JP5334204B2 - リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の制御方法 - Google Patents
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Description
基板を支持するように構成された基板テーブルと、
パターン付放射ビームを基板上に誘導するように構成された投影システムと、
投影システムと基板又は基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込めるように構成された液体ハンドリングシステムと、
基板及び/又は基板テーブルの予め画定された領域が液体ハンドリングシステムの下にある時に液体ハンドリングシステムに対する基板及び/又は基板テーブルの移動中に装置の動作状態を調整するコントローラとを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
パターン付放射ビームを液体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通して基板上に投影するように構成された投影システムに対して基板を支持する基板テーブルを移動させるステップと、
基板及び/又は基板テーブルの予め画定された領域が液体ハンドリングシステムの下にある時に液体ハンドリングシステムに対する基板及び/又は基板テーブルの移動中に装置の動作状態を調整するステップとを含む方法が提供される。
− 放射ビームB(例えばUV放射又はDUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
1.スキャンの開始点又はスキャンの終了点(あるいはその両方)が図8の網掛け部分にあり、且つ別の条件下にある場合。
2.開始及び終了位置を評価することで、スキャンが中心から縁部へ向かって又は縁部の上に外向きになっていない場合:「スキャンが外向き」は、以下のように定義される。
a.アップスキャンの場合、開始位置のy座標が正である。
b.ダウンスキャンの場合、開始位置のy座標が負である(基板Wの中心が原点である)。
1.スキャンの開始点又はスキャンの終了点(あるいはその両方)が、図8の網掛け部分にあり、且つ別の条件下にある場合。
2.開始及び終了位置を評価することで、スキャンが中心から縁部へ向かって又は縁部の上に内向きになっている場合:「スキャンが内向き」は、以下のように定義される。
c.アップスキャンの場合、開始位置のy座標が負である。
d.ダウンスキャンの場合、開始位置のy座標が正である(基板Wの中心が原点である)。
10 P1が楕円1の外側にあり、且つ
11 P2が楕円2の内側にあり、且つ
12 Uが「真」であり
o スキャンNがアップスキャンの場合。
v スキャン方向のスキャン速度
a スキャン方向の段階加速度
τ 加速後の整定時間
Yslit 露光スリットの幅(95%強度プロファイルで決定)
DAK ガスナイフの直径
Δy 泡の拡散
y フィールド内の液滴の位置
Claims (12)
- 液浸リソグラフィ装置であって、
基板を支持する基板テーブルと、
パターン付けられた放射ビームを前記基板上に誘導する投影システムと、
前記投影システムと前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方との間に画定された空間に液浸液を供給し閉じ込める液体ハンドリングシステムと、
前記基板及び/又は前記基板テーブルの予め画定された領域が前記液体ハンドリングシステムの下にある時に、前記装置の少なくとも1つの動作条件を、前記基板及び/又は前記基板テーブルの前記液体ハンドリングシステムに対する移動の間に調整するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記少なくとも1つの動作条件を別の条件が満たされた時にのみ調整し、
前記別の条件は、前記液体ハンドリングシステムに対する前記予め画定された領域の運動が、前記液体ハンドリングシステムの基準フレーム内でフィーチャが前記液体ハンドリングシステムから遠ざかるような方向であり、
前記フィーチャは、前記基板の縁部、又は前記基板テーブルに配置されたセンサの縁部である、液浸リソグラフィ装置。 - 前記コントローラは、前記少なくとも1つの動作条件を、少なくとも部分的に第1の予め画定された領域内にあるダイの結像運動中に調整するか又は少なくとも部分的に第2の予め画定された領域内の隣接するダイ間のステップ運動中に調整するか、あるいはその両方を調整する、請求項1に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記第1及び/又は第2の予め画定された領域が、前記基板の縁部にある又は前記基板の縁部から固定半径距離にある、請求項2に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記予め画定された領域の縁部が前記基板の縁部から固定半径距離にある、請求項3に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記予め画定された領域が楕円により画定される、請求項1から4のいずれか1項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記少なくとも1つの動作条件が、
前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方と前記液体ハンドリングシステム又は前記投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、
前記液体ハンドリングシステムの底面と前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離と、
前記空間に供給される液浸流体の流量と、
液浸液を抽出するために使用する加圧源のレベルと、
前記液体ハンドリングシステムのガスナイフで使用するガス流量と、
前記基板の表面に対する前記液体ハンドリングシステムの下面の角度と、
前記液体ハンドリングシステムの底面の開口から流出する液体の流体流量と、
移動方向に対する角位置に依存する開口への又は開口からの流体流量の変化と、
スキャン結像運動の開始又は終了時の前記基板に対する前記液体ハンドリングシステムの位置と後続のスキャン結像運動に先立つ前記基板に対する前記液体ハンドリングシステムのスキャン結像運動の方向の最も遠い位置との間の距離の変化とを含むグループから選択される1つ又は複数の動作条件である、請求項1から5のいずれか1項に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記少なくとも1つの動作条件が、前記液体ハンドリングシステムの少なくとも1つの動作条件を含む、請求項1又は2に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記液体ハンドリングシステムの少なくとも1つの動作条件が、
前記液体ハンドリングシステムの開口を通過する流体流量と、
前記投影システム及び/又は基板及び/又は基板テーブルに対する前記液体ハンドリングシステムの向きと、
前記投影システム及び/又は基板及び/又は基板テーブルに対する前記液体ハンドリングシステムの距離とを含むグループから選択される1つ又は複数の動作条件である、請求項7に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 前記少なくとも1つの動作条件が、前記液体ハンドリングシステム又は前記投影システムあるいはその両方に対して基板又は前記基板テーブルあるいはその両方を位置決めする位置決めシステムの少なくとも1つの動作条件を含む、請求項1から8のいずれか1項に記載の液浸リソグラフィ装置。
- 前記位置決めシステムの前記少なくとも1つの動作条件が、
前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方と前記液体ハンドリング構造又は投影システムあるいはその両方との間の相対移動速度と、
前記基板の表面に対する前記液体ハンドリングシステムの下面の角度と、
前記液体ハンドリングシステムの底面と前記基板又は前記基板テーブルあるいはその両方の上面との間の距離とを含むグループから選択される1つ又は複数の動作条件である、
請求項9に記載の液浸リソグラフィ装置。 - 追加の別の条件が、
結像運動が、結像方向に垂直な基板の対称軸に向かい、前記基板の上面の平面内で行われるということと、
結像運動の開始又は終了時の位置と隣接するステップ運動中の結像方向の最も遠い位置との間の距離が、既定の範囲内に含まれるということと、
結像運動及び/又はステップ運動が、前記基板の中心位置からある角度範囲内にあるということと、
前記液体ハンドリングシステムの下を通過する細長いフィーチャと前記細長いフィーチャの移動方向との間の角度が、平面視で既定の範囲内に含まれるということと、
前記基板の物理特性が、既定の範囲内に含まれるということと、
前記基板上のダイの場所が、既定の領域内に含まれるということと、
1つのダイの終端と次のダイの先端との間の運動の長さが、既定の値より大きいということとを含むグループから選択される1つ又は複数の条件である、請求項1から10のいずれか1項に記載の液浸リソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置の操作方法であって、
パターン付けられた放射ビームを液体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通して基板上に投影する投影システムに対して、基板を支持する基板テーブルを移動させるステップと、
前記基板及び/又は基板テーブルの予め画定された領域が前記液体ハンドリングシステムの下にある時に、且つ別の条件が満たされた時にのみ、前記装置の少なくとも1つの動作状態を、前記基板及び/又は基板テーブルの前記液体ハンドリングシステムに対する移動の間に調整するステップと、を含み、
前記別の条件は、前記液体ハンドリングシステムに対する前記予め画定された領域の運動が、前記液体ハンドリングシステムの基準フレーム内でフィーチャが前記液体ハンドリングシステムから遠ざかるような方向であり、
前記フィーチャは、前記基板の縁部、又は前記基板テーブルに配置されたセンサの縁部である、方法。
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