JP5265098B2 - Lto保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 - Google Patents
Lto保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5265098B2 JP5265098B2 JP2006241980A JP2006241980A JP5265098B2 JP 5265098 B2 JP5265098 B2 JP 5265098B2 JP 2006241980 A JP2006241980 A JP 2006241980A JP 2006241980 A JP2006241980 A JP 2006241980A JP 5265098 B2 JP5265098 B2 JP 5265098B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- image sensor
- forming
- manufacturing
- photoresist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 49
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 15
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
402 エッチング停止膜
403 酸化膜
404 窒化膜
407B OCL1
408 カラーフィルタ
409 OCL2
410 マイクロレンズ
411A,411B フォトレジストパターン
412 金属酸化膜
Claims (18)
- 受光領域である第1の領域及びパッドの形成領域である第2の領域を含むイメージセンサの製造方法において、
フォトダイオードを含む下部構造上の前記第2の領域に金属配線を形成するステップと、
前記金属配線が形成された前記下部構造上に保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、
選択的パターニングにより、前記第1の領域に第1のオーバーコート層を形成し、かつ、前記第2の領域の前記オープン部にオーバーコート層プラグを前記第1のオーバーコート層とは分離して形成するステップと、
前記第1の領域の前記第1のオーバーコート層上にカラーフィルタ、第2のオーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、
前記オーバーコート層プラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記オーバーコート層プラグを除去するため、エッチバック工程を行うステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと、
を含む、イメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、
前記エッチバック工程後に残留する厚さが、前記マイクロレンズを十分にマスキングできる程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックするステップにおいて、
プラズマ方式を利用して、該プラズマソースの温度を−20℃〜100℃の範囲の温度にすることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去するステップにおいて、
ポジティブフォトレジストの再処理において使用される溶剤によって前記フォトレジストパターンを除去することを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記プラズマソースとしてO2が用いられることを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エッチバック工程の際、前記オーバーコート層プラグが除去された金属配線の上に金属酸化膜が形成されることを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記プラズマソースとしてHe又はN2が用いられることを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のオーバーコート層が、1000Å〜20000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトレジストパターンを除去するステップの後に、洗浄するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記洗浄するステップにおいて、酢酸又は2.3%のTMAHが用いられることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記保護膜が、酸化膜と窒化膜との積層構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 受光領域である第1の領域及びパッドの形成領域である第2の領域を含むイメージセンサの製造方法において、
フォトダイオードを含む下部構造上の前記第2の領域に金属配線を形成するステップと、
前記金属配線が形成された前記下部構造上に保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、
前記第1の領域の保護膜上にカラーフィルタを形成し、かつ前記カラーフィルタのうち、最も先に形成するカラーの形成の際、選択的パターニングにより、該形成されるカラーとは分離して前記第2の領域の前記オープン部にカラーフィルタプラグを形成するステップと、
前記第1の領域の前記カラーフィルタ上に、オーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、
前記カラーフィルタプラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記カラーフィルタプラグを除去するために、エッチバック工程を行うステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと、
を含む、イメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、
前記エッチバック工程後に残留する厚さが、前記マイクロレンズを十分にマスキングできる程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックするステップにおいて、
プラズマ方式を利用し、該プラズマソースの温度を−20℃〜100℃の範囲の温度にすることを特徴とする請求項12又は13に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去するステップにおいて、
ポジティブフォトレジストの再処理において使用される溶剤によって前記フォトレジストパターンを除去することを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記プラズマソースとしてO2が用いられることを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エッチバック工程の際、前記カラーフィルタプラグが除去された金属配線の上に、金属酸化膜が形成されることを特徴とする請求項16に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記プラズマソースとしてHe又はN2が用いられることを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0083683 | 2005-09-08 | ||
KR1020050083683A KR100670477B1 (ko) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | Lto 보호막을 생략할 수 있는 이미지센서 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073966A JP2007073966A (ja) | 2007-03-22 |
JP5265098B2 true JP5265098B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=37808234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006241980A Active JP5265098B2 (ja) | 2005-09-08 | 2006-09-06 | Lto保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7294524B2 (ja) |
JP (1) | JP5265098B2 (ja) |
KR (1) | KR100670477B1 (ja) |
TW (1) | TWI306665B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100853096B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-08-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
KR100823031B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-04-17 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
KR100881458B1 (ko) * | 2007-02-23 | 2009-02-06 | 삼성전자주식회사 | 마이크로렌즈 보호패턴을 갖는 촬상소자, 카메라모듈, 및그 제조방법 |
JP2008270500A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
JP2008277800A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
KR100872988B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2008-12-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20090124037A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | United Microelectronics Corp. | Method of preventing color striation in fabricating process of image sensor and fabricating process of image sensor |
KR20090064799A (ko) * | 2007-12-17 | 2009-06-22 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
ITRM20080610A1 (it) | 2008-11-13 | 2010-05-14 | Aptina Imaging Corp | Procedimento per passivazione in umido di piazzole di unione per protezione contro un trattamento successivo basato su tmah. |
JP5988020B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-09-07 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP6200188B2 (ja) * | 2013-04-08 | 2017-09-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP6168915B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2017-07-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6433208B2 (ja) | 2014-02-20 | 2018-12-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
US9324755B2 (en) | 2014-05-05 | 2016-04-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with reduced stack height |
US9818776B2 (en) | 2015-04-08 | 2017-11-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Integrating bond pad structures with light shielding structures on an image sensor |
US10217783B2 (en) | 2015-04-08 | 2019-02-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods for forming image sensors with integrated bond pad structures |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521780A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
JPH06302794A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子の製法 |
JP2000164836A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 固体撮像装置等の半導体装置の製造方法 |
JP2001339059A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
US6344369B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-02-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process |
JP2002176156A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2002314057A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像システム |
JP3959710B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2007-08-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
KR100462757B1 (ko) * | 2002-03-14 | 2004-12-20 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 |
US6632700B1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to form a color image sensor cell while protecting the bonding pad structure from damage |
TWI222178B (en) * | 2003-11-12 | 2004-10-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of image sensor device |
TWI234186B (en) * | 2004-06-08 | 2005-06-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Color image sensor device and fabrication method thereof |
KR100504563B1 (ko) * | 2004-08-24 | 2005-08-01 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
KR100672707B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 본딩패드 형성방법 |
-
2005
- 2005-09-08 KR KR1020050083683A patent/KR100670477B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-09-06 JP JP2006241980A patent/JP5265098B2/ja active Active
- 2006-09-06 US US11/515,804 patent/US7294524B2/en active Active
- 2006-09-08 TW TW095133160A patent/TWI306665B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100670477B1 (ko) | 2007-01-16 |
TWI306665B (en) | 2009-02-21 |
TW200729473A (en) | 2007-08-01 |
US7294524B2 (en) | 2007-11-13 |
JP2007073966A (ja) | 2007-03-22 |
US20070037314A1 (en) | 2007-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5265098B2 (ja) | Lto保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 | |
KR100664790B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
US7723150B2 (en) | Image sensor and fabricating method thereof | |
US6344369B1 (en) | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process | |
KR20060136104A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 | |
JP2006351761A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
US9093578B2 (en) | Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera | |
CN100463140C (zh) | 用于制造cmos图像传感器的方法 | |
TWI222178B (en) | Manufacturing method of image sensor device | |
US20060126005A1 (en) | Method for reforming color filter array of a CMOS image sensor | |
JP5016183B2 (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
KR100997678B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
KR100749365B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
KR100649018B1 (ko) | 이미지 센서의 금속패드 산화 방지 방법 | |
KR100877879B1 (ko) | 이미지센서 제조방법 | |
KR100718779B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
US8039286B2 (en) | Method for fabricating optical device | |
JP4778201B2 (ja) | Cmosイメージセンサの製造方法 | |
KR100593157B1 (ko) | 크랙 발생을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
JP4594617B2 (ja) | 冗長モジュールを備えたcmosイメージセンサの製造方法 | |
US6736146B2 (en) | Method of rapidly reworking color filters | |
KR100731132B1 (ko) | Cmos 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
US7781252B2 (en) | Method of manufacturing CMOS image sensor | |
KR20090035926A (ko) | Cmos이미지 센서 소자의 제조 방법 | |
WO2021082015A1 (zh) | 芯片电极开窗的方法和芯片 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090624 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090713 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110927 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111221 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20121228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130409 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130501 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5265098 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |