JP4435735B2 - 発光素子、及び発光装置 - Google Patents
発光素子、及び発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4435735B2 JP4435735B2 JP2005511564A JP2005511564A JP4435735B2 JP 4435735 B2 JP4435735 B2 JP 4435735B2 JP 2005511564 A JP2005511564 A JP 2005511564A JP 2005511564 A JP2005511564 A JP 2005511564A JP 4435735 B2 JP4435735 B2 JP 4435735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- transport layer
- emitting device
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 57
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 57
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 27
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- -1 polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/211—Fullerenes, e.g. C60
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
9 プラスティック基板
2、10、18、26、33、53、60、102 陽極
3、11、19、27、42、51、103 正孔注入層
4、12、20、28、34、43、52、104 正孔輸送層
5、13、21、29、35、54、44、61、105 発光層
6、14、22、36、45、55、62、106 電子輸送層
7、15、23、30、46、56、107 電子注入層
8、16、24、31、37、57、63、108 陰極
39 ソース電極
40 半導体層
41、49 ゲート電極
47 ドレイン電極
50 ゲート絶縁膜
58 保護絶縁膜
201 カラム・ドライバー
202 ロー・ドライバー
透明ガラス基板(コーニング1713、30mm×30mm、厚さ0.8mm)を用意し、ガラス基板上に、ITOからなる薄膜をスパッター法により厚さ340Å堆積し、陽極を形成した。また、陽極上に、東京化成製銅フタロシアニン(商品名P1005)からなる薄膜を蒸着法により厚さ10Å堆積し、正孔注入層を形成した。次に、正孔注入層上に、アルドリッチ製NPD(商品名55,669−6)からなる薄膜を蒸着法により厚さ1000Å堆積し、正孔輸送層を形成した。次に、同仁化学製Alq3(商品名T203)を昇華精製した。そして、正孔注入層上に、精製したAlq3からなる薄膜を蒸着法により厚さ500Å堆積し、発光層を形成した。次に、アルドリッチ製PBD(商品名25,785−0)を昇華精製した。そして、発光層上に、精製したPBDとNaを蒸着源とする共蒸着法により、NaをドープしたPBDからなる薄膜を厚さ500Å堆積し、電子輸送層を形成した。次に、電子輸送層上に、LiFからなる薄膜を蒸着法により厚さ5Å堆積し、電子注入層を形成した。そして、電子注入層上に、Alからなる薄膜を蒸着法により厚さ1000Å堆積し、陰極を形成した。次に、陰極上に透明ガラス基板(コーニング1713、30mm×30mm、厚さ0.8mm)を貼り付け、比較例に係る発光素子を得た。
まず、透明ガラス基板(コーニング1713、30mm×30mm、厚さ0.8mm)を用意し、ガラス基板上に、ITOからなる薄膜をスパッター法により厚さ340Å堆積し、陽極を形成した。次に、陽極上に、東京化成製銅フタロシアニン(商品名P1005)からなる薄膜を蒸着法により厚さ10Å堆積し、正孔注入層を形成した。そして、正孔注入層上に、アルドリッチ製NPD(商品名55,669−6)からなる薄膜を蒸着法により厚さ1000Å堆積し、正孔輸送層を形成した。次に、同仁化学製Alq3(商品名T203)を昇華精製した。正孔注入層上に、精製したAlq3からなる薄膜を蒸着法により厚さ500Å堆積し、発光層を形成した。そして、イデアルスター製Na@C6050mgをニラコ製モリブデンボート(SS−1−10)にセットした後、基板を10cm上方に設置し、真空度10−6Torr下で前記ボートに100mAを印加し、Na@C60を600℃、60秒間加熱して昇華させ、基板上に堆積させることにより、厚さ500Åの薄膜からなる電子輸送層を形成した。次に、電子輸送層上に、LiFからなる薄膜を蒸着法により厚さ5Å堆積し、電子注入層を形成した。そして、電子注入層上に、Alからなる薄膜を蒸着法により厚さ1000Å堆積し、陰極を形成した。次に、陰極上に透明ガラス基板(コーニング1713、30mm×30mm、厚さ0.8mm)を貼り付け、実施例1に係る発光素子を得た。
まず、透明ガラス基板(コーニング1713、30mm×30mm、厚さ0.8mm)を用意し、ガラス基板上に、ITOからなる薄膜をスパッター法により厚さ340Å堆積し、陽極を形成した。次に、陽極上に、東京化成製銅フタロシアニン(商品名P1005)からなる薄膜を蒸着法により厚さ10Å堆積し、正孔注入層を形成した。そして、正孔注入層上に、アルドリッチ製NPD(商品名55,669−6)からなる薄膜を蒸着法により厚さ1000Å堆積し、正孔輸送層を形成した。次に、同仁化学製Alq3(商品名T203)を昇華精製した。正孔注入層上に、精製したAlq3からなる薄膜を蒸着法により厚さ500Å堆積し、発光層を形成した。そして、アルドリッチ製PBD(商品名25,785−0)20mgを昇華精製した。イデアルスター製Na@C60を10mg用意し、発光層上に、実施例1に係る発光素子の製造に準じ、精製したPBDとNa@C60を蒸着源とする共蒸着法により、Na@C60をドープしたPBDからなる薄膜を厚さ500Å堆積し、電子輸送層を形成した。電子輸送層の形成条件として、PBDの加熱温度を700℃、Na@C60の加熱温度を600℃とした。次に、電子輸送層上に、LiFからなる薄膜を蒸着法により厚さ5Å堆積し、電子注入層を形成した。そして、電子注入層上に、Alからなる薄膜を蒸着法により厚さ1000Å堆積し、陰極を形成した。次に、陰極上に透明ガラス基板(コーニング1713、30mm×30mm、厚さ0.8mm)を貼り付け、実施例2に係る発光素子を得た。
以上の方法により作製した、実施例1及び2並びに比較例に係る発光素子の発光効率(cd/A)と最低駆動電圧(V)を、陰極の形成後5時間以内に常温常圧の通常の実験室環境で測定した。最低駆動電圧は、200cd/m2の発光開始電圧と定義した。以下に示す測定データは、各作製方法により作製された10個の発光素子の測定値の平均値である。
発光素子 発光効率(cd/A) 最低駆動電圧(V)
比較例 4.2 4.5
実施例1 9.5 3.8
実施例2 8.2 4.3
Claims (6)
- 陽極、発光層及び陰極を含み、かつ、陰極と発光層との間に電子注入層及び/又は電子輸送層が介在する発光素子において、前記電子注入層及び/又は電子輸送層の少なくとも一つの層が、アルカリ金属内包フラーレン類又はアルカリ金属内包フラーレン類をドープした有機材料からなることを特徴とする発光素子。
- 電子輸送層が、アルカリ金属内包フラーレン類又はアルカリ金属内包フラーレン類をドープした有機材料である請求項1記載の発光素子。
- 陽極と発光層との間に正孔注入層及び/又は正孔輸送層が介在する請求項1又は2記載の発光素子。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載の発光素子を複数用いてアレイ状又はマトリクス状に配置した発光装置。
- 請求項4記載の発光装置を含む表示装置。
- 請求項4記載の発光装置を含む照明装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003273100 | 2003-07-10 | ||
JP2003273100 | 2003-07-10 | ||
PCT/JP2004/009945 WO2005006817A1 (ja) | 2003-07-10 | 2004-07-12 | 発光素子、及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005006817A1 JPWO2005006817A1 (ja) | 2007-09-20 |
JP4435735B2 true JP4435735B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=34056004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005511564A Expired - Fee Related JP4435735B2 (ja) | 2003-07-10 | 2004-07-12 | 発光素子、及び発光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7528541B2 (ja) |
JP (1) | JP4435735B2 (ja) |
KR (1) | KR101102282B1 (ja) |
CN (1) | CN100477873C (ja) |
WO (1) | WO2005006817A1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005004547A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示装置 |
US20060014044A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Au Optronics Corporation | Organic light-emitting display with multiple light-emitting modules |
KR101027896B1 (ko) | 2004-08-13 | 2011-04-07 | 테크니셰 유니베르시테트 드레스덴 | 발광 컴포넌트를 위한 층 어셈블리 |
US7279705B2 (en) | 2005-01-14 | 2007-10-09 | Au Optronics Corp. | Organic light-emitting device |
DE502005002342D1 (de) * | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Lichtemittierendes Bauelement |
KR100622229B1 (ko) | 2005-03-16 | 2006-09-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플러렌계 탄소화합물을 이용한 발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100712290B1 (ko) | 2005-04-12 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
EP2284923B1 (de) | 2005-04-13 | 2016-12-28 | Novaled GmbH | Anordnung für eine organische Leuchtdiode vom pin-Typ und Verfahren zum Herstellen |
WO2006126363A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode for organic transistor, organic transistor, and semiconductor device |
CN100431195C (zh) * | 2005-04-22 | 2008-11-05 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光元件 |
US7560735B2 (en) * | 2005-04-22 | 2009-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device |
TWI306113B (en) * | 2005-08-03 | 2009-02-11 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Organic light emitting diode |
JP4887741B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2012-02-29 | 三菱化学株式会社 | アルカリ金属原子及びフラーレン類を含有する層を有する有機電界発光素子及びその製造方法 |
DE502005004675D1 (de) * | 2005-12-21 | 2008-08-21 | Novaled Ag | Organisches Bauelement |
EP1804309B1 (en) * | 2005-12-23 | 2008-07-23 | Novaled AG | Electronic device with a layer structure of organic layers |
EP1808909A1 (de) * | 2006-01-11 | 2007-07-18 | Novaled AG | Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung |
WO2007086534A1 (en) * | 2006-01-26 | 2007-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor and semiconductor device |
EP1848049B1 (de) * | 2006-04-19 | 2009-12-09 | Novaled AG | Lichtemittierendes Bauelement |
KR100830976B1 (ko) | 2006-11-21 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치 |
DE102007019260B4 (de) * | 2007-04-17 | 2020-01-16 | Novaled Gmbh | Nichtflüchtiges organisches Speicherelement |
GB2453387A (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-08 | Oled T Ltd | OLED with fullerene charge transporting layer |
JP4920548B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-04-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
GB2460646B (en) * | 2008-06-02 | 2012-03-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electroluminescence element |
DE102008036063B4 (de) * | 2008-08-04 | 2017-08-31 | Novaled Gmbh | Organischer Feldeffekt-Transistor |
DE102008036062B4 (de) | 2008-08-04 | 2015-11-12 | Novaled Ag | Organischer Feldeffekt-Transistor |
EP2194110A1 (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-09 | Gracel Display Inc. | Electroluminescent device using electroluminescent compounds |
KR20130024040A (ko) | 2011-08-30 | 2013-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 발광 다이오드 및 이를 포함하는 광 발광 표시 장치 |
CN103311444A (zh) * | 2012-03-06 | 2013-09-18 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 电致发光器件及其制备方法 |
CN105304497B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-05-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法 |
CN112614955A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-06 | 北京维信诺科技有限公司 | 有机发光二极管和显示面板及制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0693258A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Toshiba Corp | 有機薄膜素子 |
JPH08310805A (ja) | 1995-05-10 | 1996-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 導電性フラ−レン固体とその製造方法 |
JPH09309711A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Toyo Tanso Kk | 炭素クラスター、それを製造するための原料及びその炭素クラスターの製造方法 |
JP2002502128A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | ユニアックス コーポレイション | X−yアドレス指定可能な電気的マイクロスイッチアレイとこれを使用したセンサマトリックス |
JP2000123976A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2002313582A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
JP2003059657A (ja) | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2002280176A (ja) | 2002-03-07 | 2002-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜el素子およびその駆動方法 |
GB0215309D0 (en) * | 2002-07-03 | 2002-08-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Combined information display and information input device |
-
2004
- 2004-07-12 WO PCT/JP2004/009945 patent/WO2005006817A1/ja active Application Filing
- 2004-07-12 CN CNB2004800194016A patent/CN100477873C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-12 JP JP2005511564A patent/JP4435735B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-12 KR KR1020067000671A patent/KR101102282B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-12 US US10/563,379 patent/US7528541B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005006817A1 (ja) | 2005-01-20 |
JPWO2005006817A1 (ja) | 2007-09-20 |
KR101102282B1 (ko) | 2012-01-03 |
KR20060035741A (ko) | 2006-04-26 |
CN100477873C (zh) | 2009-04-08 |
US20060238112A1 (en) | 2006-10-26 |
US7528541B2 (en) | 2009-05-05 |
CN1820552A (zh) | 2006-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4435735B2 (ja) | 発光素子、及び発光装置 | |
US7358538B2 (en) | Organic light-emitting devices with multiple hole injection layers containing fullerene | |
US6366017B1 (en) | Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector | |
US6720572B1 (en) | Organic light emitters with improved carrier injection | |
JP5638176B2 (ja) | 有機電子デバイス用の金属化合物−金属多層電極 | |
US20060228543A1 (en) | Metal/fullerene anode structure and application of same | |
JP3838518B2 (ja) | 発光構造 | |
JP2011522391A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005129496A (ja) | 有機発光素子 | |
JP5642194B2 (ja) | 均一な温度分布を有する有機発光装置 | |
Sain et al. | A review paper on: organic light-emitting diode (oled) technology and applications | |
JP2005513737A (ja) | 電子およびオプトエレクトロニクス・デバイス用の電極構造 | |
US20170170424A1 (en) | Electroluminescent device and its manufacturing method, display substrate, display unit | |
JP4011337B2 (ja) | 発光装置及びその作製方法。 | |
KR100906782B1 (ko) | 유기 발광 소자 | |
Fukagawa et al. | P. 140L: Late‐News Poster: Highly Efficient Inverted OLED with Air‐Stable Electron Injection Layer | |
US7626332B2 (en) | Luminance uniformity enhancement methods for an OLED light source | |
KR101347656B1 (ko) | 도핑된 풀러렌을 함유하는 유기 발광 소자, 및 이의 제조방법 | |
US20080042556A1 (en) | Organic light emitting structure | |
Oliva et al. | Semi‐transparent polymer light emitting diodes with multiwall carbon nanotubes as cathodes | |
US20030230973A1 (en) | [organic electro-luminescence device and fabricating method thereof] | |
WO2001001452A2 (en) | Organic light emitters with improved carrier injection | |
KR20070070650A (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 구비한 평판 표시 장치 | |
Xu | Organic Light-Emitting Diodes | |
KR100871910B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091216 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4435735 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |