JP5254208B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5254208B2 JP5254208B2 JP2009505758A JP2009505758A JP5254208B2 JP 5254208 B2 JP5254208 B2 JP 5254208B2 JP 2009505758 A JP2009505758 A JP 2009505758A JP 2009505758 A JP2009505758 A JP 2009505758A JP 5254208 B2 JP5254208 B2 JP 5254208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting device
- layer
- low molecular
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 84
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 57
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 57
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 29
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 26
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 18
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 claims description 16
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 14
- BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;iron(3+) Chemical compound [Fe+3].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 BOXSCYUXSBYGRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- RHPVRWXUCDJURW-UHFFFAOYSA-N (4-cyanoiminocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyanamide Chemical compound N#CN=C1C=CC(=NC#N)C=C1 RHPVRWXUCDJURW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 276
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 14
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 13
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 12
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 9
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LGCMKPRGGJRYGM-UHFFFAOYSA-N Osalmid Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1O LGCMKPRGGJRYGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 4
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXFJXUQGKWUNGP-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1(=CC=CC=C1)C1=C(C(=NC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[Ir] Chemical compound [Ir].C1(=CC=CC=C1)C1=C(C(=NC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[Ir] KXFJXUQGKWUNGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010407 vacuum cleaning Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/611—Charge transfer complexes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/50—Oxidation-reduction potentials, e.g. excited state redox potentials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
- H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
有機発光ダイオードは、低作動電圧を実証されて以来、大画面ディスプレイ、および他の用途、例えば照明素子などへの適用を具現化するために好適である。それらは、有機物質からなる複数の薄い層が積層されている。また、複数の層は、真空中において分子の形状で蒸着されることが好ましい。低分子の複数の層はこのように形成される。真空中で気化することによって分離可能な分子からこのように形成された低分子の複数の層を土台とする有機発光ダイオードは、その簡潔な形状においてOLEDと称される。これに関しては、「小さな分子」の技術分野においても参照される。
本発明は、構成の柔軟性を向上すると共に、発光層群における電子接触部からの電荷担体の注入とを向上した発光装置を提供することを目的としている。また、本発明において、発光装置の優れた構造性能は維持されている。
上記低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最大約−1.5Vの酸化還元電位を有しているドナー分子であり、
上記低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最小約−0.3Vの酸化還元電位を有しているアクセプター分子である。
上記さらなる低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置され、かつ上記低分子層が上記カソード接触部隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最小約−0.3Vの酸化還元電位を有するアクセプター分子であり、
上記さらなる低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置され、かつ上記低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最大約−1.5Vの酸化還元電位を有するドナー分子である。
本発明は、図を参照にした実施形態において以下に詳細に記載される。図1は、非反転構造の層配置である発光装置の断面図であり、図2は、反転構造の層配置であるさらなる発光装置の断面図である。
実施例1に係る発光装置は、分子供与型有機物質からなる低分子有機注入層を備えた、以下の構成を有する:
1.1.透明基板(ガラス)
1.2.アノード接触部(厚さ90nmのインジウムスズ酸化物)
1.3.層厚80nmの(水分を用いたスピンコートにより形成した)ポリマーホール注入層(PEDOT:PSS(Baytron−P of H.C. Starck, Germany)
1.4.ポリマーホール輸送エミッション層(層厚70nmのMEH−ポリフェニレンビレン(トルエン溶液を用いたスピンコートにより形成した))
1.7.低分子ドナー分子層(層厚2nmのW2(Xpp)4)
1.8.カソード接触部(光を反射する;アルミニウムからなる)。
実施例2に係る発光装置は、分子供与型有機物質からなる低分子有機注入層を備えた、以下の構成を有する:
2.1.透明基板(ガラス)
2.2.アノード接触部(厚さ90nmのインジウムスズ酸化物)
2.3.層厚80nmの(水分を用いたスピンコートにより形成した)ポリマーホール注入層(PEDOT:PSS(Baytron−P of H.C. Starck, Germany))
2.4.ポリマーホール輸送エミッション層(層厚60nmのMEH−ポリフェニレンビレン(トルエン溶液を用いたスピンコートにより形成した))
2.6.nドープされた低分子電子輸送層(W2(Xpp)4によってドープされたAlq3からなる。大部分のドーピング濃度は20%(約10%のモルドーピング濃度に対応)であり、層厚20nm)
2.7.低分子ドナー分子層(層厚2nmのW2(Xpp)4)
2.8.カソード接触部(光を反射する;アルミニウムからなる)
nドープされた電子輸送層2.6を挿入することによって、ハイブリッド装置の光学キャビティーは、電子光学特性データ作動電圧および発光効率に関する損失を招くことなく適用される。nドープされた電子輸送層2.6は、2つの互いに独立して制御される気化源(マトリックス材料およびドナー分子)からの混合気化によって、真空中において形成される。層2.6および層2.7におけるドナーは、異なる有機物質の分子となる。
実施例3に係る発光装置は、分子供与型有機物質からなる低分子有機注入層を備えた、以下の構成を有する:
3.1.透明基板(ガラス)
3.2.アノード接触部(厚さ90nmのインジウムスズ酸化物)
3.3.層厚80nmの(水分を用いたスピンコートにより形成した)ポリマーホール注入層(PEDOT:PSS(Baytron−P of H.C. Starck, Germany))
3.4.ポリマーホール輸送エミッション層(層厚60nmのMEH−ポリフェニレンビレン(トルエン溶液を用いたスピンコートにより形成した))
3.6.低分子電子輸送層(Alq3から形成されており、層厚20nm)
3.7.低分子ドナー分子層(層厚2nmのW2(Xpp)4)
3.8.カソード接触部(光を反射する;アルミニウムからなる)
実施例2とは異なり、本装置はnドープされた低分子電子輸送層を有している。このため、測定される作動電圧についてわずかな損失しか生じない。また、混合気化プロセスを必要としない。
実施例4に係る発光装置は、分子供与型有機物質からなる低分子有機注入層を備えた、以下の構成を有する:
4.1.透明基板(ガラス)
4.2.アノード接触部(厚さ90nmのインジウムスズ酸化物)
4.3.層厚80nmの(水分を用いたスピンコートにより形成した)ポリマーホール注入層(PEDOT:PSS(Baytron−P of H.C. Starck, Germany))
4.4.ポリマーホール輸送エミッション層(層厚60nmのMEH−ポリフェニレンビレン(トルエン溶液を用いたスピンコートにより形成した))
4.5.電子側ブロック層(層厚5nmのBPhen(バソフェナントロリン))
4.6.nドープされた低分子電子輸送層(W2(Xpp)4によってドープされたAlq3からなる。大部分のドーピング濃度は20%(約10%のモルドーピング濃度に対応)層厚は15nmである)
4.7.低分子ドナー分子層(層厚2nmのW2(Xpp)4)
4.8.カソード接触部(光を反射する;アルミニウムからなる)
nドープされた電子輸送層4.6を挿入することによって、発光装置の光学キャビティーは、電子光学特性データ作動電圧および発光効率についての損失を招くことなく適用される。nドープされた電子輸送層4.6は、2つの互いに独立して制御される気化源(マトリックス材料およびドーパント)の混合気化によって、真空中において形成される。層4.6および層4.7におけるドナー分子は、異なる有機物質の分子となる。
実施例5に係る発光装置は、有機物質のアクセプター分子からなる低分子有機注入層を備えた、以下の構成を有している:
5.1.透明基板(ガラス)
5.2.カソード接触部(厚さ90nmのインジウムスズ酸化物)
5.4.ポリマー電子輸送エミッション層(C8−ポリフルオレン(青色放射))
5.7.低分子アクセプター分子層(層厚2nmのCl4DCNQI(N.N'-ディシアノ-2,3,5,6-テトラクロロ-1,4-キノンジイミン))
5.8.アノード接触部(光を反射する;銀からなる)
測定された作動電圧は約4Vであった。しかしながら、得られたポリマー電子輸送物質による良好な電子注入および良好な電子輸送は達成されなかった。このため、低分子アクセプター分子層の電位を完全に利用することはできなかった。
実施例6に係る発光装置は、有機物質のアクセプター分子からなる低分子有機注入層、およびドナー分子からなる低分子有機注入層を備えた、以下の構成を有している:
6.1.透明基板(ガラス)
6.2.アノード接触部(厚さ90nmのインジウムスズ酸化物)
6.3.低分子アクセプター分子層(層厚2nmのCl4DCNQI(N.N'-ディシアノ-2,3,5,6-テトラクロロ-1,4-キノンジイミン))
6.4.層厚80nmの(水分を用いたスピンコートにより形成した)ポリマーホール注入層(PEDOT:PSS(Baytron−P of H.C. Starck, Germany))
6.5.ポリマーホール輸送エミッション層(層厚70nmのMEH−ポリフェニレンビレン(トルエン溶液を用いたスピンコートにより形成した))
6.6.低分子ドナー分子層(層厚2nmのW2(Xpp)4)
6.7.カソード接触部(光を反射する;アルミニウムからなる)
実施例6において、アクセプター分子を含む注入層は、ポリマーホール注入層に付加的に選択される層として形成される。
Claims (34)
- 発光ダイオードに代表される、基板(1;21)上に複数の層を積層してなる発光装置であって、
上記複数の層は、互いが電気的に接続しているアノード接触部(2;28)およびカソード接触部(22;8)、ならびに、上記アノード接触部(2;28)と上記カソード接触部(22;8)との間に配置されている発光層群(10;20)を備えており、
上記発光層群(10;20)は、ポリマー材料からなるポリマー層(4;24)と、真空中で気化することによって蒸着可能な有機物質の分子であって、真空蒸着された小さな分子を含む低分子層(7;27)と、を備えており、
上記低分子層(7;27)に含まれる上記小さな分子は、
上記低分子層(7)が上記カソード接触部(8)に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最大−1.5Vの酸化還元電位を有するドナー分子であり、
上記低分子層(27)が上記アノード接触部(28)に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最小−0.3Vの酸化還元電位を有するアクセプター分子である、発光装置。 - 上記発光層群は、上記有機物質と異なる、真空中で気化することによって蒸着可能な有機物質の分子であって、真空蒸着された小さな分子を含むさらなる低分子層を備えており、
上記さらなる低分子層に含まれる上記小さな分子は、
上記さらなる低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置され、上記低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最小−0.3Vの酸化還元電位を有する上記アクセプター分子であり、
上記さらなる低分子層が上記カソード接触部に隣接して配置され、上記低分子層が上記アノード接触部に隣接して配置されている場合には、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最大−1.5Vの酸化還元電位を有する上記ドナー分子である、
ことを特徴とする、請求項1に記載の発光装置。 - 上記ドナー分子は、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最大−2.0Vの酸化還元電位を有している、
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の発光装置。 - 上記アクセプター分子は、Fc/Fc+(フェロセン/フェロセニウム酸化還元カップル)に対して最小0Vの酸化還元電位を有している、
ことを特徴とする、請求項1から3までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ドナー分子および/または上記アクセプター分子は、100g/mol〜2000g/molのモル質量を有している、
ことを特徴とする、請求項1から4までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ドナー分子の少なくとも一部は、W2(Xpp)4分子(テトラキス(1,2,3,3a,4,5,6,6a,7,8-デカヒドロ-1,9,9b-トリアザフェナレニル)二タングステン(II)である、
ことを特徴とする、請求項1から5までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記アクセプター分子の少なくとも一部は、Cl4DCNQI分子(N.N'-ディシアノ-2,3,5,6-テトラクロロ-1,4-キノンジイミン)である、
ことを特徴とする、請求項1から6までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子層および/または上記さらなる低分子層は、0.5nm〜20nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項1から7までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ポリマー層(4;24)は、発光層および電荷担体輸送層である、
ことを特徴とする、請求項1から8までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ポリマー層(4;24)は、20nm〜500nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項1から9までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ポリマー層(4;24)は、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリスピロ、ポリチオフェン、およびポリパラフェニレンからなる群より選択されたポリマー材料からなる、
ことを特徴とする、請求項1から10までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子層(7)が上記カソード接触部(8)に隣接して配置されている場合には、上記アノード接触部(2)および上記ポリマー層(4)の間にポリマーホール注入層(3)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1から11までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ポリマーホール注入層(3)は、20nm〜500nmの間の層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項12に記載の発光装置。 - 上記低分子層(7)が上記カソード接触部(8)に隣接して配置されている場合には、上記低分子層(7)および上記ポリマー層(4)の間に低分子有機電子輸送層(6)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1から13までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子有機電子輸送層(6)は、低分子供与型有機物質によって電気的にドープされた有機マトリックス材料を備えている、
ことを特徴とする、請求項14に記載の発光装置。 - 上記低分子有機電子輸送層(6)は、1:1000〜1:2の範囲のドーピング濃度(ドナー材料分子:マトリックス材料分子)を有している、
ことを特徴とする、請求項15に記載の発光装置。 - 上記低分子供与型有機物質は、100g/mol〜2000g/molのモル質量を有している、
ことを特徴とする、請求項15または16に記載の発光装置。 - 上記低分子有機電子輸送層(6)は、10nm〜500nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項14から17までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子供与型有機物質はW2(Xpp)4である、
ことを特徴とする、請求項15から18までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子層(7)が上記カソード接触部(8)に隣接して配置されている場合には、上記低分子層(7)および上記ポリマー層(4)の間に低分子有機ブロック層(5)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1から19までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子有機ブロック層(5)は、2nm〜50nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項20に記載の発光装置。 - 上記低分子層(27)が上記アノード接触部(28)に隣接して配置されている場合には、上記カソード接触部(22)および上記ポリマー層(24)の間にポリマー電子注入層(23)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1から21までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記ポリマー電子注入層(23)は、20nm〜500nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項22に記載の発光装置。 - 上記低分子層(27)が上記アノード接触部(28)に隣接して配置されている場合には、上記低分子層(27)および上記ポリマー層(24)の間に低分子有機ホール輸送層(26)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1から23までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子有機ホール輸送層(26)は、低分子受容型有機物質によって電気的にドープされた有機マトリックス材料を備えている、
ことを特徴とする、請求項24に記載の発光装置。 - 上記低分子有機ホール輸送層(26)は、1:1000〜1:2の範囲のドーピング濃度(受容体材料分子:マトリックス材料分子)を有している、
ことを特徴とする、請求項25に記載の発光装置。 - 上記低分子受容型有機物質は、100g/mol〜2000g/molのモル質量を有している、
ことを特徴とする、請求項25または26に記載の発光装置。 - 上記低分子有機ホール輸送層(26)は、10nm〜500nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項24から27までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子受容型有機物質はCl4DCNQIである、
ことを特徴とする、請求項25から28までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記低分子層(27)が上記アノード接触部(28)に隣接して配置されている場合には、上記低分子層(27)および上記ポリマー層(24)の間にさらなる低分子有機ブロック層(25)が配置されている、
ことを特徴とする、請求項1から29までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記さらなる低分子有機ブロック層(25)は、2nm〜50nmの層厚を有している、
ことを特徴とする、請求項30に記載の発光装置。 - 上記複数の層は、上記発光層群において発生した光が上記基板から離れる方向に放射される頂上放射を引き起こす反転構造、上記発光層群において発生した光が上記基板を貫通して放射される下部放射を引き起こす反転構造、上記発光層群において発生した光が上記基板から離れる方向に放射される頂上放射を引き起こす非反転構造、および、上記発光層群において発生した光が上記基板を貫通して放射される下部放射を引き起こす非反転構造のいずれかの構造を有している、
ことを特徴とする、請求項1から31までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記複数の層を積層する上記基板(1;21)は透明である、
ことを特徴とする、請求項1から32までの何れか1項に記載の発光装置。 - 上記アノード接触部(2;28)または上記カソード接触部(22;8)を用いて形成されている下部接触部および上部接触部は、1種類以上の金属、金属化合物および縮退半導体材料もしくは金属合金からなる、
ことを特徴とする、請求項1から33までの何れか1項に記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP06008082 | 2006-04-19 | ||
EP06008082.7 | 2006-04-19 | ||
EP06009302A EP1848049B1 (de) | 2006-04-19 | 2006-05-05 | Lichtemittierendes Bauelement |
EP06009302.8 | 2006-05-05 | ||
PCT/EP2007/003311 WO2007121877A1 (de) | 2006-04-19 | 2007-04-13 | Lichtemittierendes bauelement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009534816A JP2009534816A (ja) | 2009-09-24 |
JP2009534816A5 JP2009534816A5 (ja) | 2012-11-01 |
JP5254208B2 true JP5254208B2 (ja) | 2013-08-07 |
Family
ID=38279165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009505758A Active JP5254208B2 (ja) | 2006-04-19 | 2007-04-13 | 発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8569743B2 (ja) |
EP (1) | EP1848049B1 (ja) |
JP (1) | JP5254208B2 (ja) |
KR (1) | KR101386657B1 (ja) |
TW (1) | TWI460898B (ja) |
WO (1) | WO2007121877A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK2079490T3 (da) * | 2006-10-23 | 2012-12-10 | Cook Biotech Inc | Bearbejdede ECM-materialer med forbedrede komponentprofiler |
GB2461527B (en) * | 2008-07-01 | 2011-08-03 | Limited Cambridge Display Technology | Organic electronic device |
KR101097316B1 (ko) * | 2009-10-12 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20120119100A (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US9178159B2 (en) * | 2011-07-25 | 2015-11-03 | Merck Patent Gmbh | Copolymers with functionalized side chains |
US8941111B2 (en) * | 2012-12-21 | 2015-01-27 | Invensas Corporation | Non-crystalline inorganic light emitting diode |
FR3013897B1 (fr) * | 2013-11-26 | 2017-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Dispositifs electroniques organiques |
US20210013437A1 (en) * | 2018-09-29 | 2021-01-14 | Tcl Technology Group Corporation | Quantum dot light-emitting diode |
Family Cites Families (129)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
US4769292A (en) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JP2813428B2 (ja) * | 1989-08-17 | 1998-10-22 | 三菱電機株式会社 | 電界効果トランジスタ及び該電界効果トランジスタを用いた液晶表示装置 |
US7494638B1 (en) * | 1990-08-30 | 2009-02-24 | Mitsubishi Corporation | Form of carbon |
US5093698A (en) * | 1991-02-12 | 1992-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device |
DE59510315D1 (de) * | 1994-04-07 | 2002-09-19 | Covion Organic Semiconductors | Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien |
US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
JP3586939B2 (ja) | 1994-12-22 | 2004-11-10 | 株式会社デンソー | El素子およびその製造方法 |
JP3361928B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2003-01-07 | 株式会社東芝 | 電荷移動錯体 |
US5849403A (en) | 1995-09-13 | 1998-12-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic thin film device |
JP3327558B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2002-09-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 有機エレクトロルミネセント・デバイスを改良するために使用される有機/無機合金 |
US5943154A (en) * | 1996-09-17 | 1999-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optically-controlled light control element |
JPH10125469A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Tdk Corp | 有機el発光素子 |
US5811833A (en) * | 1996-12-23 | 1998-09-22 | University Of So. Ca | Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals |
US5917280A (en) * | 1997-02-03 | 1999-06-29 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic light emitting devices |
US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
JP3736071B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2006-01-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
US6303238B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-10-16 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs doped with phosphorescent compounds |
GB9805476D0 (en) * | 1998-03-13 | 1998-05-13 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
KR100582328B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2006-05-23 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전자 발광 소자 |
JP3884564B2 (ja) * | 1998-05-20 | 2007-02-21 | 出光興産株式会社 | 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置 |
CN100432788C (zh) * | 1998-07-24 | 2008-11-12 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置 |
JP2000075836A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 有機el発光装置とその駆動方法 |
US6274980B1 (en) * | 1998-11-16 | 2001-08-14 | The Trustees Of Princeton University | Single-color stacked organic light emitting device |
JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
JP2000231992A (ja) | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Stanley Electric Co Ltd | 面光源装置 |
GB2347013A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
US7001536B2 (en) * | 1999-03-23 | 2006-02-21 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
DE19916745A1 (de) | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Mannesmann Vdo Ag | Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben |
GB2367692A (en) * | 1999-06-09 | 2002-04-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of producing organic light-emissive devices |
EP1115268A1 (en) * | 1999-07-07 | 2001-07-11 | Sony Corporation | Method and apparatus for manufacturing flexible organic el display |
US6310360B1 (en) * | 1999-07-21 | 2001-10-30 | The Trustees Of Princeton University | Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices |
BE1012802A3 (fr) | 1999-07-28 | 2001-03-06 | Cockerill Rech & Dev | Dispositif electroluminescent et son procede de fabrication. |
KR20010050711A (ko) * | 1999-09-29 | 2001-06-15 | 준지 키도 | 유기전계발광소자, 유기전계발광소자그룹 및 이런소자들의 발광스펙트럼의 제어방법 |
KR100377321B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2003-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자 |
US7560175B2 (en) * | 1999-12-31 | 2009-07-14 | Lg Chem, Ltd. | Electroluminescent devices with low work function anode |
US6660410B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-12-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence element |
JP4094203B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2008-06-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機発光媒体 |
GB2361356B (en) | 2000-04-14 | 2005-01-05 | Seiko Epson Corp | Light emitting device |
US6645645B1 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | The Trustees Of Princeton University | Phosphorescent organic light emitting devices |
US6956324B2 (en) * | 2000-08-04 | 2005-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
JP2002082627A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Sony Corp | 表示装置 |
WO2002035890A1 (fr) * | 2000-10-25 | 2002-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Element lumineux, dispositif d'affichage et dispositif d'eclairage mettant cet element en application |
DE10058578C2 (de) * | 2000-11-20 | 2002-11-28 | Univ Dresden Tech | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US6573651B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-06-03 | The Trustees Of Princeton University | Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films |
JP4220669B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2009-02-04 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TW519770B (en) * | 2001-01-18 | 2003-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method thereof |
SG107573A1 (en) | 2001-01-29 | 2004-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
WO2002071813A1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-09-12 | The Trustees Of Princeton University | Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices |
EP1377134A4 (en) * | 2001-03-29 | 2008-05-21 | Fujifilm Corp | electroluminescent |
US6580027B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-17 | Trustees Of Princeton University | Solar cells using fullerenes |
WO2003001569A2 (en) | 2001-06-21 | 2003-01-03 | The Trustees Of Princeton University | Organic light-emitting devices with blocking and transport layers |
JP4152665B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2008-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
DE10135513B4 (de) | 2001-07-20 | 2005-02-24 | Novaled Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP2003043998A (ja) | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Pioneer Electronic Corp | ディスプレイ装置 |
KR100439648B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US6734038B2 (en) * | 2001-09-04 | 2004-05-11 | The Trustees Of Princeton University | Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition |
WO2003023876A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Structure polymere, element fonctionnel comportant une telle structure ; transistor et ecran presentant cette structure |
DE10145492B4 (de) * | 2001-09-14 | 2004-11-11 | Novaled Gmbh | Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung, insbesondere als Weißlichtquelle |
US6680578B2 (en) * | 2001-09-19 | 2004-01-20 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Organic light emitting diode light source |
JP2003203769A (ja) | 2001-10-29 | 2003-07-18 | Sony Corp | 線状パターン及びパターン形成方法、画像表示装置及びその製造方法 |
WO2003044829A1 (en) | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus |
JP3852916B2 (ja) | 2001-11-27 | 2006-12-06 | パイオニア株式会社 | ディスプレイ装置 |
DE10157945C2 (de) * | 2001-11-27 | 2003-09-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektrolumineszierenden Displays sowie ein organisches, elektrolumineszierendes Display |
US6734457B2 (en) * | 2001-11-27 | 2004-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
US6872472B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
DE10207859A1 (de) * | 2002-02-20 | 2003-09-04 | Univ Dresden Tech | Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
DE10209789A1 (de) | 2002-02-28 | 2003-09-25 | Univ Dresden Tech | Photoaktives Bauelement mit organischen Schichten |
JP3933591B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE10215210B4 (de) * | 2002-03-28 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Transparentes, thermisch stabiles lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
JP2003297561A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機薄膜素子の製造方法及び有機薄膜素子 |
GB0208506D0 (en) | 2002-04-12 | 2002-05-22 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Film coating |
GB2388236A (en) | 2002-05-01 | 2003-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Display and driver circuits |
DE10224021B4 (de) * | 2002-05-24 | 2006-06-01 | Novaled Gmbh | Phosphoreszentes lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten |
US20030230980A1 (en) | 2002-06-18 | 2003-12-18 | Forrest Stephen R | Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure |
US6670772B1 (en) | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
DE10229231B9 (de) | 2002-06-28 | 2006-05-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Strahlung emittierenden und/oder empfangenden Halbleiterchips mit einer Strahlungsein- und/oder -auskoppel-Mikrostruktur |
GB0215309D0 (en) * | 2002-07-03 | 2002-08-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Combined information display and information input device |
US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
DE10232238A1 (de) * | 2002-07-17 | 2004-02-05 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Elektrolumineszierende Vorrichtung aus zweidimensionalem Array |
KR20050026494A (ko) | 2002-07-23 | 2005-03-15 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계발광 디스플레이 및 이러한 디스플레이를 포함하는전자 디바이스 |
GB2392023A (en) | 2002-08-05 | 2004-02-18 | Gen Electric | Series connected oled structure and fabrication method |
US7034470B2 (en) * | 2002-08-07 | 2006-04-25 | Eastman Kodak Company | Serially connecting OLED devices for area illumination |
TW556446B (en) * | 2002-09-11 | 2003-10-01 | Opto Tech Corp | Organic light-emitting device and the manufacturing method thereof |
US20040067324A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Lazarev Pavel I | Organic photosensitive optoelectronic device |
JP4288918B2 (ja) | 2002-09-26 | 2009-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機elパネルおよびその製造方法、それを用いた電気光学パネル並びに電子機器 |
US6965197B2 (en) | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
DE10262143B4 (de) * | 2002-12-20 | 2011-01-20 | Ksg Leiterplatten Gmbh | Lichtemittierende Anordnung |
JP2004214120A (ja) | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Sony Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
JP2004234942A (ja) | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Yodogawa Steel Works Ltd | 無機el素子の作製方法 |
KR100560785B1 (ko) * | 2003-02-03 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저전압에서 구동되는 유기 전계 발광 소자 |
US6870196B2 (en) * | 2003-03-19 | 2005-03-22 | Eastman Kodak Company | Series/parallel OLED light source |
US7521113B2 (en) * | 2003-04-28 | 2009-04-21 | Zheng-Hong Lu | Light-emitting devices with fullerene layer |
US6936961B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers |
EP1477892B1 (en) * | 2003-05-16 | 2015-12-23 | Sap Se | System, method, computer program product and article of manufacture for inputting data in a computer system |
JP4435735B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2010-03-24 | 株式会社イデアルスター | 発光素子、及び発光装置 |
JP4194436B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型有機トランジスタ |
DE10335727A1 (de) * | 2003-08-05 | 2005-02-24 | H.C. Starck Gmbh | Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten |
CN100440528C (zh) * | 2003-08-12 | 2008-12-03 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于交流驱动有机二极管的电路装置及其制造方法 |
JP2005063840A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 自発光表示装置及び有機el表示装置 |
DE10338406A1 (de) * | 2003-08-18 | 2005-03-24 | Novaled Gmbh | Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung |
US7180089B2 (en) * | 2003-08-19 | 2007-02-20 | National Taiwan University | Reconfigurable organic light-emitting device and display apparatus employing the same |
DE10339772B4 (de) * | 2003-08-27 | 2006-07-13 | Novaled Gmbh | Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP2005116193A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Toyota Industries Corp | 有機電界発光素子及び当該素子を備えた有機電界発光デバイス |
DE10347856B8 (de) | 2003-10-10 | 2006-10-19 | Colorado State University Research Foundation, Fort Collins | Halbleiterdotierung |
US7432124B2 (en) * | 2003-11-04 | 2008-10-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of making an organic light emitting device |
JP2005156925A (ja) | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
US7030554B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | Full-color organic display having improved blue emission |
JP4276109B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2009-06-10 | ローム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
DE102004010954A1 (de) | 2004-03-03 | 2005-10-06 | Novaled Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als n-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil |
EP1737925A1 (en) * | 2004-04-19 | 2007-01-03 | Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. | New organic luminescent element |
TWI265753B (en) | 2004-05-11 | 2006-11-01 | Lg Chemical Ltd | Organic electronic device |
US20050269943A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-08 | Michael Hack | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
US20060014044A1 (en) | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules |
DE112005002603A5 (de) * | 2004-08-13 | 2007-08-09 | Novaled Gmbh | Schichtanordnung für ein Lichtemittierendes Bauelement |
CN1738069A (zh) * | 2004-08-17 | 2006-02-22 | 国际商业机器公司 | 其电极具有增强注入特性的电子器件制造方法和电子器件 |
DE102004041371B4 (de) * | 2004-08-25 | 2007-08-02 | Novaled Ag | Bauelement auf Basis einer organischen Leuchtdiodeneinrichtung und Verfahren zur Herstellung |
KR20060026776A (ko) * | 2004-09-21 | 2006-03-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
EP1684365A3 (en) * | 2005-01-20 | 2008-08-13 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Transistor |
EP2264806B1 (de) | 2005-04-13 | 2019-03-27 | Novaled GmbH | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
EP1729346A1 (de) | 2005-06-01 | 2006-12-06 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauteil mit einer Elektrodenanordnung |
EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
EP1806795B1 (de) * | 2005-12-21 | 2008-07-09 | Novaled AG | Organisches Bauelement |
EP1804308B1 (en) * | 2005-12-23 | 2012-04-04 | Novaled AG | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other |
US7667230B2 (en) * | 2006-03-31 | 2010-02-23 | 3M Innovative Properties Company | Electronic devices containing acene-thiophene copolymers |
DE102006059509B4 (de) * | 2006-12-14 | 2012-05-03 | Novaled Ag | Organisches Leuchtbauelement |
-
2006
- 2006-05-05 EP EP06009302A patent/EP1848049B1/de active Active
-
2007
- 2007-04-13 US US12/297,506 patent/US8569743B2/en active Active
- 2007-04-13 KR KR1020087028257A patent/KR101386657B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-13 JP JP2009505758A patent/JP5254208B2/ja active Active
- 2007-04-13 WO PCT/EP2007/003311 patent/WO2007121877A1/de active Application Filing
- 2007-04-18 TW TW096113720A patent/TWI460898B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200803005A (en) | 2008-01-01 |
EP1848049B1 (de) | 2009-12-09 |
US8569743B2 (en) | 2013-10-29 |
WO2007121877A1 (de) | 2007-11-01 |
KR101386657B1 (ko) | 2014-04-17 |
EP1848049A1 (de) | 2007-10-24 |
JP2009534816A (ja) | 2009-09-24 |
TWI460898B (zh) | 2014-11-11 |
KR20090009252A (ko) | 2009-01-22 |
US20100065825A1 (en) | 2010-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5184736B2 (ja) | 発光素子とその製造方法 | |
JP5254208B2 (ja) | 発光装置 | |
TWI406440B (zh) | 具多數彼此堆疊有機電激發光單元之有機發光裝置 | |
JP5102967B2 (ja) | Pin型有機発光ダイオードの積層体および製造方法 | |
US6784016B2 (en) | Organic light-emitting devices with blocking and transport layers | |
TWI445445B (zh) | 有機發光裝置及其製造方法 | |
JP3695714B2 (ja) | 有機層を持つ発光素子 | |
JP5322075B2 (ja) | 有機りん光発光デバイスおよびその製造方法 | |
JP5624459B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005520307A (ja) | 有機層を有する透明な熱安定性発光素子 | |
JP2011522391A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
Jung et al. | High performance inkjet printed phosphorescent organic light emitting diodes based on small molecules commonly used in vacuum processes | |
US20240035640A1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Lighting Apparatus for Vehicles Using the Same | |
JP2010226059A (ja) | 有機電界発光素子 | |
US20240206218A1 (en) | Organic Light Emitting Device, Display Substrate and Display Apparatus | |
JP2009295822A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
Parthasarathy et al. | Organic light emitting devices: From displays to lighting | |
US20080290783A1 (en) | Self-assembled monolayer for tuning the work function of metal electrodes | |
JP2008502128A (ja) | ドープ有機層を有する有機発光ダイオード | |
US20220271260A1 (en) | Organic light emitting device | |
Srivastava et al. | Organic Light Emitting Diodes-Recent Advancements | |
WO2007071451A1 (en) | An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120613 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130417 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5254208 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |