JP5356803B2 - Wafer processing equipment - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing apparatus which includes a device region where plural devices are formed on a front surface and a peripheral surplus region surrounding the device region and properly position a wafer in which a circular concave portion is formed at a backside corresponding to the device region at a position engaging with a chuck table. <P>SOLUTION: The wafer processing apparatus includes: processing means for processing a chuck table 35 with which the circular concave portion formed at the backside of the wafer is engaged, and the wafer; processing feed means 36 for moving the chuck table in the processing feed direction; wafer conveyance means 7 for conveying the wafer to the chuck table while turning the backside down; imaging means 8 which is arranged and provided in a conveyance route by the wafer conveyance means and picturizes the circular concave portion formed at the backside of the wafer; and a control means for controlling the processing feed means 36 and the wafer conveyance means 7 so as to harmonize a center of the circular concave portion with a center of the chuck table 35 by searching for the center of the circular concave portion based on an image signal from the imaging means, wherein the circular concave portion is engaged with the chuck table 35. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し該デバイス領域に対応する裏面が研削され円形の凹部が形成されたウエーハを加工するウエーハの加工装置に関する。   The present invention processes a wafer having a device region in which a plurality of devices are formed on the front surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, and a back surface corresponding to the device region is ground to form a circular recess. The present invention relates to a wafer processing apparatus.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual devices. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing.

上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを１００μm以下に形成することが要求されている。しかるに、ウエーハの厚さを１００μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。   As described above, the wafer to be divided is formed to have a predetermined thickness by grinding or etching the back surface before cutting along the street. In recent years, it has been required to form a wafer with a thickness of 100 μm or less in order to reduce the weight and size of electrical equipment. However, if the thickness of the wafer is formed to be 100 μm or less, the wafer is likely to be damaged, and it is difficult to handle the wafer.

上述した問題を解消するために、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削して円形の凹部を形成することによりデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周部を残存させて環状の補強部を形成することにより、剛性を有するウエーハを形成することができるウエーハの加工方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開２００７−１０３５８２号公報 In order to solve the above-mentioned problems, the region corresponding to the device region on the back surface of the wafer is ground to form a circular recess, thereby forming the thickness of the device region to a predetermined thickness, and the outer periphery on the back surface of the wafer. There has been proposed a wafer processing method capable of forming a rigid wafer by forming an annular reinforcing portion by leaving the portion. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2007-103582 A

ところで、ウエーハの外周には結晶方位を示すノッチ等の切り欠きが形成されており、デバイス領域に対応する裏面を研削する場合にノッチを研削しないように、ウエーハの中心からノッチと反対側に所定量オフセットした位置を中心として円形の凹部を形成している。   By the way, a notch such as a notch indicating the crystal orientation is formed on the outer periphery of the wafer, so that the notch is not ground when the back surface corresponding to the device region is ground. A circular recess is formed with the fixed offset position as the center.

上述したようにデバイス領域に対応する裏面に円形の凹部が形成されたウエーハは、切削装置やレーザー加工装置等の加工装置に搬送され、個々のデバイスに分割される。   As described above, a wafer having a circular recess formed on the back surface corresponding to the device region is transported to a processing apparatus such as a cutting apparatus or a laser processing apparatus and divided into individual devices.

而して、デバイス領域に対応する裏面に円形の凹部が形成されたウエーハは加工装置のチャックテーブルに円形の凹部を嵌合してチャックテーブル上に保持するが、ウエーハの中心と円形凹部の中心がオフセットしていると、ウエーハ搬送手段によって搬送されたウエーハに形成された円形凹部をチャックテーブルと嵌合する位置に適正に位置付けることが困難であるという問題がある。   Thus, a wafer having a circular recess formed on the back surface corresponding to the device region is fitted on the chuck table of the processing apparatus and held on the chuck table. Is offset, there is a problem that it is difficult to properly position the circular recess formed in the wafer conveyed by the wafer conveying means at a position where it is fitted to the chuck table.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有しデバイス領域に対応する裏面に円形の凹部が形成されたウエーハをチャックテーブルと嵌合する位置に適正に位置付けることができるウエーハの加工装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is that it has a device region in which a plurality of devices are formed on the surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region. It is an object of the present invention to provide a wafer processing apparatus capable of properly positioning a wafer having a circular recess formed on the back surface thereof at a position where the wafer is fitted to a chuck table.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し該デバイス領域に対応する裏面に円形の凹部が形成されたウエーハを加工するウエーハの加工装置であって、
ウエーハの裏面に形成された円形の凹部が嵌合するウエーハ保持部を有するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハを加工する加工手段と、
該チャックテーブルを加工送り方向に移動せしめる加工送り手段と、
ウエーハの裏面を下側にしてウエーハを保持し該チャックテーブルに搬送するウエーハ搬送手段と、
該ウエーハ搬送手段による搬送経路に配設されウエーハの裏面に形成された円形凹部を撮像する撮像手段と、
該撮像手段からの画像信号に基づいてウエーハの裏面に形成された円形凹部の中心を求め、該円形凹部の中心と該チャックテーブルの中心を一致させるように該加工送り手段および該ウエーハ搬送手段を制御する制御手段と、を具備し、
該ウエーハ搬送手段は、該加工送り方向（X軸方向）と直交するY軸方向の搬送経路に沿ってウエーハを搬送するように構成されており、
該制御手段は、該撮像手段によって撮像されたウエーハの裏面に形成された円形凹部の内周縁の２点の座標値に基づいて円形凹部の中心の座標値を求め、該チャックテーブルの中心を円形凹部の中心のX座標値に位置付けるように該加工送り手段を制御するとともに、ウエーハの裏面に形成された円形凹部の中心を該チャックテーブルの中心のY座標値に位置付けるように該ウエーハ搬送手段を制御する、
ことを特徴とするウエーハの加工装置が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a device region having a plurality of devices formed on the surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region has a circular shape on the back surface corresponding to the device region. A wafer processing apparatus for processing a wafer in which a recess is formed,
A chuck table having a wafer holding portion into which a circular recess formed on the back surface of the wafer is fitted;
Processing means for processing the wafer held on the chuck table;
Machining feed means for moving the chuck table in the machining feed direction;
Wafer transport means for holding the wafer with the back side of the wafer facing down and transporting the wafer to the chuck table;
An image pickup means for picking up an image of a circular recess formed on the back surface of the wafer disposed in the transfer path by the wafer transfer means;
Based on the image signal from the imaging means, the center of the circular recess formed on the back surface of the wafer is obtained, and the processing feed means and the wafer transport means are arranged so that the center of the circular recess and the center of the chuck table coincide with each other. Control means for controlling ,
The wafer transport means is configured to transport the wafer along a transport path in the Y-axis direction orthogonal to the processing feed direction (X-axis direction).
The control means obtains the coordinate value of the center of the circular recess based on the coordinate values of two points on the inner periphery of the circular recess formed on the back surface of the wafer imaged by the imaging means, and the center of the chuck table is circular The processing means is controlled so as to be positioned at the X coordinate value of the center of the recess, and the wafer transfer means is positioned so that the center of the circular recess formed on the back surface of the wafer is positioned at the Y coordinate value of the center of the chuck table. Control,
A wafer processing apparatus is provided.

本発明によるウエーハの加工装置においては、ウエーハをチャックテーブルに搬送するウエーハ搬送手段による搬送経路にウエーハの裏面に形成された円形凹部を撮像する撮像手段を配設し、撮像手段によって撮像されたウエーハの裏面に形成された円形凹部の内周縁の２点の座標値に基づいて円形凹部の中心の座標値を求め、該チャックテーブルの中心を円形凹部の中心のX座標値に位置付けるように該加工送り手段を制御するとともに、ウエーハの裏面に形成された円形凹部の中心を該チャックテーブルの中心のY座標値に位置付けるように該ウエーハ搬送手段を制御するので、チャックテーブルの中心とウエーハの裏面に形成された円形凹部中心を一致させることができる。従って、ウエーハの裏面に形成された円形凹部をチャックテーブルのウエーハ保持部に確実に嵌合することができる。 In the wafer processing apparatus according to the present invention, an image pickup means for picking up an image of a circular recess formed on the back surface of the wafer is disposed in a transfer path by the wafer transfer means for transferring the wafer to the chuck table, and the wafer imaged by the image pickup means is provided. The coordinate value of the center of the circular recess is obtained based on the coordinate values of the two inner peripheral edges of the circular recess formed on the back surface of the chuck, and the processing is performed so that the center of the chuck table is positioned at the X coordinate value of the center of the circular recess. In addition to controlling the feeding means, the wafer conveying means is controlled so that the center of the circular recess formed on the back surface of the wafer is positioned at the Y coordinate value of the center of the chuck table, so that the center of the chuck table and the back surface of the wafer are The center of the formed circular recess can be matched. Accordingly, the circular recess formed on the back surface of the wafer can be reliably fitted to the wafer holding portion of the chuck table.

以下、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。   Preferred embodiments of a wafer processing apparatus constructed according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明に従って構成されたウエーハの加工装置としての切削装置の斜視図が示されている。
図１に示された切削装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたスピンドルユニット支持機構４と、該スピンドルユニット支持機構４に切り込み送り方向である矢印Ｚで示す切り込み送り方向（Z軸方向）に移動可能に配設された加工手段としてのスピンドルユニット５が配設されている。 FIG. 1 is a perspective view of a cutting apparatus as a wafer processing apparatus constructed according to the present invention.
The cutting apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X and holds a workpiece. 3 and a spindle unit support mechanism 4 disposed on the stationary base 2 so as to be movable in an index feed direction (Y-axis direction) indicated by an arrow Y orthogonal to the machining feed direction (X-axis direction) indicated by the arrow X. A spindle unit 5 is disposed on the spindle unit support mechanism 4 as a processing means that is movably disposed in a cutting feed direction (Z-axis direction) indicated by an arrow Z that is a cutting feed direction.

上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にX軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にX軸方向に移動可能に配設された支持基台３２と、該支持基台３２上に円筒部材３３によって支持されたカバーテーブル３４と、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル３５を具備している。支持基台３２の下面には一対の案内レール３１、３１と嵌合する被案内溝３２１、３２１が形成されており、この被案内溝３２１、３２１を一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、支持基台３２は一対の案内レール３１、３１に沿って移動可能に配設される。   The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 disposed in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2, and is arranged on the guide rails 31 and 31 so as to be movable in the X-axis direction. A support base 32 provided, a cover table 34 supported on the support base 32 by a cylindrical member 33, and a chuck table 35 for holding a wafer as a workpiece are provided. Guided grooves 321 and 321 that fit with the pair of guide rails 31 and 31 are formed on the lower surface of the support base 32, and the guided grooves 321 and 321 are fitted into the pair of guide rails 31 and 31. Thus, the support base 32 is disposed so as to be movable along the pair of guide rails 31, 31.

上記チャックテーブル３５は、図２および図３に示すようにチャックテーブル本体３５１と、該チャックテーブル本体３５１の上面に配設され後述するウエーハの裏面に形成された円形凹部が嵌合するウエーハ保持部として機能する吸着チャック３５２を備えている。吸着チャック３５２は、多孔性材料から形成されており、その上面がチャックテーブル本体３５１の上面より高く段差をもって形成されている。なお、チャックテーブル本体３５１は図示しない吸引手段に連通する吸引通路３５１aが形成されており、図示しない吸引手段を作動することにより吸着チャック３５２に負圧が作用するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３５は、円筒部材３３内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３５には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３５３が配設されている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the chuck table 35 includes a chuck table main body 351 and a wafer holding portion which is disposed on the upper surface of the chuck table main body 351 and is fitted with a circular recess formed on the back surface of the wafer which will be described later. The suction chuck 352 functioning as The suction chuck 352 is made of a porous material, and its upper surface is formed with a step difference higher than the upper surface of the chuck table body 351. The chuck table main body 351 is formed with a suction passage 351a communicating with a suction means (not shown), and a negative pressure is applied to the suction chuck 352 by operating the suction means (not shown). The chuck table 35 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 33. The chuck table 35 is provided with a clamp 353 for fixing an annular frame described later.

図１に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構３は、チャックテーブル３５を支持する支持基台３２を矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動せしめる加工送り手段３６を具備している。加工送り手段３６は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３６１と、該雄ネジロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３６１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３６３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３６２の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド３６１は、支持基台３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３６２によって雄ネジロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、支持基台３２は案内レール３１、３１に沿ってX軸方向に移動せしめられる。   Returning to FIG. 1, the description will be continued. The chuck table mechanism 3 includes a machining feed means 36 for moving the support base 32 that supports the chuck table 35 in the machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X. ing. The processing feed means 36 includes a male screw rod 361 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 362 for rotationally driving the male screw rod 361. One end of the male screw rod 361 is rotatably supported by a bearing block 363 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 362. The male screw rod 361 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the center portion of the support base 32. Therefore, the support base 32 is moved along the guide rails 31 and 31 in the X-axis direction by driving the male screw rod 361 forward and backward by the pulse motor 362.

図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、上記チャックテーブル３５の加工送り位置を検出するための加工送り位置検出手段３７を備えている。加工送り位置検出手段３７は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７１と、チャックテーブル３５を支持する支持基台３２に配設され支持基台３２とともにリニアスケール３７１に沿って移動する読み取りヘッド３７２とからなっている。この加工送り位置検出手段３７の読み取りヘッド３７２は、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３５の加工送り位置を検出する。   The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a processing feed position detecting means 37 for detecting the processing feed position of the chuck table 35. The processing feed position detection means 37 is disposed on the linear scale 371 disposed along the guide rail 31 and the support base 32 that supports the chuck table 35, and moves along the linear scale 371 together with the support base 32. It consists of a read head 372. In the illustrated embodiment, the reading head 372 of the processing feed position detecting means 37 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. Then, the control means to be described later detects the machining feed position of the chuck table 35 by counting the input pulse signals.

図１を参照して説明を続けると、上記スピンドルユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向(X軸方向)と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Ｙ軸方向）に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上にＹ軸方向に移動可能に配設された可動支持基台４２と、該可動支持基台４２を案内レール４１、４１に沿ってＹ軸方向に移動せしめる割り出し送り手段４３を具備している。可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。移動支持部４２１の下面には案内レール４１、４１と嵌合する被案内溝４２１a、４２１aが形成されており、この被案内溝４２１a、４２１aを案内レール４１、４１に嵌合することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って移動可能に構成される。また、可動支持基台４２の装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す切り込み送り方向（Z軸方向：チャックテーブル３５の保持面に対して垂直な方向）に延びる一対の案内レール４２２a、４２２aが平行に設けられている。   The description will be continued with reference to FIG. 1. The spindle unit support mechanism 4 has an index feed direction (Y-axis) indicated by an arrow Y perpendicular to a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X on the stationary base 2. A pair of guide rails 41, 41 disposed in parallel along the direction), a movable support base 42 disposed on the guide rails 41, 41 so as to be movable in the Y-axis direction, and the movable support base Indexing feed means 43 for moving the table 42 along the guide rails 41 and 41 in the Y-axis direction is provided. The movable support base 42 includes a movement support portion 421 that is movably disposed on the guide rails 41, 41, and a mounting portion 422 that is attached to the movement support portion 421. Guided grooves 421a and 421a that fit with the guide rails 41 and 41 are formed on the lower surface of the movement support portion 421. The guide guides 41 and 41 can be moved by fitting the guided grooves 421a and 421a. The support base 42 is configured to be movable along the guide rails 41 and 41. Further, the mounting portion 422 of the movable support base 42 has a pair of guide rails 422a and 422a extending on one side surface in a cutting feed direction indicated by an arrow Z (Z-axis direction: a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 35). Are provided in parallel.

割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿ってＹ軸方向に移動せしめられる。   The index feeding means 43 includes a male screw rod 431 arranged in parallel between the pair of guide rails 41, 41, and a drive source such as a pulse motor 432 for rotationally driving the male screw rod 431. One end of the male screw rod 431 is rotatably supported by a bearing block (not shown) fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 432. The male screw rod 431 is screwed into a female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the moving support portion 421 constituting the movable support base 42. Therefore, the movable support base 42 is moved in the Y-axis direction along the guide rails 41 and 41 by driving the male screw rod 431 forward and reversely by the pulse motor 432.

図示の実施形態におけるスピンドル支持機構４は、可動支持基台４２の割り出し送り位置を検出するための割り出し送り位置検出手段４４を備えている。割り出し送り位置検出手段４４は、案内レール４１、４１に沿って配設されたリニアスケール４４１と、可動支持基台４２に配設されリニアスケール４４１に沿って移動する読み取りヘッド４４２とからなっている。この割り出し送り位置検出手段４４の読み取りヘッド４４２は、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、可動支持基台４２に配設される切削手段としてのスピンドルユニット５の割り出し送り位置を検出する。   The spindle support mechanism 4 in the illustrated embodiment includes index feed position detection means 44 for detecting the index feed position of the movable support base 42. The index feed position detection means 44 includes a linear scale 441 disposed along the guide rails 41 and 41 and a reading head 442 disposed along the linear scale 441 disposed on the movable support base 42. . In the illustrated embodiment, the reading head 442 of the index feed position detecting means 44 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. And the control means mentioned later detects the index feed position of the spindle unit 5 as a cutting means arrange | positioned at the movable support base 42 by counting the input pulse signal.

図示の実施形態のおけるスピンドルユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたスピンドルハウジング５２と、該スピンドルハウジング５２に回転可能に支持された回転スピンドル５３を具備している。ユニットホルダ５１は、上記可動支持基台４２の装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２２a、４２２aに摺動可能に嵌合する被案内溝５１ａ、５１ａが設けられており、この被案内溝５１ａ、５１ａを上記案内レール４２２a、４２２aに嵌合することにより、Z軸方向に移動可能に支持される。上記回転スピンドル５３はスピンドルハウジング５２の先端から突出して配設されており、この回転スピンドル５３の先端部に切削ブレード５４が装着されている。この切削ブレード５４を装着した回転スピンドル５３は、サーボモータ５５等の駆動源によって回転駆動せしめられる。上記スピンドルハウジング５２の先端部には、上記チャックテーブル３５上に保持された被加工物を撮像し、上記切削ブレード５４によって切削すべき領域を検出するための第１の撮像手段５６を具備している。この第１の撮像手段５６は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。   The spindle unit 5 in the illustrated embodiment includes a unit holder 51, a spindle housing 52 attached to the unit holder 51, and a rotating spindle 53 that is rotatably supported by the spindle housing 52. The unit holder 51 is provided with guided grooves 51a and 51a slidably fitted to a pair of guide rails 422a and 422a provided in the mounting portion 422 of the movable support base 42. By fitting 51a and 51a to the guide rails 422a and 422a, they are supported so as to be movable in the Z-axis direction. The rotary spindle 53 is disposed so as to protrude from the tip of the spindle housing 52, and a cutting blade 54 is attached to the tip of the rotary spindle 53. The rotary spindle 53 on which the cutting blade 54 is mounted is driven to rotate by a drive source such as a servo motor 55. The front end of the spindle housing 52 is provided with first imaging means 56 for imaging the workpiece held on the chuck table 35 and detecting an area to be cut by the cutting blade 54. Yes. The first image pickup means 56 is composed of optical means such as a microscope and a CCD camera, and sends the picked up image signal to a control means described later.

図示の実施形態におけるスピンドルユニット５は、ホルダ５１を一対の案内レール４２２a、４２２aに沿ってZ軸方向に移動させるための切り込み送り手段５７を具備している。切り込み送り手段５７は、上記加工送り手段３６および割り出し送り手段４４と同様に案内レール４２２a、４２２aの間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５７２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５７２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１とスピンドルハウジング５２および回転スピンドル５３を案内レール４２２a、４２２aに沿ってZ軸方向に移動せしめる。   The spindle unit 5 in the illustrated embodiment is provided with a cutting feed means 57 for moving the holder 51 along the pair of guide rails 422a and 422a in the Z-axis direction. The cutting feed means 57 includes a male screw rod (not shown) disposed between the guide rails 422a and 422a, and a pulse for rotationally driving the male screw rod, similarly to the processing feed means 36 and the index feed means 44. A drive source such as a motor 572 is included, and a male screw rod (not shown) is driven forward and backward by a pulse motor 572, whereby the unit holder 51, the spindle housing 52, and the rotary spindle 53 are moved along the guide rails 422a and 422a. Move in the axial direction.

図１を参照して説明を続けると、静止基台２には被加工物支持台６が配設されている。この被加工物支持台６には、カセット載置領域６aと被加工物搬出領域６bが設けられている。カセット載置領域６aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル６１が配設されている。このカセット載置テーブル６１は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル６１上には、被加工物としてのウエーハを収容するカセット６２が載置される。なお、カセット６２に収容されるウエーハについては、後で詳細に説明する。上記被加工物搬出領域６bには、カセット載置テーブル６１上に載置されたカセット６２から搬出されたウエーハを仮置きする仮置きテーブル６３が配設されている。また、被加工物支持台６には、カセット載置テーブル６１上に載置されたカセット６２に収容されているウエーハを仮置きテーブル６３上に搬出するウエーハ搬出手段６４が配設されている。   Continuing the description with reference to FIG. 1, a workpiece support base 6 is disposed on the stationary base 2. The workpiece support base 6 is provided with a cassette placing area 6a and a workpiece unloading area 6b. In the cassette placement area 6a, a cassette placement table 61 for placing a cassette that accommodates a workpiece is disposed. The cassette mounting table 61 is configured to be movable in the vertical direction by lifting means (not shown). On the cassette mounting table 61, a cassette 62 for storing a wafer as a workpiece is placed. The wafer accommodated in the cassette 62 will be described in detail later. In the workpiece unloading area 6b, a temporary placement table 63 for temporarily placing a wafer unloaded from the cassette 62 placed on the cassette placement table 61 is disposed. Further, the work support 6 is provided with a wafer unloading means 64 for unloading the wafer stored in the cassette 62 mounted on the cassette mounting table 61 onto the temporary table 63.

ここで、上記カセット６２に収容するウエーハについて、図４および図５を参照して説明する。
図４に示す半導体ウエーハ１０は、例えば直径が２００mmで厚さが３５０μmのシリコンウエーハからなっており、図４の(a)に示すように表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、デバイス１０２が形成されているデバイス領域１０３と、該デバイス領域１０３を囲繞する外周余剰領域１０４を備えている。なお、半導体ウエーハ２の外周には、結晶方位を示す切り欠き１０cが形成されている。また、図４の(b)に示すように半導体ウエーハ１０の裏面１０bには、デバイス領域１０３に対応する領域が所定の厚さ研削されて円形の凹部１０５が形成されている。従って、半導体ウエーハ１０の裏面１０bには、外周部に環状の補強部１０６が形成される。なお、円形の凹部１０５は、結晶方位を示す切り欠き１０cを研削しないように中心Pが半導体ウエーハ１０の中心P０からオフセットして形成されている。 Here, the wafer accommodated in the cassette 62 will be described with reference to FIGS.
The semiconductor wafer 10 shown in FIG. 4 is made of, for example, a silicon wafer having a diameter of 200 mm and a thickness of 350 μm, and a plurality of streets 101 are formed in a lattice pattern on the surface 10a as shown in FIG. In addition, devices 102 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets 101. The semiconductor wafer 10 thus configured includes a device region 103 in which the device 102 is formed and an outer peripheral surplus region 104 that surrounds the device region 103. A notch 10c indicating the crystal orientation is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 2. Further, as shown in FIG. 4B, a circular recess 105 is formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 by grinding a region corresponding to the device region 103 to a predetermined thickness. Accordingly, an annular reinforcing portion 106 is formed on the outer peripheral portion of the back surface 10 b of the semiconductor wafer 10. The circular recess 105 is formed with the center P offset from the center P0 of the semiconductor wafer 10 so as not to grind the notch 10c indicating the crystal orientation.

上述したようにデバイス領域１０３に対応する裏面が所定の厚さ研削されて円形の凹部１０５が形成された半導体ウエーハ１０は、図５に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に裏面１０bが貼着される。このように、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着された半導体ウエーハ１０は、表面１０ａを上側にして上記カセット６２に所定数収納される。   As described above, the semiconductor wafer 10 in which the back surface corresponding to the device region 103 is ground to a predetermined thickness to form the circular recess 105 is formed on the dicing tape T mounted on the annular frame F as shown in FIG. A back surface 10b is adhered to the front surface. Thus, a predetermined number of the semiconductor wafers 10 adhered to the dicing tape T mounted on the annular frame F are stored in the cassette 62 with the surface 10a facing upward.

図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置は、上記仮置きテーブル６３に搬出された半導体ウエーハ１０（環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着された状態）を上記チャックテーブル３５に搬送するウエーハ搬送手段７を具備している。ウエーハ搬送手段７は、上記被加工物支持台６とスピンドルユニット支持機構４との間に配設され、Y軸方向に間隔を置いて配設された２本の支持柱７１１，７１２と、該２本の支持柱７１１，７１２の上端を連結して水平に伸びる支持部材７１３とからなる案内手段７１を具備している。この案内手段７１を構成する支持部材７１３の側面には、Y軸方向に水平の延びる一対の案内レール７１４，７１４が配設されている。このように構成された案内手段７１に、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されたウエーハを保持するウエーハ保持手段７２が上記一対の案内レール７１４，７１４に沿って移動可能に装着される。ウエーハ保持手段７２は、図６に示すように上記環状のフレームFを吸引保持する吸引保持手段７２１と、該吸引保持手段７２１を上下方向に移動せしめる載置手段７２２と、該載置手段７２２と連結し上記一対の案内レール７１４，７１４に摺動可能に配設された移動ブロック７２３とからなっている。上記吸引保持手段７２１は、図示しない吸引手段に接続された複数の吸引パッド７２１aを備えている。上記載置手段７２２は、吸引保持手段７２１を上下方向に移動するためのエアーピストン機構によって構成されている。上記移動ブロック７２３は、上記一対の案内レール７１４，７１４に嵌合する被案内溝７２３a、７２３aを備えており、この被案内溝７２３a、７２３aを案内レール７１４、７１４に嵌合することにより案内レール７１４、７１４に沿って移動可能に支持される。   Returning to FIG. 1 and continuing the description, the cutting apparatus in the illustrated embodiment is the semiconductor wafer 10 carried out to the temporary placing table 63 (a state where it is attached to the dicing tape T attached to the annular frame F). Is provided with wafer transport means 7 for transporting the wafer to the chuck table 35. The wafer transport means 7 is disposed between the workpiece support base 6 and the spindle unit support mechanism 4 and includes two support columns 711 and 712 that are spaced apart from each other in the Y-axis direction. A guide means 71 comprising a support member 713 extending horizontally by connecting the upper ends of the two support columns 711 and 712 is provided. A pair of guide rails 714 and 714 extending horizontally in the Y-axis direction are disposed on the side surface of the support member 713 constituting the guide means 71. Wafer holding means 72 for holding the wafer attached to the dicing tape T attached to the annular frame F is movable along the pair of guide rails 714 and 714 to the guide means 71 configured as described above. Installed. As shown in FIG. 6, the wafer holding means 72 includes a suction holding means 721 for sucking and holding the annular frame F, a placing means 722 for moving the suction holding means 721 in the vertical direction, and the placing means 722. The moving block 723 is connected to the pair of guide rails 714 and 714 so as to be slidable. The suction holding means 721 includes a plurality of suction pads 721a connected to suction means (not shown). The placing means 722 described above is constituted by an air piston mechanism for moving the suction holding means 721 in the vertical direction. The moving block 723 includes guided grooves 723a and 723a that fit into the pair of guide rails 714 and 714, and the guide rails 714a and 714 are fitted into the guide rails 714 and 714 to thereby guide the rails. 714 and 714 are supported so as to be movable.

図６を参照して説明を続けると、図示の実施形態におけるウエーハ搬送手段７は、上記移動ブロック７２３を一対の案内レール７１４，７１４に沿って移動せしめる移動手段７３を具備している。移動手段７３は、一対の案内レール７１４と７１４の間に平行に配設された雄ネジロッド７３１と、該雄ネジロッド７３１を回転駆動するためのパルスモータ７３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド７３１は、その一端が上記支持部材７１３に固定された軸受ブロック７３３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ７３２の出力軸に連結されている。なお、雄ネジロッド７３１は、移動ブロック７２３に形成された貫通雌ネジ穴７２３bに螺合されている。従って、パルスモータ７３２によって雄ネジロッド７３１を正転および逆転駆動することにより、移動ブロック７２３は一対の案内レール７１４，７１４に沿って移動せしめられる。   Continuing the description with reference to FIG. 6, the wafer transport means 7 in the illustrated embodiment includes a moving means 73 for moving the moving block 723 along a pair of guide rails 714 and 714. The moving means 73 includes a male screw rod 731 disposed in parallel between the pair of guide rails 714 and 714 and a drive source such as a pulse motor 732 for rotationally driving the male screw rod 731. One end of the male screw rod 731 is rotatably supported by a bearing block 733 fixed to the support member 713, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 732. The male screw rod 731 is screwed into a through female screw hole 723 b formed in the moving block 723. Therefore, the moving block 723 is moved along the pair of guide rails 714 and 714 by driving the male screw rod 731 forward and backward by the pulse motor 732.

図示の実施形態におけるウエーハ搬送手段７は、上記ウエーハ保持手段７２のY軸方向の移動位置（ウエーハ搬送手段７に保持されたウエーハのY軸方向の移動位置）を検出するためのウエーハ位置検出手段７４を備えている。ウエーハ位置検出手段７４は、案内レール７１４に沿って配設されたリニアスケール７４１と、移動ブロック７２３に配設され移動ブロック７２３とともにリニアスケール７４１に沿って移動する読み取りヘッド７４２とからなっている。このウエーハ位置検出手段７４の読み取りヘッド７４２は、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、ウエーハ保持手段７２に保持されたウエーハのY軸方向の位置を検出する。   The wafer conveyance means 7 in the illustrated embodiment is a wafer position detection means for detecting the movement position of the wafer holding means 72 in the Y axis direction (the movement position of the wafer held in the wafer conveyance means 7 in the Y axis direction). 74 is provided. The wafer position detecting means 74 includes a linear scale 741 disposed along the guide rail 714 and a reading head 742 disposed along the linear scale 741 along with the moving block 723 disposed along the moving block 723. In the illustrated embodiment, the reading head 742 of the wafer position detecting means 74 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later counts the input pulse signals to detect the position of the wafer held in the wafer holding means 72 in the Y-axis direction.

図１に戻って説明を続けると、図示の実施形態における切削装置は、上記ウエーハ搬送手段７によるウエーハの搬送経路において上記被加工物支持台６に配設された第２の撮像手段８を具備している。第２の撮像手段８は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、上記ウエーハ搬送手段７によって搬送される環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着された半導体ウエーハ１０を裏面側から撮像し、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。   Referring back to FIG. 1, the description of the cutting apparatus in the illustrated embodiment includes the second imaging unit 8 disposed on the workpiece support base 6 in the wafer transfer path by the wafer transfer unit 7. doing. The second imaging means 8 includes an infrared illuminating means for irradiating a workpiece with infrared rays in addition to a normal imaging device (CCD) for imaging with visible light, and an optical system for capturing infrared rays emitted by the infrared illuminating means. And a dicing tape mounted on an annular frame F transported by the wafer transport means 7, etc., which outputs an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system. The semiconductor wafer 10 attached to T is imaged from the back side, and the captured image signal is sent to the control means described later.

図示の実施形態における切削装置は、図７に示す制御手段２０を具備している。制御手段２０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）２０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）２０２と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３と、カウンター２０４と、入力インターフェース２０５および出力インターフェース２０６とを備えている。制御手段２０の入力インターフェース２０５には、加工送り位置検出手段３７の読み取りヘッド３７２、割り出し送り位置検出手段４４の読み取りヘッド４４２、第１の撮像手段５６、第２の撮像手段８等からの検出信号が入力される。そして、制御手段２０の出力インターフェース２０６からは、加工送り手段３６のパルスモータ３６２、割り出し送り手段４３のパルスモータ４３２、スピンドルユニット５のサーボモータ５５、切り込み送り手段５７のパルスモータ５７２等に制御信号を出力する。   The cutting apparatus in the illustrated embodiment includes a control means 20 shown in FIG. The control means 20 is configured by a computer, and a central processing unit (CPU) 201 that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) 202 that stores control programs and the like, and a read / write that stores arithmetic results and the like. A random access memory (RAM) 203, a counter 204, an input interface 205 and an output interface 206 are provided. The input interface 205 of the control unit 20 includes detection signals from the reading head 372 of the processing feed position detection unit 37, the reading head 442 of the index feed position detection unit 44, the first imaging unit 56, the second imaging unit 8, and the like. Is entered. From the output interface 206 of the control means 20, control signals are sent to the pulse motor 362 of the machining feed means 36, the pulse motor 432 of the index feed means 43, the servo motor 55 of the spindle unit 5, the pulse motor 572 of the cutting feed means 57, etc. Is output.

図示の実施形態におけるウエーハの加工装置としての切削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
カセット載置テーブル６１上に載置されたカセット６２の所定位置に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレームFに保護テープTを介して支持されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル６１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、ウエーハ搬出手段６４が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル６３上に搬出する。半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル６３に搬出したならば、ウエーハ搬送手段７のウエーハ保持手段７２を構成する吸引保持手段７２１および載置手段７２２を作動し、吸引保持手段７２１の複数の吸引パッド７２１aによって半導体ウエーハ１０をダイシングテープTを介して支持している環状のフレームFを吸引保持する。次に、ウエーハ搬送手段７の移動手段７３を作動して、吸引保持手段７２１に保持された半導体ウエーハ１０を第２の撮像手段８の上方である撮像位置に位置付ける。 The cutting apparatus as the wafer processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The semiconductor wafer 10 (supported on the annular frame F via the protective tape T) accommodated in a predetermined position of the cassette 62 placed on the cassette placement table 61 is moved by the lifting means (not shown). The placement table 61 is positioned at the carry-out position by moving up and down. Next, the wafer unloading means 64 moves forward and backward to unload the semiconductor wafer 10 positioned at the unloading position onto the temporary placement table 63. When the semiconductor wafer 10 is carried out to the temporary placement table 63, the suction holding means 721 and the mounting means 722 constituting the wafer holding means 72 of the wafer transport means 7 are operated, and the plurality of suction pads 721a of the suction holding means 721 are operated. The annular frame F supporting the semiconductor wafer 10 via the dicing tape T is sucked and held. Next, the moving means 73 of the wafer transport means 7 is operated to position the semiconductor wafer 10 held by the suction holding means 721 at an imaging position above the second imaging means 8.

ここで、チャックテーブル３５と第２の撮像手段８の座標値について、図８を参照して説明する。
図８において、横軸はX座標を示し縦軸はY座標を示している。チャックテーブル３５は、その中心P1がY1の位置に位置付けられ、X軸方向に移動可能に配設されている。一方、第２の撮像手段８は、（X2,Y3）座標値に配設されている。 Here, the coordinate values of the chuck table 35 and the second imaging means 8 will be described with reference to FIG.
In FIG. 8, the horizontal axis represents the X coordinate and the vertical axis represents the Y coordinate. The chuck table 35 has a center P1 positioned at the position Y1, and is arranged to be movable in the X-axis direction. On the other hand, the second imaging means 8 is arranged at (X2, Y3) coordinate values.

上述したように半導体ウエーハ１０を第２の撮像手段８の上方である撮像位置に位置付けたウエーハ搬送手段７は、半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の内周縁１０５aの一点を図８において１点鎖線で示すように第２の撮像手段８の中心に位置付ける。次に、ウエーハ搬送手段７は、半導体ウエーハ１０を図８において１点鎖線で示す位置からY軸方向に下方に移動し、半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の内周縁１０５aの他の一点を図８において２点鎖線で示すように第２の撮像手段８の中心に位置付ける。このときのウエーハ搬送手段７の移動手段７３による移動位置は、ウエーハ位置検出手段７４の読み取りヘッド７４２からの信号に基づいて検出され制御手段２０に送られている。制御手段２０は、読み取りヘッド７４２からの検出信号をカウンター２０４によってカウントし、半導体ウエーハ１０を１点座線で示す位置から２点座線で示す位置まで移動した移動量(L)を求め、この移動量(L)をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）２０３に格納する。   As described above, the wafer transport means 7 that has positioned the semiconductor wafer 10 at the imaging position above the second imaging means 8 has a point on the inner peripheral edge 105 a of the circular recess 105 formed on the back surface 10 b of the semiconductor wafer 10. In FIG. 8, it is positioned at the center of the second image pickup means 8 as indicated by a one-dot chain line. Next, the wafer transport means 7 moves the semiconductor wafer 10 downward in the Y-axis direction from the position indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 8, and the inner peripheral edge 105a of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10. The other point is positioned at the center of the second imaging means 8 as indicated by a two-dot chain line in FIG. At this time, the moving position of the wafer conveying means 7 by the moving means 73 is detected based on a signal from the reading head 742 of the wafer position detecting means 74 and sent to the control means 20. The control means 20 counts the detection signal from the reading head 742 by the counter 204 and obtains the movement amount (L) by which the semiconductor wafer 10 is moved from the position indicated by the one-point constellation line to the position indicated by the two-point constellation line. The movement amount (L) is stored in the random access memory (RAM) 203.

このようにして、半導体ウエーハ１０の図８において１点座線で示す位置から２点座線で示す位置までの移動量(L)を求めたならば、制御手段２０はウエーハ搬送手段７の吸引保持手段７２１に保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の中心Pの座標値を求める。この円形の凹部１０５の中心Pは、(Y3−(L／2))のY座標(Y2)上に位置する。一方、円形の凹部１０５の中心PのX座標値(X3)は、円形の凹部１０５の半径を(r)とすると、(X2＋(√r2−(L／2)2)となる。従って、ウエーハ搬送手段７の吸引保持手段７２１に保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の中心PのX,Y座標値は、X(X3)：(X2＋(√r2−(L／2)2)，Y(Y2)：(Y3−(L／2)となる。 In this way, when the movement amount (L) of the semiconductor wafer 10 from the position indicated by the one-point constellation line in FIG. 8 to the position indicated by the two-point constellation line is obtained, the control means 20 suctions the wafer transport means 7. The coordinate value of the center P of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held by the holding means 721 is obtained. The center P of the circular recess 105 is located on the Y coordinate (Y2) of (Y3− (L / 2)). On the other hand, the X coordinate value (X3) of the center P of the circular recess 105 is (X2 + (√r 2 − (L / 2) 2 ), where (r) is the radius of the circular recess 105. The X and Y coordinate values of the center P of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held by the suction holding means 721 of the wafer transfer means 7 are X (X3) :( X2 + (√r 2 − (L / 2) 2 ), Y (Y2): (Y3− (L / 2).

以上のようにして、ウエーハ搬送手段７の吸引保持手段７２１に保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の中心PのX,Y座標値X(X3)：(X2＋(√r2−(L／2)2)，Y(Y2)：(Y3−(L／2)を求めたならば、加工送り手段３６を作動してチャックテーブル３５を図８において１点鎖線で示す位置に移動し、その中心(P1)を半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の中心PのX座標値(X3)に位置付ける。従って、チャックテーブル３５の中心(P1)は、(X3,Y1)のX,Y座標値に位置付けられたことになる。次に、ウエーハ搬送手段７の移動手段７３を作動して、吸引保持手段７２１に保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の中心PをY軸における(Y1)座標値に位置付ける。従って、吸引保持手段７２１に保持された半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の中心(P)は、(X3,Y1)のX,Y座標値に位置付けられたことになり、チャックテーブル３５の中心(P1)のX,Y座標値(X3,Y1)と一致する。この状態が、図９の(a)に示された状態である。次に、ウエーハ搬送手段７の載置手段７２２を作動して吸引保持手段７２１を下降することにより、図９の(b)に示ように半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５は、ダイシングテープTを介してチャックテーブル３５の吸着チャック３５２に確実に嵌合する。なお、吸着チャック３５２の外径は、半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５の内径より数mm小さく形成されている。従って、円形の凹部１０５に沿ってダイシングテープTが貼着されていても円形の凹部１０５をダイシングテープTを介して吸着チャック３５２に嵌合することができる。 As described above, the X and Y coordinate values X (X3) of the center P of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held by the suction holding means 721 of the wafer transport means 7: (X2 + ( √r 2 − (L / 2) 2 ), Y (Y2): When (Y3− (L / 2) is obtained, the machining feed means 36 is operated to bring the chuck table 35 into the one-dot chain line in FIG. And the center (P1) is positioned at the X coordinate value (X3) of the center P of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10. Therefore, the center (P1) of the chuck table 35 is , (X3, Y1) X, Y coordinate values Next, the moving means 73 of the wafer transport means 7 is operated to operate the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held by the suction holding means 721. Is positioned at the (Y1) coordinate value on the Y-axis. The center (P) of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 held in the step 721 is positioned at the X and Y coordinate values of (X3, Y1). This coincides with the X and Y coordinate values (X3, Y1) of the center (P1), which is the state shown in Fig. 9 (a). By operating and lowering the suction holding means 721, the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is attracted to the chuck table 35 via the dicing tape T as shown in FIG. The chuck 352 is securely fitted to the chuck 352. The outer diameter of the suction chuck 352 is smaller than the inner diameter of the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10. Accordingly, the circular recess 105 is formed. Dicing tape T is stuck along However, the circular recess 105 can be fitted to the suction chuck 352 via the dicing tape T.

上述したように半導体ウエーハ１０の裏面１０bに形成された円形の凹部１０５をダイシングテープTを介してチャックテーブル３５のウエーハ保持部として機能する吸着チャック３５２に嵌合したならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３５上に吸引保持する。このようにしてチャックテーブル３５上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、吸引保持手段７２１の複数の吸引パッド７２１aによる環状のフレームFの吸引保持を解除する。そして、チャックテーブル３５上に吸引保持半導体ウエーハ１０をダイシングテープTを介して支持する支持フレームFは、上記クランプ３５３によって固定される。   As described above, if the circular recess 105 formed on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 is fitted to the suction chuck 352 functioning as the wafer holding portion of the chuck table 35 via the dicing tape T, suction means (not shown) is provided. The semiconductor wafer 10 is operated and sucked and held on the chuck table 35. When the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 35 in this way, the suction holding of the annular frame F by the plurality of suction pads 721a of the suction holding means 721 is released. The support frame F that supports the suction-holding semiconductor wafer 10 on the chuck table 35 via the dicing tape T is fixed by the clamp 353.

上述したようにチャックテーブル３５に半導体ウエーハ１０を保持したならば、加工送り手段３６を作動して、チャックテーブル３５を第１の撮像手段５６の直下に移動する。次に、第１の撮像手段５６によって半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１が検出され、スピンドルユニット５を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調節してストリート１０１と切削ブレード５４との精密位置合わせ作業が行われる（アライメント工程）。   If the semiconductor wafer 10 is held on the chuck table 35 as described above, the machining feed means 36 is operated to move the chuck table 35 directly below the first imaging means 56. Next, the street 101 formed on the semiconductor wafer 10 is detected by the first imaging means 56, and the spindle unit 5 is moved and adjusted in the direction of the arrow Y, which is the indexing direction, so that the precise position between the street 101 and the cutting blade 54 is adjusted. An alignment operation is performed (alignment process).

その後、チャックテーブル３５を切削ブレード５４の下方である切削加工領域に移動し、切削ブレード５４を所定方向に回転せしめるとともに、矢印Zで示す方向(Z軸方向)に所定量切り込み送りし、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３５を切削送り方向である矢印Xで示す方向(X軸方向)に所定の切削送り速度で移動する。この結果、チャックテーブル３５上に保持された半導体ウエーハ１０は、切削ブレード５４により所定のストリート１０１に沿って切断される（切削工程）。   Thereafter, the chuck table 35 is moved to a cutting region below the cutting blade 54, the cutting blade 54 is rotated in a predetermined direction, and a predetermined amount is cut and fed in the direction indicated by the arrow Z (Z-axis direction). The chuck table 35 holding and sucking 10 is moved at a predetermined cutting feed speed in the direction (X-axis direction) indicated by the arrow X which is the cutting feed direction. As a result, the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 35 is cut along the predetermined street 101 by the cutting blade 54 (cutting process).

以上、本発明を切削装置に適用した例を示したが、本発明はレーザー加工装置等の他の加工装置に適用することができる。   As mentioned above, although the example which applied this invention to the cutting device was shown, this invention is applicable to other processing apparatuses, such as a laser processing apparatus.

本発明に従って構成されたウエーハの加工装置としての切削装置の斜視図。1 is a perspective view of a cutting device as a wafer processing device configured according to the present invention. FIG. 図１に示す切削装置に装備されるチャックテーブルの斜視図。The perspective view of the chuck table with which the cutting apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示すチャックテーブルの正面図。The front view of the chuck table shown in FIG. ウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer as a wafer. 図４に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which stuck the semiconductor wafer shown in FIG. 4 on the surface of the dicing tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 図１に示す切削装置に装備されるウエーハ搬送手段の斜視図。The perspective view of the wafer conveyance means with which the cutting apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す切削装置に装備される制御手段の構成ブロック図。The block diagram of the configuration of the control means equipped in the cutting apparatus shown in FIG. 図１に示す切削装置に装備されるチャックテーブルとウエーハ搬送手段によって搬送される半導体ウエーハの座標値の関係を示す説明図。FIG. 3 is an explanatory view showing a relationship between a chuck table equipped in the cutting apparatus shown in FIG. 1 and a coordinate value of a semiconductor wafer conveyed by a wafer conveying means. ウエーハ搬送手段によって搬送される半導体ウエーハがチャックテーブルに搬送される状態を示す説明図。Explanatory drawing which shows the state in which the semiconductor wafer conveyed by the wafer conveyance means is conveyed to a chuck table.

符号の説明Explanation of symbols

２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３５：チャックテーブル
３６：加工送り手段
３７：加工送り位置検出手段
４：スピンドルユニット支持機構
４２：可動支持基台
４３：割り出し送り手段
４４：割り出し送り位置検出手段
５：スピンドルユニット
５３：回転スピンドル５３
５４：切削ブレード
５６：第１の撮像手段
５７：切込み送り手段
６：被加工物支持台
６１：カセット載置テーブル
６２：カセット
６３：仮置きテーブル
６４：ウエーハ搬出手段
７：ウエーハ搬送手段
７１：案内手段
７２：ウエーハ保持手段
７３：移動手段
７４：ウエーハ位置検出手段
８：第２の撮像手段
１０：半導体ウエーハ
２０：制御手段 2: stationary base 3: chuck table mechanism 35: chuck table 36: work feed means 37: work feed position detection means 4: spindle unit support mechanism 42: movable support base 43: index feed means 44: index feed position detection means 5: Spindle unit 53: Rotating spindle 53
54: Cutting blade 56: First imaging means 57: Cutting feed means 6: Workpiece support table 61: Cassette mounting table 62: Cassette 63: Temporary placing table 64: Wafer carrying means 7: Wafer conveying means 71: Guide Means 72: Wafer holding means 73: Moving means 74: Wafer position detecting means 8: Second imaging means 10: Semiconductor wafer 20: Control means

Claims (1)

表面に複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し該デバイス領域に対応する裏面に円形の凹部が形成されたウエーハを加工するウエーハの加工装置であって、
ウエーハの裏面に形成された円形の凹部が嵌合するウエーハ保持部を有するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハを加工する加工手段と、
該チャックテーブルを加工送り方向に移動せしめる加工送り手段と、
ウエーハの裏面を下側にしてウエーハを保持し該チャックテーブルに搬送するウエーハ搬送手段と、
該ウエーハ搬送手段による搬送経路に配設されウエーハの裏面に形成された円形凹部を撮像する撮像手段と、
該撮像手段からの画像信号に基づいてウエーハの裏面に形成された円形凹部の中心を求め、該円形凹部の中心と該チャックテーブルの中心を一致させるように該加工送り手段および該ウエーハ搬送手段を制御する制御手段と、を具備し、
該ウエーハ搬送手段は、該加工送り方向（X軸方向）と直交するY軸方向の搬送経路に沿ってウエーハを搬送するように構成されており、
該制御手段は、該撮像手段によって撮像されたウエーハの裏面に形成された円形凹部の内周縁の２点の座標値に基づいて円形凹部の中心の座標値を求め、該チャックテーブルの中心を円形凹部の中心のX座標値に位置付けるように該加工送り手段を制御するとともに、ウエーハの裏面に形成された円形凹部の中心を該チャックテーブルの中心のY座標値に位置付けるように該ウエーハ搬送手段を制御する、
ことを特徴とするウエーハの加工装置。 A wafer processing apparatus for processing a wafer having a device region having a plurality of devices formed on the front surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device region and having a circular recess formed on the back surface corresponding to the device region. And
A chuck table having a wafer holding portion into which a circular recess formed on the back surface of the wafer is fitted;
Processing means for processing the wafer held on the chuck table;
Machining feed means for moving the chuck table in the machining feed direction;
Wafer transport means for holding the wafer with the back side of the wafer facing down and transporting the wafer to the chuck table;
An image pickup means for picking up an image of a circular recess formed on the back surface of the wafer disposed in the transfer path by the wafer transfer means;
Based on the image signal from the imaging means, the center of the circular recess formed on the back surface of the wafer is obtained, and the processing feed means and the wafer transport means are arranged so that the center of the circular recess and the center of the chuck table coincide with each other. Control means for controlling ,
The wafer transport means is configured to transport the wafer along a transport path in the Y-axis direction orthogonal to the processing feed direction (X-axis direction).
The control means obtains the coordinate value of the center of the circular recess based on the coordinate values of two points on the inner periphery of the circular recess formed on the back surface of the wafer imaged by the imaging means, and the center of the chuck table is circular The processing means is controlled so as to be positioned at the X coordinate value of the center of the recess, and the wafer transfer means is positioned so that the center of the circular recess formed on the back surface of the wafer is positioned at the Y coordinate value of the center of the chuck table. Control,
A wafer processing apparatus characterized by that.
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