JP5258244B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 80
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 24
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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Description
12 データ読み出し書き込み回路 13 ブロック選択回路
20 コントロールゲート 21 フローティングゲート
22 ソース 23 ドレイン
31 インバータ 32 定電流源
33 電流制御回路 101〜105 第1〜第5のブロック
BL ビット線 WL ワード線
SL ソース線
Claims (7)
- データを電気的に書き込み可能で、データを電気的に書き換え不可能な不揮発性メモリを内蔵した半導体集積回路であって、
前記不揮発性メモリは、複数のブロックに分割され、各ブロックは、データを格納する複数のメモリセルを有したデータメモリ領域を備え、
各ブロックに対応して設けられ、データが書き込まれ再書き込みが不能であるか否かを示す第1のフラグを格納する第1のフラグメモリと、
前記第1のフラグメモリに格納された前記第1のフラグに基づいて、前記複数のブロックの中、データが書き込まれていないブロックを選択する選択動作を行うブロック選択回路と、
前記ブロックに最終的に更新されたデータが書き込まれたか否かを示す第2のフラグを格納する第2のフラグメモリと、を備え、
前記ブロック選択回路は、前記第2のフラグメモリに格納された前記第2のフラグに基づいて、前記複数のブロックの中、最終的にどのブロックを使用するかを選択する選択動作を行うことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記ブロック選択回路は、いずれのブロックについても、前記第2のフラグが最終的に更新されたデータが書き込まれていないことを示している場合に、第1のフラグが、データが書き込まれ再書き込みが不能であることを示しているブロックの中から、最も大きいアドレスを有するブロックを選択することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記第1及び第2のフラグメモリは、前記ブロック内に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記第1及び第2のフラグメモリのメモリセルは、前記データメモリ領域のメモリセルと同一の構造を有していることを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。
- 前記ブロック選択回路は半導体集積回路のリセット信号に基づいて、前記選択動作を行うことを特徴とする請求項1、2、3、4のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記不揮発性メモリの前記データ領域に格納されるデータは、半導体集積回路のトリミングデータ、又は半導体集積回路の識別コードデータであることを特徴とする請求項1、2、3、4、5のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記トリミングデータは、半導体集積回路に内蔵された発振回路の発振周波数の調整に用いられることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007247593A JP5258244B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 半導体集積回路 |
US12/238,213 US8004894B2 (en) | 2007-09-25 | 2008-09-25 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007247593A JP5258244B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009080872A JP2009080872A (ja) | 2009-04-16 |
JP5258244B2 true JP5258244B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=40523103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007247593A Active JP5258244B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 半導体集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8004894B2 (ja) |
JP (1) | JP5258244B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100925395B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2009-11-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
JP5511489B2 (ja) | 2010-04-27 | 2014-06-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体不揮発性記憶装置 |
US8966184B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Intelligent Intellectual Property Holdings 2, LLC. | Apparatus, system, and method for managing eviction of data |
US10019352B2 (en) | 2013-10-18 | 2018-07-10 | Sandisk Technologies Llc | Systems and methods for adaptive reserve storage |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3599541B2 (ja) * | 1997-11-27 | 2004-12-08 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH11259359A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Kokusai Electric Co Ltd | ワンタイムromアクセス方法 |
JP2000105758A (ja) | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロコンピュータ |
JP2000112755A (ja) | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロコンピュータ |
JP2001014867A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびデータ書き込み方法 |
JP2005020349A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路および電子システム |
JP2005108273A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR100632940B1 (ko) * | 2004-05-06 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 사이클 시간을 가변시킬 수 있는 불 휘발성반도체 메모리 장치 |
JP2006338371A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | メモリシステム |
JP4780304B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2011-09-28 | 株式会社メガチップス | 半導体メモリおよびデータアクセス方法 |
-
2007
- 2007-09-25 JP JP2007247593A patent/JP5258244B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-25 US US12/238,213 patent/US8004894B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8004894B2 (en) | 2011-08-23 |
US20090091980A1 (en) | 2009-04-09 |
JP2009080872A (ja) | 2009-04-16 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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