JP5298480B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、例えば電子機器の一例である単板式プロジェクタのライトバルブとして用いられるか、或いは、デジタルカメラのビューファインダに組み込まれる。

このような電気光学装置では、例えばカラー表示を行うために、一画素をＲ（赤色）用、Ｇ（緑色）用、Ｂ（青色）用の３種のサブ画素により構成し、各サブ画素にカラーフィルタが設けられる。

例えば特許文献１には、カラーフィルタを画素電極や画素スイッチング素子と同一の基板上に作り込む積層構造、即ち、所謂オンチップカラーフィルタ構造が開示されている。このような構成によれば、基板上において、画素電極よりも下層側にカラーフィルタが設けられており、画素電極は、カラーフィルタよりも更に下層側に設けられた画素スイッチング素子と電気的に接続される。

一方、画素電極は、基板上の積層構造における最上層側に設けられる。画素電極上には配向膜が形成される。表示ムラの原因となる配向膜表面の凹凸を小さくするために、画素電極の直下には平坦化処理が施された絶縁膜が形成される。

特開２０００−３４７２１５号公報

しかしながら、上述のオンチップカラーフィルタ構造によれば、画素電極と画素スイッチング素子との間の電気的接続を行うためのコンタクト抵抗が高くなってしまうという問題点が生じる。

より具体的には、画素電極と画素スイッチング素子との間の電気的接続を行うために、画素電極直下の平坦化された絶縁膜を貫通してコンタクトホールが開孔される。このコンタクトホールは、カラーフィルタの膜厚により、その深さが比較的大きくなるおそれがある。一方、上述のようにライトバルブやビューファインダに用いるために、電気光学装置の小型化が要請されるような場合、コンタクトホールの径を、その深さに併せて調整するのは困難となる。その結果、コンタクトホールのアスペクト比（コンタクトホールの径と、その深さとの比）が高くなり、コンタクト抵抗も高くなる不具合が生じる。

本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、画素電極と、例えば画素スイッチング素子に電気的に接続された導電膜との間のコンタクト抵抗を低減でき、容易に小型化可能であると共に高品位な表示を行うことが可能な電気光学装置及びその製造方法、更にはこのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の一態様の電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される第１導電膜と、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記導電膜と前記基板との間に形成された調整膜と、前記画素電極に前記第１導電膜及び前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続されたトランジスタと、を備え、前記画素電極と前記導電膜とは前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記調整膜は前記着色層と重なる領域には設けられず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記第１コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きく、前記第１導電膜は前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して第２導電膜に電気的に接続され、前記第２導電膜は前記トランジスタに電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールが形成される領域に、前記調整膜は配置されることを特徴とする。
また、上記の本発明に係る電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される導電膜と、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールが形成される領域に、前記導電膜と前記基板との間に形成された調整膜と、を備え、前記画素電極と前記導電膜とは前記コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記調整膜は前記着色層と重なる領域には設けられず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きいことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る第１の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられた画素電極と、前記第１絶縁膜より下層側に形成された着色層と、前記着色層より下層側に形成され、前記第１絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された導電膜と、前記着色層と重なる領域には設けられず、前記コンタクトホールが形成される領域に、前記導電膜より下層側に形成された調整膜とを備える。

本発明の第１の電気光学装置によれば、例えば１画素内において、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用のサブ画素が設けられており、サブ画素にはカラーフィルタとして本発明に係る「着色層」が設けられる。各サブ画素において、着色層を介して例えば透過光が出射されることで、画素毎にカラー表示を行うことが可能となる。

画素電極は、第１絶縁膜上に設けられている。第１絶縁膜には、例えば化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）等の平坦化処理が施されてもよい。第１絶縁膜に平坦化処理が施されることで、例えば、画素電極上に設けられる配向膜表面に凹凸が生じることを低減できる。これにより、例えば液晶等の電気光学物質の配向不良の発生を抑制できる。

着色層は、画素電極と同一の基板上に、画素電極より第１絶縁膜を介して下層側に形成される。画素電極と着色層とは、開口領域に配置される。ここに「開口領域」とは、表示に実際に寄与する光が透過又は反射により出射する領域をいう。また、非開口領域には、画素スイッチング素子等の各種素子やデータ線等の配線が形成される。ここに「非開口領域」とは、開口領域を除く領域をいい、言い換えれば、表示に実際に寄与する光が出射しない領域をいう。画素電極は、第１絶縁膜により、各種素子や配線と層間絶縁される。

第１絶縁膜には、非開口領域において、該第１絶縁膜及び着色層より下層側に形成された導電膜と、画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールが開孔される。導電膜は、例えば画素スイッチング素子と画素電極とを電気的に中継接続するための中継層として機能する。

ここで、仮に何らの対策も施さねば、導電膜と画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの深さが、着色層の膜厚に応じて比較的大きくなってしまうおそれがある。

しかるに本発明では特に、導電膜より下層側において、コンタクトホールが形成される領域に調整膜が形成される。よって、基板面に対して垂直方向、即ち着色層や画素電極、各種素子又は配線が作り込まれる積層構造の厚さ方向において、導電膜のうち少なくともコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分は、調整膜の厚さ分だけ上層側に向かって相対的に高い位置に配置される。従って、コンタクトホールの底を導電膜の位置に応じて、調整膜が設けられない場合と比較して、上層側に向かって相対的に高い位置に配置することが可能となる。つまり、調整膜の膜厚を調整することで、コンタクトホールの深さを調整することが可能となる。

従って、コンタクトホールの径を調整することが困難な場合でも、コンタクトホールの深さを調整することで、アスペクト比をより容易に調整することができる。その結果、コンタクトホールにおけるコンタクト抵抗を調整することが可能となる。従って、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。

よって、以上説明したような本発明の第１の電気光学装置によれば、より容易に小型化し、且つコンタクト抵抗が高くなることで表示品位が劣化するのを防止することが可能となる。

本発明の第１の電気光学装置の一態様では、前記導電膜より下層側に形成された半導体層及びゲート電極を有し、前記画素電極に前記導電膜及び前記コンタクトホールを介して電気的に接続されたトランジスタを備え、前記調整膜は、前記半導体層及び前記ゲート電極のうち少なくともいずれかと同一膜からなる。

この態様によれば、各サブ画素には、画素スイッチング素子として、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のトランジスタが設けられる。従って、サブ画素毎に、画素電極をスイッチング制御することにより、アクティブマトリクス駆動を行うことが可能となる。

この態様では、調整膜は、トランジスタの半導体層及びゲート電極の少なくとも一方と同一膜により形成される。ここにいう「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。よって、トランジスタと調整膜とを同一機会に形成することができるため、積層構造及びその製造プロセスをより簡略化させることができる。

本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記導電膜より下層側に形成されると共に、前記コンタクトホールが形成される領域に、上層側に向かって突出する第１突出部を有する第２絶縁膜を備える。

この態様によれば、第２絶縁膜は、導電膜より下層側において、基板面を概ね全体的に覆うように形成される下地絶縁膜として形成されるか、或いは各種素子や配線を夫々互いに層間絶縁するために形成される。第２絶縁膜は、コンタクトホールが形成される領域に第１突出部を有する。

よって、基板面に対して垂直方向（積層構造の厚さ方向）では、導電膜において少なくともコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分は、第１突出部の高さ分だけ上層側に向かって相対的に高い位置に配置される。従って、コンタクトホールの底をこれに対応する導電膜の位置に応じて、第１突出部が設けられない場合と比較して、上層側に向かって相対的に高い位置に配置することが可能となる。その結果、上述の調整膜に加えて若しくは代えて、第１突出部の高さを調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。

本発明の第１の電気光学装置の他の態様では、前記基板は、前記コンタクトホールが形成される領域に、上層側に向かって突出する第２突出部を有する。

この態様によれば、基板面に対して垂直方向（積層構造の厚さ方向）では、導電膜において少なくともコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分は、第２突出部の高さ分だけ上層側に向かって相対的に高い位置に配置される。よって、コンタクトホールの底をこれに対応する導電膜の位置に応じて、第２突出部が設けられない場合と比較して、上層側に向かって相対的に高い位置に配置することが可能となる。従って、上述の調整膜又は第１突出部に加えて若しくは代えて、第２突出部の高さを調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。

本発明の別の一態様の電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される第１導電膜と、 前記第１導電膜と前記基板との間に形成される第２絶縁膜と、前記画素電極に前記第１導電膜及び前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続されたトランジスタと、を備え、前記第２絶縁膜は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第１突出部を有し、前記画素電極と前記第１導電膜とは前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１突出部は前記着色層と重なる領域には設けられず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きく、前記第１導電膜は前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して第２導電膜に電気的に接続され、 前記第２導電膜は前記トランジスタに電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールが形成される領域に、前記第１突出部は配置されることを特徴とする。
また、上記の本発明に係る電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される導電膜と、前記導電膜と前記基板との間に形成される第２絶縁膜と、を備え、前記第２絶縁膜は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第１突出部を有し、前記画素電極と前記導電膜とは前記コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１突出部は前記着色層と重なる領域には設けられず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きいことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る第２の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられた画素電極と、前記第１絶縁膜より下層側に形成された着色層と、前記着色層より下層側に形成され、前記第１絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された導電膜と、前記コンタクトホールが形成される領域において、前記導電膜より下層側に、上層側に向かって突出する第１突出部を有する第２絶縁膜と、を備え、前記第１突出部は前記着色層と重なる領域には設けられない。

本発明の第２の電気光学装置によれば、第２絶縁膜における第１突出部の高さを調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。従って、第１の電気光学装置と同様に、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。

本発明のさらに別の一態様の電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される第１導電膜と、前記画素電極に電気的に接続されたトランジスタと、を備え、前記基板は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第２突出部を有し、前記画素電極と前記第１導電膜とは前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第２突出部は前記着色層と重なる領域には設けられず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記第１コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きく、前記第１導電膜は前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して第２導電膜に電気的に接続され、前記第２導電膜は前記トランジスタに電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールが形成される領域に、前記第２突出部は配置されることを特徴とする。
また、上記の本発明に係る電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される導電膜と、を備え、前記基板は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第２突出部を有し、前記画素電極と前記導電膜とは前記コンタクトホールを介して電気的に接続され、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第２突出部は前記着色層と重なる領域には設けられず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きいことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る第３の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられた画素電極と、前記第１絶縁膜より下層側に形成された着色層と、前記着色層より下層側に形成され、前記第１絶縁膜を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された導電膜とを備え、前記基板は、前記コンタクトホールが形成される領域に、上層側に向かって突出する第２突出部を有し、前記第２突出部は前記着色層と重なる領域には設けられない。

本発明の第３の電気光学装置によれば、第２突出部の高さを調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。従って、第１又は第２の電気光学装置と同様に、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の第１から第３の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）のいずれかを具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の第１から第３の電気光学装置を具備してなるので、容易に小型化すると共に高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明の一態様の電気光学装置の製造方法は、基板の上に調整膜を形成する工程と、 第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜の上に着色層を形成する工程と、前記着色層の上に前記導電膜及び前記着色層を覆うように第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、 前記コンタクトホールを介して前記導電膜に電気的に接続された画素電極を前記第１絶縁膜の上に形成する工程と、を備え、
前記基板の上に調整膜を形成する工程では、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記調整膜を前記コンタクトホールが形成される領域に配置すると共に前記着色層と重なる領域には配置せず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きいことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る第１の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、調整膜を形成する工程と、前記調整膜より上層側に導電膜を形成する工程と、前記導電膜より上層側に着色層を形成する工程と、前記着色層より上層側に、前記導電膜及び前記着色層を覆うように、第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を貫通してコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電膜に電気的に接続された画素電極を前記第１絶縁膜上に形成する工程とを備え、前記調整膜を形成する工程では、前記調整膜を、前記コンタクトホールが形成される領域に配置すると共に前記着色層と重なる領域には配置しない。

本発明の第１の電気光学装置の製造方法によれば、調整膜の膜厚を調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。これにより、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。従って、より容易に電気光学装置を小型化すると共に、コンタクト抵抗が高くなることで電気光学装置において、表示品位が劣化するのを防止することが可能となる。

本発明の別の一態様の電気光学装置の製造方法は、基板の上に上側に向かって突出する第１突出部を有する第２絶縁膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜を形成する工程と、 前記第２層間絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜の上に着色層を形成する工程と、前記着色層の上に前記導電膜及び前記着色層を覆うように第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電膜に電気的に接続された画素電極を前記第１絶縁膜の上に形成する工程と、を備え、前記基板の上に上側に向かって突出する第１突出部を有する第２絶縁膜を形成する工程では、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１突出部を前記コンタクトホールが形成される領域に配置すると共に前記着色層と重なる領域には配置せず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きいことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る第２の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、上層側に向かって突出する第１突出部を有する第２絶縁膜を形成する工程と、前記第２絶縁膜より上層側に導電膜を形成する工程と、前記導電膜より上層側に着色層を形成する工程と、前記着色層より上層側に、前記導電膜及び前記着色層を覆うように、第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を貫通してコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電膜に電気的に接続された画素電極を前記第１絶縁膜上に形成する工程とを備え、前記第２絶縁膜を形成する工程では、前記第１突出部を、前記コンタクトホールが形成される領域に配置すると共に前記着色層と重なる領域には配置しない。

本発明の第２の電気光学装置の製造方法によれば、第２絶縁膜における第１突出部の高さを調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。従って、第１の電気光学装置の製造方法と同様に、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。

本発明のさらに別の一態様の電気光学装置の製造方法は、基板に、上側に向かって突出する第２突出部を形成する工程と、第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜の上に導電膜を形成する工程と、前記導電膜の上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１層間絶縁膜の上に着色層を形成する工程と、前記着色層の上に前記導電膜及び前記着色層を覆うように第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を貫通するコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電膜に電気的に接続された画素電極を前記第１絶縁膜の上に形成する工程と、を備え、前記基板に、上側に向かって突出する第２突出部を形成する工程では、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第２突出部を前記コンタクトホールが形成される領域に配置すると共に前記着色層と重なる領域には配置せず、前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きいことを特徴とする。
また、上記の本発明に係る第３の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板に、上層側に向かって突出する第２突出部を形成する工程と、前記基板上に、導電膜を形成する工程と、前記導電膜より上層側に着色層を形成する工程と、前記着色層より上層側に、前記導電膜及び前記着色層を覆うように、第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜を貫通してコンタクトホールを開孔する工程と、前記コンタクトホールを介して前記導電膜に電気的に接続された画素電極を前記第１絶縁膜上に形成する工程とを備え、前記第２突出部を形成する工程では、前記第２突出部を、前記コンタクトホールが形成される領域に配置すると共に前記着色層と重なる領域には配置しない。

本発明の第３の電気光学装置の製造方法によれば、第２突出部の高さを調整することで、コンタクトホールの深さを調整することができる。従って、第１又は第２の電気光学装置の製造方法と同様に、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に、対向基板の側から見た液晶装置の概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。

図１及び図２において、液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、走査線駆動回路１０４、外部回路接続端子１０２が夫々形成される。

ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置される。

また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造は、着色層をも有する。画素電極９ａ上には、配向膜１６が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。

他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９ａと対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部Ｐｘは夫々、例えばＲ用、Ｇ用及びＢ用の３種のサブ画素部Ｐｓｒ、Ｐｓｇ及びＰｓｂを含む。詳細は後述するが、Ｒ用サブ画素部Ｐｓｒは、赤色、緑色及び青色の３原色のうち赤色に相当する光を出射可能なように、赤色用の着色層を有し、Ｇ用サブ画素部Ｐｓｇは、３原色のうち緑色に相当する光を出射可能なように、緑色用の着色層を有し、Ｂ用サブ画素部Ｐｓｂは、３原色のうち青色に相当する光を出射可能なように、青色用の着色層を有する。Ｒ用、Ｇ用及びＢ用サブ画素部Ｐｓｒ、Ｐｓｇ及びＰｓｂは夫々、好ましくは概ね同様の構成を有する。従って、着色層自体も、Ｒ用、Ｇ用及びＢ用サブ画素部Ｐｓｒ、Ｐｓｇ及びＰｓｂの各々において、好ましくは概ね同様の構成を有する。以下では、Ｒ用、Ｇ用及びＢ用の３種のサブ画素部Ｐｓｒ、Ｐｓｇ及びＰｓｂの各々を区別しないで、単に「サブ画素部」と称して説明することもある。

図３において、サブ画素部Ｐｓｒ、Ｐｓｇ及びＰｓｂの各々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

また、サブ画素部Ｐｓｒ、Ｐｓｇ及びＰｓｂにおいて、着色層を介して赤色、緑色及び青色に相当する光が出射されることで、画素部Ｐｘ毎にカラー表示を行うことが可能となる。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

次に、上述の動作を実現するサブ画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、サブ画素部の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点は、後述する各図についても同様である。図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。

図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、中継層９３、下側遮光膜１１ａ及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。一方、開口領域には、画素電極９ａと共に着色層Ｃｆが設けられている。

図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、走査線３ａの一部として形成されたゲート電極３ｂとを含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えば膜厚が５０ｎｍとして、例えばポリシリコンから形成される。半導体層１ａは、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。

データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図４及び図５において、ゲート電極３ｂは、走査線３ａの一部として、例えば膜厚が３５０ｎｍとして形成されている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びるように形成されている。走査線３ａのうちチャネル領域１ａ’と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２によって絶縁されている。

図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも下地絶縁膜１２を介して下層側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、例えば膜厚が２００ｎｍとして形成される。

図５において、下地絶縁膜１２は、本発明に係る「第２絶縁膜」の一例であり、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

本実施形態では、下地絶縁膜１２において、それよりも上層側において、画素電極９ａと中継層９３との電気的接続を行うためのコンタクトホール８５が形成される領域に、上層側に向かって突出する第１突出部１２ａが形成されている。また、第１突出部１２ａ上には、２種の調整膜１ｆ及び３ｃが積層されている。２種の調整膜１ｆ及び３ｃのうち一方の調整膜１ｆは、例えば半導体層１ａと同一膜により形成され、２種の調整膜１ｆ及び３ｃのうち他方の調整膜３ｃは、例えばゲート電極３ｂと同一膜により形成されている。

第１突出部１２ａ及び２種の調整膜１ｆ及び３ｃにより、ＴＦＴアレイ基板１０上において、コンタクトホール８５が形成される領域には凸部３５が形成されている。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。

蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００ａは、図３又は図４に示す容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、その詳細な構成については図示を省略するが、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。

下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。

データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、層間絶縁膜４１、ゲート絶縁膜２、誘電体膜７５及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。

中継層９３は、本発明に係る「導電膜」の一例であり、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。中継層９３は、層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８４を介して下部容量電極７１と電気的に接続される。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

図４及び図５に示すように、層間絶縁膜４３上には、開口領域において着色層Ｃｆが形成されている。更に、着色層Ｃｆより上層側に、本発明に係る「第１絶縁膜」の一例としてのパシベーション層４４が形成されている。パシベーション層４４の上側表面は、ＣＭＰ等の平坦化処理が施されている。

図５において、画素電極９ａは、パシベーション層４４上に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５並びに中継層９３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。

コンタクトホール８５は、パシベーション層４４及び層間絶縁膜４３を貫通して開孔される。コンタクトホール８５内には中継層９３の表面が露出される。コンタクトホール８５の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜され、画素電極９ａ及び中継層９３は互いに電気的に接続される。

画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。本実施形態では、上述したようにパシベーション層４４の上側表面はＣＭＰ等の平坦化処理が施されているため、例えば、画素電極９ａ上に設けられる配向膜表面に凹凸が生じるのを低減できる。これにより、液晶層５０（図２参照）における液晶分子の配向不良の発生を抑制できる。

以上に説明したサブ画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかるサブ画素部を含む画素部が、図３を参照して説明したように周期的に形成されている。

ここで、本実施形態に対する比較例について、図６を参照して説明する。ここに図６は、比較例について、サブ画素部における図５に対応する断面部分の構成を示す断面図である。以下では、図４又は図５を参照して説明した本実施形態のサブ画素部の構成と異なる点についてのみ詳細に説明し、同様の構成については、図６中図４又は図５と同一の符号を付して示し、その説明を省略することもある。

比較例においては、図４又は図５を参照して説明した凸部３５は設けられていない。即ち、コンタクトホール８５が形成される領域に、下地絶縁膜１２には図５に示すような第１突出部１２ａは形成されず、且つ図５に示す調整膜１ｆ及び３ｃも形成されていない。

ここに、図５又は図６において、着色層Ｃｆは、例えば１．５μｍ程度の比較的大きい膜厚を有する。従って、図６において、コンタクトホール８５の深さｄ１も着色層Ｃｆの膜厚に応じて、比較的大きくなる。よって、コンタクトホール８５におけるアスペクト比を１程度とするためには、コンタクトホール８５の深さｄ１に応じて、コンタクトホールの径ｒ１も比較的大きい値に調整する必要が生じる。

しかし、液晶装置の小型化が要請される場合、コンタクトホール８５の径ｒ１を調整するのは困難となる。コンタクトホール８５の径ｒ１は、例えば１μｍ以下とすることが設計上求められることもある。よって、コンタクトホール８５におけるアスペクト比が１より高くならざるを得ない事態が生じるため、コンタクト抵抗も高くなる不具合が生じる。その結果、画素電極９ａへの画像信号の供給が充分に行われなくなる等の問題が生じ、液晶装置における表示品位も劣化するおそれがある。

これに対して本実施形態では、図５において、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して垂直方向、即ち画素電極９ａ等が作り込まれる積層構造の厚さ方向において、中継層９３の少なくともコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと電気的に接続される部分は、凸部３５の高さ分だけ上層側に向かって相対的に高い位置に配置される。よって、図６に示すような比較例の構成と比較して、コンタクトホール８５の底を、中継層９３の位置に応じて、上層側に向かって相対的に高い位置に配置することが可能となる。従って、凸部３５の高さ、即ち第１突出部１２ａの高さに加えて若しくは代えて調整膜１ｆ若しくは３ｃの膜厚を調整することで、コンタクトホール８５の深さｄ０を調整することが可能となる。

従って、コンタクトホール８５の径ｒ０を調整することが困難な場合でも、コンタクトホール８５の深さｄ０を調整することで、アスペクト比をより容易に調整することができる。その結果、アスペクト比を１以下として、コンタクトホール８５におけるコンタクト抵抗を調整することが可能となる。従って、アスペクト比を低く調整することで、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。

ここに、２種の調整膜１ｆ及び３ｃは、既に説明したように、半導体層１ａ及びゲート電極３ｂの各々と同一膜により形成される。よって、２種の調整膜１ｆ及び３ｃを、ＴＦＴ３０と同一機会に形成することができるため、サブ画素部における積層構造及びその製造プロセスをより簡略化させることができる。

以上説明したような本実施形態によれば、液晶装置をより容易に小型化し、且つコンタクト抵抗が高くなることで表示品位が劣化するのを防止することが可能となる。

次に、上述した本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。ここに図７及び図８は、製造プロセスの各工程における図５に示す断面の構成を、順を追って示す工程図である。尚、以下においては、サブ画素部において、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される、データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０や蓄積容量７０等の製造工程について特に詳しく説明することとし、対向基板２０上に形成される配向膜２２や対向電極２１等の製造工程等に関しては、説明を省略することとする。

図７（ａ）の工程では、ＴＦＴアレイ基板１０上において、下側遮光膜１１ａを形成した後、常圧又は減圧ＣＶＤ法等により下地絶縁膜１２を形成する。その後、下地絶縁膜１２に対して例えばフォトリソグラフィ法及びエッチング処理を施して、図４及び図５を参照して上述したコンタクトホール８５が形成される領域に、第１突出部１２ａを形成する。

続いて、図７（ｂ）の工程では、半導体層１ａ、ゲート絶縁膜２、走査線３ａを順次に形成する。この際、走査線３ａの一部として一体的にゲート電極３ｂが形成され、ＴＦＴ３０が形成される。尚、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。また、ＴＦＴ３０と同一機会に２種の調整膜１ｆ及び３ｃを、図４及び図５を参照して上述したコンタクトホール８５が形成される領域に形成する。

続いて、図７（ｃ）の工程では、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に層間絶縁膜４１を形成した後、蓄積容量７０を形成する。より具体的には、層間絶縁膜４１にコンタクトホール８３を開孔した後、下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ａを順次に形成する。この際、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３によって画素電極側ソースドレイン領域１ｅとひとつながりに接続する。また、上部容量電極３００ａと一体的に容量線３００（図３及び図４参照）を形成する。

続いて、図８（ａ）の工程では、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に層間絶縁膜４２を形成した後、コンタクトホール８１及び８４を開孔し、データ線６ａ及び中継層９３を形成する。データ線６ａは、コンタクトホール８１によってデータ線側ソースドレイン領域１ｄとひとつながりに接続する。中継層９３は、コンタクトホール８４によって下部容量電極７１とひとつながりに接続する。

続いて、図８（ｂ）の工程では、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に層間絶縁膜４３を形成した後、着色層Ｃｆを形成する。その後、パシベーション層４４を形成する。この際、パシベーション層４４の上側表面にＣＰＭ等の平坦化処理を施す。その後、コンタクトホール８５を開孔し、続いて画素電極９ａ（図５参照）を形成する。画素電極９ａをコンタクトホール８５内部にも形成することにより、画素電極９ａを中継層９３に電気的に接続する。

以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した本実施形態に係る液晶装置を製造できる。ここで特に、調整膜１ｆ及び３ｃ、並びに下地絶縁膜１２における第１突出部１２ａを形成するので、仮に、調整膜１ｆ及び３ｃ、並びに第１突出部を形成しない場合と比較して、コンタクトホール８５の深さを小さくすることができる。よって、例えば液晶装置における開口率の向上或いは液晶装置の小型化を図るためにコンタクトホール８５の径を小さくしても、アスペクト比を比較的低くすることができ、コンタクト抵抗が高くなるのを防止できる。
＜変形例＞
次に、上述した本実施形態の変形例について説明する。

図４又は図５を参照して説明したサブ画素部について、凸部３５は、第１突出部１２ａ及び調整膜１ｆ又は３ｃのいずれか一方にのみ形成されるようにしてもよい。また、調整膜は、上述したようにＴＦＴ３０を構成する膜（例えば半導体層１ａやゲート電極３ｂ）と同一膜により形成されることに加えて若しくは代えて、下側遮光膜１１ａと同一膜により形成されるようにしてもよい。或いは、調整膜は、サブ画素部を構成する各種膜とは異なる所定の材料により別個に形成されるようにしてもよい。

また、本発明に係る「第２絶縁膜」は、例えば、下地絶縁膜１２に代えて層間絶縁膜４１として、この層間絶縁膜４１に、好ましくは図５に示す構成と同様に第１突出部を設けるようにしてもよい。

図９は、本変形例に係る一の構成について、図５に対応する断面部分の構成を示す断面図である。

図９に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０におけるコンタクトホール８５が形成される領域に、例えば図５に示す構成に代えて、上層側に向かって突出する第２突出部が凸部３５として形成されるようにしてもよい。或いは、このようなＴＦＴアレイ基板１０の第２突出部が、図５に示す構成に加えて、凸部３５に含まれるように形成してもよい。

このように構成すれば、第２突出部の高さを調整することにより、凸部３５の高さを調整し、コンタクトホール８５の深さを調整することが可能となる。

図１０は、図９に示す本変形例の一の構成に係る製造プロセスについて、本実施形態と異なる工程に着目して、図７及び図８と同様に順を追って示す工程図である。

図１０（ａ）の工程では、ＴＦＴアレイ基板１０に対して例えばフォトリソグラフィ法及びエッチング処理を施して、図９に示すコンタクトホール８５が形成される領域に、第２突出部として凸部３５を形成する。

続いて、図１０（ｂ）の工程では、下側遮光膜１１ａ及び下地絶縁膜１２を形成する。

続いて、図１０（ｃ）の工程では、ＴＦＴ３０を形成する。その後、図７又は図８を参照して説明した手順と同様に、層間絶縁膜４１や蓄積容量７０等を形成する。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の概略的な平面図である。 図１のＨ−Ｈ'断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置のサブ画素部の平面図である。 図４のＡ−Ａ’線断面図である。 比較例について、サブ画素部における図５に対応する断面部分の構成を示す断面図である。 製造プロセスの各工程における図５に示す断面の構成を、順を追って示す工程図（その１）である。 製造プロセスの各工程における図５に示す断面の構成を、順を追って示す工程図（その２）である。 本変形例に係る一の構成について、図５に対応する断面部分の構成を示す断面図である。 図９に示す本変形例に係る一の構成に係る製造プロセスについて、本実施形態と異なる工程に着目して、図７及び図８と同様に順を追って示す工程図である。 液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ｆ、３ｃ…調整膜、１２ａ…第１突出部、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、３５…凸部、４３…層間絶縁膜、４４…パシベーション層、８５…コンタクトホール、９３…中継層、Ｐｘ…画素部、Ｐｓｒ、Ｐｓｇ，Ｐｓｂ…サブ画素部、Ｃｆ…着色層

Claims (6)

1. 基板と、
   画素電極と、
   前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、
   前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される第１導電膜と、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記導電膜と前記基板との間に形成された調整膜と、
   前記画素電極に前記第１導電膜及び前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続されたトランジスタと、
   を備え、
   前記画素電極と前記導電膜とは前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記調整膜は前記着色層と重なる領域には設けられず、
   前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、
   前記基板と前記第１コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きく、
   前記第１導電膜は前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して第２導電膜に電気的に接続され、
   前記第２導電膜は前記トランジスタに電気的に接続され、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールが形成される領域に、前記調整膜は配置されることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１導電膜と前記基板との間に形成される第２絶縁膜をさらに備え、
   前記第２絶縁膜は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第１突出部を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記基板は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第２突出部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 基板と、
   画素電極と、
   前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、
   前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される第１導電膜と、
   前記第１導電膜と前記基板との間に形成される第２絶縁膜と、
   前記画素電極に前記第１導電膜及び前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続されたトランジスタと、
   を備え、
   前記第２絶縁膜は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第１突出部を有し、
   前記画素電極と前記第１導電膜とは前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１突出部は前記着色層と重なる領域には設けられず、
   前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、
   前記基板と前記コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きく、
   前記第１導電膜は前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して第２導電膜に電気的に接続され、
   前記第２導電膜は前記トランジスタに電気的に接続され、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールが形成される領域に、前記第１突出部は配置されることを特徴とする電気光学装置。
5. 基板と、
   画素電極と、
   前記画素電極と前記基板との間に設けられた第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜と前記基板との間に形成された着色層と、
   前記着色層と前記基板との間、及び前記第１絶縁膜と前記基板との間に配置された第１層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記基板との間に配置された第２層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との間に配置される第１導電膜と、
   前記画素電極に電気的に接続されたトランジスタと、
   を備え、
   前記基板は、前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て前記第１絶縁膜を貫通して開孔された第１コンタクトホールが形成される領域に、前記画素電極の側に向かって突出する第２突出部を有し、
   前記画素電極と前記第１導電膜とは前記第１コンタクトホールを介して電気的に接続され、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第２突出部は前記着色層と重なる領域には設けられず、
   前記着色層は、前記第１絶縁膜の側に第１面を有し、前記基板の側に第２面を有し、
   前記基板と前記第１コンタクトホールの底との間の距離は、前記基板と前記第１面との間の距離より小さく、前記基板と前記第２面との間の距離より大きく、
   前記第１導電膜は前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールを介して第２導電膜に電気的に接続され、
   前記第２導電膜は前記トランジスタに電気的に接続され、
   前記画素電極から前記基板に向かう方向から見て、前記第１層間絶縁膜を貫通して開孔された第２コンタクトホールが形成される領域に、前記第２突出部は配置されることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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