JP5257919B2

JP5257919B2 - Plating equipment

Info

Publication number: JP5257919B2
Application number: JP2007123594A
Authority: JP
Inventors: 正裕中山; 英治今村; 雅史島田; 真千田; 忠弘大見
Original assignee: Tohoku University NUC
Current assignee: Tohoku University NUC
Priority date: 2007-05-08
Filing date: 2007-05-08
Publication date: 2013-08-07
Anticipated expiration: 2027-05-08
Also published as: JP2008280555A

Description

本発明は、被めっき体にめっきを施すためのめっき装置に関する。 The present invention relates to a plating apparatus for performing plating on an object to be plated.

従来より、プリント配線板などの基板に配線パターンを設けるために電気Ｃｕめっきなどが利用されている。配線パターン形成は、例えば以下のように行われる。すなわち、無電解銅めっきにより、基板の一方の主面に薄膜のシード層を形成する。このシード層の上に、電解銅めっきにより、めっき層を形成する。そして、めっき層に対して、感光性のフォトレジストを表面に形成後、露光、現像を行いレジストパターンを形成する。さらに、エッチング液により不要な部位のめっき層を溶解し、これにより導体の配線が形成される。 Conventionally, electric Cu plating or the like has been used to provide a wiring pattern on a substrate such as a printed wiring board. For example, the wiring pattern is formed as follows. That is, a thin seed layer is formed on one main surface of the substrate by electroless copper plating. A plating layer is formed on the seed layer by electrolytic copper plating. Then, after forming a photosensitive photoresist on the surface of the plating layer, exposure and development are performed to form a resist pattern. Further, an unnecessary portion of the plating layer is dissolved by the etching solution, whereby a conductor wiring is formed.

近年の半導体パッケージ用の基板では、配線の高密度化が進み、配線幅やパッド部、ランド部などの導体の面積をなるべく小さくすることが要求されている。
そのため、導体を高精度に形成するために、導体の膜厚を全面にわたって均一にする必要がある。
すなわち、めっきによって設けられる導体の膜厚が不均一な場合、膜厚の最も厚い部分又は最も薄い部分に合わせてエッチング量を最適化する必要があるが、いずれか厚い部分又は薄い部分に合わせて最適化すると以下のような問題がある。最も厚い部分に合わせてエッチング量を最適化すると、膜厚の薄い部分で過剰にエッチングされてしまい、配線幅が目標仕様より細くなってしまう。一方、最も薄い部分に合わせると、膜厚の厚い部分でエッチング量が不足して配線幅が広くなったり、隣りの導体配線との絶縁距離が不足したりしてしまう。
すなわち、いずれか厚い部分又は薄い部分に合わせてエッチング量を最適化すると、導体の一部では所望のライン幅にすることができたとしても、他の部分で所望のライン幅と差異が生じてしまい、目標仕様のインピーダンス抵抗値を得ることができなくなってしまう。
上記の問題点は、生産性を上げるために大型基板を用いると、より顕著になる。 2. Description of the Related Art In recent years, a substrate for a semiconductor package is required to have a higher wiring density and to reduce the wiring width and the area of a conductor such as a pad portion and a land portion as much as possible.
Therefore, in order to form the conductor with high accuracy, it is necessary to make the film thickness of the conductor uniform over the entire surface.
That is, if the thickness of the conductor provided by plating is not uniform, it is necessary to optimize the etching amount according to the thickest part or the thinnest part, but according to any thick part or thin part. When optimized, there are the following problems. When the etching amount is optimized in accordance with the thickest part, the etching is excessively performed at the thin part, and the wiring width becomes narrower than the target specification. On the other hand, when the thickness is adjusted to the thinnest part, the etching amount is insufficient at the thick part and the wiring width becomes wide, or the insulation distance from the adjacent conductor wiring becomes insufficient.
In other words, if the amount of etching is optimized for any thicker or thinner part, even if the desired line width can be achieved in some of the conductors, the desired line width may differ in other parts. Therefore, it becomes impossible to obtain the impedance resistance value of the target specification.
The above problem becomes more prominent when a large substrate is used to increase productivity.

そこで、膜厚の均一なめっき層を形成するために、以下のようなめっき装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。すなわち、このめっき装置は、めっき液が入れられるめっき槽にアノード及び基板（カソード）が吊り下げられるようになっている。カソードとなる基板の底部から基板の表裏両面に交互に気体又は液体を噴射させ、かつ基板の近傍に多孔性隔壁を設けて、基板との間を、噴射させた気体又は液体が散逸せずに無駄なく立ち昇ることができるようになっている。 Therefore, in order to form a plating layer having a uniform film thickness, the following plating apparatus has been proposed (for example, see Patent Document 1). That is, in this plating apparatus, an anode and a substrate (cathode) are suspended from a plating tank in which a plating solution is placed. Gas or liquid is alternately ejected from the bottom of the substrate to be the cathode onto both sides of the substrate, and a porous partition wall is provided in the vicinity of the substrate so that the ejected gas or liquid does not dissipate between the substrate and the substrate. You can rise without waste.

このような構成のもと、アノード及び基板に電源を供給すると、めっき液中の金属イオンが銅となって基板の表面に付着する。これにより基板の表面に銅めっきの層が形成される。このとき、めっき液を滞留させておくと、異物などが孔に残ってしまい、基板に付着する銅にばらつきが生じてしまう。そのため、カソード室の下端から噴射管を介して気体を噴射し、これら気体によって生じる気泡によりアノード室内においてめっき液を流動させる。これにより、めっき液の滞留を防止するようになっている。
特開２０００−６４０８８号公報 Under such a configuration, when power is supplied to the anode and the substrate, metal ions in the plating solution become copper and adhere to the surface of the substrate. Thereby, a copper plating layer is formed on the surface of the substrate. At this time, if the plating solution is retained, foreign matter or the like remains in the holes, and the copper adhering to the substrate varies. Therefore, gas is injected from the lower end of the cathode chamber through the injection tube, and the plating solution is caused to flow in the anode chamber by bubbles generated by the gas. This prevents the stagnation of the plating solution.
JP 2000-64088 A

しかしながら、上記のような特許文献１に記載のめっき装置では、隔壁の孔に気泡が残ってしまい、めっきの精度が低下してしまうという問題がある。また、多孔性隔壁は、上記の目的以外にはめっきの均一化に何ら寄与していない。したがって、孔の数や大きさは、めっき液流をながらく阻害せずに、かつ噴流の広がりを防止することができる程度に設けられている。 However, in the plating apparatus described in Patent Document 1 as described above, there is a problem that bubbles remain in the holes of the partition walls and the plating accuracy is lowered. Further, the porous partition wall does not contribute to uniform plating other than the above purpose. Therefore, the number and size of the holes are provided to such an extent that the flow of the jet can be prevented without obstructing the plating solution flow.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができるめっき装置を提供することを目的とする。 This invention is made | formed in view of such a situation, Comprising: It aims at providing the plating apparatus which can form a plating layer with a uniform film thickness accurately.

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
以下は、好ましい態様とする。
本発明は、めっき液に浸漬させた被めっき体にめっきを施すめっき装置であって、めっき液に浸漬させたアノードと、カソードとなる被めっき体との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段が、前記アノードと前記被めっき体との間に設けられ、前記抵抗付与手段を設けた状態における前記アノードと前記被めっき体との間の前記めっき液の抵抗値が、前記抵抗付与手段を設けない状態における前記めっき液の抵抗値に対して１．１倍以上であり、前記アノードとしてのアノード電極が設けられ、前記めっき液が入れられるアノード室と、前記被めっき体がカソード電極として設けられるカソード領域を有し、前記めっき液が入れられるカソード室と、前記アノード室と前記カソード室とを仕切り、所定の圧力によって前記めっき液を透過させる複数の孔を有する前記抵抗付与手段としての多孔質の壁部材と、前記アノード室と前記カソード室との間で、前記アノード室及び前記カソード室の外方から前記めっき液を流動させる流動部とを備え、前記アノード室及び前記カソード室が、それぞれの高さ寸法以下で前記めっき液を保持し、
前記所定の圧力は、前記カソード室に入れられた前記めっき液の液面の高さを、前記アノード室に入れられた前記めっき液の液面の高さよりも高くすることによって加えられる圧力であり、前記流動部が、前記アノード室に入れられた前記めっき液を前記カソード室に流動させて、前記カソード室の圧力を前記所定の圧力にし、前記めっき液を透過させる孔は、前記カソード室に前記所定の圧力が加えられていないときには前記アノード室への前記めっき液の透過が起こらず、かつ、前記流動部によって前記カソード室に前記所定の圧力が加えられたときは前記アノード室へ前記めっき液を透過させる孔であるめっき装置を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides the following means.
The following are preferred embodiments.
The present invention is a plating apparatus for plating an object to be plated immersed in a plating solution, and provides resistance to an electric current flowing between the anode immersed in the plating solution and the object to be plated serving as a cathode. Resistance applying means is provided between the anode and the object to be plated, and the resistance value of the plating solution between the anode and the object to be plated in the state where the resistance applying means is provided is determined by the resistance. 1.1 times or more of the resistance value of the plating solution in a state where no applying means is provided, an anode electrode as the anode is provided, an anode chamber in which the plating solution is placed, and the object to be plated is a cathode A cathode region provided as an electrode; partitioning the cathode chamber into which the plating solution is placed; the anode chamber; and the cathode chamber; Flow and the porous wall member as said resistance applying means having a plurality of holes for transmitting fluid, between said cathode compartment and said anode compartment, said plating solution from the outside of said anode compartment and said cathode compartment The anode chamber and the cathode chamber hold the plating solution below their respective height dimensions,
The predetermined pressure is a pressure applied by making the height of the plating solution in the cathode chamber higher than the height of the plating solution in the anode chamber. And the fluidizing portion causes the plating solution contained in the anode chamber to flow to the cathode chamber, the pressure in the cathode chamber is set to the predetermined pressure, and a hole through which the plating solution is permeated is formed in the cathode chamber. When the predetermined pressure is not applied, permeation of the plating solution to the anode chamber does not occur, and when the predetermined pressure is applied to the cathode chamber by the fluidizing portion, the plating is applied to the anode chamber. Provided is a plating apparatus which is a hole through which a liquid permeates .

この発明においては、流動部によって、アノード室に入れられためっき液が前記カソード室に流動し、前記カソード室の圧力が所定の圧力に達する。そのため、壁部材を介してめっき液が前記カソード室から前記アノード室に流動する。
これにより、アノード室及びカソード室の内部においてめっき液を流動させることができる。
また、この発明によれば、被めっき基板に均一にめっきを施すことができる。また、抵抗付与手段を設けたときのめっき液の抵抗値が、抵抗付与手段を設けない状態における基準抵抗値の１．１倍以上となっているため、めっき厚を確実に均一化することができる。 In the present invention, the flow section, the plating solution was placed in the anode compartment to flow into the cathode chamber, the pressure of the cathode chamber reaches a predetermined pressure. Therefore, the plating solution flows from the cathode chamber to the anode chamber via the wall member.
As a result, the plating solution can flow inside the anode chamber and the cathode chamber.
Moreover, according to this invention, it can plate uniformly on a to-be-plated board | substrate. Moreover, since the resistance value of the plating solution when the resistance applying means is provided is 1.1 times or more of the reference resistance value in a state where the resistance applying means is not provided, the plating thickness can be surely made uniform. it can.

この発明によれば、めっき液の液面の高さを上げるようにしたので、めっき液が壁部材を透過する所定の液圧に簡単かつ確実に設定することができる。 According to the present invention, since the level of the plating solution is raised, it can be easily and reliably set to a predetermined fluid pressure at which the plating solution passes through the wall member.

また、本発明は、前記流動部が、前記アノード室から取り込まれた前記めっき液の中から異物を取り除くフィルタを備えることが好ましい。 Further, the present invention, the flow section preferably includes a filter for removing foreign matter from the captured anode compartment or al the plating solution.

この発明においては、一方から取り込まれためっき液がフィルタを介して他方に送り込まれる。
これにより、めっき液を常にクリーンな状態に維持することができる。 In this invention, the plating solution taken from one side is sent to the other through the filter.
Thereby, a plating solution can always be maintained in a clean state.

また、本発明は、前記一方が前記アノード室であり、前記他方が前記カソード室であることを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that the one is the anode chamber and the other is the cathode chamber.

この発明においては、アノード室及びカソード室の内部において、カソード室からアノード室に向けて、めっきが流動する。
これにより、アノード室において発生した異物を、孔に残留させたり、カソード室に移動させたりすることを防止することができる。 In the present invention, plating flows from the cathode chamber toward the anode chamber in the anode chamber and the cathode chamber.
Thereby, it is possible to prevent the foreign matter generated in the anode chamber from remaining in the hole or moving to the cathode chamber.

また、本発明は、前記カソード領域と前記壁部材とが対向して配置され、前記カソード領域と前記壁部材との間の距離寸法が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍであることを特徴とする。 Further, the present invention is characterized in that the cathode region and the wall member are arranged to face each other, and a distance dimension between the cathode region and the wall member is 0.5 mm to 150 mm.

この発明によれば、アノード電極と被めっき体との間の電界を均一にすることができ、めっき層の膜厚を均一にすることができる。
これにより、 According to this invention, the electric field between an anode electrode and a to-be-plated body can be made uniform, and the film thickness of a plating layer can be made uniform.
This

この発明によれば、壁部材を設けたときのめっき液の抵抗値が、壁部材を設けない状態における基準抵抗値の１．１倍以上となっているため、めっき厚を確実に均一化することができる。 According to this invention, since the resistance value of the plating solution when the wall member is provided is 1.1 times or more of the reference resistance value in the state where the wall member is not provided, the plating thickness is surely uniformized. be able to.

また、本発明は、複数の前記アノード電極と、前記複数のアノード電極に順次対向するように、前記被めっき体を移動させる移動手段とを備え、前記移動手段によって移動させられる被めっき体と前記アノード電極とに電源を供給する電源部が、一つ又は複数の前記アノード電極ごとに設けられていることを特徴とする。 Further, the present invention includes a plurality of the anode electrodes, and a moving unit that moves the object to be plated so as to sequentially face the plurality of anode electrodes, and the object to be plated that is moved by the moving unit, A power supply unit that supplies power to the anode electrode is provided for each of the one or more anode electrodes.

この発明によれば、被めっき体に均一なめっき層を迅速かつ高精度に形成することができる。また、電源部が、一つ又は複数のアノード電極ごとに設けられていることから、各抵抗値に合わせて電源部をあらかじめ設定することができ、より均一なめっき層を形成することができる。
また、本発明は、前記抵抗付与手段が、めっき液を流通させる小孔が複数設けられた多孔質板とすることができる。この発明によれば、確実に抵抗を付与することができ、めっき層の膜厚を容易に均一化することができる。
また、本発明は、前記抵抗付与手段が、前記基板に対向して配置され、前記抵抗付与手段と前記基板との距離が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍとすることによって、アノードと被めっき基板との間の電界を均一にすることができ、めっき層の膜厚を均一にすることができる。 According to this invention, a uniform plating layer can be rapidly and accurately formed on the object to be plated. Moreover, since the power supply part is provided for every one or several anode electrode, a power supply part can be preset according to each resistance value, and a more uniform plating layer can be formed.
Moreover, this invention can make the said resistance provision means the porous board provided with multiple small holes which distribute | circulate a plating solution. According to this invention, resistance can be reliably imparted, and the thickness of the plating layer can be easily made uniform.
Further, in the present invention, the resistance applying unit is disposed to face the substrate, and the distance between the resistance applying unit and the substrate is 0.5 mm to 150 mm, whereby the anode and the substrate to be plated are provided. The electric field between them can be made uniform, and the film thickness of the plating layer can be made uniform.

本発明によれば、アノードと被めっき基板との間に、抵抗付与手段が設けられていることから、膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができる。 According to the present invention, since the resistance imparting means is provided between the anode and the substrate to be plated, a plating layer having a uniform film thickness can be formed with high accuracy.

（実施形態１）
本発明者は、めっきの不均一がめっき液流の不均一に基因することを見出し、めっき電流に抵抗を与えることによって、めっきが均一になるという知見を得て本発明を完成するに到った。以下、「抵抗付与」とその効果に力点をおいて説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態としてのめっき装置を示したものである。
めっき装置１は、めっき液が入れられるアノード室２及びカソード室３を備えている。
アノード室２及びカソード室３は、縦断面がコ字状に形成されており、それら上端が開放されている。そして、それら開放された上端からめっき液が入れられるようになっている。アノード室２及びカソード室３は、それぞれの高さ寸法内でめっき液を保持するようになっている。すなわち、アノード室２とカソード室３とを仕切る仕切板（抵抗付与手段、壁部材）６をめっき液中に浸漬させることなく、それぞれ独立にアノード室２及びカソード室３がめっき液を保持するようになっている。つまり、カソード室３の上方でアノード室２とカソード室３とにわたって、めっき液が充填されることはない。
なお、アノード室２は二つ設けられており、これら二つのアノード室２がカソード室３を挟んで対向して配置されている。 (Embodiment 1)
The present inventor has found that the non-uniform plating is caused by the non-uniform plating solution flow, and has obtained the knowledge that the plating is uniform by giving resistance to the plating current, thereby completing the present invention. It was. The following description will focus on “resistance provision” and its effects.
FIG. 1 shows a plating apparatus as a first embodiment of the present invention.
The plating apparatus 1 includes an anode chamber 2 and a cathode chamber 3 in which a plating solution is placed.
The anode chamber 2 and the cathode chamber 3 have a U-shaped longitudinal section, and their upper ends are open. Then, a plating solution can be put in from the opened upper end. The anode chamber 2 and the cathode chamber 3 hold the plating solution within their respective height dimensions. That is, the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 hold the plating solution independently without immersing the partition plate (resistance imparting means, wall member) 6 separating the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 in the plating solution. It has become. That is, the plating solution is not filled over the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 above the cathode chamber 3.
Two anode chambers 2 are provided, and these two anode chambers 2 are arranged to face each other with the cathode chamber 3 interposed therebetween.

アノード室２の内壁面のうち、カソード室３から遠い位置に対向して配置された内壁面には、板状のアノード電極７が設けられている。アノード電極７は、銅ボールや白金などからなるものである。
また、カソード室３のうち、アノード室２の配列方向の中央には、カソード領域１１が設けられている。このカソード領域１１に、被めっき体としての基板（カソード電極）８が設けられるようになっている。すなわち、カソード室３の上端と下端には、それぞれ基板保持治具１４が設けられており、これら基板保持治具１４が、上下から基板８を保持するようになっている。 A plate-like anode electrode 7 is provided on the inner wall surface of the anode chamber 2 facing the position far from the cathode chamber 3. The anode electrode 7 is made of a copper ball, platinum or the like.
A cathode region 11 is provided in the center of the cathode chamber 3 in the arrangement direction of the anode chamber 2. A substrate (cathode electrode) 8 as an object to be plated is provided in the cathode region 11. That is, a substrate holding jig 14 is provided at each of the upper end and the lower end of the cathode chamber 3, and these substrate holding jigs 14 hold the substrate 8 from above and below.

アノード室２とカソード室３とは、仕切板６で仕切られている。仕切板６は、多孔質部材からなっており、めっき液が所定の液圧になると、めっき液が、仕切板６の孔を透過して、液圧の高い方から低い方へ移動するようになっている。仕切板６は、例えばセラミック、塩化ビニル、テフロン（登録商標）、ポリエチレンなどの材質であって、多孔質の連通気孔を有するものが使用される。
また、仕切板６とカソード領域１１との間の距離寸法ｄ１は、０．５ｍｍになっている。 The anode chamber 2 and the cathode chamber 3 are partitioned by a partition plate 6. The partition plate 6 is made of a porous member. When the plating solution reaches a predetermined hydraulic pressure, the plating solution passes through the holes of the partition plate 6 and moves from the higher hydraulic pressure to the lower one. It has become. The partition plate 6 is made of a material such as ceramic, vinyl chloride, Teflon (registered trademark), polyethylene, or the like, and has a porous continuous air hole.
Further, the distance dimension d1 between the partition plate 6 and the cathode region 11 is 0.5 mm.

また、めっき装置１は、アノード電極７と基板８とに直流電源を供給する電源部１２を備えている。電源部１２は、アノード電極７ごとに複数（二つ）設けられている。電源部１２から供給される電圧値は、仕切板６の特性に合わせてあらかじめ設定される。すなわち、仕切板６の固有の抵抗ばらつきがあった場合、これらばらつきに応じて補正するように電源部１２からの電圧値が設定される。
さらに、めっき装置１は、アノード室２及びカソード室３の外方から、アノード室２に入れられためっき液をカソード室３に流動させる流動部１３を備えている。流動部１３は、アノード室２及びカソード室３の外方に設けられて、アノード室２とカソード室３とを連通する連通管２０を備えている。連通管２０には、アノード室２からめっき液を吸引する液送ポンプ１６が設けられている。液送ポンプ１６は、各アノード室２に対応させて二つ設けられている。また、連通管２０には、めっき液を透過させてめっき液中の異物を取り除くフィルタ１７が設けられている。すなわち、液送ポンプ１６によって各アノード室２からめっき液を吸引し、その吸引しためっき液を、フィルタ１７を通してカソード室３に流動させるようになっている。そのため、液送ポンプ１６を駆動することにより、カソード室３のめっき液の液面の高さが、アノード室２のめっき液の液面の高さよりも高くなるようになっている。 In addition, the plating apparatus 1 includes a power supply unit 12 that supplies DC power to the anode electrode 7 and the substrate 8. A plurality (two) of power supply units 12 are provided for each anode electrode 7. The voltage value supplied from the power supply unit 12 is set in advance according to the characteristics of the partition plate 6. That is, when there are inherent resistance variations of the partition plate 6, the voltage value from the power supply unit 12 is set so as to correct according to these variations.
Furthermore, the plating apparatus 1 includes a fluidizing section 13 that causes the plating solution placed in the anode chamber 2 to flow into the cathode chamber 3 from the outside of the anode chamber 2 and the cathode chamber 3. The flow section 13 is provided outside the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 and includes a communication pipe 20 that communicates the anode chamber 2 and the cathode chamber 3. The communication pipe 20 is provided with a liquid feed pump 16 that sucks the plating solution from the anode chamber 2. Two liquid feed pumps 16 are provided corresponding to each anode chamber 2. Further, the communication pipe 20 is provided with a filter 17 that allows the plating solution to pass therethrough and removes foreign matters in the plating solution. That is, the plating solution is sucked from each anode chamber 2 by the liquid feed pump 16, and the sucked plating solution is caused to flow to the cathode chamber 3 through the filter 17. Therefore, by driving the liquid feed pump 16, the level of the plating solution in the cathode chamber 3 is higher than the level of the plating solution in the anode chamber 2.

さらに、カソード領域１１に仕切板６を設けた状態におけるアノード電極７とカソード領域との間のめっき液の抵抗値は、仕切板６を設けない状態におけるめっき液の抵抗値に対して１．１倍以上に設定されている。
めっき液の抵抗値は、以下のようにして測定する。すなわち、アルコールなどの表面張力が低い液によって仕切板６をあらかじめ洗浄し、仕切板６の孔を介してめっき液を強制的に通液させる前処理を行う。そして、図２に示すように、前処理を行った仕切板６を所定の位置に設置する。さらに、アノード室２及びカソード室３にめっき液を満たした状態で、電源部１２によって通電を行う。そして、通電から５分経過後、安定した電流値と電圧値とを測定し、これら電流値と電圧値とからめっき液全体の抵抗値を算出する。 Furthermore, the resistance value of the plating solution between the anode electrode 7 and the cathode region when the partition plate 6 is provided in the cathode region 11 is 1.1 with respect to the resistance value of the plating solution when the partition plate 6 is not provided. It is set to more than double.
The resistance value of the plating solution is measured as follows. In other words, the partition plate 6 is washed in advance with a liquid having a low surface tension such as alcohol, and a pretreatment for forcibly passing the plating solution through the holes of the partition plate 6 is performed. And as shown in FIG. 2, the partition plate 6 which performed the pre-processing is installed in a predetermined position. Further, the power supply unit 12 is energized while the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 are filled with the plating solution. Then, after 5 minutes have passed since energization, a stable current value and voltage value are measured, and a resistance value of the entire plating solution is calculated from these current value and voltage value.

次いで、同じ装置を用いて、仕切板６を取り除いた状態で、電流値と電圧値とを測定する。そして、これら電流値と電圧値とからめっき液全体の抵抗値を算出し、これを基準抵抗値とする。
そして、仕切板６を設けたときのめっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上となる仕切板６が設けられる。 Next, using the same apparatus, the current value and the voltage value are measured with the partition plate 6 removed. Then, the resistance value of the entire plating solution is calculated from these current value and voltage value, and this is used as the reference resistance value.
And the partition plate 6 in which the resistance value of the plating solution when the partition plate 6 is provided is 1.1 times or more of the reference resistance value is provided.

次に、このように構成された本実施形態におけるめっき装置１の作用について説明する。
めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上になる仕切板６を所定の位置に設置する。そして、それら仕切板６の各抵抗値に合わせて、電源部１２から供給される電圧値を所定の値に設定する。さらに、アノード室２及びカソード室３に、それぞれの高さ寸法内でめっき液を入れる。これにより、めっき液は、アノード室２及びカソード室３にそれぞれ独立に保持される。なお、この状態では、めっき液は、仕切板６の孔を透過しない。 Next, the operation of the plating apparatus 1 in the present embodiment configured as described above will be described.
A partition plate 6 in which the resistance value of the plating solution is 1.1 times or more the reference resistance value is installed at a predetermined position. And according to each resistance value of these partition plates 6, the voltage value supplied from the power supply part 12 is set to a predetermined value. Further, the plating solution is put into the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 within the respective height dimensions. As a result, the plating solution is independently held in the anode chamber 2 and the cathode chamber 3. In this state, the plating solution does not pass through the holes of the partition plate 6.

それから、基板保持治具１４を介して、基板８をカソード領域１１に設置する。これにより、基板８が、めっき液に浸漬され、さらに仕切板６を挟んでアノード電極７と対向して配置される。
この状態から、液送ポンプ１６を駆動する。すると、アノード室２のめっき液が吸引されて、フィルタ１７を通してカソード室３内に送り込まれる。そのため、めっき液の量が相対的にアノード室２よりもカソード室３の方が多くなっていく。これにより、カソード室３のめっき液の液面が、アノード室２のめっき液の液面よりも高くなっていく。その結果、カソード室３内のめっき液の液圧が上昇し、やがて、仕切板６の孔からめっき液が透過する所定の液圧を越えていく。 Then, the substrate 8 is placed in the cathode region 11 via the substrate holding jig 14. As a result, the substrate 8 is immersed in the plating solution, and is disposed opposite to the anode electrode 7 with the partition plate 6 interposed therebetween.
From this state, the liquid feed pump 16 is driven. Then, the plating solution in the anode chamber 2 is sucked and fed into the cathode chamber 3 through the filter 17. Therefore, the amount of the plating solution is relatively larger in the cathode chamber 3 than in the anode chamber 2. Thereby, the liquid level of the plating solution in the cathode chamber 3 becomes higher than the liquid level of the plating solution in the anode chamber 2. As a result, the liquid pressure of the plating solution in the cathode chamber 3 rises, and eventually exceeds a predetermined liquid pressure that allows the plating solution to permeate through the holes of the partition plate 6.

すると、液圧の高いほうから低い方へ、すなわち、カソード室３からアノード室２へと、カソード室３及びアノード室２の内部においてめっき液が流動していく。これにより、カソード室３内の液圧が徐々に緩和されていく。そして、カソード室３において、流動部１３によってめっき液が送り込まれることによる液圧の上昇分と、めっき液が仕切板６を透過して流出していくことによる液圧の減少分が等しくなった状態で安定し、この安定状態が維持される。このとき、カソード室３のめっき液の液面は、アノード室２のめっき液の液面よりも高くなっており、また、流動部１３によるアノード室２からカソード室３へのめっき液の流動量と、仕切板６を透過するカソード室３からアノード室２へのめっき液の流動量とが等しくなる。
そのため、カソード室３とアノード室２とにわたって、アノード室２及びカソード室３内において、めっき液が流動し続ける。 Then, the plating solution flows in the cathode chamber 3 and the anode chamber 2 from the higher liquid pressure to the lower pressure, that is, from the cathode chamber 3 to the anode chamber 2. Thereby, the hydraulic pressure in the cathode chamber 3 is gradually relieved. In the cathode chamber 3, the increase in the hydraulic pressure due to the plating solution being fed by the fluidizing section 13 is equal to the decrease in the hydraulic pressure due to the plating solution passing through the partition plate 6 and flowing out. The state is stable and this stable state is maintained. At this time, the surface of the plating solution in the cathode chamber 3 is higher than the surface of the plating solution in the anode chamber 2, and the amount of plating solution flowing from the anode chamber 2 to the cathode chamber 3 by the fluidizing section 13. And the flow rate of the plating solution from the cathode chamber 3 to the anode chamber 2 that passes through the partition plate 6 becomes equal.
Therefore, the plating solution continues to flow in the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 over the cathode chamber 3 and the anode chamber 2.

それから電源部１２を駆動すると、金属イオンが仕切板６の孔を透過してアノード室２からカソード室３に移動し、カソード室３内において、基板８から電子を受け取ることにより基板８の表面に銅として付着する。これにより、基板８の表面にめっき層が形成される。 Then, when the power supply unit 12 is driven, the metal ions pass through the holes of the partition plate 6 and move from the anode chamber 2 to the cathode chamber 3. In the cathode chamber 3, electrons are received from the substrate 8 to receive the electrons on the surface of the substrate 8. Adhere as copper. Thereby, a plating layer is formed on the surface of the substrate 8.

以上より、本実施形態におけるめっき装置１によれば、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させることができることから、膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができる。
ここで、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させるために、従来のように、アノード室２とカソード室３とにわたってめっき液を一杯に入れ、それらアノード室２及びカソード室３の上方を介してめっき液を流動させることが考えられる。
しかし、アノード室２とカソード室３とにわたってめっき液を一杯に入れると、上方の部分のめっき液の抵抗が小さくなるため、基板８の上方のめっき厚が局部的に大きくなってしまう。
本実施形態におけるめっき装置１によれば、アノード室２及びカソード室３に、めっき液を独立に保持させた状態で、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させることができる。 As described above, according to the plating apparatus 1 in the present embodiment, since the plating solution can be flowed inside the anode chamber 2 and the cathode chamber 3, a plating layer having a uniform film thickness can be formed with high accuracy.
Here, in order to cause the plating solution to flow inside the anode chamber 2 and the cathode chamber 3, the plating solution is filled up over the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 as in the prior art, and the anode chamber 2 and the cathode chamber 3. It is conceivable to cause the plating solution to flow through the upper part of the plate.
However, if the plating solution is fully filled between the anode chamber 2 and the cathode chamber 3, the resistance of the plating solution in the upper part is reduced, and the plating thickness above the substrate 8 is locally increased.
According to the plating apparatus 1 in the present embodiment, the plating solution can flow inside the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 while the plating solution is held in the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 independently.

また、めっき液の液面の高さを上げるようにしたので、めっき液が仕切板６を透過する所定の液圧に簡単かつ確実に設定することができる。
また、カソード室３の液面の高さを上げるようにしたので、カソード室３からアノード室２へとめっき液を流動させることができることから、アノード室２で発生した異物などが孔に残留したり、カソード室３に移動したりすることを防止することができ、高精度なめっき層を形成することができる。すなわち、アノード電極７として、含りん銅ボールのような溶解性物質を用いた場合、ブラックフィルムの脱落による異物がアノード室２内で発生するが、これら異物がカソード室３に移動すると、基板８で突起となったりノジュールが発生したりしてしまいめっき品質が低下してしまう。本実施形態におけるめっき装置１によれば、カソード室３からアノード室２へとめっき液を流動させることにより、アノード室２で発生した異物などが孔に残留したり、カソード室３に移動したりすることを防止することができる。 In addition, since the level of the plating solution is increased, the plating solution can be easily and reliably set to a predetermined pressure at which the plating solution passes through the partition plate 6.
Further, since the liquid level of the cathode chamber 3 is increased, the plating solution can flow from the cathode chamber 3 to the anode chamber 2, so that foreign matters generated in the anode chamber 2 remain in the holes. Or moving to the cathode chamber 3, and a highly accurate plating layer can be formed. That is, when a soluble material such as phosphorous-containing copper balls is used as the anode electrode 7, foreign matters are generated in the anode chamber 2 due to dropping of the black film. When these foreign matters move to the cathode chamber 3, the substrate 8 As a result, protrusions and nodules are generated and the plating quality deteriorates. According to the plating apparatus 1 in the present embodiment, by causing the plating solution to flow from the cathode chamber 3 to the anode chamber 2, foreign matters generated in the anode chamber 2 remain in the holes or move to the cathode chamber 3. Can be prevented.

また、アノード室２からめっき液を吸引し、フィルタ１７を通してカソード室３に送り込んでいることから、アノード室２で発生した異物をフィルタ１７によって確実に取り除くことができ、めっき液を常にクリーンな状態に維持することができる。そのため、めっき品質を向上させることができる。
また、仕切板６とカソード領域１１との間の距離寸法ｄ１が、０．５ｍｍになっていることから、アノード電極７と基板８との間の電界を均一にすることができ、めっき層の膜厚を確実に均一にすることができる。 Further, since the plating solution is sucked from the anode chamber 2 and sent to the cathode chamber 3 through the filter 17, foreign matter generated in the anode chamber 2 can be surely removed by the filter 17, and the plating solution is always in a clean state. Can be maintained. Therefore, plating quality can be improved.
Moreover, since the distance dimension d1 between the partition plate 6 and the cathode region 11 is 0.5 mm, the electric field between the anode electrode 7 and the substrate 8 can be made uniform, and the plating layer The film thickness can be made uniform uniformly.

また、仕切板６を設けたときのめっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上となっているため、めっき厚を確実に均一化することができる。
また、電源部１２が、アノード電極７ごとに個別に設けられており、電源部１２から供給される電圧値が、仕切板６の特性に合わせてあらかじめ設定されることから、仕切板６の固有の抵抗ばらつきがあった場合、これらばらつきに応じて補正することができ、より高品質なめっき層を形成することができる。 Moreover, since the resistance value of the plating solution when the partition plate 6 is provided is 1.1 times or more the reference resistance value, the plating thickness can be made uniform.
Moreover, since the power supply part 12 is provided for every anode electrode 7, and the voltage value supplied from the power supply part 12 is preset according to the characteristic of the partition plate 6, it is unique to the partition plate 6. When there is a variation in resistance, it can be corrected according to these variations, and a higher quality plating layer can be formed.

次いで、本実施形態におけるめっき装置１の三種類の実験結果について説明する。
まず、一つ目の実験結果について説明する。
アノード室２及びカソード室３に、硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン５０ｍｇ／Ｌのめっき液を入れた。仕切板６は、めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．２３倍となる有機質の連通気孔を有するものを用いた。距離寸法ｄ１は、５０ｍｍとした。カソード室３のめっき液の液面の高さが、アノード室２のめっき液の液面の高さに対して１ｃｍ高くなるように、液送ポンプ１６によるめっき液の流動量を調整した。この状態で、１．０Ａ／ｄｍ^２でめっき処理を行った。図３は、本実験において基板８の垂直方向をプロットした様子を示す表である。図３に示すように、基板８の垂直方向の全長にわたって、ほぼ均一なめっき膜厚を得ることができた。 Next, three types of experimental results of the plating apparatus 1 in the present embodiment will be described.
First, the first experimental result will be described.
In the anode chamber 2 and the cathode chamber 3, a plating solution of 200 g / L of copper sulfate, 50 g / L of sulfuric acid, and 50 mg / L of chloride ions was put. The partition plate 6 has an organic continuous air vent that makes the resistance value of the plating solution 1.23 times the reference resistance value. The distance dimension d1 was 50 mm. The flow rate of the plating solution by the liquid feed pump 16 was adjusted such that the height of the plating solution in the cathode chamber 3 was 1 cm higher than the height of the plating solution in the anode chamber 2. In this state, plating was performed at 1.0 A / dm ² . FIG. 3 is a table showing a state in which the vertical direction of the substrate 8 is plotted in this experiment. As shown in FIG. 3, a substantially uniform plating film thickness was obtained over the entire length of the substrate 8 in the vertical direction.

次に、二つ目の実験結果について説明する。
仕切板６は、めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．４３倍となる有機質の連通気孔を有するものを用いた。カソード室３のめっき液の液面の高さが、アノード室２のめっき液の液面の高さに対して１０ｃｍ高くなるように、液送ポンプ１６によるめっき液の流動量を調整した。なお、他の条件は一つ目の実験と同様である。この状態で、１．０Ａ／ｄｍ^２でめっき処理を行った。図４は、本実験において基板８の垂直方向をプロットした様子を示す表である。図４に示すように、基板８の垂直方向の全長にわたって、均一なめっき膜厚を得ることができた。なお、本実験では、めっき液の抵抗値の高くなる仕切板６を用いたことから、一つ目の実験よりもさらに均一な膜厚のめっき層が形成された。 Next, the second experimental result will be described.
The partition plate 6 has an organic continuous ventilation hole in which the resistance value of the plating solution is 1.43 times the reference resistance value. The flow rate of the plating solution by the liquid feed pump 16 was adjusted so that the height of the plating solution in the cathode chamber 3 was 10 cm higher than the height of the plating solution in the anode chamber 2. Other conditions are the same as in the first experiment. In this state, plating was performed at 1.0 A / dm ² . FIG. 4 is a table showing how the vertical direction of the substrate 8 is plotted in this experiment. As shown in FIG. 4, a uniform plating film thickness could be obtained over the entire length of the substrate 8 in the vertical direction. In this experiment, since the partition plate 6 having a high resistance value of the plating solution was used, a plating layer having a more uniform film thickness than the first experiment was formed.

次に、三つ目の実験結果について説明する。
二つめの実験において、液送ポンプ１６を駆動せず、めっき液を外方から流動させない状態で、１．０Ａ／ｄｍ^２でめっき処理を行った。図５は、本実験において基板８の垂直方向をプロットした様子を示す表である。図５に示すように、基板８の上部でめっき厚が薄くなっている。これは、気泡が滞留したことにより、その部分での抵抗が高くなり、電流が流れ難くなったためと考えられる。さらに、その部分に流れなかった電流が基板８の中央部に流れたことにより、中央部のめっき厚が厚くなったものと考えられる。 Next, the third experimental result will be described.
In the second experiment, the plating process was performed at 1.0 A / dm ² in a state where the liquid feed pump 16 was not driven and the plating solution was not allowed to flow from the outside. FIG. 5 is a table showing how the vertical direction of the substrate 8 is plotted in this experiment. As shown in FIG. 5, the plating thickness is thin at the top of the substrate 8. This is presumably because the bubbles stayed and the resistance at that portion was increased, making it difficult for current to flow. Furthermore, it is considered that the plating thickness at the central portion has increased due to the current that did not flow through the portion flowing into the central portion of the substrate 8.

（実施形態２）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態を示したものである。
図６において、図１から図５に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。 (Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention.
In FIG. 6, the same components as those shown in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
This embodiment and the first embodiment have the same basic configuration, and only the differences will be described here.

本実施形態におけるめっき装置１は、カソード室３のめっき液を吸引し、そのめっき液をアノード室２に送り込むようにしたものである。すなわち、カソード室３のめっき液を吸引する液送ポンプ１６が一つ設けられ、各アノード室２に対応させてフィルタ１７が二つ設けられている。
このような構成のもと、液送ポンプ１６を駆動すると、カソード室３からアノード室２にめっき液が流動する。そのため、アノード室２のめっき液の液面が高くなった所定の状態で安定状態となる。
これにより、アノード室２及びカソード室３に、めっき液を独立に保持させた状態で、アノード室２及びカソード室３の内部においてめっき液を流動させることができる。
なお、フィルタ１７を二つ設けるとしたが、これに限ることはなく、一つとしてもよい。この場合、フィルタ１７の出口から連通管２０を分岐させて各アノード室２に連通させればよい。 The plating apparatus 1 in this embodiment is configured to suck the plating solution in the cathode chamber 3 and send the plating solution to the anode chamber 2. That is, one liquid feed pump 16 for sucking the plating solution in the cathode chamber 3 is provided, and two filters 17 are provided corresponding to each anode chamber 2.
With this configuration, when the liquid feed pump 16 is driven, the plating solution flows from the cathode chamber 3 to the anode chamber 2. Therefore, it becomes a stable state in a predetermined state where the liquid level of the plating solution in the anode chamber 2 is increased.
As a result, the plating solution can flow inside the anode chamber 2 and the cathode chamber 3 while the plating solution is held independently in the anode chamber 2 and the cathode chamber 3.
Although two filters 17 are provided, the present invention is not limited to this, and one filter may be provided. In this case, the communication pipe 20 may be branched from the outlet of the filter 17 to communicate with each anode chamber 2.

（実施形態３）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図７は、本発明の第３の実施形態を示したものである。
図７において、図１から図６に記載の構成要素と同一部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
この実施形態と上記第１の実施形態とは基本的構成は同一であり、ここでは異なる点についてのみ説明する。 (Embodiment 3)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 shows a third embodiment of the present invention.
In FIG. 7, the same components as those shown in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
This embodiment and the first embodiment have the same basic configuration, and only the differences will be described here.

本実施形態においては、上方に直線状に延びるレール（移動手段）３０が設けられており、このレール３０に基板保持治具（移動手段）３２が設けられている。そして、基板保持治具３２は、基板８を保持した状態で、レール３０の長さ方向に往復移動するようになっている。
仕切板６は、レール３０に沿って複数配列されており、各仕切板６の間には、連結部３１が設けられている。また、レール３０に沿って、各仕切板６に対向してアノード電極７が設けられている。アノード電極７には、各アノード電極７ごとに個別に電源部１２が設けられている。これら電源部１２の電圧値は、各仕切板６の抵抗値に応じて、あらかじめ設定されている。 In the present embodiment, a rail (moving means) 30 extending linearly upward is provided, and a substrate holding jig (moving means) 32 is provided on the rail 30. The substrate holding jig 32 reciprocates in the length direction of the rail 30 while holding the substrate 8.
A plurality of partition plates 6 are arranged along the rails 30, and connecting portions 31 are provided between the partition plates 6. An anode electrode 7 is provided along the rail 30 so as to face each partition plate 6. The anode electrode 7 is provided with a power supply unit 12 individually for each anode electrode 7. The voltage values of these power supply units 12 are set in advance according to the resistance value of each partition plate 6.

このような構成のもと、アノード室２及びカソード室３にめっき液を入れた状態で、電源部１２を駆動する。そして、基板８を各仕切板６に対向させるように、基板８を保持した基板保持治具３２を移動させる。これにより、均一なめっき層を迅速かつ容易に形成することができる。
また、各アノード電極７ごとに個別に設けられた電源部１２の電圧値が、各仕切板６の抵抗値に応じて、あらかじめ設定されていることから、より均一なめっき層を形成することができる。 Under such a configuration, the power supply unit 12 is driven in a state where the plating solution is put in the anode chamber 2 and the cathode chamber 3. Then, the substrate holding jig 32 holding the substrate 8 is moved so that the substrate 8 faces each partition plate 6. Thereby, a uniform plating layer can be formed quickly and easily.
Moreover, since the voltage value of the power supply part 12 provided separately for each anode electrode 7 is set in advance according to the resistance value of each partition plate 6, a more uniform plating layer can be formed. it can.

なお、上記第１から第３の実施形態においては、仕切板６を多孔質のものとしたが、これに限ることはなく、後から孔を形成するようにしてもよく、また、孔は一つであっても複数であってもよい。また、全てのめっき液が仕切板６の孔を通過する必要はない。
また、液面の高さは、液送ポンプ１６の送液量や仕切板６の孔の大きさによる流量の調整によって最適化を図ることができる。
また、めっき液面の高さ管理として、オーバーフロー構造を用いてもよい。例えば、カソード室３の液面を所定の高さに維持するため、カソード室３からめっき液がオーバーフローする構造とすることができる。 In the first to third embodiments, the partition plate 6 is porous. However, the present invention is not limited to this, and a hole may be formed later. There may be one or more. Further, it is not necessary for all the plating solution to pass through the holes of the partition plate 6.
Further, the height of the liquid level can be optimized by adjusting the flow rate according to the liquid feed amount of the liquid feed pump 16 and the size of the holes of the partition plate 6.
Further, an overflow structure may be used for the height management of the plating solution surface. For example, in order to maintain the liquid level in the cathode chamber 3 at a predetermined height, the plating solution can overflow from the cathode chamber 3.

また、図８に示すように、アノード室２又はカソード室３から溢れ出ためっき液を受ける受け部３４を設けてもよい。そして、受け部３４に入れられためっき液を液送ポンプ１６によってフィルタ１７を介してカソード室３に戻すようにしてもよい。
また、めっき液の抵抗値が基準抵抗値の１．１倍以上としたが、これに限ることはなく、１．１倍以上１００倍以下の範囲で設定することができる。このとき、抵抗値が高すぎると、電圧が大きくなることや電気伝導度が低下することによって、カソードの電析レートが低下する。さらに、抵抗値が高すぎると、気孔率が低いことから、仕切板６内を均一にめっき液が通ることができず、仕切板６の面内抵抗のばらつきが生じることにより、面内のめっき厚のばらつきが大きくなってしまう。そのため、１．１倍以上〜１００倍以下に設定される。 In addition, as shown in FIG. 8, a receiving portion 34 that receives the plating solution overflowing from the anode chamber 2 or the cathode chamber 3 may be provided. Then, the plating solution placed in the receiving portion 34 may be returned to the cathode chamber 3 through the filter 17 by the liquid feed pump 16.
Moreover, although the resistance value of the plating solution is 1.1 times or more of the reference resistance value, the resistance value is not limited to this and can be set in the range of 1.1 times to 100 times. At this time, if the resistance value is too high, the voltage increases and the electrical conductivity decreases, thereby decreasing the electrodeposition rate of the cathode. Furthermore, if the resistance value is too high, the porosity is low, so that the plating solution cannot uniformly pass through the partition plate 6, and variation in the in-plane resistance of the partition plate 6 results in in-plane plating. Variation in thickness will increase. Therefore, it is set to 1.1 times or more and 100 times or less.

また、電源部１２を仕切板６ごとに個別に設けるとしたが、これに限ることはなく、仕切板６を複数一組として、その組ごとに電源部１２を設けてもよいし、全体で一つ設けてもよい。
また、距離寸法ｄ１は、０．５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の範囲内であれば、適宜変更可能である。すなわち、仕切板６を基板８から１５０ｍｍを越えて離すと、カソード抵抗を無視することができなくなり、カソード給電接点部に電界が集中し基板８の外周部の膜厚が局部的に大きくなってしまう。そのため、距離寸法ｄ１は、０．５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下に設定される。
なお、本発明の技術範囲は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変更を加えることが可能である。 In addition, the power supply unit 12 is individually provided for each partition plate 6, but the present invention is not limited to this, and a plurality of partition plates 6 may be provided as one set, and the power supply unit 12 may be provided for each set. One may be provided.
Further, the distance dimension d1 can be changed as appropriate as long as it is within a range of 0.5 mm or more and 150 mm or less. That is, if the partition plate 6 is separated from the substrate 8 by more than 150 mm, the cathode resistance cannot be ignored, the electric field is concentrated on the cathode feeding contact portion, and the film thickness of the outer peripheral portion of the substrate 8 is locally increased. End up. Therefore, the distance dimension d1 is set to 0.5 mm or more and 150 mm or less.
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本発明に係るめっき装置の第１の実施形態を示す図であって、めっき装置を側面から見た様子を示す断面図である。It is a figure which shows 1st Embodiment of the plating apparatus which concerns on this invention, Comprising: It is sectional drawing which shows a mode that the plating apparatus was seen from the side surface. 図１のアノード室及びカソード室を拡大して示す図であって、めっき液の抵抗値を測定する様子を示す説明図である。FIG. 2 is an enlarged view showing an anode chamber and a cathode chamber in FIG. 1, and is an explanatory diagram showing how a resistance value of a plating solution is measured. 図１のめっき装置の一つ目の実験結果を示す表である。It is a table | surface which shows the 1st experiment result of the plating apparatus of FIG. 図１のめっき装置の二つ目の実験結果を示す表である。It is a table | surface which shows the 2nd experimental result of the plating apparatus of FIG. 図１のめっき装置の三つ目の実験結果を示す表である。It is a table | surface which shows the 3rd experimental result of the plating apparatus of FIG. 本発明に係るめっき装置の第２の実施形態を示す図であって、めっき装置を側面から見た様子を示す断面図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment of the plating apparatus which concerns on this invention, Comprising: It is sectional drawing which shows a mode that the plating apparatus was seen from the side surface. 本発明に係るめっき装置の第３の実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows 3rd Embodiment of the plating apparatus which concerns on this invention. 図１のめっき装置の変形例を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the modification of the plating apparatus of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１めっき装置
２アノード室（アノード）
３カソード室
６仕切板（抵抗付与手段、壁部材）
７アノード電極
８基板（被めっき体、被めっき基板、カソード電極）
１１カソード領域
１２電源部
１３流動部
１７フィルタ
３０レール（移動手段）
３２基板保持治具（移動手段） 1 Plating equipment 2 Anode chamber (anode)
3 Cathode chamber 6 Partition plate (resistance imparting means, wall member)
7 Anode electrode 8 Substrate (substrate to be plated, substrate to be plated, cathode electrode)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Cathode area | region 12 Power supply part 13 Flowing part 17 Filter 30 Rail (moving means)
32 Substrate holding jig (moving means)

Claims

めっき液に浸漬させた被めっき体にめっきを施すめっき装置であって、
めっき液に浸漬させたアノードと、カソードとなる被めっき体との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段が、前記アノードと前記被めっき体との間に設けられ、
前記抵抗付与手段を設けた状態における前記アノードと前記被めっき体との間の前記めっき液の抵抗値が、前記抵抗付与手段を設けない状態における前記めっき液の抵抗値に対して１．１倍以上であり、
前記アノードとしてのアノード電極が設けられ、前記めっき液が入れられるアノード室と、
前記被めっき体がカソード電極として設けられるカソード領域を有し、前記めっき液が入れられるカソード室と、
前記アノード室と前記カソード室とを仕切り、所定の圧力によって前記めっき液を透過させる複数の孔を有する前記抵抗付与手段としての多孔質の壁部材と、
前記アノード室と前記カソード室との間で、前記アノード室及び前記カソード室の外方から前記めっき液を流動させる流動部とを備え、
前記アノード室及び前記カソード室が、それぞれの高さ寸法以下で前記めっき液を保持し、
前記所定の圧力は、前記カソード室に入れられた前記めっき液の液面の高さを、前記アノード室に入れられた前記めっき液の液面の高さよりも高くすることによって加えられる圧力であり、
前記流動部が、前記アノード室に入れられた前記めっき液を前記カソード室に流動させて、前記カソード室の圧力を前記所定の圧力にし、
前記めっき液を透過させる孔は、前記カソード室に前記所定の圧力が加えられていないときには前記アノード室への前記めっき液の透過が起こらず、かつ、前記流動部によって前記カソード室に前記所定の圧力が加えられたときは前記アノード室へ前記めっき液を透過させる孔であることを特徴とするめっき装置。 A plating apparatus for plating an object to be plated immersed in a plating solution,
Resistance imparting means for imparting resistance to the current flowing between the anode immersed in the plating solution and the object to be plated serving as the cathode is provided between the anode and the object to be plated,
The resistance value of the plating solution between the anode and the object to be plated in the state where the resistance applying unit is provided is 1.1 times the resistance value of the plating solution in the state where the resistance applying unit is not provided. That's it,
An anode chamber provided with an anode electrode as the anode and into which the plating solution is placed;
The cathode body has a cathode region provided as a cathode electrode, and a cathode chamber into which the plating solution is placed;
A porous wall member as the resistance applying means that partitions the anode chamber and the cathode chamber and has a plurality of holes through which the plating solution is permeated by a predetermined pressure;
Between the anode chamber and the cathode chamber, comprising a fluidizing section for flowing the plating solution from the outside of the anode chamber and the cathode chamber,
The anode chamber and the cathode chamber hold the plating solution below their height dimensions,
The predetermined pressure is a pressure applied by making the height of the plating solution in the cathode chamber higher than the height of the plating solution in the anode chamber. ,
The fluidizing portion causes the plating solution contained in the anode chamber to flow to the cathode chamber, and sets the pressure in the cathode chamber to the predetermined pressure,
The hole for allowing the plating solution to permeate does not cause the plating solution to permeate into the anode chamber when the predetermined pressure is not applied to the cathode chamber, and to the cathode chamber by the fluidizing portion. A plating apparatus characterized by being a hole through which the plating solution permeates into the anode chamber when pressure is applied .

前記流動部が、前記アノード室から取り込まれた前記めっき液の中から異物を取り除くフィルタを備えることを特徴とする請求項１に記載のめっき装置。 The plating apparatus according to claim 1, wherein the fluid part includes a filter that removes foreign substances from the plating solution taken in from the anode chamber.

複数の前記アノード電極と、
前記複数のアノード電極に順次対向するように、前記被めっき体を移動させる移動手段とを備え、
前記移動手段によって移動させられる被めっき体と前記アノード電極とに電源を供給する電源部が、一つ又は複数の前記アノード電極ごとに設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のめっき装置。 A plurality of the anode electrodes;
A moving means for moving the object to be plated so as to sequentially face the plurality of anode electrodes,
The power supply unit that supplies power to the object to be plated and the anode electrode moved by the moving means is provided for each of the one or a plurality of the anode electrodes. The plating apparatus as described in.

前記抵抗付与手段が、前記被めっき体に対向して配置され、前記抵抗付与手段と前記被めっき体との距離が、０．５ｍｍ〜１５０ｍｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のめっき装置。 The resistance applying means, wherein disposed opposite to the plated body, the distance of the the object to be plated and the resistance applying means, claims 1 to 3, characterized in that the 0.5mm~150mm The plating apparatus as described in any one of these.