JPH0521780A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0521780A JPH0521780A JP3174169A JP17416991A JPH0521780A JP H0521780 A JPH0521780 A JP H0521780A JP 3174169 A JP3174169 A JP 3174169A JP 17416991 A JP17416991 A JP 17416991A JP H0521780 A JPH0521780 A JP H0521780A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- dielectric film
- light receiving
- solid
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
- H01L29/765—Charge-coupled devices
- H01L29/768—Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/76816—Output structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コストを従来とほぼ同レベルとしたままで、
固体撮像素子の感度を更に向上させる。 【構成】 半導体基板１上に複数の受光部４、それによ
り光電変換された信号を順次転送する転送部３、及び転
送された信号を順次読み出す出力部２が形成され、該基
板１の上が第１、第２及び第３の誘電体膜５、６及び８
にて覆われている。そのうちの第２、第３の誘電体膜
６、８において、出力部２の上方部分に開口部１５が形
成されている。よって、その開口部１５の存在により出
力部２の検査部容量が下がる。
固体撮像素子の感度を更に向上させる。 【構成】 半導体基板１上に複数の受光部４、それによ
り光電変換された信号を順次転送する転送部３、及び転
送された信号を順次読み出す出力部２が形成され、該基
板１の上が第１、第２及び第３の誘電体膜５、６及び８
にて覆われている。そのうちの第２、第３の誘電体膜
６、８において、出力部２の上方部分に開口部１５が形
成されている。よって、その開口部１５の存在により出
力部２の検査部容量が下がる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばエリアセンサ、
ラインセンサなどに使用され、ＣＣＤ（電荷結合素子）
等を用いた固体撮像素子に関する。
ラインセンサなどに使用され、ＣＣＤ（電荷結合素子）
等を用いた固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記固体撮像素子は、従来当初、図２に
示すように構成されていた。即ち、半導体基板１０１の
上層部の画素領域１１３に、光電変換機能を有する受光
部１０４…及び受光部１０４にて光電変換されて得られ
た電気信号を転送する転送部１０３…が、受光部１０４
と転送部１０３とを隣合わせて多数形成されている。ま
た、上記画素領域１１３の近傍に位置する出力部領域１
１２には、転送部１０３から転送されたきた信号を出力
するための出力部１０２が形成され、更に離れたフィー
ルド部１１１にはパッド部１０７が設けられている。こ
のように形成された基板１０１上の全面にわたって、Ｓ
ｉＯ2にＢ（ボロン）とＰ（リン）を添加したＢＰＳＧ
膜１０５が形成され、更にその上には上記パッド部１０
７の上方部分を除く全面にＳｉＯ2にＰ（リン）を添加
したＰＳＧ膜１０６が形成されている。なお、パッド部
１０７については、上述した下側のＢＰＳＧ膜１０５の
上に設けている。
示すように構成されていた。即ち、半導体基板１０１の
上層部の画素領域１１３に、光電変換機能を有する受光
部１０４…及び受光部１０４にて光電変換されて得られ
た電気信号を転送する転送部１０３…が、受光部１０４
と転送部１０３とを隣合わせて多数形成されている。ま
た、上記画素領域１１３の近傍に位置する出力部領域１
１２には、転送部１０３から転送されたきた信号を出力
するための出力部１０２が形成され、更に離れたフィー
ルド部１１１にはパッド部１０７が設けられている。こ
のように形成された基板１０１上の全面にわたって、Ｓ
ｉＯ2にＢ（ボロン）とＰ（リン）を添加したＢＰＳＧ
膜１０５が形成され、更にその上には上記パッド部１０
７の上方部分を除く全面にＳｉＯ2にＰ（リン）を添加
したＰＳＧ膜１０６が形成されている。なお、パッド部
１０７については、上述した下側のＢＰＳＧ膜１０５の
上に設けている。
【０００３】ところで、近年においては、固体撮像素子
の小型化や多画素化が図られており、これに伴って高感
度化を求める市場の要求がますます高まってきている。
その高感度化を図る方式としては、従来より、 受光部の面積を広げて入射光量を増加させ、その受光
部で光電変換される信号量を増やす方式 出力部に備わった検出部の容量を下げて電荷電圧変換
率を向上させ、受光部で光電変換された信号量（電荷
量）を効率良く出力電圧に変換する方式の２つが知られ
ている。
の小型化や多画素化が図られており、これに伴って高感
度化を求める市場の要求がますます高まってきている。
その高感度化を図る方式としては、従来より、 受光部の面積を広げて入射光量を増加させ、その受光
部で光電変換される信号量を増やす方式 出力部に備わった検出部の容量を下げて電荷電圧変換
率を向上させ、受光部で光電変換された信号量（電荷
量）を効率良く出力電圧に変換する方式の２つが知られ
ている。
【０００４】上記の方式を採用した具体例としては、
図３に示すように、図２と同様に構成されたものの最上
層であるＰＳＧ膜１０６の上に、間にアクリル樹脂やポ
リイミド樹脂等からなる高分子樹脂膜１０８とカラーフ
ィルター１０９とを介装して、マイクロレンズ１１０を
形成する。つまり、このマイクロレンズ１１０により受
光部１０４への入射光の集光率を向上させ、これにより
受光部１０４で光電変換される信号量を増やしている。
図３に示すように、図２と同様に構成されたものの最上
層であるＰＳＧ膜１０６の上に、間にアクリル樹脂やポ
リイミド樹脂等からなる高分子樹脂膜１０８とカラーフ
ィルター１０９とを介装して、マイクロレンズ１１０を
形成する。つまり、このマイクロレンズ１１０により受
光部１０４への入射光の集光率を向上させ、これにより
受光部１０４で光電変換される信号量を増やしている。
【０００５】一方、の方式を採用した具体例として
は、出力部１０２に備わった検出ダイオードの面積を縮
小したり、或はその検出ダイオードと同じく出力部１０
２に備わった初段のドライバ・ゲートとの間の配線長さ
を短くし、これにより出力部１０２の検出部容量を下げ
て電荷電圧変換率を向上している。
は、出力部１０２に備わった検出ダイオードの面積を縮
小したり、或はその検出ダイオードと同じく出力部１０
２に備わった初段のドライバ・ゲートとの間の配線長さ
を短くし、これにより出力部１０２の検出部容量を下げ
て電荷電圧変換率を向上している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようにして高感度化を図っても、十分に満足できるレベ
ルにまでは到達できておらず、更なる高感度化が要求さ
れている。なお、そのために現行の製造プロセスを大幅
に変更したり、或は新規な材料や新規な装置を採用した
場合には、要求には答えられるけれどもコストが異常に
高くなり好ましくない。
ようにして高感度化を図っても、十分に満足できるレベ
ルにまでは到達できておらず、更なる高感度化が要求さ
れている。なお、そのために現行の製造プロセスを大幅
に変更したり、或は新規な材料や新規な装置を採用した
場合には、要求には答えられるけれどもコストが異常に
高くなり好ましくない。
【０００７】本発明はこのような従来技術の課題を解決
するものであり、コストを従来とほぼ同レベルとしたま
まで更に感度の向上を図れる固体撮像素子を提供するこ
とを目的とする。
するものであり、コストを従来とほぼ同レベルとしたま
まで更に感度の向上を図れる固体撮像素子を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、基板上に複数の受光部、それにより光電変換された
信号を順次転送する転送部、及び転送された信号を順次
読み出す出力部が形成され、該基板の上が少なくとも１
層からなる誘電体層にて覆われていると共に、該誘電体
層の該出力部の上方部分が開口されており、そのことに
よって、上記目的が達成される。
は、基板上に複数の受光部、それにより光電変換された
信号を順次転送する転送部、及び転送された信号を順次
読み出す出力部が形成され、該基板の上が少なくとも１
層からなる誘電体層にて覆われていると共に、該誘電体
層の該出力部の上方部分が開口されており、そのことに
よって、上記目的が達成される。
【０００９】
【作用】本発明にあっては、基板の上を覆っている誘電
体層の出力部の上方部分が開口されているので、出力部
の検査部容量が下がった状態になる。
体層の出力部の上方部分が開口されているので、出力部
の検査部容量が下がった状態になる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００１１】図１は本発明を適用したマイクロレンズ搭
載の固体撮像素子を示す断面図である。この素子は、半
導体基板１の上層部の画素領域１３に、光電変換機能を
有する多数のフォトダイオード等からなる受光部４…が
複数列形成され、各列の間にＣＣＤ等からなる転送部３
…が形成されている。この転送部３は、受光部４にて光
電変換されて得られた電気信号を転送する。
載の固体撮像素子を示す断面図である。この素子は、半
導体基板１の上層部の画素領域１３に、光電変換機能を
有する多数のフォトダイオード等からなる受光部４…が
複数列形成され、各列の間にＣＣＤ等からなる転送部３
…が形成されている。この転送部３は、受光部４にて光
電変換されて得られた電気信号を転送する。
【００１２】上記画素領域１３の近傍は出力部領域１２
となっており、この領域１２には転送部３から転送され
たきた信号を出力するための出力部２が形成され、更に
出力部領域１２から離れたフィールド部１１にはパッド
部７が設けられる。
となっており、この領域１２には転送部３から転送され
たきた信号を出力するための出力部２が形成され、更に
出力部領域１２から離れたフィールド部１１にはパッド
部７が設けられる。
【００１３】このように形成された半導体基板１の上は
全面にわたって、例えばＳｉＯ2にＢ（ボロン）とＰ
（リン）を添加したＢＰＳＧからなる第１の誘電体膜５
が形成されている。この第１の誘電体膜５の材質として
はＢＰＳＧに限らず、他のＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ
化合物を使用してもよい。なお、パッド部７はこの第１
の誘電体膜５の上に設けている。更に、第１の誘電体膜
５の上には、上記パッド部７の上方部分と出力部２の上
方部分とを除いて全面に、例えばＳｉＯ2にＰ（リン）
を添加したＰＳＧからなる第２の誘電体膜６と、アクリ
ル樹脂やポリイミド樹脂等の高分子樹脂からなる第３の
誘電体膜８とが下側からこの順に形成され、第２の誘電
体膜６及び第３の誘電体膜８におけるパッド部７の上方
部分は開口部１４となっており、同じく出力部２の上方
部分は開口部１５となっている。
全面にわたって、例えばＳｉＯ2にＢ（ボロン）とＰ
（リン）を添加したＢＰＳＧからなる第１の誘電体膜５
が形成されている。この第１の誘電体膜５の材質として
はＢＰＳＧに限らず、他のＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ
化合物を使用してもよい。なお、パッド部７はこの第１
の誘電体膜５の上に設けている。更に、第１の誘電体膜
５の上には、上記パッド部７の上方部分と出力部２の上
方部分とを除いて全面に、例えばＳｉＯ2にＰ（リン）
を添加したＰＳＧからなる第２の誘電体膜６と、アクリ
ル樹脂やポリイミド樹脂等の高分子樹脂からなる第３の
誘電体膜８とが下側からこの順に形成され、第２の誘電
体膜６及び第３の誘電体膜８におけるパッド部７の上方
部分は開口部１４となっており、同じく出力部２の上方
部分は開口部１５となっている。
【００１４】これら開口部１４及び１５は、第２の誘電
体膜６及び第３の誘電体膜８を基板１の全面に形成した
後に、例えば一般的に行われるプラズマエッチングを施
して形成され、特に出力部２の上方の開口部１５につい
ては、出力部２の上表面と同じ形状、大きさとなしてあ
る。なお、第２の誘電体膜６の材質はＰＳＧに限定する
ものではなく、他のＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ化合物
を使用してもよい。また、第３の誘電体膜８の材質はア
クリル樹脂やポリイミド樹脂に限るものではなく、他の
高分子樹脂を使用してもよい。
体膜６及び第３の誘電体膜８を基板１の全面に形成した
後に、例えば一般的に行われるプラズマエッチングを施
して形成され、特に出力部２の上方の開口部１５につい
ては、出力部２の上表面と同じ形状、大きさとなしてあ
る。なお、第２の誘電体膜６の材質はＰＳＧに限定する
ものではなく、他のＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ化合物
を使用してもよい。また、第３の誘電体膜８の材質はア
クリル樹脂やポリイミド樹脂に限るものではなく、他の
高分子樹脂を使用してもよい。
【００１５】かかる第３の誘電体膜８の上には、前記画
素領域１３の上方部分にカラーフィルター９が形成さ
れ、更にそのカラーフィルター９の上には透明樹脂等か
らなるマイクロレンズ１０が形成されている。
素領域１３の上方部分にカラーフィルター９が形成さ
れ、更にそのカラーフィルター９の上には透明樹脂等か
らなるマイクロレンズ１０が形成されている。
【００１６】このように構成された本発明素子にあって
は、出力部２の上に第２の誘電体膜６と第３の誘電体膜
８とが存在しないため、出力部２の検査部容量が低下し
て電荷電圧変換率が向上し、加えてマイクロレンズ１０
を受光部２の上に設けて光電変換される信号量の増加を
図っているため、その結果、従来のマイクロレンズを搭
載したものより２０％程度高い感度特性が得られる。ま
た、現行の製造プロセスを大幅に変更したり、或は新規
な材料や新規な装置を用いないので、従来と同レベルの
コストで済む。なお、第１、第２の誘電体膜５及び６に
ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ化合物を使用し、第３の誘
電体膜８に高分子樹脂を使用した場合には、信頼性およ
び製造コストの点で好ましい。
は、出力部２の上に第２の誘電体膜６と第３の誘電体膜
８とが存在しないため、出力部２の検査部容量が低下し
て電荷電圧変換率が向上し、加えてマイクロレンズ１０
を受光部２の上に設けて光電変換される信号量の増加を
図っているため、その結果、従来のマイクロレンズを搭
載したものより２０％程度高い感度特性が得られる。ま
た、現行の製造プロセスを大幅に変更したり、或は新規
な材料や新規な装置を用いないので、従来と同レベルの
コストで済む。なお、第１、第２の誘電体膜５及び６に
ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ化合物を使用し、第３の誘
電体膜８に高分子樹脂を使用した場合には、信頼性およ
び製造コストの点で好ましい。
【００１７】上記実施例においては第２の誘電体膜６と
第３の誘電体膜８とを開口させて、出力部２の上方部分
に開口部１５を設けたが、出力部２の直ぐ上に存在する
第１の誘電体膜５についても開口させるようにしてもよ
い。このようにした場合には、更に高い感度が得られ
る。
第３の誘電体膜８とを開口させて、出力部２の上方部分
に開口部１５を設けたが、出力部２の直ぐ上に存在する
第１の誘電体膜５についても開口させるようにしてもよ
い。このようにした場合には、更に高い感度が得られ
る。
【００１８】なお、本発明は、高感度化を図るべく出力
部２に備わった検出ダイオードの面積を縮小したり、或
はその検出ダイオードと初段のドライバ・ゲートとの間
の配線長さを短くし、これにより出力部２の検出部容量
を下げて電荷電圧変換率を向上させる構成とした場合に
も適用可能であり、この場合にも出力部の上の誘電体膜
に開口部を設けるとよい。
部２に備わった検出ダイオードの面積を縮小したり、或
はその検出ダイオードと初段のドライバ・ゲートとの間
の配線長さを短くし、これにより出力部２の検出部容量
を下げて電荷電圧変換率を向上させる構成とした場合に
も適用可能であり、この場合にも出力部の上の誘電体膜
に開口部を設けるとよい。
【００１９】また、本発明は、インターライン転送方式
のＣＣＤ固体撮像素子やフレームトランスファ方式の固
体撮像素子などにも適用可能である。
のＣＣＤ固体撮像素子やフレームトランスファ方式の固
体撮像素子などにも適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の固体撮像素
子にあっては、基板の上を覆っている誘電体層の出力部
の上方部分が開口されているので、出力部の検査部容量
を下げることができ、これにより感度をより向上させる
ことが可能となる。また、開口させるだけでよいので、
現行の製造プロセスを大幅に変更したり、或は新規な材
料や新規な装置を用いる必要がなく、従来と同レベルの
コストで済む。
子にあっては、基板の上を覆っている誘電体層の出力部
の上方部分が開口されているので、出力部の検査部容量
を下げることができ、これにより感度をより向上させる
ことが可能となる。また、開口させるだけでよいので、
現行の製造プロセスを大幅に変更したり、或は新規な材
料や新規な装置を用いる必要がなく、従来と同レベルの
コストで済む。
【図１】本発明を適用した固体撮像素子を示す断面図。
【図２】従来当初の固体撮像素子を示す断面図。
【図３】従来の固体撮像素子を示す断面図。
１ 半導体基板
２ 出力部
３ 転送部
４ 受光部
５ 第１の誘電体膜
６ 第２の誘電体膜
８ 第３の誘電体膜
１５ 開口部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 石辺 祥一
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
(72)発明者 渡辺 徹
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に複数の受光部、それにより光電変
換された信号を順次転送する転送部、及び転送された信
号を順次読み出す出力部が形成され、該基板の上が少な
くとも１層からなる誘電体層にて覆われていると共に、
該誘電体層の該出力部の上方部分が開口されている固体
撮像素子。 - 【請求項２】前記誘電体膜が高分子樹脂からなる請求項
１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174169A JPH0521780A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 固体撮像素子 |
| KR1019920012497A KR960001349B1 (ko) | 1991-07-15 | 1992-07-14 | 고체영상 픽업소자 |
| DE69220420T DE69220420T2 (de) | 1991-07-15 | 1992-07-15 | Festkörper-Bildaufnahme-Vorrichtung |
| EP92306492A EP0523984B1 (en) | 1991-07-15 | 1992-07-15 | Solid state image pick-up element |
| US08/275,072 US5444277A (en) | 1991-07-15 | 1994-07-13 | Solid imaging pick-up element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3174169A JPH0521780A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521780A true JPH0521780A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15973915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3174169A Pending JPH0521780A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 固体撮像素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5444277A (ja) |
| EP (1) | EP0523984B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0521780A (ja) |
| KR (1) | KR960001349B1 (ja) |
| DE (1) | DE69220420T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073966A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Magnachip Semiconductor Ltd | Ｌｔｏ保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 |
| US9184076B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-11-10 | Synax Co., Ltd. | Electronic component conveying apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5677200A (en) * | 1995-05-12 | 1997-10-14 | Lg Semicond Co., Ltd. | Color charge-coupled device and method of manufacturing the same |
| US5895943A (en) * | 1995-05-17 | 1999-04-20 | Lg Semicon Co., Ltd. | Color charge-coupled device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022675A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4210922A (en) * | 1975-11-28 | 1980-07-01 | U.S. Philips Corporation | Charge coupled imaging device having selective wavelength sensitivity |
| DE3125879A1 (de) * | 1981-07-01 | 1983-01-20 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Videorecorder mit verbesserter aufzeichnung des tonsignals |
| JPS61292960A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS6281753A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | Nec Corp | 信号電荷検出装置 |
| US5192990A (en) * | 1986-09-18 | 1993-03-09 | Eastman Kodak Company | Output circuit for image sensor |
| JPH07105481B2 (ja) * | 1988-04-22 | 1995-11-13 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0284348A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Seiko Epson Corp | インパクトドットヘッド |
| JPH0770702B2 (ja) * | 1988-11-17 | 1995-07-31 | 三洋電機株式会社 | 電荷転送素子の製造方法 |
| JP2573683B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1997-01-22 | 松下電子工業株式会社 | 電荷転送素子の出力回路 |
| JPH02285673A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-22 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH02312274A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Fujitsu Ltd | カラー固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH03194970A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-26 | Sharp Corp | Ｃｃｄ撮像素子 |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP3174169A patent/JPH0521780A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-14 KR KR1019920012497A patent/KR960001349B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-07-15 DE DE69220420T patent/DE69220420T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-15 EP EP92306492A patent/EP0523984B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-07-13 US US08/275,072 patent/US5444277A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH022675A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073966A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Magnachip Semiconductor Ltd | Ｌｔｏ保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 |
| US9184076B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-11-10 | Synax Co., Ltd. | Electronic component conveying apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0523984A1 (en) | 1993-01-20 |
| EP0523984B1 (en) | 1997-06-18 |
| US5444277A (en) | 1995-08-22 |
| DE69220420D1 (de) | 1997-07-24 |
| KR930003410A (ko) | 1993-02-24 |
| DE69220420T2 (de) | 1998-01-22 |
| KR960001349B1 (ko) | 1996-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7545423B2 (en) | Image sensor having a passivation layer exposing at least a main pixel array region and methods of fabricating the same | |
| JP4507769B2 (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| US7888763B2 (en) | Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity | |
| US20060261342A1 (en) | Imaging device having a pixel cell with a transparent conductive interconnect line and the method of making the pixel cell | |
| US10727268B1 (en) | CMOS image sensor with compact pixel layout | |
| US20110228150A1 (en) | Photoelectric conversion film stack-type solid-state imaging device and imaging apparatus | |
| US20060042677A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| US20050263676A1 (en) | Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same | |
| JPH06204450A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4388752B2 (ja) | Ｃｃｄ型カラー固体撮像装置 | |
| JPH09266296A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2005268643A (ja) | 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール | |
| JP2866328B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| CN104465690B (zh) | 版图、像素单元结构及其制备方法 | |
| JPH0521780A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US10701298B1 (en) | CMOS image sensor with single photodiode compact pixel layout | |
| JP3042042B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04259256A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN109273480B (zh) | 图像传感器及其制作方法 | |
| CN113544870A (zh) | 摄像元件 | |
| JPH06140618A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0794694A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US20240063243A1 (en) | Image sensor | |
| JPS63164270A (ja) | 積層型固体撮像装置 | |
| US4727406A (en) | Pre-multiplexed detector array |