forming a functional layer on the mold surface by performing a plasma treatment on the mold surface using the plasma;
A step of relatively moving the mold and the plasma processing mechanism so that the plasma processing mechanism is not positioned opposite the mold surface,
In the step of generating the plasma, the plasma is generated under an atmospheric pressure atmosphere,
The functional layer comprises an organic silicon-containing layer and has at least one of good slidability, good water repellency, good lipophilicity, or low adhesion to the molded product.

請求項４又は５に記載の成形方法において、
前記機能層を形成する工程では前記プラズマ処理機構が前記型面に対向する状態で前記成形型と前記プラズマ処理機構とを相対的に移動させることを特徴とする成形方法。 In the molding method according to claim 4 or 5 ,
In the step of forming the functional layer, the molding method is characterized in that the molding die and the plasma processing mechanism are relatively moved while the plasma processing mechanism faces the mold surface.

請求項４〜６のいずれかに記載の成形方法において、
前記機能層を形成する工程の前に前記型面を活性化する工程を備えたことを特徴とする成形方法。 In the shaping | molding method in any one of Claims 4-6 ,
A molding method comprising a step of activating the mold surface before the step of forming the functional layer.

請求項４〜７のいずれかに記載の成形方法において、
前記成形型と前記プラズマ処理機構とを相対的に移動させる工程と、前記プラズマを発生させる工程と、前記機能層を形成する工程とを少なくとも有する工程群を、前記成形品に前記形状を転写する回数、又は前記型面における付着物の付着状況に応じて実行することを特徴とする成形方法。 In the shaping | molding method in any one of Claims 4-7 ,
Transferring the shape to the molded product, a process group including at least a process of relatively moving the mold and the plasma processing mechanism, a process of generating the plasma, and a process of forming the functional layer; The molding method is performed according to the number of times or the adhesion state of the deposit on the mold surface.