JP2005196931A - 不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラム方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のワードラインのうち少なくとも一つの特定のワードラインをさすロウアドレスを予め貯蔵する貯蔵部と、プログラム動作モードで印加されたロウアドレスが前記貯蔵されたロウアドレスと一致する場合、前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルとは異なったレベルを有するスタートプログラム電圧を前記特定のワードラインに提供するためのプログラム電圧供給部とを備える。
【選択図】図1
Description
20 ロウデコーダ
30 ブロック選択部
40 行ラインレベル選択部
50 マッチ信号発生部
60 プログラムループカウンティング信号発生部
70 プログラム電圧発生部
100 メモリセルアレイ
110〜114 セルブロック
120 ページバッファ
140 コラムデコーダ
Claims (23)
- 不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路において、
複数のワードラインのうち少なくとも一つの特定のワードラインをさすロウアドレスを予め貯蔵する貯蔵部と、
プログラム動作モードで印加されたロウアドレスが前記貯蔵されたロウアドレスと一致する場合、前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルとは異なったレベルを有するスタートプログラム電圧を前記特定のワードラインに提供するためのプログラム電圧供給部と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。 - 前記少なくとも一つの特定のワードラインは前記複数のワードラインに連結されたメモリセルに対するプログラムループ回数のテスト結果より選択されたワードラインであることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。
- 前記貯蔵部はヒューズプログラミングにより前記特定のワードラインをさすロウアドレスを貯蔵することを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。
- 前記特定のワードラインに提供される前記スタートプログラム電圧のレベルは前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルよりも高いことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。
- 前記プログラム電圧供給部は前記プログラム動作モードで印加されるロウアドレスが前記貯蔵されたロウアドレスと一致しない場合には第1スタートプログラム電圧をプログラムスタート電圧として供給し、一致する場合には前記第1スタートプログラム電圧よりも高い第2スタートプログラム電圧をプログラムスタート電圧として供給することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。
- 前記プログラム電圧供給部はプログラムループカウント値が設定された制限値以内で増加するたびごとに前記第1及び第2スタートプログラム電圧から一定のレベルだけ段階的に増加する電圧を供給することを特徴とする請求項5に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム回路。
- 不揮発性半導体メモリ装置において、
複数のビットラインと複数のワードラインにマトリックス形態に連結されたメモリセルを含むメモリセルアレイと、
前記ワードラインのうち特定のワードラインをさすロウアドレス情報を予め貯蔵するストレージ部と、
プログラム動作モードで印加されたロウアドレスが前記ストレージ部に貯蔵されたロウアドレス情報に一致する場合にマッチ信号を発生するマッチ信号発生部と、
前記マッチ信号が非活性化状態にある場合には第1ループカウンティング信号を生成し、前記マッチ信号が活性化状態である場合には第2ループカウンティング信号を生成するプログラムループカウンティング信号発生部と、
前記第1ループカウンティング信号に応じて第1スタートプログラム電圧をプログラムスタート電圧として発生し、前記第2ループカウンティング信号に応じて前記第1スタートプログラム電圧よりも高い第2スタートプログラム電圧をプログラムスタート電圧として発生するプログラム電圧発生部と、
プログラム動作モードの間にパス電圧、リード電圧、及び前記プログラム電圧発生部から提供されるプログラム電圧のうち一つをロウアドレスデコーディング情報に従い前記ワードラインに印加する行ラインレベル選択部と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記特定のワードラインは前記複数のワードラインに連結されたメモリセルに対するプログラムループ回数のテスト結果より選択されたワードラインであることを特徴とする請求項7に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記プログラム電圧発生部は前記第1、2ループカウンティング信号の値が設定された制限値以内で増加するたびごとに前記第1及び第2スタートプログラム電圧から一定のレベルだけ段階的に増加する電圧を発生することを特徴とする請求項7または8に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記メモリセルアレイは、互いに直列に連結された複数のメモリセルを有するメモリセルストリングが対応するビットラインに選択トランジスタを通じてそれぞれ連結され、それぞれのメモリセルストリング内で互いに同一の行に配列された複数のメモリセルは対応するワードラインに共通に連結されたNAND型セルブロックを複数備えることを特徴とする請求項7または8に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記ストレージ部はカッティング可能な複数のヒューズを含むヒューズオプションストレージ部であることを特徴とする請求項7または8に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記第2ループカウンティング信号は前記第1ループカウンティング信号の正数倍であることを特徴とする請求項7または8に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法において、
複数のワードラインのうち少なくとも一つ以上の特定のワードラインをさすロウアドレスを予め貯蔵する段階と、
プログラム動作モードで印加されたロウアドレスが前記貯蔵されたロウアドレスと一致する場合、前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルとは異なったレベルを有するスタートプログラム電圧を前記特定のワードラインに印加する段階と、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法。 - 前記特定のワードラインは他のワードラインに比べ別のプログラム電圧が印加される必要のないワードラインであることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法。
- 前記特定のワードラインに提供される前記スタートプログラム電圧のレベルは前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルよりも高いことを特徴とする請求項13に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法。
- 前記プログラム動作モードの間に印加されるプログラム電圧はプログラムループカウント値が設定された制限値以内で増加するたびごとに前記第1及び第2スタートプログラム電圧から一定のレベルだけ段階的に増加する電圧であることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法。
- 前記特定のワードラインはメモリセルアレイのブロックごとに同一の行に位置するワードラインであることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法。
- 前記特定のワードラインはメモリセルアレイのブロックごとに互いに異なった行に位置するワードラインであることを特徴とする請求項15に記載の不揮発性半導体メモリ装置でのプログラム方法。
- NAND型フラッシュ半導体メモリ装置のプログラム方法において、
選択されたビットラインに接地電圧を印加する段階と、
複数のワードラインのうち特定のワードラインに別のプログラム電圧を段階的に印加する段階と、を有することを特徴とするプログラム方法。 - 前記特定のワードラインは他のワードラインに比べ別のプログラム電圧が印加される必要のないワードラインであることを特徴とする請求項19に記載のプログラム方法。
- 前記特定のワードラインに提供される前記スタートプログラム電圧のレベルは前記特定のワードラインを除いた残りのワードラインに印加されるスタートプログラム電圧のレベルよりも高いことを特徴とする請求項19に記載のプログラム方法。
- 前記特定のワードラインはメモリセルアレイのブロックごとに同一の行に位置するワードラインであることを特徴とする請求項19に記載のプログラム方法。
- 前記特定のワードラインはメモリセルアレイのブロックごとに互いに異なった行に位置するワードラインであることを特徴とする請求項19に記さのプログラム方法。
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