JP5311609B2 - シリコンインターポーザの製造方法およびシリコンインターポーザと、これを用いた半導体装置用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
このような配線基板と半導体素子の熱膨張率の相違に起因する不具合を解消するため、配線基板と半導体素子との間に半導体素子と同じ材料からなるシリコン板を介在させて、シリコン板を配線基板と半導体素子との間で互いの熱膨張率の相違により発生する応力を緩和させつつ、互いを電気的に接続するいわゆるシリコンインターポーザが知られている。
また、前記貫通孔には、前記低熱膨張充てん材が一粒収容され、前記貫通孔と前記低熱膨張充てん材との間隙部分が前記導電体によって充てんされた構成にすることもできる。
さらには、前記貫通孔には、前記貫通孔の高さ寸法と同程度の高さ寸法に形成された針状の低熱膨張充てん材が収容され、前記貫通孔と前記針状の低熱膨張充てん材との間隙部分が前記導電体によって充てんされた構成を採用することもできる。
さらには、上記いずれかのシリコンインターポーザを介在して、半導体素子と配線基板とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置もある。
また、貫通孔には導電体以外の充てん材が充てんされているため、貫通電極の導電体を電解めっきにより充てんする際のめっき時間を大幅に短縮することができるといった効果も得られ、効率的にシリコンインターポーザと、これを用いた半導体装置用パッケージおよび半導体装置を製造することができる。
以下、本発明にかかるシリコンインターポーザの実施形態について、図面に基づいて説明する。図1〜図5は、本実施形態におけるシリコンインターポーザの各製造段階における貫通電極付近の状態を示す断面図である。
次に、図2(b)に示すように貫通孔12内に、シリカ粒15を充てんさせる。図2(b)に示すように、貫通孔12には貫通孔12の高さ方向の全域にわたってシリカ粒15を充てんすることが好ましい。
また、電解銅めっき法を用いて貫通孔12に銅16を充てんしているので、予め貫通孔12にシリカ粒15が充てんされていても、シリカ粒15,15どうしの間隙部分に銅16を密な状態で充てんすることができるため貫通電極17の導通に関して何ら問題はない。このようにして貫通電極17が完成する。本発明による貫通電極17の形成に必要なめっき時間は、貫通電極17を銅16のみで形成していた従来技術におけるめっき時間に対して半分程度の時間に短縮することができるという点においても好都合である。
貫通電極17の導通をとるための銅16の熱膨張係数は、先にも説明したように、(18.3ppm/deg・℃)となっており、貫通電極17と接合する部分における絶縁被膜および絶縁膜である酸化シリコンの熱膨張係数(0.4ppm/deg・℃)に比べて大幅に大きい。そこで、貫通電極17の導電体である銅16に対して低熱膨張係数である低熱膨張充てん材として、シリカ粒15を貫通孔12に充てんすることで貫通電極17全体としての熱膨張係数を低下させている。
本実施形態においては、貫通電極17としての熱膨張係数が(10.0ppm/deg・℃未満)の熱膨張係数となるようにした。貫通電極17全体としての目標熱膨張係数が決定すれば、貫通孔12に充てんすべきシリカ粒15と銅16の容積比を計算により算出することができる。貫通孔12に充てんすべきシリカ粒15の容量が算出されれば、シリカ粒15の粒径寸法を決定することができる。
また、図5(b)に示すように、シリコンインターポーザ30の上面側(半導体素子が搭載される側)を必要に応じて、多層配線24にすることができる。絶縁膜23として酸化シリコン膜を用い、上述した方法と同様の方法によりめっきシード層を形成し、ソルダーレジストを被覆して露光および現像し、レジストパターンを形成した後、電解めっきにより導体層を形成することによって、上層の配線パターンを形成することができる。
絶縁膜23に酸化シリコンを用いることにより、層間の絶縁膜23を平坦にすることができると共に、微細配線の形成による高密度化が可能であるため好都合である。
さらに、図7に示すような半導体装置用パッケージ50の上面の多層配線24の表面に形成されている接続パッド32にはんだ35を塗布し、接続パッド32に金バンプ等の電極62が形成された半導体素子60を搭載し、半導体素子60と半導体装置用パッケージ50とを電気的に接続することにより図8に示すような半導体装置70を得ることができる。
さらにまた、外部接続端子44を介して半導体装置70を図示しないマザーボード等に搭載し、両者を電気的に接続することもできる。
よって、非常に信頼性の高い半導体装置用パッケージ50および半導体装置70とすることができる。
図9は、第2実施形態におけるシリコンインターポーザの貫通電極付近の状態を示す断面図である。
本実施形態においては、貫通孔12に複数個の微細粒からなるシリカ粒15,15,・・・を充てんするのではなく、貫通孔12内に収容可能な径寸法に形成された大粒径のシリカ粒15を1個のみ収容した点が特徴である。本実施形態における構成を採用することにより、シリカ粒15の製造が容易になると共に、貫通孔12へのシリカ粒15の収容作業も容易に行うことができるため好都合である。
図10は、第3実施形態におけるシリコンインターポーザの貫通電極付近の状態を示す断面図である。
本実施形態においては、貫通孔12内に収容可能な寸法に形成された針状体シリカ15Aを収容した点が特徴である。本実施形態における針状体シリカ15Aの高さ寸法は貫通孔12の高さ寸法と同程度の寸法に形成されていることが好ましい。また、図10においては貫通孔12に複数本の針状体シリカ15Aを収容した状態を示しているが、貫通孔12に収容する針状体シリカ15Aは単数本であってもかまわないのはもちろんである。
図11は、第4実施形態におけるシリコンインターポーザの貫通電極付近の状態を示す断面図である。
先の実施形態においては、貫通孔12の高さ方向の全体にわたってシリカ粒15を充てんした後に、電解銅めっき法によりシリカ粒15の間隙部分に銅16を充てん(析出)し、2つの工程により貫通電極17を形成する方法について説明しているが、本実施形態においては、貫通電極17の導電体である銅16と銅16の熱膨張率よりも低熱膨張率の低熱膨張充てん材であるシリカ粒15とを1つの工程で貫通孔12に均等に充てんする点が特徴的である。
本実施形態においては電解めっきを行う際に、めっき浴内に攪拌装置を配設する必要があるものの、貫通孔12にシリカ粒15を充てんする手間を省略することができるため、貫通電極17の形成にかかる手間を大幅に軽減することができ、好都合である。
本実施形態によって得られたシリコンインターポーザ30と、これを用いてなる半導体装置用パッケージ50および半導体装置70は、第1実施形態において説明したシリコンインターポーザ30と、これを用いてなる半導体装置用パッケージ50および半導体装置70(図6〜図8参照)の構成と同一構成とすることができるので、これらの特性もまた、第1実施形態におけるシリコンインターポーザ30と、これを用いてなる半導体装置用パッケージ50および半導体装置70と同様である。
例えば、本実施形態においては、貫通孔12に貫通電極17の導通をとる導電体とこの導電体よりも低熱膨張係数を有する充てん材を充てんする際に、貫通孔12に充てんする銅16よりも低熱膨張係数を有するシリカ粒15,針状体シリカ15Aを予め充てんした後に電解めっき法を用いて貫通電極17を形成する形態(第1実施形態〜第3実施形態)と、銅16とシリカ粒15とを混合しためっき液を用い、めっき液を攪拌しながら電解めっき法によって銅16とシリカ粒15とを貫通孔12に充てんさせる形態(第4実施形態)について説明しているが、これらの貫通電極17の形成方法以外にも、貫通電極17の導通を取るための導電体と、この導電体よりも低熱膨張率の充てん材とを含む導電ペーストを貫通孔12に印刷法により充てんすることで貫通電極を形成する方法を採用することもできる。このように貫通孔12の上部開口端側に印刷法を用いることにより、貫通電極17を平坦化処理する工程を省略することができるため好都合である。
11 薄シリコンウエハ
12 貫通孔
13 酸化シリコン皮膜
14 金属膜
15 シリカ粒
15A 針状体シリカ
16 銅
17 貫通電極
18 めっきシード層
19 ソルダーレジスト
20 レジストパターン
21 導体層
22 配線パターン
23 絶縁膜
24 多層配線
30 シリコンインターポーザ
32 接続パッド
34 外部接続端子
35 はんだ
40 配線基板
42 接続パッド
44 外部接続端子
45 はんだ
50 半導体装置用パッケージ
60 半導体素子
62 電極
70 半導体装置
Claims (9)
- 配線基板と半導体素子との間に介在させて前記配線基板と前記半導体素子とをシリコンウエハに設けた貫通電極を介して電気的に接続するためのシリコンインターポーザであって、
前記シリコンウエハは、めっきシード層を介して形成された配線パターンと絶縁膜とが積層されてなる配線層が形成された第1面と、当該第1面とは反対側の第2面を有し、
前記第1面から前記第2面にかけて、前記シリコンウエハを貫通する貫通孔が形成され、
前記貫通孔の内壁面と前記シリコンウエハの第1面および第2面に、酸化シリコン皮膜が形成され、
前記貫通電極の一端と前記シリコンウエハの第1面に形成された前記酸化シリコン皮膜の表面とは面一であり、かつ、前記貫通電極の他端と前記シリコンウエハの第2面に形成された前記酸化シリコン皮膜の表面とが面一であり、
前記貫通電極は、前記貫通孔を充てんするようにめっきにより形成された導電体と、当該導電体の熱膨張係数よりも低い熱膨張係数の材料からなる低熱膨張充てん材とからなり、前記低熱膨張充てん材は、前記貫通孔の高さ方向の全体にわたって充てんされていて、前記貫通孔と前記低熱膨張充てん材との間隙部分が前記導電体によって充てんされていることを特徴とするシリコンインターポーザ。 - 前記低熱膨張充てん材は、シリカ、アルミナ、シリコンのうちのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のシリコンインターポーザ。
- 前記貫通孔には、前記低熱膨張充てん材が一粒収容され、前記貫通孔と前記低熱膨張充てん材との間隙部分が前記導電体によって充てんされていることを特徴とする請求項1または2記載のシリコンインターポーザ。
- 前記貫通孔には、前記貫通孔の高さ寸法と同程度の高さ寸法に形成された針状の低熱膨張充てん材が収容され、前記貫通孔と前記針状の低熱膨張充てん材との間隙部分が前記導電体によって充てんされていることを特徴とする請求項1または2記載のシリコンインターポーザ。
- 請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザと、配線基板が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
- 請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載のシリコンインターポーザを介在して、半導体素子と配線基板とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
- 配線基板と半導体素子との間に介在させて前記配線基板と前記半導体素子とを貫通電極を介して電気的に接続するためのシリコンインターポーザの製造方法であって、
シリコンウエハに貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面を含む前記シリコンウエハの表面全体に酸化シリコン皮膜を形成する工程と、
前記貫通孔を覆って前記シリコンウエハの一方の表面にめっき用給電層を形成する工程と、
前記貫通電極における導電体の熱膨張係数よりも低熱膨張係数である低熱膨張充てん材を前記貫通孔の高さ方向の全体にわたって供給する工程と、
前記貫通孔と前記低熱膨張充てん材との間隙部分に導電体をめっき法により充てんして前記貫通電極を形成する工程と、
前記シリコンウエハの他方の面において、前記貫通電極および前記酸化シリコン皮膜の表面高さを面一にする工程と、
前記めっき用給電層を除去する工程と、
前記シリコンウエハの前記半導体素子を搭載する側の面の全面にめっきシード層を形成する工程と、
前記めっきシード層にレジストを塗布し、前記レジストを露光および現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記貫通電極の一端および前記シリコンウエハの前記半導体素子を搭載する側の面上に、前記めっきシード層および前記レジストパターンを用いてめっき法により導体層を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記めっきシード層のうち前記レジストパターンに被覆されていた部分を除去することにより配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを絶縁膜により被覆する工程と、
前記絶縁膜の一部を除去し、前記配線パターンの一部を接続パッドとして外部に露出する工程と、を含むことを特徴とするシリコンインターポーザの製造方法。 - 配線基板と半導体素子との間に介在させて前記配線基板と前記半導体素子とを貫通電極を介して電気的に接続するためのシリコンインターポーザの製造方法であって、
シリコンウエハに貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面を含む前記シリコンウエハの表面全体に酸化シリコン皮膜を形成する工程と、
前記貫通孔を覆って前記シリコンウエハの一方の表面にめっき用給電層を形成する工程と、
前記貫通電極における導電体の熱膨張係数よりも低熱膨張係数である低熱膨張充てん材を含むめっき液を用いて、前記貫通孔を前記導電体と前記低熱膨張充てん材とにより充てんして貫通電極を形成する工程と、
前記シリコンウエハの他方の面において、前記貫通電極および前記酸化シリコン皮膜の表面高さを面一にする工程と、
前記めっき用給電層を除去する工程と、
前記シリコンウエハの前記半導体素子を搭載する側の面の全面にめっきシード層を形成する工程と、
前記めっきシード層にレジストを塗布し、前記レジストを露光および現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記貫通電極の一端および前記シリコンウエハの前記半導体素子を搭載する側の面上に、前記めっきシード層および前記レジストパターンを用いてめっき法により導体層を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記めっきシード層のうち前記レジストパターンに被覆されていた部分を除去することにより配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンを絶縁膜により被覆する工程と、
前記絶縁膜の一部を除去し、前記配線パターンの一部を接続パッドとして外部に露出する工程と、を含むことを特徴とするシリコンインターポーザの製造方法。 - 前記貫通電極の形成工程中は、前記めっき液が攪拌されていることを特徴とする請求項8記載のシリコンインターポーザの製造方法。
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