JP5355859B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
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Description
(1) 縦バイアス印加層20のセンサ膜に面する端部が自由層16のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置すること
(2) センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、縦バイアス印加層20の下面がセンサ膜の下面よりも下方に位置すること
(3) 縦バイアス印加層20はセンサ膜近傍までほぼ同様な厚さを維持していること
(4) センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、下部シールド層11とトラック幅方向絶縁層22との界面は、そのセンサ膜側面の凹面形状と連続的につながる傾斜を有した緩やかな凹面形状を有すること
(5) 自由層のトラック幅方向端部のセンサ膜近傍の形状は、上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であること
Claims (13)
- 下部シールド層と、
上部シールド層と、
前記下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、
前記センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、
前記縦バイアス印加層の前記センサ膜に面する端部が前記自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、
前記センサ膜のトラック幅方向に離れた領域に位置する前記下部シールド層の上面は、前記センサ膜のトラック幅方向側面と連続的につながる傾斜形状を有し、
前記センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、前記縦バイアス印加層の下面が前記センサ膜の直下にある前記下部シールド層の上面よりも下方に位置し、
前記センサ膜の膜面に垂直方向にセンス電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 請求項1記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅中心から2μm離れた位置から、前記自由層のトラック幅方向端部から40nm離れた位置までにおいて、前記縦バイアス印加層の厚さの最小値が最大値の75%以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅方向端部から40nm離れた位置よりも前記センサ膜側において、前記縦バイアス印加層の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項2記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記上部シールド層の下面が媒体対向面において略平坦な直線であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 下部シールド層と、
上部シールド層と、
前記下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、
前記センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、
前記センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、
前記縦バイアス印加層の前記センサ膜に面する端部が前記自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、
前記センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、前記縦バイアス印加層の下面が前記センサ膜直下にある前記下部シールド層の上面よりも下方に位置し、
前記下部シールド層と前記絶縁層との界面は、前記センサ膜のトラック幅方向側面の凹面形状と連続的につながる傾斜形状を有し、
前記センサ膜の膜面に垂直方向にセンス電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 請求項5記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅中心から2μm離れた位置から、前記自由層のトラック幅方向端部から40nm離れた位置までにおいて、前記縦バイアス印加層の厚さの最小値が最大値の75%以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項6記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅方向端部から40nm離れた位置よりも前記センサ膜側において、前記縦バイアス印加層の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 下部シールド層と、
上部シールド層と、
前記下部シールド層と上部シールド層の間に形成された、固定層と中間層と自由層の積層膜を含む磁気抵抗効果センサ膜と、
前記センサ膜のトラック幅方向両脇に絶縁層を介して形成された縦バイアス印加層とを有し、
前記縦バイアス印加層の前記センサ膜に面する端部が前記自由層のトラック幅方向の端部よりトラック幅方向外側に位置し、
前記センサ膜からトラック幅方向に離れた領域で、前記縦バイアス印加層の下面が前記センサ膜直下にある前記下部シールド層の上面よりも下方に位置し、
前記自由層のトラック幅方向端部から40nmの位置よりセンサ膜側の領域における前記縦バイアス印加層の平均的な高さと、前記自由層の平均的な高さとの差が8nm以下であり、
前記センサ膜の膜面に垂直方向にセンス電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 請求項8記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記センサ膜のトラック幅方向に離れた領域に位置する前記下部シールド層の上面は、前記センサ膜のトラック幅方向側面と連続的につながる傾斜形状を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項8記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記センサ膜のトラック幅方向側面は凹面形状を有し、前記下部シールド層と前記絶縁層との界面は、前記凹面形状と連続的につながる傾斜形状を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項8記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅中心から2μm離れた位置から、前記自由層のトラック幅方向端部から40nm離れた位置までにおいて、前記縦バイアス印加層の厚さの最小値が最大値の75%以上であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項11記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記自由層のトラック幅方向端部から40nm離れた位置よりも前記センサ膜側において、前記縦バイアス印加層の上部輪郭形状が上に凸形状で、下部輪郭形状が下に凸形状であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
- 請求項11記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記上部シールド層の下面が媒体対向面において略平坦な直線であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
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