JP5276222B2 - 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置 - Google Patents

有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置 Download PDF

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Description

本発明は、有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置に関する。
近年、有機材料の電界発光現象を利用した表示装置の研究・開発がすすめられている。この表示装置では、各画素部が、アノード電極およびカソード電極と、その間に介挿された有機発光層とを有し構成されている。そして、表示装置の駆動においては、アノード電極からホールを注入し、カソード電極から電子を注入し、有機発光層内でホールと電子が再結合することにより発光する。
ここで、有機発光層は、絶縁材料からなる隔壁（バンク）により区画された領域に対し、有機発光材料を含むインクを滴下し、これを乾燥させることにより形成される。そして、有機発光層の層厚は、発光輝度に相関を有するため、有機発光層の層厚を出来るだけ均一にすることが求められる。
このような要望に対して、例えば、バンクと、その下に設けられるアノード電極との間に隙間を設けることで、親液性と撥液性とのバランスをとり、有機発光層の層厚の均一化を図ろうとする技術が提案されている（特許文献１）。また、有機発光層の下となる層の表面に酸素プラズマ処理などの表面処理を行い、また、バンクの表面にＣＦ4プラズマ処理などの表面処理を行うことにより、これら表面に囲まれた領域に形成される有機発光層の層厚の均一化を図ろうとする技術も提案されている（特許文献２）。
特開２００６−１３４６２４号公報 特開２００４−１２７５５１号公報
しかしながら、上記特許文献１，２を含む従来技術では、有機発光層の層厚を均一化することについて、十分とは言えない。具体的に、上記特許文献１，２では、バンクの表面などへの表面処理により有機発光材料を含むインクに対する親液性と撥液性とのバランスを図り、有機発光層の層厚の均一化を図ろうとしているが、インクの乾燥過程において、有機発光層の層厚のバラツキを抑えることには限界がある。
本発明は、上記課題の解決を図るべくなされたものであって、有機発光層の層厚の均一化を図り、輝度ムラの少ない高い光学特性を有する有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る有機発光素子は、基板、および当該基板上に形成される駆動回路、および、前記駆動回路上に形成された平坦化層を含み、上面が平坦化された下地層と、上面が平坦化された下地層の上方に形成される第1電極と第１電極の上方に形成される機能層と、第１電極の上方に形成され、隣り合う発光部を区画するための開口部を有する複数の隔壁と、複数の隔壁間における開口部に対応する機能層の上方に形成され、有機発光材料を含むインクが塗布されて形成される発光層と、発光層の上方に形成され、第１電極と異なる極性を有する第２電極と、を有する。
第１電極は、発光層における隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、発光層の隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、第１電極の第１の上面部は、第１電極の第２の上面部に対して上方に位置し、機能層は、第１電極の第１の上面部および第２の上面部に沿って形成され、発光層における隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、発光層の隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、機能層の第１の上面部は、機能層の第２の上面部に対して上方に位置する。
発光層は、機能層の第１の上面部および第２の上面部に沿って形成され、機能層に接触し、隔壁側の端部領域に対応する第１の下面部と、機能層に接触し、隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の下面部と、機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有する。
上記において、発光層の第１の下面部は、発光層の第２の下面部に対して上方に位置し、発光層の第１の上面部は、発光層の第２の上面部に対して上方に位置し、発光層の第１の下面部から第１の上面部までの層厚は、発光層の第２の下面部から前記第２上面部までの層厚と、等しいことを特徴とする。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、機能層が、第１電極の上面部（第１の上面部および第２の上面部を含む）の形状に沿って形成されており、機能層における第１の上面部が第２の上面部に対して上方に位置するように形成されている。このため、本発明の一態様に係る有機発光素子では、インクが開口部に塗布されて乾燥され有機発光層が形成された際に、発光層の層厚が隔壁の端部側および端部から離れた領域において等しくなり、発光部の全域にわたって層厚が等しくなる。
このことにより、本発明の一態様に係る有機発光素子では、発光層において、隔壁の端部側における厚膜化が防止され、当該領域における輝度の低下が防止され、発光部の全域における輝度の均一性が得られやすくなり、良好な発光特性が得られる。
また、本発明の一態様に係る有機発光素子では、発光層について、その第１の下面部および第２の下面部にわたって同一材料である機能層に接して形成されているので、この点でも、インクの濡れ性が向上し、良好な発光特性を得ることができる。
従って、本発明の一態様に係る有機発光素子は、発光層の層厚の均一化を図ることができ、これより輝度ムラが少なく、高い光学特性を有する。
実施の形態１に係る有機表示装置１の概略構成を示すブロック図である。 表示パネル１０における一部のサブピクセル１００ａの構成を示す模式断面端面図である。 表示パネル１０におけるバンク１０７の一部を示す模式平面図である。 平坦化層１０４の形状と、アノード電極１０５、ホール注入輸送層１０６、および有機発光層１０８の各形状とを示す模式断面端面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の製造過程における要部工程を順に示す模式断面端面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の製造過程における要部工程を順に示す模式断面端面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、表示パネル１０の製造過程における要部工程を順に示す模式断面端面図である。 実施の形態２に係る有機表示装置の表示パネル１２における一部のサブピクセルの構成を示す模式断面端面図である。 実施の形態３に係る有機表示装置の表示パネル１３における一部のサブピクセルの構成を示す模式断面端面図である。 実施の形態４に係る有機表示装置の表示パネル１４における一部のサブピクセルの構成を示す模式断面端面図である。 有機表示装置１を含むセットの外観の一例を示す外観斜視図である。 参考例に係る表示パネルについて、その一部のサブピクセルの構成を示す模式断面端面図である。 参考例に係る表示パネルのサブピクセル毎の有機発光層の表面プロファイルを示す模式図である。 参考例に係る表示パネルにおけるサブピクセルでの輝度分布を示す模式図である。 参考例に係る表示パネルでの下部電極（第１電極）の一部領域の表面プロファイルと、当該領域での輝度分布を示す模式図である。
[本発明の一態様の概要]
本発明の一態様に係る有機発光素子は、基板、および当該基板上に形成される駆動回路、および、前記駆動回路上に形成された平坦化層を含み、上面が平坦化された下地層と、上面が平坦化された下地層の上方に形成される第1電極と第１電極の上方に形成される機能層と、第１電極の上方に形成され、隣り合う発光部を区画するための開口部を有する複数の隔壁と、複数の隔壁間における開口部に対応する機能層の上方に形成され、有機発光材料を含むインクが塗布されて形成される発光層と、発光層の上方に形成され、第１電極と異なる極性を有する第２電極と、を有する。
第１電極は、発光層における隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、発光層の隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、第１電極の第１の上面部は、第１電極の第２の上面部に対して上方に位置し、機能層は、第１電極の第１の上面部および第２の上面部に沿って形成され、発光層における隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、発光層の隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、機能層の第１の上面部は、機能層の第２の上面部に対して上方に位置する。
発光層は、機能層の第１の上面部および第２の上面部に沿って形成され、機能層に接触し、隔壁側の端部領域に対応する第１の下面部と、機能層に接触し、隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の下面部と、機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有する。
上記において、発光層の第１の下面部は、発光層の第２の下面部に対して上方に位置し、発光層の第１の上面部は、発光層の第２の上面部に対して上方に位置し、発光層の第１の下面部から第１の上面部までの層厚は、発光層の第２の下面部から前記第２上面部までの層厚と、等しいことを特徴とする。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、機能層が、第１電極の上面部（第１の上面部および第２の上面部を含む）の形状に沿って形成されており、機能層における第１の上面部が第２の上面部に対して上方に位置するように形成されている。このため、本発明の一態様に係る有機発光素子では、インクが開口部に塗布されて乾燥され有機発光層が形成された際に、発光層の層厚が隔壁の端部側および端部から離れた領域において等しくなり、発光部の全域にわたって層厚が等しくなる。
このことにより、本発明の一態様に係る有機発光素子では、発光層において、隔壁の端部側における厚膜化が防止され、当該領域における輝度の低下が防止され、発光部の全域における輝度の均一性が得られやすくなり、良好な発光特性が得られる。
また、本発明の一態様に係る有機発光素子では、発光層について、その第１の下面部および第２の下面部にわたって同一材料である機能層に接して形成されているので、この点でも、インクの濡れ性が向上し、良好な発光特性を得ることができる。
従って、本発明の一態様に係る有機発光素子は、発光層の層厚の均一化を図ることができ、これより輝度ムラが少なく、高い光学特性を有する。
なお、上記における「等しい」とは、必ずしも数値の面で完全に等しいことを意味するものではなく、有機発光素子の製造における寸法誤差などを考慮したものである。具体的には、有機発光素子として、輝度ムラが実用上許容できる範囲で、等しいということを意味する。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、上記構成において、発光層の上面部（第１の上面部および第２の上面部を含む）は、その第１の上面部が、第２の上面部に対して上方に位置することにより、上方に凹形状を有し、発光層の下面部（第１の下面部および第２の下面部を含む）は、その第１の下面部が、第２の下面部に対して上方に位置することにより、下方に凸形状を有する、いう構成とすることができる。このように、発光層の上面部が上方に凹形状であって、且つ、発光層の下面部が下方に凸形状であるので、発光層の層厚が、発光部の全域で均一化されている。よって、輝度ムラが少なく、高い光学特性を有する。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、上記構成において、機能層の第１の上面部が、機能層の第２の上面部に対し、１００[ｎｍ]以上２００[ｎｍ]以下の範囲内で上方に位置する、という構成とすることもできる。このような数値範囲内で機能層の第１の上面部と第２の上面部との高さの差異を設けることにより、発光層の層厚の均一性を確保するという観点から望ましい。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、上記構成において、発光層を隔壁間の断面方向に見る場合に、発光層の第１の上面部の長さが５０[μｍ]以上であって、発光層の第２の上面部の長さが５０[μｍ]以上であり、且つ、発光層の第１の上面部の長さが、発光部の全長に対して１／５以上１／３以下であって、発光層の第２の上面部の長さが、発光部の全長に対して１／３以上３／５以下である、という構成とすることもできる。このように数値範囲の規定に従うことにより、更に高い精度で発光層の層厚の均一化を図ることができる。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、上記構成において、第１電極における第２の上面部が平坦形状を有し、第１の上面部が、第２の上面部に対して段差を有し形成され、または、階段状に形成されている、という構成を採用することができる。このように、第１電極において、第２の上面部が平坦形状を有することとする場合には、発光層の層厚の均一化を図ることができるとともに、出射光の集光を防ぐことができる。よって、高い発光特性を得ることができる。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、上記構成において、発光層における隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域とは、隣接する隔壁間の各中央部である、と具体的に定義することができる。
本発明の一態様に係る有機発光素子では、上記構成において、複数の発光部が、異なる２方向に配列され（２次元配列され）、複数の隔壁が、隣り合う発光部を異なる２方向に区画するように形成されている場合に、下地層における第１の上面部と第２の上面部、第１電極における第１の上面部と第２の上面部、機能層における第１の上面部と第２の上面部、および発光層における第１の上面部と第２の上面部と第１の下面部と第２の下面部が、発光部における発光層の上面視における長軸方向に沿って各々配されている、という構成とすることもできる。これは、発光部における発光層の上面視での上記長軸方向において、発光層の隔壁側の端部領域と中央部側とで層厚に不均一を生じ易い傾向にあるが、上記のように、発光部における発光層の上面視における長軸方向に沿った方向に、各層の第１の上面部と第２の上面部、さらには、発光層の第１の下面部と第２の下面部とを配するようにすることで、発光層の層厚の均一化を確実に図ることができる。
本発明の一態様に係る有機発光素子の製造方法では、次の工程を有する、ことを特徴とする。
（第１工程） 基板上に駆動回路を形成し、駆動回路上に平坦化層を形成することにより、駆動回路および平坦化層を含み、上面が平坦形状を有する下地層を形成する。
（第２工程） 平坦形状を有する下地層の上方に第１電極を形成する。
（第３工程） 第１電極の上方に機能層を形成する。
（第４工程） 第２工程により形成された第１電極の上方に、隣り合う発光部を区画するための開口部を有する複数の隔壁を形成する。
（第５工程） 複数の隔壁間における開口部に対応する機能層の上方に、有機発光材料を含むインクを塗布して発光層を形成する。
（第６工程） 発光層の上方に、第１電極と異なる極性を有する第２電極とを形成する。
上記において、第２工程では、第１電極を、発光層における隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、発光層の隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、第１電極の第１の上面部が、第１電極の第２の上面部に対して上方に位置するように形成する。
また、第３工程では、機能層を、第１電極の第１の上面部および第２の上面部に沿って形成し、発光層における隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、発光層の隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、機能層の第１の上面部が、機能層の第２の上面部に対して上方に位置するように形成する。
また、第５工程では、発光層を、機能層の第１の上面部および第２の上面部に沿って形成し、前記機能層に接触し、隔壁側の端部領域に対応する第１の下面部と、機能層に接触し、隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の下面部と、機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、発光層の第１の下面部が、発光層の第２の下面部に対して上方に位置し、さらに、発光層の第１の上面部が、発光層の第２の上面部に対して上方に位置し、発光層の第１の下面部から第１の上面部までの層厚が、発光層の第２の下面部から第２の上面部までの層厚と等しくなるように形成する、ことを特徴とする。
このような製造方法を用い製造された有機発光素子では、機能層が、第１電極の表面形状に沿って形成されており、機能層における第１の上面部が第２の上面部に対して上方に位置するように形成されている。このため、この有機発光素子では、インクが開口部に塗布されて乾燥され有機発光層が形成された際に、有機発光層の層厚が隔壁の端部側および端部から離れた領域において等しくなり、発光部の全域にわたって層厚が等しくなり、有機発光層において、隔壁の端部側における厚膜化が防止され、当該領域における輝度の低下が防止され、発光部の全域における輝度の均一性が得られやすくなり、良好な発光特性が得られる。
また、本発明の一態様に係る製造方法を用い製造された有機発光素子では、有機発光層について、その第１の下面部および第２の下面部にわたって同一材料である機能層に接して形成されているので、この点でも、インクの濡れ性が向上し、良好な発光特性を得ることができる。
従って、本発明の一態様に係る有機発光素子の製造方法では、層厚の均一化が図られた発光層を備え、これより輝度ムラが少なく、高い光学特性を有する有機発光素子を製造することができる。
なお、上記における「等しい」とは、上記同様に、必ずしも数値の面で完全に等しいことを意味するものではなく、有機発光素子の製造における寸法誤差などを考慮したものである。具体的には、有機発光素子として、輝度ムラが実用上許容できる範囲で、等しいということを意味する。
本発明の一態様に係る有機発光素子の製造方法は、上記第２工程において、下地層上に、第１電極を構成する電極材料からなる電極膜を形成する膜形成工程と、電極膜を露光強度を選択的に異ならせて露光する露光工程と、露光工程後、電極膜をドライエッチングにより、エッチングレートを調整しつつエッチング処理することにより、第１電極の第１の上面部が、第１電極の第２の上面部に対して上方に位置するように、第１電極を形成するエッチング工程と、を有する、という構成を採用することもできる。
このように、第２工程中の露光工程で、選択的に電極膜に対する露光強度を異ならせることにより、第１電極の第１の上面部と第２の上面部とを設けるようにすることで、発光特性の低下がなく、発光層の層厚の均一化が確実に図られ、優れた発光特性を有する有機発光素子を得ることができる。
本発明の一態様に係る有機表示パネルは、上記の本発明の一態様に係る製造方法により得られた有機発光素子を備えることを特徴とする。これより、本発明の一態様に係る有機表示パネルは、均一な層厚の発光層を備え、優れた発光特性を有することとなる。
本発明の一態様に係る有機表示装置は、上記の本発明の一態様に係る製造方法により得られた有機発光素子を備えることを特徴とする。これより、本発明の一態様に係る有機表示装置は、均一な層厚の発光層を備え、優れた発光特性を有することとなる。
なお、本明細書においては、各層の上記「第１の上面部」および「第２の上面部」について、少なくとも「第２の上面部」が平面であることが望ましい。
[本発明に至った経緯]
図１２に示すように、表示パネルは、基板９０１の上に、駆動回路としてのＴＦＴ層９０２が形成され（図１２では、ＴＦＴ層９０２のドレイン電極のみを図示）、これを覆うように、パッシベーション膜９０３が形成されている。そして、パッシベーション膜９０３のＺ軸方向の上には、平坦化層９０４が積層形成され、その上にアノード電極９０５およびホール注入輸送層９０５が、順に積層形成されている。アノード電極９０５は、平坦化層９０４に形成されたコンタクトホールを介して、ＴＦＴ層９０２に接続されており、また、サブピクセル毎に独立している。
ホール注入輸送層９０６の上には、サブピクセルを規定するバンク９０７が立設されており、当該バンク９０７により区画された領域に有機発光層９０８が形成されている。有機発光層９０８およびバンク９０７の露出された表面の上には、カソード電極９０９および封止層９１０が順に積層形成されている。
ここで、図１３（ａ）に示すように、各サブピクセルは、Ｘ軸方向の幅に比べて、Ｙ軸方向の長さが長い略長方形状をしており、図１２は、Ｙ軸方向（長軸方向）にその断面を示したものである。
図１２に示すように、有機発光層９０８では、Ｙ軸方向の両側に配置されたバンク９０７側の端部領域（領域Ｊ1および領域Ｊ2）での層厚Ｄ91，Ｄ92が、中央領域（領域Ｊ3）での層厚Ｄ93に比べて厚くなる傾向がみられる。有機発光層９０８における層厚Ｄ91，Ｄ92と、層厚Ｄ93との差異は、有機発光層９０８を形成する際のインク塗布から乾燥に至るまでの過程に起因すると推察される。
図１３（ｂ）から図１３（ｄ）に示すように、サブピクセルの長軸方向におけるバンク９０７側の端部領域で有機発光層の層厚が厚くなる傾向は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色で同じであり、何れの発光色の有機発光層９０８においても、上面部のプロファイルは、サブピクセル内において、中央領域に比べて、バンク９０７側の端部領域で高くなっている。
このように、有機発光層９０８の層厚に不均一を有する場合には、図１４（ａ）に示す赤色（Ｒ）のサブピクセル、図１４（ｂ）に示す緑色（Ｇ）のサブピクセル、および図１４（ｃ）に示す青色（Ｂ）のサブピクセルにおいて、輝度ムラを生じ、発光特性の低下を招く。また、発光効率の低下や寿命の低下などの要因ともなる。
以上の検討結果に基づき、本発明者は、表示パネルの各サブピクセルにおいて、有機発光層よりも下方に位置するアノード電極（第１電極）の上面部を、互いに高さ方向の位置が異なる第１の上面部と第２の上面部とを設けた構成とし、機能層（ホール注入輸送層など）を、下地層の上面の形状に沿った状態で形成することにより、さらにその上に形成される有機発光層の層厚の均一化を図るという技術的特徴を見出した。
下地層上に形成された下部電極の表面（上面部）プロファイルと、輝度との関係を検討した結果について、図１５を用い説明する。図１５（ａ）は、サブピクセルにおける一部領域（領域Ｍ1、領域Ｍ2）での下部電極の表面（上面部）プロファイルを示し、具体的には、図１５（ｂ）におけるＫ−Ｋ‘部分のプロファイルに相当する。また、図１５（ａ）において、縦軸は下地層の膜厚を示し、縦軸上の上側に向かって厚みが厚く、横軸は下地層の対応領域を示している。
図１５（ｂ）は、一例として青色（Ｂ）のサブピクセルでの上記一部領域（領域Ｍ1、領域Ｍ2）での輝度分布を示す。なお、図１５（ｃ）は、図１５（ｂ）に示す輝度レベルを示す。
図１５（ａ）に示す領域Ｍ2では、下部電極（第１電極）の表面プロファイルが曲面形状を有するが、図１５（ｂ）に示すように、対応する領域（領域Ｍ２）での輝度は、略揃った状態となっている。よって、図１５（ａ）の領域Ｍ２のように、下部電極の表面プロファイルが曲面形状となっている場合には、発光層の層厚は、サブピクセルの端部側が、中央部側よりも厚くなると考えられる。
一方、図１５（ａ）に示す領域Ｍ１のように、下部電極の表面プロファイルが略連続的に変化する階段形状、または段差形状となっている場合には、図１５（ｂ）に示すように、対応する領域（領域Ｍ１）の輝度は、変化している。具体的には、図１５（ａ）の二点鎖線で囲む部分Ｎ１のように、下部電極の膜厚が薄く、表面プロファイルが低くなっている領域では、図１５（ｂ）の二点鎖線で囲む部分Ｎ２のように、輝度が低くなっている。言い換えると、下部電極の膜厚は、輝度が高い部分が、低い部分よりも薄くないという関係にあると考えられる。
従って、上述のように、下部電極（第１電極）における第２の上面部（中央部側の上面部）が平坦形状を有し、第１の上面部（端部側の上面部）が、第２の上面部に対して段差を有し形成され、または、階段状に形成されている、という構成を採用することが望ましい。このような構成を採用することにより、サブピクセル内での発光層の層厚を均一化することができ、高い発光特性を得ることができる。
[実施の形態１］
１．表示装置１の概略構成
本実施の形態に係る表示装置１の全体構成について、図１を用い説明する。
図１に示すように、表示装置（有機表示装置）１は、表示パネル部（有機表示パネル）１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。表示パネル部１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機発光パネルであり、複数の画素部がＸ−Ｙ面方向に２次元配列されている。
また、駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、実際の表示装置１では、表示パネル部１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０の構成について、図２を用い説明する。なお、本実施の形態に係る表示パネル１０は、一例として、トップエミッション型の有機発光パネルを採用し、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れか発光色を有する有機発光層を備える複数のサブピクセルがマトリクス状に配置され構成されているが、図２では、図１におけるＡ−Ａ‘断面の一部を模式的に示し、隣接する三つのサブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃを抜き出して描いている。
図２に示すように、表示パネル１０は、基板１０１のＺ軸方向の上に、駆動回路であるＴＦＴ層１０２が形成されている。なお、図２では、ＴＦＴ層１０２の構成要素の内、ドレイン電極のみを図示している。そして、ＴＦＴ層１０２の上、および基板１０１の上は、パッシベーション膜１０３により被覆されている。パッシベーション膜１０３は、ＴＦＴ層１０２の一部を露出するように開口されている。
パッシベーション膜１０３の上には、平坦化層１０４、アノード電極１０５およびホール注入輸送層１０６が順に積層形成されている。アノード電極１０５は、サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃ毎に分離された状態で形成されている。
ホール注入輸送層１０６の上には、絶縁材料からなり、サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃの間を区画するバンク（隔壁）１０７が立設されている。隣接するバンク１０７により区画された領域には、有機発光層１０８が形成され、その上には、カソード電極１０９、および封止層１０９が、順に積層形成されている。主な構成要素は、例えば、次のような材料を用い形成することができる。
なお、図２に示すように、アノード電極１０５は、バンク１０７側の端部領域（領域Ｂ1領域Ｂ2）での層厚が、バンク１０７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域（領域Ｂ3）での層厚よりも厚くなっている。これについては、後述する。
ａ）基板１０１
基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
ｂ）平坦化層１０４
平坦化層１０４は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
ｃ）アノード電極１０５
アノード電極１０５は、導電性材料からなる単層、あるいは複数の層が積層されてなる積層体から構成されており、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やこれを含む合金、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などを用い形成されている。なお、本実施の形態のように、トップエミッション型の場合には、高反射性の材料で形成されていることが好ましい。
なお、アノード電極１０５には、上層部分に、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を用い形成された透明被覆層が含まれることもある。
ｄ）ホール注入輸送層１０６
ホール注入輸送層１０６は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入輸送層１０４は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０６に対しホールを注入および輸送する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
ここで、ホール注入輸送層１０６を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
ｅ）バンク１０７
バンク（隔壁）１０７は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。バンク１０７の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。そして、バンク１０７は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。
さらに、バンク１０７の形成においては、エッチング処理およびベーク処理などが施されるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、撥水性をもたせるために、側面部をフッ素処理することもできる。
なお、バンク１０７の形成に用いる絶縁材料については、上記の各材料をはじめ、特に抵抗率が１０5［Ω・ｃｍ］以上であって、撥液性を有する材料を用いることができる。これは、抵抗率が１０5［Ω・ｃｍ］以下の材料を用いた場合には、アノード電極１０５とカソード電極１０９との間でのリーク電流、あるいは隣接サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃの相互間でのリーク電流の発生の原因となり、消費電力の増加などの種々の問題を生じることになるためである。
また、バンク１０７を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１０７の側面部とホール注入輸送層１０６の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層１０８を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０７の開口部に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、バンク１０７の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
ｆ）有機発光層１０８
有機発光層１０８は、アノード電極１０５から注入されたホールと、カソード電極１０９から注入された電子とが再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０８の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
ｇ）カソード電極１０９
カソード電極１０９は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
カソード電極１０９の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
なお、有機発光層１０８とカソード電極１０９との間に、電子注入層を介挿させた構成とすることもできる。
電子注入層は、カソード電極１０９から注入された電子を有機発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。
ｈ）封止層１１０
封止層１１０は、有機発光層１０８などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。トップエミッション型の表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
３．バンク１０７の構成
図３に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、バンク１０７として、各サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃの部分が略長方形状に規定された、所謂、ピクセルバンクの形態を採用する。具体的には、バンク１０７は、Ｘ軸方向に延伸する部分１０７ａと、Ｙ軸方向に延伸する部分１０７ｂとが一体に形成されてなる。そして、同一の列に属し、Ｘ軸方向の上下に隣接する３つのサブピクセル（赤色（Ｒ）のサブピクセル、緑色（Ｇ）のサブピクセル、青色（Ｂ）のサブピクセル）を以って、一のピクセル（画素）が構成されている。
なお、図２に示す断面は、図３におけるＢ−Ｂ‘断面である。即ち、サブピクセル１００ａの部分を、その長軸方向（Ｙ軸方向）の断面で示している。
４．アノード電極１０５の形状と有機発光層１０８の層厚
図４に示すように、表示パネル１０の各サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃにおいては、表面１０４ａが平坦化された平坦化層１０４上に形成されたアノード電極１０５が、全体にわたって均一な層厚を有するのではなく、バンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）での層厚Ｔ1，Ｔ2が、バンク１０７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域（領域Ｄ3）での層厚Ｔ3よりも厚く形成されている。
平坦化層１０４の上面１０４ａは、バンク１０７とバンク１０７との間の発光領域では、平坦化されており、このため、アノード電極１０５は、上記層厚Ｔ1，Ｔ2と層厚Ｔ3との差異により、領域Ｄ1および領域Ｄ2での各上面部１０５ｂ，１０５ｃが、領域Ｄ3での上面部１０５ａよりも、Ｚ軸方向上側に位置している。
ホール注入輸送層１０６については、アノード電極１０５の上面部１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃに沿って積層形成され、層厚が略一定であるため、バンク１０７側の端部領域での上面部１０６ｂ，１０６ｃが、中央領域での上面部１０６ａよりも、Ｚ軸方向上側に位置している。
ホール注入輸送層１０６の上に積層形成される有機発光層１０８については、上記のように、バンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）での上面部１０８ｂ，１０８ｃが、中央領域（領域Ｄ3）での上面部１０８ａよりも、Ｚ軸方向上側に位置する。
しかし、本実施の形態では、図４に示すように、ホール注入輸送層１０６についても、バンク１０７側の端部領域での上面部１０６ｂ，１０６ｃが、中央領域での上面部１０６ａよりも、Ｚ軸方向上側に位置しているので、有機発光層１０８における端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）での下面部（互いに接しているため、ホール注入輸送層１０６の上面部１０６ｂ，１０６ｃと同一）が、中央領域（領域Ｄ3）での下面部（同様に、ホール注入輸送層１０６の上面部１０６ａと同一）よりも、Ｚ軸方向上側に位置するので、有機発光層１０８の層厚は、端部領域（領域Ｄ1，領域Ｄ2）での層厚Ｔ11，Ｔ12と、中央領域（領域Ｄ3）での層厚Ｔ13と等しい。
有機発光層１０８は、全体として見た場合に、上面部がＺ軸方向上方に凹形状となり、下面部がＺ軸方向下方に凸形状となっている。
なお、上記における「等しい」とは、必ずしも数値の面で完全に等しいことを意味するものではなく、有機発光素子の製造における寸法誤差などを考慮したものである。具体的には、有機発光素子として、輝度ムラが実用上許容できる範囲で、等しいということを意味する。
ホール注入輸送層１０６は、バンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）の上面部１０６ｂ，１０６ｃが、中央領域（領域Ｄ3）の上面部１０６ａに対して、Ｚ軸方向において、高さの差異（ギャップ）Ｇ1だけ上方に位置する。ギャップＧ1は、１００[ｎｍ]以上２００[ｎｍ]以下の範囲内で規定されている。これより、有機発光層１０８における層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13との均一化をより確実に図ることができる。
また、有機発光層１０８におけるバンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）の上面部１０８ｂ，１０８ｃが、Ｙ軸方向に５０[μｍ]以上の長さを有することが、層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13との均一化を図る上で好ましい。同様に、有機発光層１０８における中央領域（領域Ｄ3）の上面部１０８ａが、Ｙ軸方向に５０[μｍ]以上の長さを有することが、層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13との均一化を図る上で好ましい。
また、サブピクセルにおけるＹ軸方向での長さＬ0を、バンク１０７の斜面部とホール注入輸送層１０６の上面部１０６ｂ，１０６ｃとの交点Ｐ1，Ｐ2の間隔で規定するとき、有機発光層１０８におけるバンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）の上面部１０８ｂ，１０８ｃが、長さＬ0に対して、１／５以上１／３以下とすることが、層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13との均一化を図る上で好ましい。同様に、有機発光層１０８における中央領域（領域Ｄ3）の上面部１０８ａが、長さＬ0に対して、１／３以上３／５以下とすることが、層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13との均一化を図る上で好ましい。
５．効果
本実施の形態に係る有機表示装置１、および表示パネル１０では、各サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃにおいて、有機発光層１０８の層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13とが互いに等しい。これより、表示パネル１０では、各サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃの有機発光層１０８において、バンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）での厚膜化が防止され、当該領域における輝度の低下が防止され、サブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃの全域における輝度の均一性が得られやすくなり、良好な発光特性が得られる。
また、表示パネル１０では、有機発光層１０８について、バンク１０７側の端部領域（領域Ｄ1、領域Ｄ2）の下面部および中央領域（領域Ｄ3）の下面部にわたって同一材料であるホール注入輸送層１０６に接して形成されているので、この点でも、インクの濡れ性が向上し、良好な発光特性を得ることができる。
従って、本実施の形態に係る有機表示装置１および表示パネル１０は、有機発光層１０８の層厚Ｔ11，Ｔ12と層厚Ｔ13を含むサブピクセル１００ａ，１００ｂ，１００ｃ全体での層厚の均一化を図ることができ、これより輝度ムラが少なく、高い光学特性を有する。
６．製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図５から図７を用い、その要部を説明する。
図５（ａ）に示すように、基板１０１のＺ軸方向上側主面に対し、ＴＦＴ層１０２を形成し（図５から図７では、ＴＦＴ層のドレイン電極のみを図示）、その上に、パッシベーション膜１０３を形成する。そして、パッシベーション膜１０３の上に、有機化合物（例えば、ポリイミド、ポリアミドなど）からなる平坦化層１０４を形成する。平坦化層１０４には、各ＴＦＴ層１０２におけるドレイン電極の上の部分に、コンタクトホール１０４ｄ，１０４ｅが形成されている。
なお、コンタクトホール１０４ｄ，１０４ｅの底部においては、パッシベーション膜１０３の一部も除去されており、ＴＦＴ層１０２のドレイン電極が露出する状態となっている。
次に、図５（ｂ）に示すように、平坦化層１０４の上に、アノード電極１０５を形成するための電極膜１０５０を製膜する。電極膜１０５０は、導電性材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ）やこれを含む合金など）をスパッタリング法や真空蒸着法などを用い製膜することにより形成される。なお、電極膜１０５０は、コンタクトホール１０４ｄ，１０４ｅの内壁部分にも形成され、コンタクトホール１０４ｄ，１０４ｅの底部において、ＴＦＴ層１０２のドレイン電極と接続される。
そして、図５（ｂ）に示すように、平坦化層１０４の上に電極膜１０５０を製膜した状態で、マスク５０１を配する。
マスク５０１には、光透過部５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃなどが設けられており、光透過部５０１ｃの光透過率が、光透過５０１ａ，５０１ｂに対して、低く設定されている、所謂、ハーフトーンマスクである。
図５（ｂ）の状態で、露光を行い、その後、エッチングを行う。上記のように、露光工程において、マスク５０１における光透過部５０１ａ，５０１ｂと光透過部５０１ｃとの光透過率の差異により、露光強度が選択的に異なる。これにより、エッチング後においては、図５（ｃ）に示すように、マスク５０１の光透過部５０１ａ，５０１ｂに相当する箇所（箇所１０５ｇ，１０５ｈ）では、アノード電極１０５がサブピクセル単位で分断される。これに対して、マスク５０１の光透過部５０１ｃに相当する箇所では、露光強度が相対的に弱いことに起因して、エッチング後においては、アノード電極１０５の凹部１０５ｆを構成できる。
アノード電極１０５では、凹部１０５ｆの底部での上面部１０５ａが、そのＹ軸方向の両側の部分での上面部１０５ｂ，１０５ｃに対して、１００[ｎｍ]以上２００[ｎｍ]以下の範囲内の高さの差異を有している。
なお、アノード電極１０５上に、さらにＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などが積層された構成とすることもできる。
図６（ａ）に示すように、アノード電極１０５、およびそのパターニングにより露出する平坦化層１０４の一部を覆うように、ホール注入輸送層１０６を積層形成する。ホール注入輸送層１０６においても、アノード電極１０５の凹部１０５ｆなどに沿った形状となり、アノード電極１０５の上面部１０５ａの上に形成された部分の上面部１０６ａが、アノード電極１０５の上面部１０５ｂ，１０５ｃの上に形成された部分の上面部１０６ｂ，１０６ｃよりも、Ｚ軸方向に高さが異なる。具体的には、ホール注入輸送層１０６においては、上面部１０６ｂ，１０６ｃが、上面部１０６ａに対して、Ｚ軸方向に高い位置になる。
次に、図６（ｂ）に示すように、ホール注入輸送層１０６の上を覆うように、バンク材料膜１０７０を堆積形成する。バンク材料膜１０７０は、例えば、スピンコート法などを用い、感光性レジスト材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂など）を堆積することにより形成される。
図６（ｃ）に示すように、バンク材料膜１０７０に対して、マスク（図示を省略）を配しての露光を行い、その後、現像およびベークを行うことでバンク１０７が形成できる。バンク１０７の形成後においては、バンク１０７とバンク１０７とで規定される開口部においては、ホール注入輸送層１０６の上面部（上面部１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃを含む）が露出される。
次に、図７（ａ）に示すように、バンク１０７とバンク１０７とで規定された領域に対して、発光性の有機材料を含むインク１０８０を、例えば、インクジェット法などにより滴下・塗布する。そして、インク１０８０を乾燥させることにより、図７（ｂ）に示すように、有機発光層１０８が形成される。
有機発光層１０８は、ホール注入輸送層１０６の上面部（上面部１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃを含む）の形状に沿って形成されるので、バンク１０７側の端面領域での上面部１０８ｂ，１０８ｃが、バンク１０７側の端部領域から中央部側へと離間した中央領域での上面部１０８ａよりもＺ軸方向上側に配されることになり、有機発光層１０８の上面部は、全体としてＺ軸方向の上向きに凹形状となる。
また、有機発光層１０８の下面部は、ホール注入輸送層１０６の上面部（上面部１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃを含む）に接しているので、全体としてＺ軸方向の下向きに凸形状となる。
次に、図７（ｃ）に示すように、有機発光層１０８の上面部（上面部１０８ａ，１０８ｂ，１０８ｃを含む）、およびバンク１０７の表面に対して、カソード電極１０９および封止層１１０を順に積層形成する。
なお、上記のように、有機発光層１０８とカソード電極１０９との間に、電子輸送層および電子注入層などを介挿するという構成を採用することもできる。
以上のように、表示パネル１０の要部の製造が完了する。
［実施の形態２］
実施の形態２に係る表示パネル１２の構成について、図８を用い説明する。図８は、上記実施の形態１で用いた図４に対応する図であり、一のサブピクセルの要部となる部分を抜き出して示している。
図８に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１２では、平坦化層１２４について、その上面１２４ａが、バンク１２７とバンク１２７との間の発光領域で平坦化されている点は、上記実施の形態１と同様である。
本実施の形態では、アノード電極１２５において、バンク１２７側の端部領域に相当する領域（領域Ｅ1、領域Ｅ2）の上面部１２５ｂ，１２５ｃと、バンク１２７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域の上面部１２５ａと、さらに、中央領域と端部領域との間の領域の上面部１２５ｇ，１２５ｈを有している。即ち、本実施の形態に係る表示パネル１２では、アノード電極１２５が、中央領域での上面部１２５ａと、それよりもＺ軸方向の上方に位置する上面部１２５ｇ，１２５ｈと、さらにＺ軸方向の上方に位置する上面部１２５ｂ，１２５ｃとを有する。
ホール注入輸送層１２６は、アノード電極１２５の上面部（上面部１２５ａ，１２５ｂ，１２５ｃ，１２５ｇ，１２５ｈを含む）に沿って形成されており、中央領域での上面部１２６ａと、それよりもＺ軸方向の上方に位置する上面部１２６ｇ，１２６ｈと、さらにＺ軸方向の上方に位置する上面部１２６ｂ，１２６ｃとを有する。
有機発光層１２８は、上記実施の形態１に係る表示パネル１０の有機発光層１０８と同様に、バンク１２７側の端部領域での上面部１２８ｂ，１２８ｃが、バンク１２７から離間した中央領域での上面部１２８ａよりもＺ軸方向の上方に位置している。そして、本実施の形態では、有機発光層１２８の下面部が、ホール注入輸送層１２６の上面部１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃ，１２６ｇ，１２６ｈに沿っているので、Ｙ軸方向における箇所毎の有機発光層１２８の層厚が、さらに均一化されている。
従って、本実施の形態に係る表示パネル１２では、上記実施の形態１に係る表示パネル１０にも増して、輝度ムラが少なく、高い発光特性を有する。
なお、図８に示した部分以外の構成については、上記実施の形態１と同様である。
［実施の形態３］
実施の形態３に係る表示パネル１３の構成について、図９を用い説明する。図９は、上記実施の形態１で用いた図４に対応する図であり、一のサブピクセルの要部となる部分を抜き出して示している。
図９に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１３でも、平坦化層１３４の上面部１３４ａが平坦化されている点は上記実施の形態１，２と同様であり、また、アノード電極１３５において、バンク１３７から離間した中央領域での上面部１３５ａと、バンク１３７側の端部領域（領域Ｆ1、領域Ｆ2）での上面部１３５ｂ，１３５ｃを有する点、および上面部１３４ｂ，１３４ｃが上面部１３４ａに対してＺ軸方向の上方に位置する点で、上記実施の形態１に係るアノード電極１０５と同様である。
本実施の形態に係る表示パネル１３のアノード電極１３５では、上面部１３５ａと上面部１３５ｂ，１３５ｃとの間が、Ｚ軸方向に起立した壁ではなく、斜面部１３４ｇ，１３４ｈとなっている点で、上記実施の形態１に係る表示パネル１０のアノード電極１０５と相違する。
ホール注入輸送層１３６は、アノード電極１３５の上面部（上面部１３５ａ，１３５ｂ，１３５ｃ、および斜面部１３５ｇ，１３５ｈを含む）に沿って形成されており、中央領域での上面部１３６ａと、それよりもＺ軸方向の上方に位置する上面部１３６ｂ，１３６ｃと、その間に配された斜面部１３６ｇ，１３６ｈとを有する。
有機発光層１３８は、上記実施の形態１に係る表示パネル１０の有機発光層１０８と同様に、バンク１３７側の端部領域での上面部１３８ｂ，１３８ｃが、バンク１３７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域での上面部１３８ａよりもＺ軸方向の上方に位置している。そして、本実施の形態でも、有機発光層１３８の下面部が、ホール注入輸送層１３６の上面部１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃ、およびその間の斜面部１３６ｇ，１３６ｈに沿っている。このため、本実施の形態に係る表示装置１３では、Ｙ軸方向における箇所毎の有機発光層１３８の層厚が、さらに均一化されている。
従って、本実施の形態に係る表示パネル１３では、上記実施の形態１に係る表示パネル１０にも増して、輝度ムラが少なく、高い発光特性を有する。
なお、図９に示した部分以外の構成については、上記実施の形態１と同様である。
［実施の形態４］
実施の形態４に係る表示パネル１４の構成について、図１０を用い説明する。図１０は、上記実施の形態１で用いた図４に対応する図であり、一のサブピクセルの要部となる部分を抜き出して示している。
図１０に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１４では、平坦化層１４４の上面部１４４ａが平坦化されている点、アノード電極１４５において、バンク１４７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域での上面部１４５ａと、バンク１４７側の端部領域（領域Ｈ1、領域Ｈ2）での上面部１４５ｂ，１４５ｃを有する点、および上面部１４５ｂ，１４５ｃが上面部１４５ａに対してＺ軸方向の上方に位置する点で、上記実施の形態１と同様である。
本実施の形態に係る表示パネル１４のアノード電極１４５では、バンク１４７側の端部領域（領域Ｈ1、領域Ｈ2）での上面部１４５ｂ，１４５ｃが、Ｚ軸方向に対して直交する水平面ではなく、斜面部となっている点で、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と相違する。
ホール注入輸送層１４６は、アノード電極１４５の上面部（上面部１４５ａ，１４５ｂ，１４５ｃを含む）に沿って形成されており、中央領域での上面部１４６ａと、それよりもＺ軸方向の上方に位置する上面部１４６ｂ，１４６ｃとを有する。
有機発光層１４８は、上記実施の形態１に係る表示パネル１０の有機発光層１０８と同様に、バンク１４７側の端部領域での上面部１４８ｂ，１４８ｃが、バンク１４７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域での上面部１４８ａよりもＺ軸方向の上方に位置している。そして、本実施の形態でも、有機発光層１４８の下面部が、ホール注入輸送層１４６の上面部１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃに沿っている。このため、本実施の形態に係る表示装置１４では、Ｙ軸方向における箇所毎の有機発光層１４８の層厚が、さらに均一化されている。
従って、本実施の形態に係る表示パネル１４では、上記実施の形態１に係る表示パネル１０にも増して、輝度ムラが少なく、高い発光特性を有する。
なお、図１０に示した部分以外の構成については、上記実施の形態１と同様である。
また、本実施の形態に係る表示パネル１４の有機発光層１４８の表面プロファイルが、上記実施の形態１，２，３の各有機発光層１０８，１２８，１３８の表面プロファイルと相違するが、これは、下地層の段差などで変わるのではない。即ち、有機発光層１４８の表面プロファイルが図１０に示す形態である場合に、本実施の形態を適用することができるものである。
［その他の事項］
実施の形態１では、有機発光層１０８よりもＺ軸方向の下方のホール注入輸送層１０６が、アノード電極１０５の上面部形状に沿って形成されていることにより、バンク１０７側の端部領域での上面部１０６ｂ，１０６ｃが、バンク１０７側の端部領域から中央部側に離間した中央領域での上面部１０６ａよりも、Ｚ軸方向において高い位置にある構成とした。また、実施の形態２では、上面部１２６ａと上面部１２６ｇ，１２６ｈと上面部１２６ｂ，１２６ｃが階段状となる構成とした。
このように、有機発光層１０８，１２８，１３８，１４８の下面部について、上面部のプロファイルに出来るだけ沿った形状とすることにより、バンク１０７，１２７，１３７，１４７側の各端部領域での層厚と、バンク１０７，１２７，１３７，１４７側の端部領域から中央部側に離間した各中央領域での層厚との差異を小さく抑えることができることとした。製造における精度および製造コストとの観点から、許容される範囲で、有機発光層の直下に配されることになるホール注入輸送層などの機能層の上面部プロファイルを有機発光層の上面部プロファイルに出来るだけ近似するようにすることが望ましい。例えば、機能層の上面部プロファイルのステップ数を３段以上としたり、その間に斜面を介挿したりすることなどもできる。
なお、上記実施の形態１，２，３，４の各構成を、有機発光層１０８，１２８，１３８，１４８の上面部プロファイルなどを考慮しながら、適宜組み合わせることも可能である。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、アノード電極１０５，１２５，１３５，１４５と有機発光層１０８，１２８，１３８，１４８との間に、ホール注入輸送層１０６，１２６，１３６，１４６を介挿する構成としたが、本発明は、これに限らず、例えば、機能層として、ホール注入層だけを介挿する形態なども採用することができる。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、有機発光層１０８，１２８，１３８，１４８に対して、Ｚ軸方向の下方にアノード電極１０５，１２５，１３５，１４５を配置し、Ｚ軸方向の上方にカソード電極１０９を配置する構成を一例として採用したが、これとは逆に、Ｚ軸方向の下方にカソード電極を配置し、Ｚ軸方向の上方にアノード電極を配置する構成を採用することもできる。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、有機発光層１０８，１２８，１３８，１４８から出射された光を、カソード電極１０９を通して、Ｚ軸方向の上方に取り出す構成（トップエミッション型）を想定しているが、本発明は、これとは逆に、基板１０１を通して、Ｚ軸方向の下方に光を取り出す構成（ボトムエミッション型）とすることもできる。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、有機表示装置１の具体的な外観形状を示さなかったが、例えば、図１１に示すようなシステムの一部あるいは全部とすることなどもできる。
本発明は、輝度ムラが少なく、高い発光特性を有する有機発光素子および有機表示パネルおよび有機表示装置を実現するのに有用である。
１．有機表示装置
１０，１２，１３，１４．表示パネル
２０．駆動制御部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００ａ，１００ｂ，１００ｃ．サブピクセル
１０１．基板
１０２．ＴＦＴ層
１０３．パッシベーション膜
１０４，１２４，１３４，１４４．平坦化層
１０５，１２５，１３５，１４５．アノード電極
１０６，１２６，１３６，１４６．ホール注入輸送層
１０７，１２７，１３７，１４７．バンク
１０８，１２８，１３８，１４８．有機発光層
１０９．カソード電極
１１０．封止層
５０１．マスク
１０５０．電極膜
１０７０．バンク材料膜
１０８０．インク

Claims (9)

  1. 基板、および当該基板上に形成される駆動回路、および、前記駆動回路上に形成された平坦化層を含み、上面が平坦化された下地層と、
    上面が平坦化された前記下地層の上方に形成される第１電極と
    前記第１電極の上方に形成される機能層と、
    前記第１電極の上方に形成され、隣り合う発光部を区画するための開口部を有する複数の隔壁と、
    前記複数の隔壁間における前記開口部に対応する前記機能層の上方に形成され、有機発光材料を含むインクが塗布されて形成される発光層と、
    前記発光層の上方に形成され、第１電極と異なる極性を有する第２電極と、
    を有し、
    前記第１電極は、前記発光層における前記隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、前記発光層の前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、
    前記第１電極の前記第１の上面部は、前記第１電極の前記第２の上面部に対して上方に位置し、前記第２の上面部が平坦形状を有し、前記第１の上面部が、前記第２の上面部に対して段差を有し形成され、または、階段状に形成されており、
    前記機能層は、前記第１電極の前記第１の上面部および前記第２の上面部に沿って形成され、前記発光層における前記隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、前記発光層の前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、
    前記機能層の前記第１の上面部は、前記機能層の前記第２の上面部に対して上方に位置し、
    前記発光層は、前記機能層の前記第１の上面部および前記第２の上面部に沿って形成され、前記機能層に接触し、前記隔壁側の端部領域に対応する第１の下面部と、前記機能層に接触し、前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の下面部と、前記機能層と異なる側にあって、前記隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、前記機能層と異なる側にあって、前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、
    前記発光層の前記第１の下面部は、前記発光層の前記第２の下面部に対して上方に位置し、
    さらに、
    前記発光層の前記第１の上面部は、前記発光層の前記第２の上面部に対して上方に位置し、
    前記発光層の前記第１の下面部から前記第１の上面部までの層厚は、前記発光層の前記第２の下面部から前記第２上面部までの層厚と、等しい
    ことを特徴とする有機発光素子。
  2. 前記発光層の前記第１の上面部および前記第２の上面部を含む上面部は、前記発光層の前記第１の上面部が、前記発光層の前記第２の上面部に対して上方に位置することにより、上方に凹形状を有し、
    前記発光層の前記第１の下面部および前記第２の下面部を含む下面部は、前記発光層の前記第１の下面部が、前記発光層の前記第２の下面部に対して上方に位置することにより、下方に凸形状を有する、
    請求項１記載の有機発光素子。
  3. 前記機能層の前記第１の上面部は、前記機能層の前記第２の上面部に対し、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲内で上方に位置する、
    請求項１記載の有機発光素子。
  4. 前記発光層を前記隔壁間の断面方向に見る場合において、
    前記発光層の前記第１の上面部の長さが５０μｍ以上であって、前記発光層の前記第２の上面部の長さが５０μｍ以上であり、
    且つ、
    前記発光層の前記第１の上面部の長さが、前記発光部の全長に対して１／５以上１／３以下であって、前記発光層の前記第２の上面部の長さが、前記発光部の全長に対して１／３以上３／５以下である、
    請求項１記載の有機発光素子。
  5. 前記発光層における前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域とは、隣接する隔壁間の各中央部である、
    請求項１記載の有機発光素子。
  6. 前記複数の発光部は、異なる２方向に配列され、
    前記複数の隔壁は、隣り合う発光部を前記異なる２方向に区画するように形成され、
    前記第１電極における前記第１の上面部と前記第２の上面部、前記機能層における前記第１の上面部と前記第２の上面部、および前記発光層における前記第１の上面部と前記第２の上面部と前記第１の下面部と前記第２の下面部は、前記発光部における発光層の上面視における長軸方向に沿って各々配されている、
    請求項１記載の有機発光素子。
  7. 基板上に駆動回路を形成し、前記駆動回路上に平坦化層を形成することにより、前記駆動回路および前記平坦化層を含み、上面が平坦形状を有する下地層を形成する第１工程と、
    前記平坦形状を有する下地層の上方に第１電極を形成する第２工程と、
    前記第１電極の上方に機能層を形成する第３工程と、
    前記第２工程により形成された第１電極の上方に、隣り合う発光部を区画するための開口部を有する複数の隔壁を形成する第４工程と、
    前記複数の隔壁間における前記開口部に対応する前記機能層の上方に、有機発光材料を含むインクを塗布して発光層を形成する第５工程と、
    前記発光層の上方に、第１電極と異なる極性を有する第２電極とを形成する第６工程と、
    を有し、
    前記第２工程では、
    前記第１電極を、前記発光層における前記隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、前記発光層の前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、
    前記第１電極の前記第１の上面部が、前記第１電極の前記第２の上面部に対して上方に位置し、
    前記第２の上面部が平坦形状を有し、前記第１の上面部が、前記第２の上面部に対して段差を有し、または、階段状なるように、
    前記第１電極を形成し、
    前記第３工程では、
    前記機能層を、前記第１電極の前記第１の上面部および前記第２の上面部に沿って形成し、前記発光層における前記隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、前記発光層の前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、前記機能層の前記第１の上面部が、前記機能層の前記第２の上面部に対して上方に位置するように形成し、
    前記第５工程では、
    前記発光層を、前記機能層の前記第１の上面部および前記第２の上面部に沿って形成し、前記機能層に接触し、隔壁側の端部領域に対応する第１の下面部と、前記機能層に接触し、前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の下面部と、前記機能層と異なる側にあって、隔壁側の端部領域に対応する第１の上面部と、前記機能層と異なる側にあって、前記隔壁側の端部領域から中央部側に離間した他の領域に対応する第２の上面部と、を有し、
    前記発光層の前記第１の下面部が、前記発光層の前記第２の下面部に対して上方に位置し、
    さらに、
    前記発光層の前記第１の上面部が、前記発光層の前記第２の上面部に対して上方に位置し、
    前記発光層の前記第１の下面部から前記第１の上面部までの層厚が、前記発光層の前記第２の下面部から前記第２の上面部までの層厚と等しくなるように形成する、
    ことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
  8. 請求項８に記載された有機発光素子の製造方法により製造された有機発光素子を用いた有機表示パネル。
  9. 請求項８に記載された有機発光素子の製造方法により製造された有機発光素子を用いた有機表示装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2012073269A1 (ja) 2010-11-29 2014-05-19 パナソニック株式会社 有機ｅｌパネル、有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルを用いた有機発光装置、及び有機ｅｌパネルを用いた有機表示装置
JP6014883B2 (ja) * 2012-06-01 2016-10-26 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機発光素子、有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および塗布型デバイスと、これらの製造方法
FR2992098A1 (fr) * 2012-06-19 2013-12-20 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede de fabrication.
US10622412B2 (en) * 2014-10-20 2020-04-14 Joled Inc. Display panel
KR101664007B1 (ko) * 2014-12-31 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US10483479B2 (en) * 2016-03-01 2019-11-19 Pioneer Corporation Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device
WO2017217113A1 (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP6640034B2 (ja) * 2016-06-17 2020-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN109786552B (zh) * 2019-01-22 2020-10-16 合肥京东方光电科技有限公司 有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件
CN112038357A (zh) * 2020-08-31 2020-12-04 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007234581A (ja) * 2006-02-03 2007-09-13 Sony Corp 表示素子および表示装置
JP2008243773A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Seiko Epson Corp 電気発光装置、その製造方法、電子機器、薄膜構造体、薄膜形成方法
JP2009176589A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器
JP2010050107A (ja) * 2008-02-28 2010-03-04 Panasonic Corp 有機ｅｌディスプレイパネル

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2004047215A (ja) 2002-07-10 2004-02-12 Toshiba Corp 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ表示装置
JP2004127551A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法、および電子機器
JP4702516B2 (ja) 2003-05-07 2011-06-15 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US7190000B2 (en) * 2003-08-11 2007-03-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR101095293B1 (ko) * 2003-11-28 2011-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 제조 방법
KR100984362B1 (ko) * 2004-04-02 2010-09-30 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
WO2005107327A1 (ja) * 2004-04-30 2005-11-10 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光ディスプレイ
JP4645064B2 (ja) 2004-05-19 2011-03-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法
JP2006148050A (ja) * 2004-10-21 2006-06-08 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ、電気光学装置、及び電子機器
JP2006134624A (ja) 2004-11-04 2006-05-25 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器
JP4525536B2 (ja) 2004-11-22 2010-08-18 セイコーエプソン株式会社 Ｅｌ装置および電子機器
JP2007012411A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101328628B1 (ko) * 2006-07-28 2013-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP4439589B2 (ja) 2007-12-28 2010-03-24 パナソニック株式会社 有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法
CN101689559B (zh) * 2008-06-06 2011-12-28 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示屏及其制造方法
WO2010071160A1 (ja) * 2008-12-19 2010-06-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法、および、液晶表示装置の製造方法
WO2010143360A1 (ja) * 2009-06-11 2010-12-16 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイ
JP2011009017A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Panasonic Corp 有機ｅｌディスプレイパネル
JP5519532B2 (ja) * 2010-04-19 2014-06-11 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびそれを備えた有機ｅｌ表示装置並びに有機ｅｌ表示パネルの製造方法
JP5808624B2 (ja) * 2011-09-09 2015-11-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP2013214496A (ja) * 2012-03-08 2013-10-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器
KR101933567B1 (ko) * 2012-09-19 2018-12-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이를 포함하는 휴대용 표시 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007234581A (ja) * 2006-02-03 2007-09-13 Sony Corp 表示素子および表示装置
JP2008243773A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Seiko Epson Corp 電気発光装置、その製造方法、電子機器、薄膜構造体、薄膜形成方法
JP2009176589A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、電気光学装置ならびに電子機器
JP2010050107A (ja) * 2008-02-28 2010-03-04 Panasonic Corp 有機ｅｌディスプレイパネル

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