JP5273600B2

JP5273600B2 - 光半導体装置

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Publication number: JP5273600B2
Application number: JP2008157602A
Authority: JP
Inventors: 卓磨坂; 道秀笹田; 雅信岡安
Original assignee: 日本オクラロ株式会社
Priority date: 2008-06-17
Filing date: 2008-06-17
Publication date: 2013-08-28
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Description

本発明は、光通信技術を用いて使用される光トランシーバに内包される光半導体装置に関連し、特にCAN型光パッケージとフレキシブル基板が接続されて構成された光半導体装置に関連する。

光通信では、光信号を送受信するための光トランシーバと、光信号を伝播するための媒体として光ファイバが重要な役割を担っている。光トランシーバは、その筐体内に、電気信号を光信号に、光信号を電気信号に変換するための光半導体装置と、制御のための電子素子、電気コネクタ等を搭載したプリント基板を内包している。

光半導体装置の代表的な実施例が、特開２００７−４３４９６号公報、特開２００７−４２７５６号公報、特開２００６−８０４１８号公報などに例示されている。光半導体装置は、レーザ（光送信素子）、フォトダイオード（光受光素子）といった光電気変換を行う光素子を内に搭載したCAN型光パッケージと、フレキシブル基板によって構成される。このような光半導体装置の構成は、数百Mbps〜10Gbps程度の伝送速度に対応した光トランシーバ内において、しばしば利用されている。

上記従来例によれば、CAN型光パッケージとフレキシブル基板の接続法は、以下に述べる方法が取られる。CAN型光パッケージ裏面から、突き出たリードピンに、穴を開けたフレキシブル基板を挿し、その穴の部分で、リードピンとフレキシブル基板を固着する方法である。一般的に、リードピンは、グランド、電源、信号の端子であることが多く、フレキシブル基板上の金属パターンと、半田によって導通固着されることが多い。CAN型光パッケージのリードピンが、フレキシブル基板の孔に挿されているため、接続が強固なものとなり、温度湿度の変化による応力、機械的な圧力に強く、製品としての信頼性が高いという利点を有している。

特開２００７−４３４９６号公報特開２００７−４２７５６号公報特開２００６−８０４１８号公報

しかしながら、近年、光トランシーバの伝送速度は、１０Gbpsを超える伝送速度、すなわち２５Gbps、４０Gbps程度の伝送速度が要求されて来ており、従来の光半導体装置では、その欠点が顕著になり、適用できなくなって来ている。その欠点とは、以下である。CAN型光パッケージの信号用のリードピンと、フレキシブル基板上の信号用の金属パターンは、ほぼ垂直に接続される。この伝送路が急速に曲げられた箇所では、特性インピーダンスのミスマッチが生じやすくなり、高周波信号の反射を引き起こしてしまう。

高周波信号の反射は、伝送波形に劣化を引き起こすだけでなく、反射信号が光トランシーバの筐体内にノイズとして放射され、光トランシーバの誤動作を引き起こすことがあり、十分低減される必要がある。

そこで、本発明の目的は、CAN型光パッケージを用いた光半導体装置において、フレキシブル基板とCAN型光パッケージ両者が強固に接続され、製品としての信頼性を保ちながらも、接続部において、高周波信号の反射が少なく高周波特性の良い光半導体装置を提供することにある。

本発明は、ステムから垂直方向に複数のリードピンが取り付けられているCAN型光パッケージと、このリードピンと固着導通する目的で金属パターンがパターニングされたフレキシブル基板の接続構造に関するものである。

フレキシブル基板上の信号用金属パターンの該端が位置する場所で、フレキシブル基板は、おおむね直角程度で曲げられている。そして、ステムに取り付けられたリードピンのうち、少なくとも信号用リードピンが、フレキシブル基板上の信号用電気パターンと該水平を成す状態で、固着導通がとられる。

一方、ステムに取り付けられたリードピンの一部は、フレキシブル基板にあけられた孔に貫通された状態で、フレキシブル基板上の電気パターンと固着導通が取られている。

なお、ここで、従来例と本発明の特性を比較するため、電磁界計算による特性比較を図２６に示す。横軸は周波数であり、縦軸は反射損失である。従来例と比較して、本構造では反射損失が、周波数２０GHｚ程度で１５ｄB以上、３０GHｚ程度で１０ｄB以上の改善（低減）が見られていることが分かる。なお、図２７Ａ、Ｂは、本構造の特性を電磁界計算するために用いた図面である。図２７Ａ、Ｂは同一構造の断面図である。電磁界計算した際の条件を以下に示す。絶縁体１１２はガラス材（比誘電率は５．５）とした。第１のリードピン１０３は直径２００μｍで、特性インピーダンスはおよそ５０Ω程度となっている。第１のリードピン１０３と第１の金属パターン１０５は半田１１７によって接続固定されている。ステム１０２に第１のリードピン１０３は３本接続されているが、真ん中の第１のリードピン１０３がシグナル用で、残りの２本はグランドラインとして使用している。裏面のグランド金属パターン３０１は、スルーホール１０８によって、上面の第１のグランド用金属パターン１０５と接続されている。フレキシブル基板１０７はポリイミド材（比誘電率３．５）で、厚さは１００μｍである。第１の金属パターン１０５でシグナルラインは、幅２００μｍで、５０Ω程度の特性インピーダンスを有している。電磁界計算では、ステム１０２の厚さを１ｍｍ、信号用の第１の金属パターン１０５の長さを２ｍｍとして、計算した。

本発明によれば、ステムに取り付けられた一部のリードピンは、フレキシブル基板にあけた孔に貫通された状態で、接続されるため、フレキシブル基板とCAN型光パッケージが強固に接続される。その一方で、高周波信号を伝送する、リードピンと、フレキシブル基板上の金属パターンは、ほぼ水平に接続されるため、高周波信号の反射が少なくなるという利点を有する。

以下、図を用いて、本発明の実施例の一形態を説明する。

図１は、本実施の形態の光半導体装置とプリント基板１１０を概略的に示す斜視図である。光半導体装置とプリント基板１１０は、光トランシーバを構成する部品である。図２に図１の断面図を示し、図３にフレキシブル基板１０７のみの上面図を示す。

図１、図２に示すように、CAN型光パッケージは、ステム１０２と窓１１３をともなった蓋１０１によって、光素子１１５の気密封止が成される。ステム１０２上には、電子素子１１４と光素子１１５が搭載され、第１のリードピン１０３と第２のリードピン１０４を含め、電気的な結合をする必要がある箇所には、ワイヤ１１６で接続されている。第１のリードピン１０３、第２のリードピン１０４とステム１０２の間は、絶縁体１１２が位置している。ただし、リードピンの一部をグランドとして使用する場合、絶縁体１１２は必ずしも必要ではなく、ステム１０２にリードピンが直接取り付けられていることもある。第１のリードピン１０３には高周波電気信号が流れる。一方、第２のリードピン１０４は光素子に供給する電源に使用されているが、これ以外にもグランド、電子素子１１４用の電源、電子素子１１４の制御信号用として使用されても良い。

図３に示すように、フレキシブル基板１０７には、第１の金属パターン１０５と第２の金属パターン１０６がパターニングされている。図３において点線で示された金属パターンは、フレキシブル基板１０７裏面側にパターニングされた金属パターンである。折り目A-A’においてフレキシブル基板は直角程度に曲げられている。そして、第１の金属パターン１０５端部は折り目A-A’の近傍にあり、第１のリードピン１０３と半田１１７によって固着導通がとられている。すなわち、第１のリードピン１０３と第１の金属パターン１０５は、ほぼ水平に取り付けられるため、高周波信号の反射が少ないという利点がある。

さて、本構造の利点を、別の一面から説明する。光トランシーバ内においては、第１のリードピン１０３とプリント基板１１０は概ね水平に配置されることが多い。そのため、第１のリードピン１０３と第１の金属パターン１０５を概ね水平に取り付け、第１の金属パターン１０５と第３の金属パターン１０９を概ね水平に取り付けている本光半導体装置においては、フレキシブル基板１０７を大きく曲げる必要もないため、第１の金属パターン１０５を短く配線することが出来るという利点がある。この利点は、信号の伝送速度が速くなった時に特に顕著であり、以下に詳細に説明する。一般的に、信号用の第１の金属パターン１０５と、信号用の第１のリードピン１０３の特性インピーダンスを完全に一致して作製することは困難であり、信号用の第１の金属パターン１０５と、信号用の第３の金属パターン１０９の特性インピーダンスを完全に一致して作製することも困難である。すなわち、これらの特性インピーダンスの不連続点で、高周波信号は多少なりとも反射され、２点の反射点の間で、特定の周波数における共振を起こしてしまう。共振した信号の一部は、しばしノイズとして光トランシーバ内に放出され、他の電子部品の誤動作を引き起こす原因になったりする。共振する周波数は、一般的に、２分の１波長、１波長、２分の３波長・・・と２分の１波長ごとにおきことが知られている。すなわち、信号用の第１の金属パターン１０５の長さが短ければ短いほど、信号の周波数範囲内に、共振点が少なくて済み、光半導体装置の設計がしやすいという利点がある。例えば４０Ｇｂｐｓの信号を伝送する光半導体装置では、信号用の第１の金属パターン１０５の長さは６ｍｍ以下にするほうが望ましい。

さて、図１、図２に戻り、第２のリードピン１０４は、フレキシブル基板１０７に設けた第１の孔１１８に貫通され、半田１１７によって第２の金属パターン１０６と固着導通が取られる。このようにして、フレキシブル基板１０７と、ステム１０２をともなったCAN型光パッケージの固定は強固なものとなる。

なお、実際の折り目A-A’を１００ミクロン程度の曲げ半径以下で折ると第２の金属パターン１０６が破断しやすくなることが多く、数百ミクロン程度の曲げ半径を持つのが普通である。また、折り目A-A’においてフレキシブル基板は完全に直角に曲げられる必要があるわけでなく、９０度±２０度程度の曲げでも、本発明の目的は十分達成される。

図４は、フレキシブル基板１０７の上面図を示したものである。折り目A-A’近傍にてフレキシブル基板１０７は曲げられるが、第１の切れ込み２０１や、第２の孔２０２が設けられているため、フレキシブル基板１０７は曲げ易いという利点を有する。フレキシブル基板１０７の線B-B’における断面図を図５に示し、線C-C’における断面図を図６に示す。フレキシブル基板１０７は、ベースフィルム２０４上に金属パターン１０５、１０６がパターニングされ、樹脂層２０３によって金属パターン１０５、１０６が保護されているのが一般的である。このベースフィルム２０４と樹脂層２０３はポリイミド等の樹脂などの有機物で構成されている。またフレキブル基板１０７には内壁をメタライズしたスルーホール１０８を設けることが可能であり、必要に応じて、両面と裏面の金属パターンを導通することが出来る。

図７はフレキシブル基板１０７の上面図である。裏面には幅広の電源やグランド金属パターン３０１がパターニングされている。第１の金属パターン１０５や電源またはグランド金属パターン３０１の端部は、折り目A-A’の近くに位置する。一般的に、フレキシブル基板１０７を構成する材質は、金属パターンより柔らかい。そのため、このように幅広の金属パターンの端部が、折り目A-A’の近くに位置する場合は、フレキシブル基板が曲げ易いという利点を持つ。

図８はフレキシブル基板１０７の上面図である。裏面にはフレキシブル基板がおおむね垂直に曲げられる箇所で細くなっている第２の金属パターン１０６がパターニングされている。金属パターン１０６の細くなっている部分は、折り目A-A’の近くに位置する。フレキシブル基板１０７を構成する材質は、金属パターンより柔らかい。このように金属パターンの細くなっている部分が、折り目A-A’の近くに位置する場合は、曲げ易いという利点を持つ。

図９に光半導体装置の斜視図を、図１０に光半導体装置の断面図を、図１１にフレキシブル基板の上面図を示す。

図１１に示すフレキシブル基板１０７には、第３の孔５０１が設けられている。第３の孔５０１の該端まで、第１の金属パターン１０５が設けられており、図９に示すように、第１の金属パターン１０５と第１のリードピン１０４が水平を成すよう固着導通が取られており、高周波信号の反射が少なく伝搬されるという利点を持つ。また、第３の孔５０１に第１のリードピン１０３が貫通されるため、フレキシブル基板１０７とステム１０２の固定はより強固なものとなる。なお、グランドとして使われる第１の金属パターン１０５は、スルーホール１０８によってフレキシブル基板１０７裏面のグランド金属パターン３０１と接続されている。

図１２に第３の孔５０１の別実施形態を示す。第３の孔５０１は、複数のリードピン群１０３が貫通することになる。この場合、フレキシブル基板１０７に、第３の孔５０１を複数あける必要がなくなるため、孔５０１の製造がしやすくなるという利点がある。

図１３は、別実施形態のフレキシブル基板１０７を示す。フレキシブル基板１０７には、第２の切り込み５０２が入れられている。この場合、折り目A-A’近傍にて、フレキシブル基板がより折りやすい。また、二股に分かれたフレキシブル基板を、任意の方向、例えば、互い違いの方向に折り、ステムに取り付けることが出来るという利点を有する。

図１４に光半導体装置の断面図を示す。図１４で示されたCAN型光パッケージは、ステム１０２がセラミック６０１の積層で構成されており、ステム１０２の表面及び内部には、第４の金属パターン６０２がパターニングされ、ビア６０３が内包される。このように、第１のリードピン１０３がステム１０２の裏面よりほぼ垂直に取り付けられているCAN型光パッケージであれば、本発明のアイディアは適用でき、CAN型光パッケージの材質、構成、形状によらない。

図１４に戻って、第２の金属パターン１０６は、半田１１７によってステム１０２上の、第４の金属パターン６０２と固着導通が取られている。すなわち、第２のリードピン１０４は必ずしも必要ではなく、金属パターン同士の半田固着、または導電性接着剤による固着でも十分である。

図１４に戻って、第１のリードピン根元部６０４は太くなっている。これは、以下の理由による。フレキシブル基板１０７を曲げた場合、実際には、図示したR（数百ミクロン程度）の曲率半径を有した曲げと成る。すなわち、第１のリードピン根元部６０４と第１の金属パターン１０５の間には空隙が多少なりとも開いてしまう。このような空隙において、伝送線路のインピーダンスは増加し、高周波信号の反射を引き起こし易くなることが知られている。そこで、本発明では、第１のリードピン根元部６０４を太くすることで、インピーダンスを故意に低下させており、全体のインピーダンスの増加を防いでいる。

図１５に光半導体装置の断面図を示し、図１６にフレキシブル基板の上面図を示す。これは、図１４でしめしたCAN型光パッケージのリードピン１０３が、第３の孔５０１を貫通しているものである。フレキシブル基板の第１の金属パターン１０５は、第１のリードピン１０３が固着される部分において、半田１１７による固着を強固にするため、第１のリードピン１０３の直径よりも太くなっている部分を有する形態となっている。

図１７にフレキシブル基板１０７の上面図を示す。フレキシブル基板１０７の第２の金属パターン１０６は、フレキシブル基板１０７が曲げられる箇所A-A’近傍において、太くなっている。この場合、フレキシブル基板１０７が曲げられたとき、第２の金属パターン１０６の断線が少なくなるという利点を有する。

図１８は、図１７に示したフレキシブル基板のD-D’における断面図の一例である。フレキシブル基板１０７が曲げられる箇所において、表面または裏面の樹脂層２０３の一部は、取り払われて良い。この場合、フレキシブル基板１０７を曲げやすいという利点を有する。樹脂層２０３は、樹脂や接着剤を含む有機材料で構成されている。

図１９は、図１８に示したフレキシブル基板１０７の一例である。本構造は、フレキシブル基板１０７を曲げたときに、第２の金属パターン１０６が破断する恐れがある場合に適している。表面の樹脂層２０３の一部が取り払われているため、第２の金属パターン１０６上に半田１１７を固着することが出来、金属パターン１０６の補強を行うことが可能となる。

図２０に、図１７に示すフレキシブル基板のD-D’における断面図の一例である。金属パターンで空気中に晒される部分は、腐食防止のために、ニッケルを下地とする金メッキが施されることが多い。ニッケル材質は延性が少なく、金属パターン１０６を曲げた場合、金属パターンの破断を引き起こすことが多く問題である。そこで、金属パターン１０６上には、樹脂層２０３が取り付けられており、ニッケルを下地とする金メッキを施す必要性が無くなるという利点がある。

図２１はフレキシブル基板の上面図、図２２は図２１に示したフレキシブル基板を用いた光半導体装置の断面図である。第３の孔５０１が、第１の金属パターン１０５の一部の三方向を囲んでいる形状となっている。この場合、第１の金属パターン１０５の端部を第１のリードピン１０３の根元まで近接させた場合においても、フレキシブル基板１０７には急峻な曲げが加わらなくなる。すなわち、第２の金属パターン１０６の破断がしにくくなるという利点がある。

図２３に、光半導体装置の実施例を示す斜視図を示し、そのフレキシブル基板の上面図を図２４に示す。第３の孔５０１は、第１の金属パターン１０５の一部の三方向を、囲んだ形状となっている。この場合、フレキシブル基板１０７を急峻に曲げることなく、第１の金属パターン１０５の該端部を第１のリードピン１０３の根元まで近接させることが出来るという利点を有する。

図２５は、光半導体装置の実施例を示す斜視図である。ステム１０２には台座１１０１が取り付けられており、台座１１０１には、第１のリードピン１０３が取り付けられている。また、フレキシブル基板１０５には、第２の切れ込５０２があり、台座１１０１は第２の切れ込み５０２の中に位置する。この光半導体装置では、第１のリードピン１０３が取り付けられた位置の高さは、第２のリードピン１０４が取り付けられた位置の高さよりも高くなっている。このような形態では、フレキシブル基板１０５の曲げ曲率半径が大きくした場合でも、第１のリードピン１０３の根元部と第１の金属パターン端部を近接させることが出来るという利点を有する。すなわち、第２の金属パターン１０６の破断等を避けると同時に、高周波信号の伝送を良くすることが可能となる。

光通信分野で利用されるCAN型光パッケージを用いた光半導体装置において、フレキシブル基板とCAN型光パッケージ両者が強固に接続され、接続部において、高周波信号の反射が少なく高周波特性の良い光半導体装置を提供することができる。

本発明第１の実施形態を示す斜視図である。本発明第１の実施形態を示す断面図である。本発明第１の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第２の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第２の実施形態のフレキシブル基板を示す断面図である。本発明第２の実施形態のフレキシブル基板を示す断面図である。本発明第３の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第４の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第５の実施形態を示す斜視図である。本発明第５の実施形態を示す断面図である。本発明第５の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第５の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第５の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第６の実施形態を示す断面図である。本発明第７の実施形態を示す断面図である。本発明第７の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第８の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第８の実施形態のフレキシブル基板を示す断面図である。本発明第８の実施形態のフレキシブル基板を示す断面図である。本発明第９の実施形態のフレキシブル基板を示す断面図である。本発明第１０の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第１０の実施形態を示す断面図である。本発明第１０の実施形態を示す斜視図である。本発明第１０の実施形態のフレキシブル基板を示す上面図である。本発明第１２の実施形態を示す斜視図である。本発明の効果を示すグラフである。本発明の効果を確認するための断面図である。本発明の効果を確認するための断面図である。

符号の説明

101…蓋、
102…ステム、
103…第１のリードピン、
104…第２のリードピン、
105…第１の金属パターン、
106…第２の金属パターン、
107…フレキシブル基板、
108…スルーホール、
109…第３の金属パターン、
110…プリント基板、
111…スルーホール、
112…絶縁体、
113…窓、
114…電子素子、
115…光素子、
116…ワイヤ、
117…半田、
118…第１の孔、
201…第１の切れ込み、
202…第２の孔、
203…樹脂層、
204…ベースフィルム、
301…電源またはグランド金属パターン、
501…第３の孔、
502…第２の切れ込み、
601…セラミック、
602…第４の金属パターン、
603…ビア、
604…第１のリードピン根元部、
1101…台座。

Claims

ステム底面に対して法線方向に第１および第２のリードピンを含む複数のリードピンが取り付けられたCAN型光パッケージと、
前記リードピンと固着導通される金属パターンが設けられたフレキシブル基板とを備え、
前記フレキシブル基板は、該基板の第１の主表面上に第１の金属パターンが設けられた第１領域と、前記第１の金属パターンが設けられていない第２領域とを有するとともに、第２の金属パターンは、前記第１の主表面と対向する第２の主表面上に設けられており、
前記第１領域は、前記第１領域と前記第２領域の境界近傍で曲げられ前記ステム底面に対してほぼ直角をなし、
前記第２領域は、前記ステム底面に沿って固着され、
前記第１のリードピンと前記第１の金属パターンとが概ね水平をなすように固着導通され、
前記第２のリードピンは、前記フレキシブル基板に設けられた第１の孔を貫通して、前記第２の金属パターンと固着導通されることを特徴とする光半導体装置。
前記第２の金属パターンのすくなくとも一部が、前記第１領域の前記第２の主表面にあることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
前記第１のリードピンの一部は、高周波信号を伝搬するために使用され、
前記第２のリードピンは、電源、グランド、低周波信号を伝搬するために使用されることを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体装置。
前記フレキシブル基板は、前記第１領域と前記第２領域の境界近傍に設けられた第１の切り込みまたは第２の孔を備え、
前記第１の切り込みまたは前記第２の孔付近で、前記フレキシブル基板が概ね直角に曲げられていることを特徴とする請求項１乃至３に記載の光半導体装置。
前記第２の主表面には、幅広の電源またはグランド金属パターンが設けられ、前記グランド金属パターンの一端部が前記フレキシブル基板が概ね垂直に曲げられる箇所に位置することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
前記第２の金属パターンの幅が、前記フレキシブル基板がおおむね直角に曲げられる箇所で細くなっていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
前記フレキシブル基板は、前記境界近傍にその一辺を有する第２の切り込みまたは第３の孔を備え、
前記第２の切り込みの前記一端付近または前記第３の孔の前記一端付近まで、前記第１の金属パターンが設けられており、前記第１の金属パターンと前記第１のリードピンが概ね水平を成すように固着導通されることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
ステム底面に対して法線方向に少なくとも一つの第１のリードピンが取り付けられたCAN型光パッケージと、
前記リードピンと固着導通される金属パターンが設けられたフレキシブル基板とを備え、
前記ステムは、複数のセラミック層が積層されてなり、
前記セラミック層のそれぞれの表面には、金属パターンがパターニングされた電極パッドが設けられ、前記セラミック層のそれぞれがビアを介して前記電極パッドと電気的に接続され、さらに前記第１のリードピンに電気的に接続され、
前記フレキシブル基板は、該基板の第１の主表面上に第１の金属パターンが設けられた第１領域と、前記第１の金属パターンが設けられていない第２領域とを有するとともに、第２の金属パターンは、前記第１の主表面に対向する第２の主表面上に設けられており、
前記第１領域は、前記第１領域と前記第２領域の境界近傍で曲げられ前記ステム底面に対してほぼ直角をなし、
前記第２領域は、前記ステム底面に沿って固着され、
前記第１のリードピンと前記第１の金属パターンとが概ね水平をなすように固着導通され、
前記電極パッドと前記第２の金属パターンとが固着導通されることを特徴とする光半導体装置。
前記第１のリードピンの断面太さが、前記ステム接続部において太くなっていることを特徴とする請求項８記載の光半導体装置。
前記フレキシブル基板の前記第１の金属パターンは、前記第１のリードピンが固着される部分において、前記第１のリードピンの幅よりも太くなっている部分を有することを特徴とする請求項１または８記載の光半導体装置。
前記第２の金属パターンは、概ね前記フレキシブル基板が曲げられる箇所において、太くなっていることを特徴とする請求項１または８記載の光半導体装置。
前記フレキシブル基板に設けられた金属パターンを覆う樹脂層の一部が、概ね前記フレキシブル基板が曲げられる箇所において、取り払われていることを特徴とする請求項１または８記載の光半導体装置。
前記フレキシブル基板上の第２の金属パターンは、概ね前記フレキシブル基板が曲げられる箇所において、半田固着されていることを特徴とする請求項１または８記載の光半導体装置。
前記フレキシブル基板上の第２の金属パターンが、概ね前記フレキシブル基板が曲げられる箇所において、樹脂層によって覆われていることを特徴とする請求項１または８記載の光半導体装置。
前記第１のリードピンの前記ステム底面からの高さが、前記第２のリードピンの前記ステム底面からの高さより高くなるように設定されていることを特徴とする請求項１または８記載の光半導体装置。
請求項１または請求項８に記載の光半導体装置と、
プリント基板と、を備え、
前記フレキシブル基板は、前記第２の主表面側にて前記プリント基板と接続される
ことを特徴とする光トランシーバ。