JP5117686B2

JP5117686B2 - Grinding equipment

Info

Publication number: JP5117686B2
Application number: JP2006147786A
Authority: JP
Inventors: 一馬関家
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2006-05-29
Filing date: 2006-05-29
Publication date: 2013-01-16
Anticipated expiration: 2026-05-29
Also published as: JP2007317982A

Description

本発明は、表面に複数のデバイスが形成されたウエーハの裏面を研削するための研削装置に関する。 The present invention relates to a grinding apparatus for grinding a back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs, LSIs, etc. are partitioned in the partitioned regions. Form. Then, the semiconductor wafer is cut along the streets to divide the region in which the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of a sapphire substrate are also divided into individual optical devices such as light emitting diodes and laser diodes by cutting along the streets, and are widely used in electrical equipment. ing.

上述したように分割されるウエーハは、ストリートに沿って切断する前に裏面を研削またはエッチングによって所定の厚さに形成される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するためにウエーハの厚さを５０μm以下に形成することが要求されている。
しかるに、ウエーハの厚さを５０μm以下に形成すると破損し易くなり、ウエーハの搬送等の取り扱いが困難になるという問題がある。 As described above, the wafer to be divided is formed to have a predetermined thickness by grinding or etching the back surface before cutting along the street. In recent years, it has been required to form a wafer with a thickness of 50 μm or less in order to reduce the weight and size of electrical equipment.
However, if the thickness of the wafer is formed to be 50 μm or less, the wafer tends to be damaged, and there is a problem that handling such as transport of the wafer becomes difficult.

上述した問題を解消するために本出願人は、ウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域を残存させて環状の補強部を形成することにより、薄くなったウエーハの搬送等の取り扱いを容易にしたウエーハの加工方法を特願２００５−１６５３９５号として提案した。 In order to solve the above-mentioned problem, the applicant grinds the region corresponding to the device region on the back surface of the wafer to form the thickness of the device region to a predetermined thickness, and leaves the outer peripheral surplus region on the back surface of the wafer. Japanese Patent Application No. 2005-165395 proposed a wafer processing method that facilitates handling of thinned wafers by forming an annular reinforcing portion.

而して、ウエーハの外周余剰領域はその幅が外周縁から２mm前後と狭いため、研削装置によってウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削する際に、ウエーハを保持するチャックテーブルの回転中心とウエーハの中心とが合致していないと、均一な幅の環状の補強部を形成することができない。ウエーハの外周余剰領域に形成する環状の補強部が均一な幅でない場合には、環状の補強部の幅が大きい領域においてはデバイス領域の厚さが所定の厚さに研削されないという問題がある。 Thus, since the width of the outer peripheral area of the wafer is as narrow as about 2 mm from the outer peripheral edge, the center of rotation of the chuck table that holds the wafer when the area corresponding to the device area on the back surface of the wafer is ground by the grinding device. If the center of the wafer does not match the center of the wafer, an annular reinforcing portion having a uniform width cannot be formed. If the annular reinforcing portion formed in the outer peripheral area of the wafer is not uniform in width, there is a problem that the thickness of the device region is not ground to a predetermined thickness in the region where the width of the annular reinforcing portion is large.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハを保持するチャックテーブルの中心にウエーハの中心を合致させて保持することができる研削装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described facts, and a main technical problem thereof is to provide a grinding apparatus capable of holding the wafer center with the center of the chuck table holding the wafer.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、ウエーハを保持する保持部材を備え該保持部材によってウエーハを保持して該チャックテーブルに搬入するウエーハ搬入手段と、を具備する研削装置において、
該ウエーハ搬入手段によって搬入するウエーハの中心を合わせる中心合わせ手段を備えており、
該中心合わせ手段は、ウエーハを保持し回転可能に構成された保持テーブルと該保持テーブルの回動位置を検出するテーブル位置検出手段を備えた保持テーブル機構と、該保持テーブルに保持されたウエーハの外周領域を撮像する撮像手段と、該撮像手段によって撮像された画像情報に基づいて該保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量および最大変位位置を検出する変位検出手段と、該変位検出手段によって検出された該保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量を補正する補正手段と、を具備し、
該変位検出手段は、該撮像手段によって撮像されたウエーハの外周縁の最大値と最小値を求め、該最大値と最小値との間隔Ｓの２分の１（Ｓ／２）を該保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量として決定するとともに、該最大値または最小値となる外周位置を最大変位位置として決定し、
該補正手段は、該保持テーブルを回動し該保持テーブルに保持されたウエーハの該最大変位位置を該ウエーハ搬入手段の該保持部材の移動軌跡上に位置付け、該ウエーハ搬入手段の該保持部材の中心をウエーハの中心に位置付けて、該保持部材によってウエーハを保持する、
ことを特徴とする研削装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table for holding a wafer, a grinding means for grinding the wafer held by the chuck table, and a holding member for holding the wafer are provided. In a grinding apparatus comprising a wafer carry-in means for holding a wafer and carrying it into the chuck table,
A centering means for aligning the center of the wafer carried by the wafer carrying means;
The centering means includes a holding table configured to hold and rotate a wafer, a holding table mechanism having a table position detecting means for detecting a rotation position of the holding table, and a wafer held by the holding table. An image pickup means for picking up an outer peripheral area, a displacement detection means for detecting a displacement amount and a maximum displacement position between the rotation center of the holding table and the center of the semiconductor wafer based on image information picked up by the image pickup means, and the displacement anda correction means for correcting the amount of displacement of the center of the rotation center of the semiconductor wafer of the detected said holding table by the detection means,
The displacement detection means obtains the maximum value and the minimum value of the outer peripheral edge of the wafer imaged by the imaging means, and a half (S / 2) of the interval S between the maximum value and the minimum value is the holding table. As the amount of displacement between the rotation center of the semiconductor wafer and the center of the semiconductor wafer, and the outer peripheral position that becomes the maximum value or the minimum value is determined as the maximum displacement position,
The correction means rotates the holding table and positions the maximum displacement position of the wafer held on the holding table on the movement locus of the holding member of the wafer carry-in means. The center is positioned at the center of the wafer, and the wafer is held by the holding member.
A grinding device is provided.

本発明による研削装置は、ウエーハ搬入手段によって搬入するウエーハの中心を合わせる中心合わせ手段を備えているので、チャックテーブルの中心にウエーハの中心を合致させて保持することができる。 The grinding apparatus according to the present invention includes centering means for aligning the center of the wafer to be carried in by the wafer carry-in means, so that the center of the wafer can be held in alignment with the center of the chuck table.

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a grinding apparatus constructed according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明に従って構成された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には荒研削手段としての荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。 FIG. 1 shows a perspective view of a grinding apparatus constructed in accordance with the present invention.
The grinding device in the illustrated embodiment includes a device housing 2 having a substantially rectangular parallelepiped shape. A stationary support plate 21 is erected on the upper right end of the device housing 2 in FIG. Two pairs of guide rails 22, 22 and 23, 23 extending in the vertical direction are provided on the inner surface of the stationary support plate 21. A rough grinding unit 3 as rough grinding means is mounted on one guide rail 22, 22 so as to be movable in the vertical direction, and a finish grinding unit 4 as finish grinding means is vertically installed on the other guide rail 23, 23. It is mounted to move in the direction.

荒研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめる電動モータ３４と、ユニットハウジング３１を装着した移動基台３５とを具備している。研削ホイール３３は、環状の砥石基台３３１と、該砥石基台３３１の下面に装着された荒研削用の研削砥石３３２とによって構成されている。移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における荒研削ユニット３は、上記移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ研削ホイール３３を研削送りする研削送り機構３６を具備している。研削送り機構３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ３６２によって雄ねじロッド３６１を正転および逆転駆動することにより、荒研削ユニット３を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 The rough grinding unit 3 includes a unit housing 31, a grinding wheel 33 attached to a wheel mount 32 rotatably attached to the lower end of the unit housing 31, and a wheel mount 32 attached to the upper end of the unit housing 31 with an arrow. An electric motor 34 that rotates in the direction indicated by 32a and a moving base 35 on which the unit housing 31 is mounted are provided. The grinding wheel 33 includes an annular grindstone base 331 and a rough grinding grindstone 332 mounted on the lower surface of the grindstone base 331. Guided rails 351 and 351 are provided on the moving base 35, and the guided rails 351 and 351 are movably fitted to the guide rails 22 and 22 provided on the stationary support plate 21. The rough grinding unit 3 is supported so as to be movable in the vertical direction. The rough grinding unit 3 in the form shown in the figure includes a grinding feed mechanism 36 that moves the moving base 35 along the guide rails 22 and 22 and feeds the grinding wheel 33 by grinding. The grinding feed mechanism 36 includes a male screw rod 361 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 22 and 22 and is rotatably supported, and a pulse motor 362 for rotationally driving the male screw rod 361. And a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 35 and is screwed with the male screw rod 361. By driving the male screw rod 361 forward and reverse by a pulse motor 362, the rough grinding unit 3 is moved up and down. It is moved in the direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

上記仕上げ研削ユニット４も荒研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめる電動モータ４４と、ユニットハウジング４１を装着した移動基台４５とを具備している。研削ホイール４３は、環状の砥石基台４３１と、該砥石基台４３１の下面に装着された仕上げ研削用の研削砥石４３２とによって構成されている。 The finish grinding unit 4 is also configured in the same manner as the rough grinding unit 3, and includes a unit housing 41, a grinding wheel 43 attached to a wheel mount 42 rotatably attached to a lower end of the unit housing 41, and the unit. An electric motor 44 that is mounted on the upper end of the housing 41 and rotates the wheel mount 42 in the direction indicated by the arrow 42a, and a moving base 45 on which the unit housing 41 is mounted are provided. The grinding wheel 43 includes an annular grinding wheel base 431 and a grinding wheel 432 for finish grinding mounted on the lower surface of the grinding wheel base 431.

上記移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における仕上げ研削ユニット４は、上記移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ研削ホイール４３を研削送りする研削送り送り機構４６を具備している。研削送り送り機構４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基４６５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備しており、パルスモータ４６２によって雄ねじロッド４６１を正転および逆転駆動することにより、仕上げ研削ユニット４を上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる。 Guided rails 451 and 451 are provided on the moving base 45, and the guided rails 451 and 451 are movably fitted to the guide rails 23 and 23 provided on the stationary support plate 21. The finish grinding unit 4 is supported so as to be movable in the vertical direction. The finish grinding unit 4 in the illustrated form includes a grinding feed mechanism 46 that moves the moving base 45 along the guide rails 23 and 23 and feeds the grinding wheel 43 by grinding. The grinding feed mechanism 46 includes a male screw rod 461 that is disposed on the stationary support plate 21 in a vertical direction parallel to the guide rails 23 and 23 and is rotatably supported, and a pulse motor for driving the male screw rod 461 to rotate. 462 and a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 465 and screwed with the male screw rod 461. By driving the male screw rod 461 forward and backward by a pulse motor 462, the finish grinding unit 4 is moved up and down. It is moved in the direction (direction perpendicular to the holding surface of the chuck table described later).

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２上（保持面）に載置されたウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図１に示すように図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することによりウエーハ搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよびウエーハ搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a turntable 5 disposed so as to be substantially flush with the upper surface of the apparatus housing 2 on the front side of the stationary support plate 21. The turntable 5 is formed in a relatively large-diameter disk shape, and is appropriately rotated in a direction indicated by an arrow 5a by a rotation driving mechanism (not shown). In the illustrated embodiment, three chuck tables 6 are arranged on the turntable 5 so as to be rotatable in a horizontal plane with a phase angle of 120 degrees. The chuck table 6 includes a disk-shaped base 61 and a suction holding chuck 62 formed in a disk shape by a porous ceramic material, and a wafer placed on the suction holding chuck 62 (holding surface) is not shown. Suction is held by operating the suction means. The chuck table 6 configured as described above is rotated in a direction indicated by an arrow 6a by a rotation driving mechanism (not shown) as shown in FIG. The three chuck tables 6 arranged on the turntable 5 have a wafer carry-in / out area A, a rough grinding area B, a finish grinding area C, and a wafer carry-in / out area when the turntable 5 is appropriately rotated. A is moved sequentially to A.

図示の研削装置は、ウエーハ搬入・搬出域Ａに対して一方側に配設され研削加工前のウエーハをストックする第１のカセット７と、ウエーハ搬入・搬出域Ａに対して他方側に配設され研削加工後のウエーハをストックする第２のカセット８と、第１のカセット７とウエーハ搬入・搬出域Ａとの間に配設され第１のカセット７から搬出されたウエーハを載置する保持テーブル機構９と、該保持テーブル機構９の上方に配置され保持テーブル機構９に保持されたウエーハを撮像する撮像手段１１と、ウエーハ搬入・搬出域Ａと第２のカセット８との間に配設されたスピンナー洗浄手段１２と、第１のカセット７内に収納されたウエーハを保持テーブル機構９に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１２で洗浄されたウエーハを第２のカセット８に搬送するウエーハ搬送手段１３と、保持テーブル９上に載置されたウエーハをウエーハ搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送するウエーハ搬入手段１４と、ウエーハ搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後のウエーハを洗浄手段１２に搬送するウエーハ搬出手段１５を具備している。 The illustrated grinding apparatus is disposed on one side with respect to the wafer loading / unloading area A, and is disposed on the other side with respect to the wafer loading / unloading area A. The first cassette 7 stocks the wafer before grinding. And a second cassette 8 for stocking the wafer after grinding, and a holder placed between the first cassette 7 and the wafer loading / unloading area A for placing the wafer unloaded from the first cassette 7. Arranged between the table mechanism 9, the image pickup means 11 for imaging the wafer disposed above the holding table mechanism 9 and held by the holding table mechanism 9, and the wafer loading / unloading area A and the second cassette 8. The spinner cleaning means 12 and the wafer housed in the first cassette 7 are carried out to the holding table mechanism 9 and the wafer cleaned by the spinner cleaning means 12 is stored in the second cassette 8. Wafer carrying means 13 for feeding, wafer carrying means 14 for carrying the wafer placed on the holding table 9 onto the chuck table 6 positioned in the wafer carry-in / out area A, and positioned in the wafer carry-in / out area A Wafer unloading means 15 for conveying the wafer after grinding mounted on the chuck table 6 to the cleaning means 12 is provided.

上記第１のカセット７には、図２に示す半導体ウエーハが収容される。図２に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが７００μmのシリコンウエーハからなっており、表面１０ａに複数のストリート１０１が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、デバイス１０２が形成されているデバイス領域１０４と、該デバイス領域１０４を囲繞する外周余剰領域１０５を備えている。なお、外周余剰領域１０５の幅は、２〜３mmに設定されている。このように構成された半導体ウエーハ１０は、図３に示すように表面１０ａに保護部材１００が貼着された状態で第１のカセット７に複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハ１０は、裏面１０bを上側にして収容される。 The first cassette 7 accommodates the semiconductor wafer shown in FIG. The semiconductor wafer 10 shown in FIG. 2 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 101 are formed in a lattice shape on the surface 10a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 101 are formed. A device 102 such as an IC or LSI is formed in the region. The semiconductor wafer 10 configured as described above includes a device region 104 in which the device 102 is formed and an outer peripheral surplus region 105 surrounding the device region 104. The width of the outer peripheral surplus region 105 is set to 2 to 3 mm. A plurality of semiconductor wafers 10 configured as described above are accommodated in the first cassette 7 with the protective member 100 adhered to the surface 10a as shown in FIG. At this time, the semiconductor wafer 10 is accommodated with the back surface 10b facing upward.

上記保持テーブル機構９は、図４に示すように上面が保持面９１aとして機能する保持テーブル９１と、該保持テーブル９１の下面中心に設けられた回転軸９２と、該回転軸９２を回転せしめるパルスモータ９３とからなっており、該パルスモータ９３の駆動軸９３１と回転軸９２が伝動連結されている。なお、保持テーブル９１には保持面９１aに開口する吸引孔９１１が設けられており、この吸引孔９１１が図示しない吸引手段に連通されている。保持テーブル機構９を構成するパルスモータ９３の駆動軸９３１には、保持テーブル９１の回動位置を検出するテーブル位置検出手段としてのロータリーエンコーダ９４が装着されており、このロータリーエンコーダ９４はその検出信号を後述する制御手段に送る。 As shown in FIG. 4, the holding table mechanism 9 includes a holding table 91 whose upper surface functions as a holding surface 91a, a rotating shaft 92 provided at the center of the lower surface of the holding table 91, and a pulse for rotating the rotating shaft 92. The drive shaft 931 and the rotating shaft 92 of the pulse motor 93 are transmission-coupled. The holding table 91 is provided with a suction hole 911 that opens in the holding surface 91a, and the suction hole 911 communicates with a suction means (not shown). The drive shaft 931 of the pulse motor 93 constituting the holding table mechanism 9 is equipped with a rotary encoder 94 as table position detecting means for detecting the rotation position of the holding table 91. The rotary encoder 94 detects the detection signal. Is sent to the control means described later.

上記撮像手段１１は、図１に示すように保持テーブル機構９に隣接して配設された支持部材１１０に取り付けられている。この撮像手段１１は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、保持テーブル９１の保持面９１a上に載置されたウエーハの外周部を撮像するようになっている。このように構成された撮像手段１１は、図５に示すように撮像した画像情報を制御手段２００に送る。 The imaging means 11 is attached to a support member 110 disposed adjacent to the holding table mechanism 9 as shown in FIG. The imaging unit 11 includes an illuminating unit that illuminates a workpiece, an optical system that captures an area illuminated by the illuminating unit, an imaging device (CCD) that captures an image captured by the optical system, and the like. The outer peripheral part of the wafer placed on the holding surface 91a of the holding table 91 is imaged. The imaging unit 11 configured as described above sends the captured image information to the control unit 200 as shown in FIG.

上記ウエーハ搬送手段１３は、保持部材としてのハンド１３１を多節リンク１３２によって作動するように構成されている。このウエーハ搬送手段１３は後述する制御手段によって制御され、第１のカセット７内に収納されたウエーハをハンド１３１で保持し保持テーブル９１に搬出する。また、ウエーハ搬送手段１３は後述する制御手段によって制御され、スピンナー洗浄手段１２で洗浄されたウエーハをハンド１３１で保持し第２のカセット８に搬送する。 The wafer transport means 13 is configured to operate a hand 131 as a holding member by a multi-node link 132. The wafer transport means 13 is controlled by a control means to be described later, and holds the wafer stored in the first cassette 7 by the hand 131 and carries it out to the holding table 91. The wafer transport unit 13 is controlled by a control unit to be described later, and holds the wafer cleaned by the spinner cleaning unit 12 by the hand 131 and transports it to the second cassette 8.

上記ウエーハ搬入手段１４は、図５に示すようにパルスモータ１４１の駆動軸１４１aに伝動連結された回転１４２と、該回転軸１４２に一端が連結された作動アーム１４３と、該作動アーム１４３の他端に装着された保持部材としての吸引パッド１４４とからなっており、吸引パッド１４４が図示しない吸引手段に連通されている。このように構成されたウエーハ搬入手段１４は、作動アーム１４３が回転軸１４２を中心として旋回され、該作動アーム１４３の他端に装着された吸引パッド１４４の中心の移動軌跡が上記保持テーブル機構９を構成する保持テーブル９１の回転中心と上記ウエーハ搬入・搬出域Ａに位置付けられた上記チャックテーブル６の回転中心を通るように構成されている。 As shown in FIG. 5, the wafer carry-in means 14 includes a rotation 142 that is transmitted and connected to a drive shaft 141 a of a pulse motor 141, an operating arm 143 that has one end connected to the rotating shaft 142, and other than the operating arm 143. The suction pad 144 is a holding member attached to the end, and the suction pad 144 communicates with a suction means (not shown). In the wafer carry-in means 14 configured in this way, the operating arm 143 is turned around the rotation shaft 142, and the movement trajectory of the suction pad 144 attached to the other end of the operating arm 143 indicates the holding table mechanism 9. And the center of rotation of the chuck table 6 positioned in the wafer loading / unloading area A.

図５を参照して説明を続けると、図示の実施形態における研削装置は、上記各手段を制御する制御手段２００を具備している。制御手段２００は、上記撮像手段１１やロータリーエンコーダ９４からの検出信号に基づいて上記保持テーブル機構９のパルスモータ９３や上記ウエーハ搬入手段１４のパルスモータ１４１に制御信号を出力する。また、制御手段２００は、上記スピンナー洗浄手段１２、ウエーハ搬送手段１３、ウエーハ搬出手段１５、荒研削ユニット３、仕上げ研削ユニット４、ターンテーブル５、チャックテーブル６等を制御する。 Continuing the description with reference to FIG. 5, the grinding apparatus in the illustrated embodiment includes a control means 200 for controlling each of the above means. The control means 200 outputs a control signal to the pulse motor 93 of the holding table mechanism 9 and the pulse motor 141 of the wafer carry-in means 14 based on detection signals from the imaging means 11 and the rotary encoder 94. Further, the control means 200 controls the spinner cleaning means 12, wafer transport means 13, wafer carry-out means 15, rough grinding unit 3, finish grinding unit 4, turntable 5, chuck table 6, and the like.

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第１のカセット７に収容された研削加工前の半導体ウエーハ１０はウエーハ搬送手段１３のハンド１３１によって保持され上下動作および進退動作により保持テーブル機構９を構成する保持テーブル９の保持面９１a上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動して、半導体ウエーハ１０を保持テーブル９１の保持面９１a上に吸引保持する。 The grinding apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
The pre-grinding semiconductor wafer 10 accommodated in the first cassette 7 is held by the hand 131 of the wafer transfer means 13 and is placed on the holding surface 91a of the holding table 9 constituting the holding table mechanism 9 by the vertical movement and the forward / backward movement. Placed. Then, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 10 on the holding surface 91 a of the holding table 91.

保持テーブル機構９を構成する保持テーブル９１の保持面９１a上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、図６に示すように撮像手段１１を作動して半導体ウエーハ１０の外周部を撮像しつつ保持テーブル機構９を構成するパルスモータ９３を図６において矢印９aで示す方向に回転する。そして、撮像手段１１は、保持テーブル９１が所定回転角度回動する都度撮像して、その画像情報を制御手段２００に送る（撮像工程）。この撮像工程は、保持テーブル９１が１回転する間実施する。一方、パルスモータ９３に配設されたロータリーエンコーダ９４は、所定回転角度回動する都度その検出信号を制御手段２００に送る。制御手段２００は、撮像手段１１からの画像情報に基づいて、半導体ウエーハ１０の外周縁が保持テーブル９１の回転中心P1から最も長い最大値D1と、半導体ウエーハ１０の外周縁がテーブル９１の回転中心P1から最も短い最小値D2を求める。そして、制御手段２００は、最大値D1と最小値D2との間隔S（S＝D1−D2）を求め、この間隔Sの２分の１（S／２）をテーブル９１の回転中心P1と半導体ウエーハ１０の中心P2との変位量として決定し内蔵するメモリに一時格納する（変位量検出工程）。また、制御手段２００は、ロータリーエンコーダ９４からの検出信号に基づいて、半導体ウエーハ１０の上記最大値D1または最小値D2となる外周位置を求め、この外周位置を最大変位位置として決定し内蔵するメモリに一時格納する（最大変位位置検出工程）。なお、半導体ウエーハ１０の上記最大値D1となる外周位置と最小値D2となる外周位置は、保持テーブル９１の回転中心P1を中心として互いに１８０度反対の位置関係となる。従って、撮像手段１１とロータリーエンコーダ９４および制御手段２００は、保持テーブル９１の回転中心と半導体ウエーハ１０の中心との変位量および最大変位位置を検出する変位検出手段として機能する。 If the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the holding surface 91a of the holding table 91 constituting the holding table mechanism 9, the imaging means 11 is operated to hold the outer circumference of the semiconductor wafer 10 while taking an image as shown in FIG. The pulse motor 93 constituting the table mechanism 9 is rotated in the direction indicated by the arrow 9a in FIG. Then, the imaging unit 11 captures an image every time the holding table 91 rotates by a predetermined rotation angle, and sends the image information to the control unit 200 (imaging process). This imaging step is performed while the holding table 91 is rotated once. On the other hand, the rotary encoder 94 disposed in the pulse motor 93 sends a detection signal to the control means 200 every time it rotates by a predetermined rotation angle. Based on the image information from the imaging means 11, the control means 200 determines that the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 10 is the longest maximum value D 1 from the rotation center P 1 of the holding table 91 and the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 10 is the rotation center of the table 91. Find the shortest minimum value D2 from P1. Then, the control means 200 obtains an interval S (S = D1−D2) between the maximum value D1 and the minimum value D2, and halves the interval S (S / 2) from the rotation center P1 of the table 91 and the semiconductor. The amount of displacement with respect to the center P2 of the wafer 10 is determined and temporarily stored in a built-in memory (displacement amount detection step). The control means 200 obtains the outer peripheral position at which the maximum value D1 or the minimum value D2 of the semiconductor wafer 10 is obtained based on the detection signal from the rotary encoder 94, determines this outer peripheral position as the maximum displacement position, and incorporates the memory. (Temporary displacement position detection step). Note that the outer peripheral position where the maximum value D1 and the outer peripheral position where the minimum value D2 of the semiconductor wafer 10 is above are 180 ° opposite to each other about the rotation center P1 of the holding table 91. Therefore, the imaging unit 11, the rotary encoder 94, and the control unit 200 function as a displacement detection unit that detects a displacement amount and a maximum displacement position between the rotation center of the holding table 91 and the center of the semiconductor wafer 10.

上述した撮像工程と変位量検出工程および最大変位位置検出工程を実施したならば、制御手段２００は保持テーブル機構９を構成するパルスモータ９３を駆動して保持テーブル９１を回動し、図７に示すように保持テーブル９１に保持された半導体ウエーハ１０の上記最大値D1となる外周位置を上記ウエーハ搬入手段１４の吸引パッド１４４の中心P3の移動軌跡上に位置付ける（ウエーハの位置付け工程）。この結果、半導体ウエーハ１０の中心P2が吸引パッド１４４の中心の移動軌跡上に位置付けられることになる。そして、制御手段２００は、ウエーハ搬入手段１４のパルスモータ１４１を制御し、吸引パッド１４４の中心P3を半導体ウエーハ１０の中心P2に位置付ける。次に、保持テーブル９１の図示しない吸引手段を作動を停止して半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除するとともに、ウエーハ搬入手段１４の図示しない吸引手段を作動して吸引パッド１４４により半導体ウエーハ１０を吸引保持する。そして、制御手段２００は、ウエーハ搬入手段１４のパルスモータ１４１を制御し、吸引パッド１４４に吸引保持した半導体ウエーハ１０をウエーハ搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０をチャックテーブル６上に吸引保持する。このようにしてチャックテーブル６上に載置された半導体ウエーハ１０は、その中心がチャックテーブル６の中心に位置付けられることになる。従って、上記ウエーハの位置付け工程および吸引パッドの位置付け工程を制御する制御手段２００は、ウエーハの中心と保持テーブルの中心との変位量を補正する補正手段として機能する。
以上のように、上述した変位検出手段およびウエーハの中心と保持テーブルの中心との変位量を補正する補正手段は、チャックテーブル６にウエーハ搬入手段１４によって搬入するウエーハの中心を合わせる中心合わせ手段として機能する。 When the above-described imaging step, displacement amount detection step, and maximum displacement position detection step are performed, the control means 200 drives the pulse motor 93 that constitutes the holding table mechanism 9 to rotate the holding table 91, and FIG. As shown, the outer peripheral position at which the maximum value D1 of the semiconductor wafer 10 held on the holding table 91 is located on the movement locus of the center P3 of the suction pad 144 of the wafer carry-in means 14 (wafer positioning step). As a result, the center P2 of the semiconductor wafer 10 is positioned on the movement locus of the center of the suction pad 144. Then, the control means 200 controls the pulse motor 141 of the wafer carry-in means 14 to position the center P3 of the suction pad 144 at the center P2 of the semiconductor wafer 10. Next, the suction means (not shown) of the holding table 91 is stopped to release the suction holding of the semiconductor wafer 10, and the suction means (not shown) of the wafer carry-in means 14 is operated to suck the semiconductor wafer 10 by the suction pad 144. Hold. The control means 200 controls the pulse motor 141 of the wafer carry-in means 14 so that the semiconductor wafer 10 sucked and held by the suction pad 144 is placed on the suction holding chuck 62 of the chuck table 6 positioned in the wafer carry-in / out area A. Placed. Then, the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 6 by operating a suction means (not shown). Thus, the center of the semiconductor wafer 10 placed on the chuck table 6 is positioned at the center of the chuck table 6. Therefore, the control means 200 for controlling the wafer positioning process and the suction pad positioning process functions as a correction means for correcting the amount of displacement between the center of the wafer and the center of the holding table.
As described above, the displacement detecting means and the correcting means for correcting the amount of displacement between the center of the wafer and the center of the holding table serve as centering means for aligning the center of the wafer carried into the chuck table 6 by the wafer carrying-in means 14. Function.

次に、ウエーハの中心と保持テーブルの中心との変位量を補正する他の実施形態について説明する。
この実施形態においては、制御手段２００は保持テーブル機構９を構成するパルスモータ９３を駆動して保持テーブル９１を回動し、図８に示すように保持テーブル９１に保持された半導体ウエーハ１０の上記最大値D1となる外周位置を上記ウエーハ搬送手段１３のハンド１３１の移動軌跡に位置付ける（ウエーハの位置付け工程）。そして、制御手段２００は、ウエーハ搬送手段１３を制御し、ハンド１３１で半導体ウエーハ１０を保持して保持テーブル９１の回転中心P1と半導体ウエーハ１０の中心P2との変位量（S／２）分だけ移動することにより、保持テーブル９１の回転中心P1に半導体ウエーハ１０の中心P2を合わせる（中心合わせ工程）。このようにして、保持テーブル９１の回転中心P1に半導体ウエーハ１０の中心P2が合致したならば、半導体ウエーハ１０は保持テーブル９１の中心と搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の中心間を移動するウエーハ搬入手段１４の吸引パッド１４４に保持されて搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に搬送される。このようにしてチャックテーブル６上に載置された半導体ウエーハ１０は、その中心がチャックテーブル６の中心に位置付けられることになる。従って、上記ウエーハの位置付け工程および中心合わせ工程を制御する制御手段２００は、ウエーハの中心と保持テーブルの中心との変位量を補正する補正手段として機能する。 Next, another embodiment for correcting the amount of displacement between the center of the wafer and the center of the holding table will be described.
In this embodiment, the control means 200 drives the pulse motor 93 constituting the holding table mechanism 9 to rotate the holding table 91, and the semiconductor wafer 10 held on the holding table 91 as shown in FIG. The outer peripheral position having the maximum value D1 is positioned on the movement locus of the hand 131 of the wafer transport means 13 (wafer positioning step). Then, the control means 200 controls the wafer transport means 13 to hold the semiconductor wafer 10 with the hand 131, and the amount of displacement (S / 2) between the rotation center P 1 of the holding table 91 and the center P 2 of the semiconductor wafer 10. By moving, the center P2 of the semiconductor wafer 10 is aligned with the rotation center P1 of the holding table 91 (centering step). Thus, if the center P2 of the semiconductor wafer 10 coincides with the rotation center P1 of the holding table 91, the semiconductor wafer 10 is located between the center of the holding table 91 and the center of the chuck table 6 positioned in the loading / unloading area A. Is transported onto the suction holding chuck 62 of the chuck table 6 which is held by the suction pad 144 of the wafer carry-in means 14 that moves through the chuck table 6 positioned in the carry-in / carry-out area A. Thus, the center of the semiconductor wafer 10 placed on the chuck table 6 is positioned at the center of the chuck table 6. Therefore, the control means 200 for controlling the wafer positioning process and the centering process functions as a correction means for correcting the amount of displacement between the center of the wafer and the center of the holding table.

上述したように、ウエーハ搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の上面（保持面）に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハ１０を載置したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。ここで、チャックテーブル６に保持された半導体ウエーハ１０と研削ホイール３３を構成する荒研削用の研削砥石３３２の関係について、図９を参照して説明する。チャックテーブル６の回転中心P4と研削砥石３３２の回転中心P5は偏芯しており、研削砥石３３２の外径は、半導体ウエーハ１０のデバイス領域１０４と余剰領域１０５との境界線１０６の直径より小さく境界線１０６の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石３３２がチャックテーブル６の回転中心P4（半導体ウエーハ１０の中心P2）を通過するようになっている。 As described above, when the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the upper surface (holding surface) of the chuck table 6 positioned in the wafer loading / unloading area A, the direction indicated by the arrow 5a by the rotary drive mechanism (not shown). Then, the chuck table 6 on which the semiconductor wafer 10 is placed is positioned in the rough grinding area B. Here, the relationship between the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 6 and the grinding wheel 332 for rough grinding constituting the grinding wheel 33 will be described with reference to FIG. The rotation center P4 of the chuck table 6 and the rotation center P5 of the grinding wheel 332 are eccentric, and the outer diameter of the grinding wheel 332 is smaller than the diameter of the boundary line 106 between the device region 104 and the surplus region 105 of the semiconductor wafer 10. The size is set to be larger than the radius of the boundary line 106, and the annular grinding wheel 332 passes through the rotation center P 4 of the chuck table 6 (center P 2 of the semiconductor wafer 10).

次に、図９に示すようにチャックテーブル６を矢印６aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削砥石３３２を矢印３２aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削送り機構３６を作動して研削ホイール３３の研削砥石３３２を半導体ウエーハ１０の裏面に接触させる。そして、研削ホイール３３を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ１０の裏面には、図１０に示すようにデバイス領域１０４に対応する領域が荒研削除去されて所定厚さ（例えば３０μm）より僅かに厚い円形状の凹部１０４bに形成されるとともに、外周余剰領域１０５に対応する領域が残存されて環状の補強部１０５bに形成される（凹部荒研削工程）。 Next, as shown in FIG. 9, while rotating the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 6a at 300 rpm and rotating the grinding wheel 332 in the direction indicated by the arrow 32a at 6000 rpm, the grinding feed mechanism 36 is operated to perform grinding. The grinding wheel 332 of the wheel 33 is brought into contact with the back surface of the semiconductor wafer 10. Then, the grinding wheel 33 is ground and fed downward by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed. As a result, on the back surface of the semiconductor wafer 10, as shown in FIG. 10, a region corresponding to the device region 104 is roughly ground and removed to form a circular recess 104b slightly thicker than a predetermined thickness (for example, 30 μm). At the same time, a region corresponding to the outer peripheral surplus region 105 is left and formed in the annular reinforcing portion 105b (concave rough grinding step).

なお、この間にウエーハ搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、研削加工前の半導体ウエーハ１０が上述したように中心位置合わせされて載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０をチャックテーブル６上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。 During this time, on the next chuck table 6 positioned in the wafer loading / unloading area A, the semiconductor wafer 10 before grinding is placed with its center aligned as described above. Then, the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 6 by operating a suction means (not shown). Next, the turntable 5 is rotated 120 degrees in the direction indicated by the arrow 5a, the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 10 subjected to rough grinding is positioned in the finish grinding area C, and the semiconductor before grinding is processed. The chuck table 6 holding the wafer 10 is positioned in the rough grinding area B.

このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ１０の裏面１０bには荒研削ユニット３によって上述した荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハ１０の裏面１０bには仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。 In this way, the rough grinding unit 3 performs the above rough grinding on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 before the rough grinding held on the chuck table 6 positioned in the rough grinding region B, and finishes. A finish grinding unit 4 performs finish grinding on the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 placed on the chuck table 6 positioned in the grinding zone C and subjected to rough grinding.

ここで、仕上げ研削加工について、図１１を参照して説明する。
仕上げ研削用の研削砥石４３２の外径は、上記荒研削用の研削砥石３３２と同一寸法に形成されている。そして、図１１に示すように仕上げ研削用の研削砥石４３２をチャックテーブル６の回転中心P4（半導体ウエーハ１０の中心P2）を通過するように位置付ける。このとき、研削砥石４３２の外周縁は、上記荒研削加工によって形成された環状の補強部１０５bの内周面に接触するように位置付けられる。 Here, finish grinding will be described with reference to FIG.
The outer diameter of the grinding wheel 432 for finish grinding is the same as that of the grinding wheel 332 for rough grinding. Then, as shown in FIG. 11, the grinding wheel 432 for finish grinding is positioned so as to pass through the rotation center P4 of the chuck table 6 (center P2 of the semiconductor wafer 10). At this time, the outer peripheral edge of the grinding wheel 432 is positioned so as to contact the inner peripheral surface of the annular reinforcing portion 105b formed by the rough grinding process.

次に、図１１に示すようにチャックテーブル６を矢印６aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、仕上げ研削用の研削砥石４３２を矢印４２aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削送り機構４６を作動して研削ホイール４３の研削砥石４３２を半導体ウエーハ１０の裏面に形成された円形状の凹部１０４bの底面に接触させる。そして、研削ホイール４３を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ１０の裏面に形成された円形状の凹部１０４bの底面が仕上げ研削され、デバイス領域１０４に対応する領域は所定厚さ（例えば３０μm）に形成される（凹部仕上げ研削工程）。 Next, as shown in FIG. 11, while rotating the chuck table 6 at 300 rpm in the direction indicated by the arrow 6a, the grinding wheel 432 for finish grinding is rotated at 6000 rpm in the direction indicated by the arrow 42a, and the grinding feed mechanism 46 is moved. By operating, the grinding wheel 432 of the grinding wheel 43 is brought into contact with the bottom surface of the circular recess 104b formed on the back surface of the semiconductor wafer 10. Then, the grinding wheel 43 is ground and fed downward by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed. As a result, the bottom surface of the circular recess 104b formed on the back surface of the semiconductor wafer 10 is finish-ground, and the region corresponding to the device region 104 is formed to a predetermined thickness (for example, 30 μm) (recess finish grinding step).

以上のようにして、荒研削加工および仕上げ研削加工される半導体ウエーハ１０は、中心が上述したようにチャックテーブル６の中心に位置付けられているので、デバイス領域１０４に対応する領域が確実に研削され、環状の補強部１０５bの幅も均一となる。 As described above, since the center of the semiconductor wafer 10 to be subjected to rough grinding and finish grinding is positioned at the center of the chuck table 6 as described above, a region corresponding to the device region 104 is reliably ground. The width of the annular reinforcing portion 105b is also uniform.

上述したように、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル６は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１０の吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１０は、被加工物搬出手段１５によって洗浄手段１２に搬出される。洗浄手段１２に搬送された半導体ウエーハ１０は、ここで裏面１０a（研削面）および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハ１０は、被加工物搬送手段１３によって第２のカセット８に搬送され収納される。 As described above, the chuck table 6 holding the semiconductor wafer 10 that has been subjected to rough grinding in the rough grinding region B receives the semiconductor wafer 10 before grinding in the finish grinding region C and the workpiece loading / unloading region A. The held chuck table 6 is moved to the rough grinding area B, respectively. The chuck table 6 that has returned to the workpiece loading / unloading zone A via the rough grinding zone B and the finish grinding zone C releases the suction holding of the semiconductor wafer 10 that has been ground here. Then, the finish-ground semiconductor wafer 10 on the chuck table 6 positioned in the workpiece carry-in / carry-out area A is carried out by the workpiece carry-out means 15 to the cleaning means 12. The semiconductor wafer 10 transported to the cleaning means 12 is spin-dried while the grinding debris adhering to the back surface 10a (grinding surface) and the side surface is cleaned and removed here. The semiconductor wafer 10 thus cleaned and spin-dried is transported and stored in the second cassette 8 by the workpiece transport means 13.

本発明に従って構成された研削装置の斜視図。1 is a perspective view of a grinding apparatus constructed according to the present invention. 図１に示す研削装置によって加工される半導体ウエーハの斜視図。The perspective view of the semiconductor wafer processed with the grinding apparatus shown in FIG. 図２に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a state where a protective member is attached to the surface of the semiconductor wafer shown in FIG. 2. 図１に示す研削装置に装備される保持テーブル機構の斜視図。The perspective view of the holding table mechanism with which the grinding apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す研削装置に装備される保持テーブル機構とウエーハ搬入手段および制御手段の構成ブロック図。FIG. 2 is a configuration block diagram of a holding table mechanism, wafer carry-in means, and control means provided in the grinding apparatus shown in FIG. 図１に示す研削装置によって実施される変位量検出工程および最大変位位置検出工程の説明図。Explanatory drawing of the displacement amount detection process implemented by the grinding apparatus shown in FIG. 1, and a maximum displacement position detection process. 図１に示す研削装置によって実施されるウエーハの位置付け工程および吸引パッドの位置付け工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer positioning process and the suction pad positioning process implemented by the grinding apparatus shown in FIG. 図１に示す研削装置によって実施されるウエーハの位置付け工程および中心合わせ工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer positioning process and centering process implemented by the grinding apparatus shown in FIG. 図１に示す研削装置によって実施される凹部荒研削工程の示す説明図。Explanatory drawing which shows the recessed part rough grinding process implemented by the grinding apparatus shown in FIG. 図９に示す凹部荒研削工程が実施された半導体ウエーハの拡大断面図。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor wafer on which the concave rough grinding step shown in FIG. 図１に示す研削装置によって実施される凹部仕上げ研削工程の示す説明図。Explanatory drawing which shows the recessed part finish grinding process implemented by the grinding apparatus shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：荒研削ユニット
３３：研削ホイール
３３２：研削砥石
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
４３２：研削砥石
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：第１のカセット
８：第２のカセット
９：保持テーブル機構
９１：保持テーブル
９３：パルスモータ
９４：ロータリーエンコーダ
１０：半導体ウエーハ
１１：撮像手段
１２：洗浄手段
１３：ウエーハ搬送手段
１３１：ハンド
１４：ウエーハ搬入手段
１４１：パルスモータ
１４４：吸引パッド
２００：制御手段 2: device housing 3: rough grinding unit 33: grinding wheel 332: grinding wheel 4: finish grinding unit 43: grinding wheel 432: grinding wheel 5: turntable 6: chuck table 7: first cassette 8: second cassette 9: Holding table mechanism 91: Holding table 93: Pulse motor 94: Rotary encoder 10: Semiconductor wafer 11: Imaging means 12: Cleaning means 13: Wafer conveying means 131: Hand 14: Wafer carrying means 141: Pulse motor 144: Suction pad 200: Control means

Claims

ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する研削手段と、ウエーハを保持する保持部材を備え該保持部材によってウエーハを保持して該チャックテーブルに搬入するウエーハ搬入手段と、を具備する研削装置において、
該ウエーハ搬入手段によって搬入するウエーハの中心を合わせる中心合わせ手段を備えており、
該中心合わせ手段は、ウエーハを保持し回転可能に構成された保持テーブルと該保持テーブルの回動位置を検出するテーブル位置検出手段を備えた保持テーブル機構と、該保持テーブルに保持されたウエーハの外周領域を撮像する撮像手段と、該撮像手段によって撮像された画像情報に基づいて該保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量および最大変位位置を検出する変位検出手段と、該変位検出手段によって検出された該保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量を補正する補正手段と、を具備し、
該変位検出手段は、該撮像手段によって撮像されたウエーハの外周縁の最大値と最小値を求め、該最大値と最小値との間隔Sの２分の１（S／２）を該保持テーブルの回転中心と半導体ウエーハの中心との変位量として決定するとともに、該最大値または最小値となる外周位置を最大変位位置として決定し、
該補正手段は、該保持テーブルを回動し該保持テーブルに保持されたウエーハの該最大変位位置を該ウエーハ搬入手段の該保持部材の移動軌跡上に位置付け、該ウエーハ搬入手段の該保持部材の中心をウエーハの中心に位置付けて、該保持部材によってウエーハを保持する、
ことを特徴とする研削装置。 A chuck table for holding a wafer, a grinding means for grinding a wafer held by the chuck table, a wafer carrying means for holding a wafer by the holding member and carrying the wafer to the chuck table by a holding member for holding the wafer In a grinding apparatus comprising:
A centering means for aligning the center of the wafer carried by the wafer carrying means;
The centering means includes a holding table configured to hold and rotate a wafer, a holding table mechanism having a table position detecting means for detecting a rotation position of the holding table, and a wafer held by the holding table. An image pickup means for picking up an outer peripheral area, a displacement detection means for detecting a displacement amount and a maximum displacement position between the rotation center of the holding table and the center of the semiconductor wafer based on image information picked up by the image pickup means, and the displacement anda correction means for correcting the amount of displacement of the center of the rotation center of the semiconductor wafer of the detected said holding table by the detection means,
The displacement detection means obtains a maximum value and a minimum value of the outer periphery of the wafer imaged by the imaging means, and a half (S / 2) of an interval S between the maximum value and the minimum value is the holding table. As the amount of displacement between the rotation center of the semiconductor wafer and the center of the semiconductor wafer, and the outer peripheral position that becomes the maximum value or the minimum value is determined as the maximum displacement position,
The correction means rotates the holding table and positions the maximum displacement position of the wafer held on the holding table on the movement locus of the holding member of the wafer carry-in means. The center is positioned at the center of the wafer, and the wafer is held by the holding member.
A grinding apparatus characterized by that.