JP5318545B2 - ウエーハ加工方法 - Google Patents
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Description
4,5 ストリート
6 デバイス
7 レーザ加工溝
8 熱歪
10 制御手段
20 レーザ加工装置
21 保持手段
22 パルスレーザビーム照射手段
29 加工送り手段
B,B1,B2 パルスレーザビーム
T 間隔
Claims (3)
- サファイア基板の表面に窒化物半導体層が形成され格子状に配列された複数のストリートによって形成された複数の領域に発光デバイスが形成されたウエーハに、該ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを前記ストリートに沿って照射することによりウエーハに外力を加えて分割するためのレーザ加工溝を形成するウエーハ加工方法であって、
ウエーハに対してパルスレーザビームを順次照射してアブレーション加工により前記レーザ加工溝を連続的に形成する際に、先行するパルスレーザビームの照射による前記レーザ加工溝の形成に伴い該レーザ加工溝の底部から成長するように形成される熱歪を打ち消さない間隔をあけて後続のパルスレーザビームを照射させるようにし、
前記レーザ出力が23Wで、かつ前記繰返し周波数が200kHzである場合には、前記相対移動速度が300mm/s以上でかつ600mm/s以下であり、
前記レーザ出力が62Wで、かつ前記繰返し周波数が90kHzである場合には、前記相対移動速度が150mm/s以上でかつ450mm/s以下であることを特徴とするウエーハ加工方法。 - パルスレーザビームを照射して前記レーザ加工溝を形成する工程の完了後に、ウエーハに外力を加えてウエーハを分割する分割工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のウエーハ加工方法。
- 前記分割工程は、パルスレーザビームを照射して前記レーザ加工溝を形成する工程の完了後、24時間以内に実行させることを特徴とする請求項2に記載のウエーハ加工方法。
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