JP5281350B2 - 周辺露光装置及び周辺露光方法 - Google Patents
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Description
こうして、第1方向に進行する一辺が基板に対して平行となるよう制御して、紫外線照射ユニットから照射する紫外光は、辺縁と平行に適切な照射範囲を照射可能となっている。
以下、本発明に係る周辺露光装置100の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の周辺露光装置100の全形を示している。図1(a)は、周辺露光装置100の上面図であり、図1(b)はその側面図である。
図4はメイン制御部90における基板位置制御系の制御ブロック図である。メイン制御部90には演算部91、駆動制御部92及びユニット制御部93からなる。
図6は周辺露光処理を行うためのメイン制御部90のフローチャートである。フローチャートは基板SWを投入してからのステップを示し、光源の点灯および消灯等は別途制御され、各テーブル、制御手段は原点で待機している状態から説明する。なお図7A、及び図7Bは図6のフローチャートのステップを図示しており、周辺露光装置100の動作の様子である。
14 … 回転テーブル
15 … 露光テーブル
16 … 投入口
21 … 門型ブラケット
22 … ブラケット移動機構
31 … 露光ユニット(31a … 第1露光ユニット、31b … 第2露光ユニット、31c … 第3露光ユニット)
32 … スライド機構(32a … 第1スライド機構、32b … 第2スライド機構、32c … 第3スライド機構)
33 … 照射口
35 … 楕円ミラー
36 … 水銀ランプ
37 … 投影レンズ
38 … 投影レンズ
39 … シャッタ機構(39m … 駆動手段、39p … プレート)
40 … ブラインド機構(40m … 駆動モータ、40p … ブラインドプレート)
51 … 位置検出器(51a … 第1位置検出器、51b … 第2位置検出器)
52 … 赤外線光源
53 … 制御光学系
54 … センサ
90 … メイン制御部
91 … 演算部
92 … 駆動制御部
93 … ユニット制御部
100 … 周辺露光装置
EA … 露光領域
EL … 周辺露光光
IL … 赤外線光線
KD … 間隔
s … 端面、u … 上面
SD … 所定距離
SN1 … 第1基準辺、SN2 … 第2基準辺
SW … 基板
Claims (9)
- 矩形基板に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域に紫外光を露光する周辺露光装置において、
前記矩形基板を保持する露光テーブルと、
前記矩形基板の面の上方に設けられ、前記周辺領域に紫外光を照射口から照射する複数の露光ユニットと、
前記露光テーブルと前記露光ユニットとを相対的に第1方向及び前記第1方向と反対方向とに駆動する駆動部と、
前記複数の露光ユニットの一つに配置され、前記矩形基板の前記第1方向に延びる一辺を第1の基準辺とし、前記第1の基準辺の少なくとも2ヶ所の辺縁を検出する検出器と、
前記検出器の検出結果より前記第1方向からの前記基板の傾きを算出する傾き算出手段と、
前記傾き算出手段による傾き算出結果に基づいて、前記矩形基板の傾きを補正し、前記傾きが補正された矩形基板に対する周辺露光を行うとき、前記検出器で前記第1の基準辺の辺縁又は前記矩形基板の前記第1の基準辺と直交する第2の基準辺の辺縁又はその両方を検出して前記周辺領域を特定しながら、前記駆動部により前記露光テーブルと前記露光ユニットとを相対的に駆動させて、前記第1の基準辺と平行に及び前記第2の基準辺と平行に前記露光ユニットから紫外光を照射させる制御部と、
を備えることを特徴とする周辺露光装置。 - 前記複数の露光ユニットは、前記露光テーブルの上方で前記第1方向と交差する第2方向に伸びたブラケットに取り付けられ、
前記複数の露光ユニットは前記ブラケットの前記第2方向の軸上に移動可能であることを特徴とする請求項1に記載の周辺露光装置。 - 前記検出器は、前記第1方向に互いに離間された第1位置検出器及び第2位置検出器を有することを特徴とする請求項1ないし請求項2のいずれか一項に記載の周辺露光装置。
- 前記制御部は、前記周辺露光を行うとき、
前記検出器で前記第1の基準辺の辺縁を検出して前記第1の基準辺に対する前記周辺領域を特定しながら、前記駆動部により前記露光テーブルと前記露光ユニットとを相対的に駆動させて、前記第1の基準辺と平行に前記露光ユニットから紫外光を照射させて周辺露光を行い、前記検出器が前記第2の基準辺の辺縁を検出すると、前記露光ユニットからの照射を停止して、前記第1の基準辺に対する周辺露光を終了する処理を行い、
前記第1の基準辺に対する周辺露光終了後、前記矩形基板を90度回転させ、前記検出器で前記第2の基準辺の辺縁を検出して前記第2の基準辺に対する前記周辺領域を特定しながら、前記駆動部により前記露光テーブルと前記露光ユニットとを相対的に駆動させて、前記第2の基準辺と平行に前記露光ユニットから紫外光を照射させて周辺露光を行い、前記検出器が前記第1の基準辺の辺縁を検出すると、前記露光ユニットからの照射を停止して、前記第2の基準辺に対する周辺露光を終了する処理を行うことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の周辺露光装置。 - 前記第1の基準辺に対する周辺露光のとき、前記第2位置検出器により前記第2の基準辺の辺縁が検出されたとき、前記第1の基準辺に対する周辺露光を終了する処理を行い、前記第2の基準辺に対する周辺露光のとき、前記第1位置検出器により前記第1の基準辺の辺縁が検出されたとき、前記第2の基準辺に対する周辺露光を終了する処理を行うことを特徴とする請求項4記載の周辺露光装置。
- 紫外光を照射する複数の露光ユニットを有し、矩形基板に形成される回路パターン領域の周囲に形成される周辺領域を紫外光で露光する周辺露光方法において、
前記矩形基板を露光テーブルに保持する保持工程と、
前記複数の露光ユニットの一つに設けられた位置検出器で前記矩形基板の一辺の少なくとも2ヶ所の辺縁を検出して第1方向からの前記基板の傾きを算出する傾き算出工程と、
前記傾き算出結果に基づいて前記矩形基板の傾きを補正する傾き補正工程と、
前記露光ユニットと前記露光テーブルとを相対的に前記第1方向又は前記第1方向と反対方向に駆動しながら、前記位置検出器で、前記矩形基板の前記一辺の辺縁又は前記一辺と直交する他辺の辺縁又はその両方を検出して前記周辺領域を特定しながら、前記一辺と平行に及び前記他辺と平行に前記露光ユニットから紫外光を照射して周辺露光を行う照射工程と、
を備えることを特徴とする周辺露光方法。 - 前記位置検出器は、第1方向に互いに離間された第1位置検出器及び第2位置検出器からなり、前記第1位置検出器及び第2位置検出器によって前記矩形基板の前記一辺の辺縁と前記他辺の辺縁とを検出することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の周辺露光方法。
- 前記照射工程において前記周辺露光を行うとき、
前記位置検出器で前記基板の一辺の辺縁を検出して前記一辺に対する前記周辺領域を特定しながら、前記駆動部により前記露光テーブルと前記露光ユニットとを相対的に駆動させて、前記一辺と平行に前記露光ユニットから紫外光を照射させて周辺露光を行い、前記位置検出器が前記他辺の辺縁を検出すると、前記露光ユニットからの照射を停止して、前記一辺に対する周辺露光を終了し、
前記一辺に対する周辺露光終了後、前記矩形基板を90度回転させ、前記位置検出器で前記他辺の辺縁を検出して前記他辺に対する前記周辺領域を特定しながら、前記駆動部により前記露光テーブルと前記露光ユニットとを相対的に駆動させて、前記他辺と平行に前記露光ユニットから紫外光を照射させて周辺露光を行い、前記位置検出器が前記一辺の辺縁を検出すると、前記露光ユニットからの照射を停止して、前記他辺に対する周辺露光を終了することを特徴とする請求項6又は請求項7記載の周辺露光方法。 - 前記一辺に対する周辺露光のとき、前記第2位置検出器により前記他辺の辺縁が検出されたとき、前記第一辺に対する周辺露光を終了する処理を行い、前記他辺に対する周辺露光のとき、前記第1位置検出器により前記一辺の辺縁が検出されたとき、前記他辺に対する周辺露光を終了する処理を行うことを特徴とする請求項8記載の周辺露光方法。
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Families Citing this family (8)
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Cited By (2)
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